專利名稱：磁盤(pán)機(jī)滑動(dòng)支承結(jié)構(gòu)的制作方法
本申請(qǐng)是專利申請(qǐng)第96104572．8號(hào)(申請(qǐng)日1996年4月5日；發(fā)明名稱“磁盤(pán)機(jī)滑動(dòng)支承結(jié)構(gòu)”)的分案申請(qǐng)。
本發(fā)明涉及一種磁盤(pán)裝置，特別涉及一種接觸記錄型磁盤(pán)機(jī)中的磁頭滑動(dòng)件及其懸掛結(jié)構(gòu)，在上述類型的磁盤(pán)機(jī)中磁頭滑動(dòng)件與磁盤(pán)相接觸。
為了增加磁盤(pán)機(jī)的記錄密度，要縮小磁盤(pán)與固定磁頭的滑動(dòng)件之間的浮動(dòng)高度。該高度減小時(shí)，滑動(dòng)件和磁盤(pán)之間不可避免地會(huì)發(fā)生接觸。因此人們提出了一種所謂接觸記錄型磁盤(pán)機(jī)，其中磁記錄是通過(guò)一開(kāi)始便與磁盤(pán)相接觸的滑動(dòng)件進(jìn)行的。
在VS5041932號(hào)專利中公開(kāi)了一種成整體的磁頭／懸掛結(jié)構(gòu)，它用作細(xì)長(zhǎng)且稍有彎曲的絕緣件或一端帶有磁頭的懸架，上述成整體的磁頭／懸掛結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是質(zhì)量特別小。由于該成整體的磁頭／懸掛結(jié)構(gòu)的質(zhì)量減小，故作用于磁盤(pán)上的荷載也減小，另外磁頭／滑動(dòng)件和磁盤(pán)之間磨損也減小。
在Jp特開(kāi)平6-251528號(hào)文獻(xiàn)中所公開(kāi)的結(jié)構(gòu)中，由磁盤(pán)在成整體的磁頭／懸掛結(jié)構(gòu)中的轉(zhuǎn)動(dòng)而產(chǎn)生的空氣流造成的浮力是通過(guò)下述方式抵消的，該方式是裝設(shè)懸掛部分以相對(duì)磁盤(pán)表面形成適當(dāng)?shù)慕嵌炔⑹箍諝鈮毫Ξa(chǎn)生作用。在上述結(jié)構(gòu)中，磁盤(pán)的整個(gè)表面處于接觸狀態(tài)。
由Jp特開(kāi)平5-74090和Jp特開(kāi)平6-052645號(hào)文獻(xiàn)中所公開(kāi)的浮動(dòng)／接觸混合型正壓力滑動(dòng)件中，在浮動(dòng)型正壓力滑動(dòng)件后端形成的中間軌道上設(shè)有磁頭，并且只有該帶有磁頭的中間軌道與磁盤(pán)相接觸以便進(jìn)行磁記錄。
在Jp特開(kāi)昭62-167610號(hào)文獻(xiàn)中所提出的浮動(dòng)／接觸混合型負(fù)壓力滑動(dòng)件中，浮動(dòng)型負(fù)壓力滑動(dòng)件的后端與磁盤(pán)相接觸以便進(jìn)行磁記錄。
本發(fā)明的目在于減小接觸記錄型磁盤(pán)機(jī)中滑動(dòng)機(jī)和磁盤(pán)之間的接觸力以便不致對(duì)滑動(dòng)件和磁盤(pán)造成嚴(yán)重?fù)p壞。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種磁盤(pán)機(jī)，該機(jī)能夠?qū)Υ疟P(pán)的整個(gè)表面產(chǎn)生均勻的接觸力并能進(jìn)行長(zhǎng)期穩(wěn)定的接觸記錄。
本發(fā)明還一個(gè)目的在于將下述的摩擦力減小到不致影響定位的精確性的程度，上述摩擦力是當(dāng)通過(guò)驅(qū)動(dòng)臂使滑動(dòng)件位于磁盤(pán)數(shù)據(jù)磁道上時(shí)滑動(dòng)件和磁盤(pán)之間的接觸部分所產(chǎn)生的。
