專利名稱：多級(jí)閃存的部分頁(yè)編程的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的具體實(shí)施例關(guān)于快閃電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器半導(dǎo)體裝置。更具體地說(shuō)，本發(fā)明的具體實(shí)施例提供一方法和裝置，以用于多級(jí)閃存裝置的部分頁(yè)編程編程。
背景技術(shù)：
閃存是一種具有許多理想特性的半導(dǎo)體計(jì)算裝置內(nèi)存。就像只讀存儲(chǔ)器(ROM)，它是非易失性的，也就是說(shuō)內(nèi)存的內(nèi)容是穩(wěn)定的，并且在沒(méi)有施加電源時(shí)仍能保持。
閃存優(yōu)于ROM之處在于閃存的內(nèi)存內(nèi)容可在裝置制造之后改變。不過(guò)，閃存一般無(wú)法以比得上隨機(jī)存取內(nèi)存(RAM)的速率來(lái)寫(xiě)入或編程。再者，閃存一般在改變其內(nèi)容之前，必須整體性地或者以稱為頁(yè)的大塊來(lái)擦除。
閃存已類型被多種類型的計(jì)算裝置廣泛接受，包括臺(tái)式機(jī)、移動(dòng)電話以及手提電腦。閃存同樣廣泛地使用于數(shù)碼相機(jī)以及便攜式數(shù)字音樂(lè)播放器，例如“MP3”播放器。
除了例如在攝影機(jī)中的直接閃存應(yīng)用之外，基于閃存的儲(chǔ)存裝置在許多應(yīng)用中取代稱為硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的旋轉(zhuǎn)式磁盤(pán)。相較于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，閃存則明顯地更具有保護(hù)性、更安靜、更低功耗，而就某些密度來(lái)說(shuō)，這種以閃存為基礎(chǔ)的裝置則可能更小于同等的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器。
如先前所討論的，閃存頁(yè)一般必須在可能將新數(shù)據(jù)儲(chǔ)存于該頁(yè)之前予以擦除。擦除一頁(yè)時(shí)間較長(zhǎng)，通常以數(shù)百毫秒來(lái)測(cè)量。這是比較RAM與硬式磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器而言的一個(gè)缺點(diǎn)，它們可以不用擦除就直接地寫(xiě)入。
為了緩和此缺點(diǎn)，一些閃存裝置能夠進(jìn)行部分頁(yè)編程。部分頁(yè)編程是一種技術(shù)，藉此一頁(yè)閃存的某些內(nèi)容可能無(wú)需擦除即可更新。通常，閃存的一單元被描述為處于擦除狀態(tài)或編程狀態(tài)。編程或擦除狀態(tài)可賦予二進(jìn)制值0，而另一個(gè)狀態(tài)則賦予二進(jìn)制值1。
假定擦除狀態(tài)賦予二進(jìn)制值1的話，部分頁(yè)編程一般允許編程頁(yè)中1的情形改變成0的值，而無(wú)需中間擦除過(guò)程。一般來(lái)說(shuō)，編程成0值的單元不能改變成1值。從0到1的單元的改變通常需要頁(yè)或塊的擦除過(guò)程。
上述應(yīng)用以及其它，不論在裝置的總數(shù)量上或總位數(shù)上均促使閃存裝置的需求大增。目前由許多閃存制造商所開(kāi)發(fā)的先進(jìn)技術(shù)是在閃存裝置的每個(gè)單元中存儲(chǔ)多個(gè)位。例如，假如閃存裝置的電路可分辨出每個(gè)單元用的三個(gè)儲(chǔ)存級(jí)，那么每?jī)蓚€(gè)單元可儲(chǔ)存三位的信息，這樣使得相同內(nèi)存單元區(qū)域增加50％的儲(chǔ)存空間。假如該單元可儲(chǔ)存四級(jí)的話，那么將使該裝置的存儲(chǔ)密度加倍。此技術(shù)與能力一般稱為多級(jí)單元或MLC。