本發(fā)明的再一個(gè)目的在于對(duì)滑動(dòng)件相對(duì)磁盤(pán)的跳動(dòng)進(jìn)行限制，該跳動(dòng)是由不穩(wěn)定的接觸力，磁盤(pán)上污物或磁盤(pán)機(jī)振動(dòng)引起的。
按照本發(fā)明實(shí)施例的第一個(gè)方面，在磁盤(pán)機(jī)滑動(dòng)件空氣支承表面設(shè)有帶有磁頭的第一墊和不帶有磁頭的第二墊，在磁盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)第一墊與磁盤(pán)接觸，荷載作用點(diǎn)位于滑動(dòng)件后端與下述位置之間，該位置與滑動(dòng)件后端的距離約為滑動(dòng)件全長(zhǎng)的0．42倍。
按照本發(fā)明實(shí)施例的第二方面，在磁盤(pán)機(jī)滑動(dòng)件的空氣支承表面設(shè)有帶有磁頭的后端墊和不帶有磁頭的其它墊，當(dāng)磁盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)而其它墊由于磁盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)引起的空氣流的作用與磁盤(pán)分開(kāi)并在磁盤(pán)上面浮動(dòng)時(shí)，僅僅后端墊與磁盤(pán)相接觸，上述后端墊和磁盤(pán)之間的接觸力最多為200mgf。
按照本發(fā)明的第三個(gè)方面，帶有磁頭的滑動(dòng)件的空氣支承表面包括位于前端的第一對(duì)正壓力側(cè)墊，沿滑動(dòng)件長(zhǎng)度方向靠近中部的第二對(duì)正壓力側(cè)墊，帶有磁頭并位于后端側(cè)的正壓力中心墊，第二對(duì)正壓力側(cè)墊的面積大于第一對(duì)正壓力側(cè)墊的面積和正壓力中間墊的面積。
按照本發(fā)明的實(shí)施例的第四個(gè)方面，在滑動(dòng)件空氣支承表面上設(shè)有帶磁頭的第一墊和不帶磁頭的第二墊，第一墊所產(chǎn)生的浮力要比第二墊所產(chǎn)生的浮力足夠小，第二墊所產(chǎn)生的浮力值和壓力中心基本與借助懸架驅(qū)動(dòng)滑動(dòng)件的荷載數(shù)值和該荷載點(diǎn)相一致，滑動(dòng)件的設(shè)于懸架的常平架上，它具有沿可使第一墊靠近磁盤(pán)的方向的彎矩，在磁盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)期間僅僅第一墊與磁盤(pán)相接觸。
下面參照附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。


圖1為側(cè)視圖，它表示本發(fā)明實(shí)施例中的滑動(dòng)件和磁盤(pán)之間處理接觸狀態(tài)；圖2圖1所示滑動(dòng)件和磁盤(pán)的放大示意圖；圖3為圖1所示滑動(dòng)件空氣支承表面的俯視圖；圖4為標(biāo)準(zhǔn)化摩擦值與作用于滑動(dòng)件和磁盤(pán)之間的接觸力的關(guān)系圖。
圖5為滑動(dòng)件和磁盤(pán)之間的接觸力與磁盤(pán)的最大粗糙度的關(guān)系圖；圖6為滑動(dòng)件壓力分布圖；圖7為滑動(dòng)件和磁盤(pán)之間的接觸力與滑動(dòng)件和相當(dāng)?shù)膽壹芸傎|(zhì)量的關(guān)系圖；圖8為本發(fā)明滑動(dòng)件和普通滑動(dòng)件的浮動(dòng)高度與徑向磁盤(pán)位置關(guān)系圖；圖9為本發(fā)明滑動(dòng)件和普通滑動(dòng)件的標(biāo)準(zhǔn)化接觸力與徑向磁盤(pán)位置關(guān)系圖；圖10A為表示本發(fā)明另一實(shí)施例中的滑動(dòng)件和磁盤(pán)之間處于接觸狀態(tài)的側(cè)視圖；圖10B為作用于圖1所示滑動(dòng)件和懸架之間的沖擊力T與滑動(dòng)件前端和荷載作用點(diǎn)之間的距離力的關(guān)系圖；圖10C為表示的本發(fā)明另一實(shí)施例中的滑動(dòng)件和磁盤(pán)之間處理接觸狀態(tài)的側(cè)視圖；圖11為表示滑動(dòng)件空氣支承表面的實(shí)例的俯視圖；圖12為表示滑動(dòng)件空氣支承表面的另一實(shí)例的俯視圖；圖13為表示本發(fā)明再一實(shí)施例中的滑動(dòng)件和磁盤(pán)之間處理接觸狀態(tài)的側(cè)視圖；圖14為表示滑動(dòng)件空氣支承表面的俯視圖；圖15為帶有采用本發(fā)明滑動(dòng)件的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)的磁盤(pán)機(jī)。
圖1為表示本發(fā)明第一實(shí)施例的浮動(dòng)／接觸混合型磁盤(pán)機(jī)中的滑動(dòng)件和磁盤(pán)之間處于接觸狀態(tài)的側(cè)視圖。懸架2所產(chǎn)生的預(yù)定荷載W通過(guò)荷載作用點(diǎn)A作用于滑動(dòng)件。磁盤(pán)3借助軸(未示出)驅(qū)動(dòng)和轉(zhuǎn)動(dòng)。當(dāng)磁盤(pán)3轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，沿箭頭V所示方向產(chǎn)生空氣流，該空氣流流入磁盤(pán)3和滑動(dòng)件1之間形成的空間中。進(jìn)入滑動(dòng)件和磁盤(pán)3之間的空間中的空氣在它們之間受到壓縮，滑動(dòng)件1前端在浮力f2作用下浮動(dòng)?；瑒?dòng)件后端與磁盤(pán)相接觸同時(shí)產(chǎn)生接觸力f1。此外，在接觸部分產(chǎn)生沿圖2所示的與空氣流入方向相反的方向的摩擦力fcr3。在這里荷載作用點(diǎn)A與滑動(dòng)件1和磁盤(pán)3之間的接觸部分B之間的距離用L1表示，荷載作用點(diǎn)A與浮力f2的壓力中心C用L2表示，滑動(dòng)件1按滿足下述二個(gè)等式的方式相對(duì)磁盤(pán)3進(jìn)行接觸記錄W=f1+f2…………………………(1)f1·L1=f2·L2…………………(2)根據(jù)上述二個(gè)等式，接觸力f1按下述等式與推力W發(fā)生關(guān)系f1=L2·wL1+L2---(3)]]>根據(jù)等式(3)，可以知道通過(guò)適當(dāng)選擇荷載作用點(diǎn)A和接觸部分B之間的距離L1與荷載作用點(diǎn)和浮力壓力中心C之間的距離L2之間的關(guān)系可使接觸力f1小于浮動(dòng)／接觸混合型滑動(dòng)件／懸架組合件上的荷載W。另一方面，在輕質(zhì)且具有較小荷載的成整體的磁頭／懸架組件中，荷載作用點(diǎn)和接觸部分幾乎位于一條直線上。由于在上述情況下L1幾乎為0，則荷載W幾乎等于接觸力f1。雖然可使接觸力f1小于等式(3)所表示的浮動(dòng)／接觸混合型滑動(dòng)件／懸架組件上的荷載W，但是滑動(dòng)件和磁盤(pán)3之間的浮力會(huì)隨磁盤(pán)3的速度的增加而加大，這樣就很難保持穩(wěn)定的接觸狀態(tài)。再有，根據(jù)本發(fā)明人的研究，滑動(dòng)件／懸架組件在不使滑動(dòng)件1和磁盤(pán)3受到嚴(yán)重?fù)p壞的情況下必須滿足各種條件以便使磁頭長(zhǎng)期保持穩(wěn)定的接觸狀態(tài)。下面參照?qǐng)D2-4對(duì)上述事實(shí)進(jìn)行詳細(xì)描述。