由于MLC所提供的高階密度增加，這些設(shè)計(jì)對(duì)制造商與消費(fèi)者極具吸引力。由于不增加成本開(kāi)銷(xiāo)而能制造許多更多位的閃存使得制造商從中受益，而消費(fèi)者則享受到較小的產(chǎn)品物理尺寸以及明顯的位成本降低。
不幸地，部分頁(yè)編程在現(xiàn)有的MLC裝置中已經(jīng)無(wú)效，使得MLC閃存在許多應(yīng)用中不太具吸引力。
因此，需要一種用于多級(jí)單元閃存裝置的部分頁(yè)編程的方法與裝置。部分頁(yè)編程將帶給多級(jí)單元閃存裝置許多優(yōu)點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，非常需要提供一種用于多級(jí)單元閃存的部分頁(yè)編程的方法與系統(tǒng)。進(jìn)一步需要一種將新信息與先前儲(chǔ)存在多級(jí)閃存裝置的信息合并的方法。
本發(fā)明揭示了一種用于多級(jí)單元閃存的部分頁(yè)編程的方法與裝置。在一多級(jí)單元閃存中，可以存取新的部分頁(yè)編程信息?？梢源嫒∠惹皟?chǔ)存在內(nèi)存中的信息。新的與先前的信息可以結(jié)合在閃存裝置的頁(yè)緩沖器中。新與先前的信息可視需要結(jié)合在閃存裝置外部的存儲(chǔ)器中。所結(jié)合的信息可用于編程閃存單元。標(biāo)準(zhǔn)的編程與確認(rèn)方法可以用來(lái)將合并的信息編程到閃存單元中。以此新方法，部分頁(yè)編程的優(yōu)點(diǎn)得以實(shí)施，以用于多級(jí)單元閃存裝置。


圖1為根據(jù)本發(fā)明一具體實(shí)施例，一多級(jí)單元閃存單元的顯示圖。
圖2為根據(jù)本發(fā)明一具體實(shí)施例，一多級(jí)單元閃存單元的穩(wěn)定閾值電壓分布圖。
圖3顯示了各級(jí)映射到二位二進(jìn)制值的表格。
圖4A、4B與4C顯示根據(jù)本發(fā)明具體實(shí)施例可進(jìn)行的部分頁(yè)編程轉(zhuǎn)變。
圖5為根據(jù)本發(fā)明一具體實(shí)施例，用于多級(jí)單元閃存的部分頁(yè)編程的方法的流程圖。
圖6為一計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的方塊圖，它可以用作一平臺(tái)，以實(shí)施本發(fā)明的具體實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式
在本發(fā)明多級(jí)閃存的部分頁(yè)編程的以下詳細(xì)說(shuō)明中，將提出各種具體的細(xì)節(jié)，以提供本發(fā)明的徹底了解。不過(guò)，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可不需要這些具體細(xì)節(jié)或其等同物而實(shí)施。在其它的情形中，公知方法、步驟、組件與電路未作詳細(xì)說(shuō)明，以免使本發(fā)明的各方面不明顯。
多級(jí)閃存的部分頁(yè)編程本發(fā)明的具體實(shí)施例以半導(dǎo)體閃存為背景來(lái)說(shuō)明。不過(guò)，令人理解的是，本發(fā)明可以應(yīng)用于其它類型的內(nèi)存裝置，在此它可根據(jù)需要更新一中間狀態(tài)的內(nèi)容。
圖1顯示根據(jù)本發(fā)明一具體實(shí)施例而設(shè)計(jì)的多級(jí)單元閃存單元100。多級(jí)單元閃存裝置可由許多這種單元，連同除了讀取、擦除以及編程電路之外的地址電路所組成。
多級(jí)單元閃存單元100可由柵極130、源極120與漏極110組成。絕緣體140與160可由氧化物材料組成。浮動(dòng)?xùn)艠O150可用于儲(chǔ)存電荷。
浮動(dòng)?xùn)艠O150的閾值電壓可由來(lái)自浮動(dòng)?xùn)艠O150的電子的注入或移除所調(diào)整。假如柵極電壓大于閾值電壓的話，該單元可能傳導(dǎo)大于1微安的電流，并且稱為處于擦除狀態(tài)。假如柵極電壓小于臨界電壓的話，該單元可能傳導(dǎo)小于1微安的電流，并稱為處于編程狀態(tài)。