圖2為滑動(dòng)件1和磁盤(pán)3的接觸部分放大示意圖?；瑒?dòng)件1至體由陶瓷，如Al2O3TiC制成。在空氣支承表面形成有包括硅層11和碳層12的覆蓋層。該硅層11和碳層12的厚度分別為3nm和7nm。如圖2所示，磁頭13設(shè)于位于滑動(dòng)件1后端的正壓力中心墊14上。另一方面，碳覆蓋層31也設(shè)于磁盤(pán)3上。為上防止滑動(dòng)件1和磁盤(pán)3粘接，磁盤(pán)3上面具有凸部32。該磁盤(pán)3的凸部32是通過(guò)對(duì)碳覆蓋層蝕刻而形成的。至于具體的結(jié)構(gòu)形狀，該凸部32頂部可基本為直徑約為1μm的圓形。凸部32的高度d1為15nm左右，經(jīng)蝕刻處理后形成的碳覆蓋層31的厚度為10nm左右。凸部的間距ω1為10μm左右。因此凸部32與整個(gè)磁盤(pán)的面積比為1％左右。在磁盤(pán)的碳覆蓋層31的上面涂有潤(rùn)滑劑，其厚度為2～4nm左右。
在滑動(dòng)件1于磁盤(pán)3上進(jìn)行接觸式記錄的情況下，滑動(dòng)件1正壓力中心墊14與凸部32頂部相接觸，一個(gè)凸部與另一凸部之間的距離為10μm左右，該距離比滑動(dòng)件1長(zhǎng)度短很多。因此，滑動(dòng)件1不能很好與凸部的形狀相吻合，它與凸部32頂部相接觸就好象它在作滑動(dòng)。在滑動(dòng)件1和磁盤(pán)3保持接觸狀態(tài)的情況下，滑動(dòng)件1的接觸面大大小于磁盤(pán)3的接觸面，而用作滑動(dòng)件1的覆蓋層的碳層12早于磁盤(pán)3的碳覆蓋層31受到磨損。
圖3表示第一實(shí)施例中所采用的滑動(dòng)件1的空氣支承表面的實(shí)例?；瑒?dòng)件1的長(zhǎng)度為1．2mn，其寬度為1．0mm。空氣支承表面包括一對(duì)正壓力側(cè)墊15和16，一對(duì)正壓力墊17和18以及正壓力中心墊14，上述墊15和16位于滑動(dòng)件1前端，上述墊17和18基本位于沿長(zhǎng)度方向滑動(dòng)件1的中部，上述墊14帶有磁頭13并位于滑動(dòng)件1的后端。正壓力中心墊14的寬度足夠大從而可在其上固定磁頭13。在本發(fā)明中，上述墊14寬度具體可為200μm。滑動(dòng)件1的前端不帶有傾斜表面，所有正壓力墊具有基本平直的表面。磁頭13磁路間隙與滑動(dòng)件1后端的距離為40μm左右。形成上述磁路間隙是用來(lái)防止在讀／寫(xiě)操作時(shí)磁頭13磁盤(pán)3相接觸。另外，磁頭13是具有讀出磁頭和薄膜磁頭的復(fù)合型磁頭。讀出磁頭采用阻磁效果并用作讀頭。薄膜磁頭用作寫(xiě)頭。將相應(yīng)的正壓力墊分隔開(kāi)的凹部19的深度至少為50μm，使用該凹部便不會(huì)在其內(nèi)部形成負(fù)壓力。懸架2所施加的荷載為500mgf。要設(shè)定荷載作用點(diǎn)A以便與滑動(dòng)件1中心相對(duì)應(yīng)。
采用滑動(dòng)件1和磁盤(pán)3連續(xù)進(jìn)行接觸讀／寫(xiě)試驗(yàn)1000小時(shí)。圖4表示在上述情況下滑動(dòng)件1中的正壓力中心墊14上形成的碳層12的磨損值與接觸力f1的關(guān)系。該接觸力是通過(guò)設(shè)滑動(dòng)件1上的壓電傳感器來(lái)測(cè)定的。磨損值是對(duì)下述磨損值標(biāo)準(zhǔn)化而得到的，而后者是在下述狀態(tài)下經(jīng)過(guò)連續(xù)1000小時(shí)的接觸而獲得的，該狀態(tài)是接觸力f1保證在500mgf，該值等于荷載ω。為了改變接觸力f1，對(duì)滑動(dòng)件1相對(duì)其凸部高度d1為15nm的磁盤(pán)的浮動(dòng)高度作多次改變或在下述條件下對(duì)磁盤(pán)3的凸部高度d1作多次改變，該條件是滑動(dòng)件的浮動(dòng)高度保持恒定。在滑動(dòng)件1與磁盤(pán)3的接觸力f1為100mgf或更小時(shí)，滑動(dòng)件1上的碳覆蓋層12的磨損值極小。如果接觸力f1在100mgf以上，則位于滑動(dòng)件1后端的碳覆蓋層12的磨損值會(huì)逐漸增加，然而，直到接觸力f1基本達(dá)到200mgf時(shí)，可以看到在滑動(dòng)件1后端形成的碳覆蓋層12的經(jīng)過(guò)1000小時(shí)的連續(xù)接觸后會(huì)磨損掉，但磨損粉末卻不粘于正壓力墊15～18上，這樣滑動(dòng)件1可相對(duì)磁盤(pán)3穩(wěn)定地進(jìn)行浮動(dòng)／接觸直至結(jié)束。因此可以在毫無(wú)問(wèn)題的情況進(jìn)行讀寫(xiě)操作。此時(shí)在與滑動(dòng)件1相接觸的磁盤(pán)3的碳覆蓋層的凸部32頂部幾乎看不到有磨損。上述事實(shí)可以下面的描述來(lái)說(shuō)明。在磁盤(pán)機(jī)啟動(dòng)后，滑動(dòng)件1便馬上通過(guò)點(diǎn)或線與磁盤(pán)3接觸。然而，隨著滑動(dòng)件1后端的碳覆蓋層的磨損的加大，碳覆蓋層上磨損后而新形成的表面變成新的接觸面，從而接觸壓力減小。直至接觸力f1基本達(dá)到200mgf時(shí)，如果將接觸面積增加到一定程度，則可以認(rèn)為其磨損量不會(huì)加大。此外，直至滑動(dòng)件1和磁盤(pán)3之間的接觸力達(dá)到200mgf時(shí)，甚至在經(jīng)過(guò)連接1000小時(shí)的接觸式讀／寫(xiě)操作后，上述碳覆蓋層仍保持在磁頭13磁路間隙部分中。磁頭13不與磁盤(pán)3直接接觸。這樣還可防止下述現(xiàn)象發(fā)生，即由于磁頭13和磁盤(pán)3之間的直接接觸而產(chǎn)生的熱量的作用，讀磁頭的輸出會(huì)降低，該現(xiàn)象即所謂熱粗糙(thermal asperity)。
圖5表示滑動(dòng)件1與磁盤(pán)3之間的接觸力f1與磁盤(pán)3最大表面粗糙度的關(guān)系。如果磁盤(pán)3的凸部高度d1較大，則磁盤(pán)3的最大表面粗糙度也較大，或者如果由于缺陷處理等所形成的污物出現(xiàn)在磁盤(pán)3上，則滑動(dòng)件1與該部分接觸時(shí)所產(chǎn)生的接觸力就會(huì)很大，這樣滑動(dòng)件1的碳覆蓋層的磨損就是由于上述接觸部分造成的，這樣就加速了磨損。第一實(shí)施例中的磁盤(pán)3的凸部高度d1為15nm左右。然而由于磁盤(pán)3本身呈現(xiàn)波紋形，其最大表面粗糙度為20nm左右。為了使接觸力f降至200mgf以下，最好上述最大表面粗糙度為25nm或更低。與此相對(duì)應(yīng)，凸部高度d1應(yīng)為20nm左右。另一方面，如果磁盤(pán)3的最大表面粗糙度處于鏡子一樣的狀態(tài)，則在滑動(dòng)件1和磁盤(pán)3的接觸部分會(huì)產(chǎn)生較大的摩擦力，這樣接觸力f1就會(huì)突然加大。因此，表面粗糙高應(yīng)至少為2nm。
另外，在滑動(dòng)件1空氣支承表面的正壓力側(cè)墊15～18上無(wú)需形成滑動(dòng)件1的碳覆蓋層，但是該碳覆蓋層可形成于與磁盤(pán)3相接觸的后端正壓力中心墊14上。
圖6為滑動(dòng)件1的壓力分布圖。當(dāng)沿滑動(dòng)件1的長(zhǎng)度方向看時(shí)，如圖1所示，與荷載作用點(diǎn)A相對(duì)的正壓力墊17和18大于正壓力墊15和16以及正壓力中心墊14。此外，滑動(dòng)件的前端無(wú)傾斜面。在按照本發(fā)明使滑動(dòng)件1后端與磁頭3相接觸的情況下，由空氣流所形成的壓力中心C位于荷載作用點(diǎn)A附近。這樣荷載作用點(diǎn)A與壓力中心C之間距離就縮小，從而可減小接觸力f1。在本發(fā)明實(shí)施例中，荷載作用點(diǎn)與接觸部分B之間的距離L1與0．5mm，而荷載作用點(diǎn)A和壓力中心C之間的距離為0．1mm。還有由于滑動(dòng)件的壓力分布是在荷載作用點(diǎn)下面壓力達(dá)到最大值，這樣沿傾斜(pitch)旋轉(zhuǎn)方向的空氣支承剛度較小。上述分布還可有效降低接觸力f1。