單元100的結(jié)構(gòu)特征在于四個(gè)相對(duì)窄范圍的閾值電壓可被儲(chǔ)存，更重要的是，可在稍后決定。這種能力使得一個(gè)單元內(nèi)可存儲(chǔ)多個(gè)位值。因?yàn)閱卧?00可儲(chǔ)存四個(gè)范圍，所以這些范圍可以代表兩個(gè)位，或者四個(gè)狀態(tài)。
圖2為根據(jù)本發(fā)明一具體實(shí)施例而設(shè)計(jì)的多級(jí)單元閃存單元的穩(wěn)定閾值電壓的分布圖200。垂直軸是電荷載體的數(shù)目，水平軸是電荷載體的電壓。
分布240可代表電壓閾值大于1.6伏特的電荷分布。分布230可代表電壓閾值大于0.8伏特但卻小于1.6伏特的電荷分布。分布220可代表電壓閾值大于0.0伏特，但卻小于0.8伏特的電荷分布。分布210可代表電壓臨界值小于0伏特的電荷分布。
在多級(jí)單元閃存單元100上的讀取操作期間內(nèi)，檢測(cè)出浮動(dòng)?xùn)艠O1 50上大于1.6伏特的閾值電壓，被解釋為二進(jìn)制值“00.”。在0.8伏特與1.6伏特之間的電壓閾值則被解釋為“01.”。在0伏特與0.8伏特之間的電壓閾值則被解釋為“10.”。小于0伏特的電壓則被解釋為“擦除”，并且被指定二進(jìn)制值“11.”。應(yīng)該理解的是，將特定二進(jìn)制值賦給特定電荷分布狀態(tài)是可選擇的，而且其它可能的關(guān)系能極好地適用于本發(fā)明具體實(shí)施例。
圖3顯示各級(jí)映射到二位二進(jìn)制值的表格300。根據(jù)本發(fā)明一具體實(shí)施例，Q2與Q1代表位值。例如，將該擦除狀態(tài)賦二進(jìn)制值“11”。應(yīng)該理解的是，將特定二進(jìn)制值賦給特定級(jí)是可選擇的，而且Q1與Q2可能交換，而且其它可能的關(guān)系能極好地適用于本發(fā)明的具體實(shí)施例。
圖4A顯示根據(jù)本發(fā)明一具體實(shí)施例，擦除狀態(tài)的可允許編程轉(zhuǎn)變。轉(zhuǎn)變405代表將二進(jìn)制值“10”儲(chǔ)存到單元100。參考圖2，轉(zhuǎn)變405代表在浮動(dòng)?xùn)艠O150的電荷分布從區(qū)域210到區(qū)域220的改變，或者電壓閾值的增加。相同地，轉(zhuǎn)變410代表將二進(jìn)制值“01”儲(chǔ)存到單元100。再度參考圖2，轉(zhuǎn)變410代表在浮動(dòng)?xùn)艠O150的電荷分布從區(qū)域210到區(qū)域230的改變，或者電壓閾值的增加。最后，轉(zhuǎn)變420代表將二進(jìn)制值“00”儲(chǔ)存到單元100。再度參考圖2，轉(zhuǎn)變420代表在浮動(dòng)?xùn)艠O150的電荷分布從區(qū)域210到區(qū)域240的改變，或者電壓閾值的增加。重要的是，這三種描述出來(lái)的轉(zhuǎn)變405、410以及420，都增加電壓閾值。
多級(jí)單元閃存裝置的特征在于使用者一般注意不到這種編碼。一般將數(shù)據(jù)以常用數(shù)據(jù)寬度的并行方式，典型地為8或16位寬，傳送給一閃存裝置。重要地，使用者基本上不會(huì)具體說(shuō)明那個(gè)位被指定為“Q1”或“Q2”。因此，就多級(jí)單元閃存裝置的部分頁(yè)編程來(lái)說(shuō)，對(duì)使用者限制類似于對(duì)公知部分頁(yè)編程閃存裝置的使用者限制，也就是每單元儲(chǔ)存單一位的閃存裝置。
該限制一般描述為“一數(shù)據(jù)位可能僅在一方向中改變?！?。為了在此的實(shí)例，該方向已經(jīng)選擇出來(lái)以允許由“1”到“0”的位轉(zhuǎn)變。應(yīng)該理解的是，其它公知的轉(zhuǎn)變能很好地適用于本發(fā)明的具體實(shí)施例。
圖4B顯示根據(jù)本發(fā)明一具體實(shí)施例，零級(jí)狀態(tài)的可允許轉(zhuǎn)變。轉(zhuǎn)變430代表將單元100的值從“10”改變到“00”。參考圖2，轉(zhuǎn)變430可代表在浮動(dòng)?xùn)艠O150的電荷分布從區(qū)域220至區(qū)域240的改變，或者電壓閾值的增加。重要的是，該轉(zhuǎn)變符合僅在一方向中改變位的規(guī)則。重要的是，轉(zhuǎn)變430增加電壓臨界值。