圖7表示在采用第一實(shí)施例所述凸部d1高度為15nm，最大表面粗糙度為20nm的磁盤(pán)3時(shí)，接觸力f1與滑動(dòng)件和懸架等效質(zhì)量的關(guān)系。在這里，懸架2的等效質(zhì)量是指下述重量，借助該質(zhì)量懸架2可相對(duì)滑動(dòng)件1沿磁盤(pán)表面的垂直方向的運(yùn)動(dòng)作為有效慣性動(dòng)作，該重量相當(dāng)于下述質(zhì)量，該質(zhì)量是在懸架2簡(jiǎn)化為質(zhì)量集中系統(tǒng)的彈簧質(zhì)量模型時(shí)而得出的。為了使接觸力f1等于或低于200mgf，必須使滑動(dòng)質(zhì)量和懸架相當(dāng)質(zhì)量之和等于或小于11mg。在第一實(shí)施例中，懸架2和滑動(dòng)件1組件的相當(dāng)質(zhì)量之和為3mg左右。為了減小滑動(dòng)件質(zhì)量，必須減小滑動(dòng)件的尺寸。最好滑動(dòng)件1的尺寸為其長(zhǎng)度最多為2．0mm左右，其寬度為1．0mm。然而，如果滑動(dòng)件質(zhì)量與懸架的等效質(zhì)量之和過(guò)小，則荷載也相應(yīng)變小，其結(jié)果是在下述的系統(tǒng)中進(jìn)行操作是很困難的，按本發(fā)明該系統(tǒng)是滑動(dòng)件1和懸架2單獨(dú)成形。因此為了便于操作，滑動(dòng)件質(zhì)量和懸架的相當(dāng)質(zhì)量之和最好至少為2mg。
如上所述，減小滑動(dòng)件1尺寸以及增加荷載作用點(diǎn)A和接觸部分B之間的距離L1可使接觸力降低。然而，上述尺寸和距離L1是相互予盾的設(shè)計(jì)參數(shù)。因此將荷載ω降到上述變量不增加的程度也是很重要的。對(duì)于具有相同尺寸的滑動(dòng)件1，如果第一實(shí)施例中的滑動(dòng)件1的正壓力墊具有基本光滑的表面并且其上無(wú)傾斜表面，則可使荷載ω達(dá)到最小值。當(dāng)采用第一實(shí)施例中的滑動(dòng)件1時(shí)為了使接觸力f1等于或小于200mgf，并減小懸架2荷載ω變量，最好使荷載ω設(shè)定在0．4mf～1．5gf的數(shù)值范圍內(nèi)。
圖8表示在下述情況下沿其直徑為3．5英寸的磁盤(pán)的徑向的浮動(dòng)高度的變化形狀，上述情況是第一實(shí)施例中的滑動(dòng)件1，普通的正壓力滑動(dòng)件和普通負(fù)壓力滑動(dòng)件設(shè)計(jì)成浮動(dòng)或滑動(dòng)件。圖9表示接觸力的變化形狀。上述接觸力是通過(guò)下述方式獲得的，該方式為借助磁盤(pán)3內(nèi)徑中的每個(gè)滑動(dòng)件的接觸力使每個(gè)徑向位置中的接觸力標(biāo)準(zhǔn)化。普通的浮動(dòng)／接觸混合型滑動(dòng)件具有下述問(wèn)題，當(dāng)上述位置位于外徑上，即邊緣速度增加時(shí)，則浮動(dòng)力增加，并且不能保持穩(wěn)定的接觸狀態(tài)。然而在本發(fā)明的滑動(dòng)件中，浮動(dòng)高度在磁盤(pán)的整個(gè)表面上幾乎保持恒定，如圖8所示。因此上述接觸力在整個(gè)磁盤(pán)表面上保持恒定的同時(shí)還相對(duì)滑動(dòng)件1的碳覆蓋層的磨損值保持在足夠小的數(shù)值。接觸力在整個(gè)磁盤(pán)表面上幾乎保持恒定意味著可在整個(gè)磁表面進(jìn)行穩(wěn)定的接觸式讀／寫(xiě)操作。然而在普通正壓力滑動(dòng)件的情況下，因?yàn)槠湮恢迷谕鈴缴希俣容^大，其結(jié)果是浮動(dòng)高度增加。這樣在將普通正壓力滑動(dòng)件用作浮動(dòng)／接觸混合型的滑動(dòng)件的情況下不能保持穩(wěn)定的接觸狀態(tài)。