圖4C顯示根據(jù)本發(fā)明一具體實(shí)施例而設(shè)計(jì)的來(lái)自第一層狀態(tài)的可允許轉(zhuǎn)變。轉(zhuǎn)變440代表將單元100的值從“01”改變到“00”。更加參考圖2，可能見(jiàn)到的是，轉(zhuǎn)變440得代表在浮動(dòng)?xùn)艠O150的電荷分布中，從區(qū)域230到區(qū)域240的改變，或者電壓臨界值的增加。重要的是，此轉(zhuǎn)變符合一位僅于一方向改變的規(guī)則。重要的是，轉(zhuǎn)變440增加了電壓閾值。
另一轉(zhuǎn)變(未顯示)有可能在單元級(jí)上，對(duì)應(yīng)于將單元100值從“10”改變到“01”。此一轉(zhuǎn)變將對(duì)應(yīng)將電荷分布從區(qū)域220改變到區(qū)域230。這一轉(zhuǎn)變確實(shí)對(duì)應(yīng)電壓閾值的增加。不過(guò)，可能看到，因?yàn)閮蓚€(gè)位都發(fā)生改變，而且一個(gè)在不允許方向上改變，所以這一轉(zhuǎn)變將破壞“一位，一方向”規(guī)則。因此，為了保護(hù)使用者免于將哪個(gè)位模式映射到哪個(gè)級(jí)的管理復(fù)雜性，在裝置級(jí)上不允許這種轉(zhuǎn)變。
重要的是，該轉(zhuǎn)變的不允許維持與單一位每單元部分頁(yè)編程閃存裝置的向后兼容。此外，而且同樣重要地，此轉(zhuǎn)變的不允許能夠前向兼容每單元可能儲(chǔ)存超過(guò)兩位的閃存裝置。任何給定的多位轉(zhuǎn)變可能在具有每單元較高位數(shù)或甚至具有不同編碼的未來(lái)多級(jí)單元裝置中不再有效。例如，假如將該編碼反向，以致使“00”代表最高閾值電壓的話，那么“10”至“01”的轉(zhuǎn)變將不可能。
再次參考圖2，單元100的編程過(guò)程可以看作添加電荷到浮動(dòng)?xùn)艠O150。公知的編程添加足夠的電荷到擦除狀態(tài)，以產(chǎn)生希望的閾值電壓。換句話說(shuō)，參考圖4A，各轉(zhuǎn)變405、410或者420表示添加固定數(shù)量的電荷到單元100。即使兩轉(zhuǎn)變產(chǎn)生相同的電荷狀態(tài)(級(jí)2)，轉(zhuǎn)變440(圖4C)很大程度上不同于轉(zhuǎn)變420(圖4A)。
往回參考圖2，轉(zhuǎn)變420必須添加足夠的電荷到浮動(dòng)?xùn)艠O150，以將閾值電壓從區(qū)域210移動(dòng)到240。不過(guò)，為了完成轉(zhuǎn)變440，必須將實(shí)質(zhì)上較少的電荷加入，只有從區(qū)域230移動(dòng)到區(qū)域240所必須的電荷量。結(jié)果，即使所希望的終端狀態(tài)可能相同，多級(jí)單元閃存單元的部分頁(yè)編程必須區(qū)分這兩種編程。
圖5顯示根據(jù)本發(fā)明一具體實(shí)施例，在一多級(jí)單元閃存裝置中，用于編程一部分頁(yè)的方法500的流程圖。
在步驟510中，新的部分頁(yè)信息可被存取。基本上，該信息被發(fā)送到閃存裝置上的數(shù)據(jù)引腳。應(yīng)該理解的是，包括例如串行比特流的其它公知的數(shù)據(jù)發(fā)送方法可很好地適用于本發(fā)明的具體實(shí)施例。
在選擇式步驟520的步驟中，一頁(yè)閃存的現(xiàn)有編程狀態(tài)可被存取。根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，這可以是閃存裝置內(nèi)部的讀取操作，而且該頁(yè)內(nèi)容可從一頁(yè)的閃存單元讀入一頁(yè)緩沖器，該頁(yè)緩沖器可為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。應(yīng)該理解的是，讀取一頁(yè)內(nèi)存內(nèi)容的其它公知方法，包括來(lái)自外部微處理器的明確讀取指令，能很好地適用于本發(fā)明的具體在選擇式步驟530中，新部分頁(yè)信息可與一頁(yè)閃存的現(xiàn)有編程狀態(tài)相結(jié)合，以產(chǎn)生新的編程信息。