另外，在將普通負(fù)壓力滑動(dòng)件用作浮動(dòng)／接觸混合型滑動(dòng)件的情況下，負(fù)壓力會(huì)隨其位置移向外徑而增加。因此其浮動(dòng)高度與本發(fā)明的滑動(dòng)件中的情況一樣可基本保持恒定。然而由于就磁盤(pán)來(lái)說(shuō)負(fù)壓力相當(dāng)于荷載ω，則接觸力f1會(huì)隨著其位置移向外徑而增加。因此滑動(dòng)件和磁盤(pán)之間發(fā)生嚴(yán)重?fù)p壞的危險(xiǎn)便增加。
現(xiàn)在參照?qǐng)D10A和10B對(duì)第二實(shí)施例的進(jìn)一步特征進(jìn)行描述。在本發(fā)明的接觸記錄型磁盤(pán)機(jī)中不僅靜接觸力f1與前面的參照第一實(shí)施例的描述一樣穩(wěn)定地作用于滑動(dòng)件1和磁盤(pán)3之間的接觸部分B上，而且來(lái)自磁盤(pán)3的動(dòng)態(tài)沖擊力P通過(guò)接觸部分B對(duì)滑動(dòng)件1施加高頻干擾。通過(guò)該沖擊力P，沖擊力T通過(guò)荷載作用點(diǎn)A從滑動(dòng)件作用于懸架2上。作為反作用力，滑動(dòng)件1受到來(lái)自懸架2的沖擊力T。由于沖擊力T從懸架2通過(guò)荷載作用點(diǎn)A作用于滑動(dòng)件1上，在滑動(dòng)件1和磁盤(pán)3之間接觸部分B中的不穩(wěn)定接觸力便會(huì)增加?；蛘吲c磁盤(pán)3相接觸的滑動(dòng)件1臨時(shí)與磁盤(pán)分開(kāi)關(guān)再次撞擊磁盤(pán)3。上述情況稱為跳動(dòng)現(xiàn)象。這樣會(huì)導(dǎo)致下述問(wèn)題，即磁盤(pán)3受到嚴(yán)重?fù)p壞，并且不能進(jìn)行讀／寫(xiě)操作。
在本實(shí)施例中，采用下述措施可有效減小由于動(dòng)態(tài)沖擊力而引起的上述問(wèn)題，該措施是將荷載點(diǎn)設(shè)置于沿滑動(dòng)件長(zhǎng)度方向滑動(dòng)件1前端和其中部之間的位置。下面參照?qǐng)D10B對(duì)上述效果進(jìn)行詳細(xì)描述。圖10B表示沖擊力T與滑動(dòng)件1前端和荷載作用點(diǎn)A之間距離X之間的關(guān)系，上述沖擊力T在沖擊力P作用于滑動(dòng)件1后端的接觸部分B之間時(shí)，通過(guò)荷載作用點(diǎn)A作用于滑動(dòng)件1和懸架2之間的。當(dāng)X=L時(shí)，荷載作用點(diǎn)A與滑動(dòng)件1和磁盤(pán)3之間的接觸部分B沿滑動(dòng)件厚度方向位于同一軸線，作用于滑動(dòng)件1和磁盤(pán)3之間的沖擊力P與作用于滑動(dòng)件1和懸架2之間的沖擊力T相等。當(dāng)X=0．5L時(shí)，即當(dāng)荷載作用點(diǎn)A沿滑動(dòng)件長(zhǎng)度方向位于其中并且荷載作用點(diǎn)A和滑動(dòng)件重心G沿滑動(dòng)件厚度方向位于同一軸線時(shí)，中擊力P便與沖擊力T相等。另一方面，當(dāng)0．5L＜X＜L時(shí)，即當(dāng)荷載作用點(diǎn)A相對(duì)沿滑動(dòng)件長(zhǎng)度方向滑動(dòng)件的中心位于滑動(dòng)件1后端時(shí)，則大于沖擊力P的沖擊力T便作用于滑動(dòng)件1和懸架2之間。這樣就增加了下述的可能性，即滑動(dòng)件1以大于開(kāi)始時(shí)作用于接觸部分B處的沖擊力P的沖擊力撞擊磁盤(pán)3，從而使磁盤(pán)3受到嚴(yán)重?fù)p壞。