在步驟540中，新的編程信息編程入一頁(yè)閃存單元。應(yīng)該理解的是，公知的閃存編程方法，包括確認(rèn)步驟，可很好地適用于本發(fā)明的具體實(shí)施例。
以此新方法，一頁(yè)多級(jí)單元閃存可以部分地編程，而無(wú)需一介于其間的擦除步驟。
根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，以下的表1說(shuō)明新的部分頁(yè)編程信息與已有的編程信息相結(jié)合以在多級(jí)單元閃存單元中產(chǎn)生編程與確認(rèn)用的新信息。
表1

表1的最左行代表要被編程的可能數(shù)據(jù)位。此“新數(shù)據(jù)”一般發(fā)送到閃存裝置的數(shù)據(jù)總線上。表1的中間行代表先前已經(jīng)存入諸如單元100的閃存單元的一可能的數(shù)據(jù)位。
應(yīng)該理解的是，就諸如單元100的一多級(jí)單元而言，表1中的位并不代表先前所描述的級(jí)，例如圖3相關(guān)的，但卻代表個(gè)別位。例如，一般將數(shù)據(jù)以位的并行集合從閃存讀出以及寫(xiě)入，通常為8或16位寬。表1的列對(duì)應(yīng)該并行集合的單一位。
表1根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，說(shuō)明新的部分頁(yè)編程信息與已有的編程信息相結(jié)合以在多級(jí)單元閃存單元中產(chǎn)生編程與確認(rèn)用的新信息。如上所述(見(jiàn)圖2與圖4所討論的)，只允許某些部分頁(yè)編程轉(zhuǎn)變。表1說(shuō)明了這些轉(zhuǎn)變。
表1的第一行代表新數(shù)據(jù)，例如并行位集合的位7，作為部分頁(yè)編程操作的一部分被編程。在這種情況下，如第1行的第1列所示，位7是0。如第1行的第2列所示，對(duì)應(yīng)到位7的多級(jí)單元的儲(chǔ)存內(nèi)容為0。應(yīng)該理解的是，如圖2以及圖4A到圖4C所示，該單元的這些儲(chǔ)存內(nèi)容可能代表Q1或Q2。
第1行的第3列顯示新數(shù)據(jù)與先前儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的結(jié)合將造成該特定位的值為0。根據(jù)本發(fā)明一具體實(shí)施例，該新數(shù)值可被編程及/或確認(rèn)為Q1或Q2，Q1或Q2在多級(jí)單元中定義一儲(chǔ)存級(jí)。應(yīng)該理解的是，例如位7對(duì)應(yīng)于一特定位的Q1的習(xí)慣應(yīng)符合表1的使用。
此新數(shù)據(jù)可能結(jié)合以類似方式而決定的另一數(shù)據(jù)位，例如并行位集合的數(shù)據(jù)位6，以形成對(duì)應(yīng)儲(chǔ)存級(jí)的多位字段。
再次參考表1，新部分頁(yè)數(shù)據(jù)位與先前儲(chǔ)存的位的所有結(jié)合相結(jié)合以形成新編程/確認(rèn)位值0，除了最后行所有位均為1之外。也就是說(shuō)，假如新部分編程位是1，而且儲(chǔ)存的位是1的話，那么該新編程位同樣是1。
做為一實(shí)例，參考圖4B以及表1，令一并行位集合的位6對(duì)應(yīng)Q1，一并行位集合的位7對(duì)應(yīng)Q2。假定該值10(Q2，Q1)事先已儲(chǔ)存到多級(jí)單元內(nèi)，例如單元100。進(jìn)一步假定部分頁(yè)編程單元100為數(shù)值00是可行的。
從表1的第2行可以看到，就位7，Q2而言，新部分頁(yè)位0與儲(chǔ)存值1的結(jié)合應(yīng)產(chǎn)生新的編程/確認(rèn)值0。同樣地，從表1的第1行可以看到，就位7，Q1而言，新部分頁(yè)位0與儲(chǔ)存值0的結(jié)合應(yīng)產(chǎn)生新的編程/確認(rèn)值0。結(jié)合Q2以及Q1，這對(duì)應(yīng)圖4B的從10至00的轉(zhuǎn)變430。
應(yīng)該理解的是，根據(jù)本發(fā)明具體實(shí)施例，表1可能以邏輯AND(和)電路或產(chǎn)生這種對(duì)應(yīng)(例如查找表)的其它公知方法來(lái)實(shí)施。
表1的優(yōu)選實(shí)施例可能以半導(dǎo)體閃存裝置內(nèi)的預(yù)先充電頁(yè)緩沖寄存器來(lái)實(shí)施。當(dāng)預(yù)先充電到“1”時(shí)，此一電路可能僅在估算或讀取期間內(nèi)放電，直到下一讀取周期才能復(fù)位到“1”。
圖6為計(jì)算系統(tǒng)600的方框圖，該系統(tǒng)可作為實(shí)施本發(fā)明的具體實(shí)施例的平臺(tái)。計(jì)算系統(tǒng)600包括用于通信的一地址/數(shù)據(jù)總線650，與該總線相連以處理信息和指令的一中央處理器605，與總線650相連以儲(chǔ)存中央處理器605用的信息與指令的一易失性內(nèi)存615(例如，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM)，以及可選擇地與總線650相連以儲(chǔ)存處理器605用的靜態(tài)信息與指令的一非易失性內(nèi)存610(例如，只讀存儲(chǔ)器ROM)。計(jì)算系統(tǒng)600同樣可選擇地包括一可改變的非易失性內(nèi)存620(例如，閃存)，用來(lái)儲(chǔ)存在系統(tǒng)600制造之后更新的中央處理器605用的信息與指令。
圖6的計(jì)算系統(tǒng)600同樣包括可選擇的文字?jǐn)?shù)字輸入裝置630。裝置630可將信息與指令選擇傳達(dá)到中央處理器600。裝置630可能采取數(shù)字觸控板的形式。
應(yīng)用計(jì)算系統(tǒng)600的可選擇的顯示單元625可為一液晶顯示(LCD)裝置、陰極射線管(CRT)、場(chǎng)發(fā)射裝置(FED，同樣稱為平板CRT)、發(fā)光二極管(LED)、等離子顯示裝置(Plasma display device)、電致發(fā)光顯示(electro-luminescent display)、電子紙或者適合產(chǎn)生用戶可辨識(shí)的圖像與文字?jǐn)?shù)字符號(hào)的其它顯示裝置。
計(jì)算系統(tǒng)600同樣可選擇地包括與總線650相連的一擴(kuò)充接口635。擴(kuò)充接口635可實(shí)施許多公知的標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)充接口，包括但不限于安全數(shù)字卡接口(secure digital card interface)、通用串行總線(USB)接口、CompactFlash存儲(chǔ)卡、個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)卡接口、CardBus總線、外圍設(shè)備互連(PCI)接口、迷你PCI接口、IEEE1394、小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口(SCSI)、個(gè)人計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)卡國(guó)際協(xié)會(huì)(PCMCIA)接口、工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)(ISA)接口或者RS-232接口。應(yīng)該理解的是，外部接口635還可與其它公知或私有的接口相接口，譬如在商業(yè)上可獲的索尼公司的記憶棒(Memory Stick interface)。
在本發(fā)明的一具體實(shí)施例中，擴(kuò)充接口635可能由實(shí)質(zhì)兼容總線650的信號(hào)的信號(hào)組成。
多種公知擴(kuò)展裝置可通過(guò)擴(kuò)展接口635連接到計(jì)算系統(tǒng)600。此裝置的實(shí)例包括，但不限于旋轉(zhuǎn)式磁性存儲(chǔ)裝置、閃存裝置、數(shù)字照相機(jī)、無(wú)線通信模塊、數(shù)字音頻播放器以及全球定位系統(tǒng)裝置。
系統(tǒng)600同樣可選擇地包括通信端口640。通信端口640可能用以作為部分的擴(kuò)展接口635。當(dāng)它用作單獨(dú)接口時(shí)，通信端口640一般通過(guò)面向通信的數(shù)據(jù)傳輸協(xié)議用于與其它裝置交換信息。通信端口的實(shí)例包括，但不受限于RS-232端口、通用異步收發(fā)器(UARTs)、通用串行總線(USB)端口、紅外光收發(fā)器、以太網(wǎng)端口、IEEE1394以及同步端口。
系統(tǒng)600可選擇地包括射頻模塊660，該射頻模塊可能實(shí)現(xiàn)行動(dòng)電話、尋呼機(jī)或數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)連接。射頻模塊660可通過(guò)通信端口640或擴(kuò)展接口635與總線650直接相連。
在此揭示了用于多級(jí)閃存的部分頁(yè)編程的系統(tǒng)與方法的發(fā)明的優(yōu)選具體實(shí)施例。雖然本發(fā)明已經(jīng)說(shuō)明于特定的具體實(shí)施例中，但是應(yīng)該理解的是，本發(fā)明不應(yīng)受限于這些具體實(shí)施例，而應(yīng)根據(jù)以下的權(quán)力要求書(shū)范圍來(lái)理解。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，包含多個(gè)閃存單元(100)，其中所述單元(100)具有超過(guò)兩個(gè)的儲(chǔ)存狀態(tài)；以及其中所述單元(100)可從第一非擦除狀態(tài)直接地編程到第二編程狀態(tài)。
2.如權(quán)力要求1所述的半導(dǎo)體裝置，進(jìn)一步包含一頁(yè)緩沖器，其中該頁(yè)緩沖器將現(xiàn)有單元儲(chǔ)存狀態(tài)與新的部分頁(yè)信息相結(jié)合。
3.如權(quán)力要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中該頁(yè)緩沖器包含預(yù)先充電的寄存器。
4.如權(quán)力要求2所述的半導(dǎo)體裝置，進(jìn)一步包含將該現(xiàn)有單元儲(chǔ)存狀態(tài)與新部分頁(yè)信息相結(jié)合的邏輯。
5.如權(quán)力要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中該邏輯可操作以產(chǎn)生可允許的部分頁(yè)編程轉(zhuǎn)變。
全文摘要
本發(fā)明揭露出一種用于多級(jí)單元閃存裝置的部分頁(yè)編程的方法與裝置。在一多級(jí)單元閃存中，新部分頁(yè)編程信息可被存取(510)。先前儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器中的信息可被存取(520)。新的與先前的信息可結(jié)合于一閃存裝置的一頁(yè)緩沖器中(530)?？蛇x擇地，新的與先前的信息可結(jié)合于閃存裝置外部的存儲(chǔ)器中(530)。所結(jié)合的信息可用于編程閃存的單元(540)。標(biāo)準(zhǔn)的編程與確認(rèn)方法可用于將結(jié)合的信息編程寫(xiě)入閃存的單元(540)。以此新的方式，部分頁(yè)編程的優(yōu)點(diǎn)可被實(shí)現(xiàn)，以用于多級(jí)單元閃存裝置。
文檔編號(hào)G11C11/56GK1630911SQ03803612
公開(kāi)日2005年6月22日 申請(qǐng)日期2003年2月5日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月11日
發(fā)明者A·帕克, G·拉姆 申請(qǐng)人:先進(jìn)微裝置公司