與此相反，當(dāng)0．5L＞X時(shí)，即當(dāng)荷載作用點(diǎn)A相對(duì)滑動(dòng)件長(zhǎng)度方向的滑動(dòng)件部位于滑動(dòng)件1前端時(shí)，作用于滑動(dòng)件1和懸架2之間的沖擊力T小于作用于滑動(dòng)件1和磁盤(pán)3之間的沖擊力，從而也增加了磁盤(pán)遭受?chē)?yán)重?fù)p壞的可能性，最好通過(guò)0．42L＞X的方式，使作用于滑動(dòng)件1和懸架2之間的沖擊力數(shù)值等于或小于作用于滑動(dòng)件1和磁盤(pán)3之間的沖擊力P的一半。特別是，當(dāng)X=(1／3)L，則可滿足T=0的關(guān)系，另外在滑動(dòng)件1和磁盤(pán)3之間作用于接觸部分B的沖擊力P不會(huì)通過(guò)荷載作用點(diǎn)A傳遞到懸架2上，這樣就不會(huì)有來(lái)自懸架的作用于滑動(dòng)件1上的沖擊力。與此相反，如果懸架2上發(fā)生干擾，則它不會(huì)通過(guò)荷載作用點(diǎn)A傳遞到滑動(dòng)件1和磁盤(pán)3之間的接觸部分B。如果使接觸部分B和荷載作用點(diǎn)A成為與位于上述兩個(gè)位置之間的滑動(dòng)件重心G相重合的沖擊力中心，則在接觸部分B和懸架2之間不會(huì)產(chǎn)生豎向的機(jī)械相互作用，并且可將干擾相互隔開(kāi)。另外，如果相對(duì)滑動(dòng)件長(zhǎng)度方向使荷載作用點(diǎn)A移向滑動(dòng)件1前端，從等式(3)顯然得知，荷載作用點(diǎn)AS和接觸部分B之間的距離L1增加，同時(shí)可減小穩(wěn)定的接觸力f1。
采用下述措施可有效減小滑動(dòng)件1相對(duì)磁盤(pán)3的跳躍，并減小所引起的不穩(wěn)定接觸力的增加，上述跳躍是由滑動(dòng)件1和磁盤(pán)3之間的接觸造成的，該措施是采用上述的機(jī)械干擾隔干方法并在懸架2上設(shè)置作為隔振材料的高聚合材料，如聚酰亞胺。對(duì)于浮動(dòng)型的情況也可在懸架2上設(shè)置隔振材料。然而在預(yù)計(jì)會(huì)發(fā)出高頻干擾的接觸記錄型等系統(tǒng)中，上述懸架的隔振材料則會(huì)更有效地發(fā)揮作用。
此外另一種減小不穩(wěn)定接觸力方法可有效減小滑動(dòng)件質(zhì)量。比如，一種方法是將如圖12所示的正壓力中心墊14周?chē)陌疾壳械粢詼p小滑動(dòng)件1的質(zhì)量。
圖10C為表示本發(fā)明第二實(shí)施例二接觸記錄型磁盤(pán)機(jī)中的滑動(dòng)件1和磁盤(pán)3之間的接觸狀態(tài)的側(cè)視圖。圖11表示第二實(shí)施例中的滑動(dòng)件1空氣支承表面的實(shí)例?；瑒?dòng)件1的長(zhǎng)度為1．2mm，其寬度為1．0mm。該空氣支承表面包括與荷載作用點(diǎn)A相對(duì)設(shè)置的一對(duì)正壓力墊171和181，帶有磁頭13并位于后端的正壓力中心墊14。凹部19的深度至少為50μm，這樣不會(huì)產(chǎn)生負(fù)壓力。通過(guò)荷載作用點(diǎn)A的懸架2引起的荷載ω為500mgf。該荷載ω幾乎等于正壓力墊171和181所產(chǎn)生的浮力f2。此外，浮力f2的壓力中心C幾乎荷載作用點(diǎn)A重合。還有，與浮力f2相比，滑動(dòng)件1的正壓力中心墊14所產(chǎn)生的浮力可忽略不計(jì)。在本實(shí)施例中，荷載作用點(diǎn)相對(duì)滑動(dòng)件中部位于其前端。因此，荷載作用點(diǎn)A和正壓力中心墊14之間的距離要足夠大于正壓力墊171和181所產(chǎn)生的浮力f2壓力中心C和荷載作用點(diǎn)A之間的距離。此外，本實(shí)施例的最大特點(diǎn)在于通過(guò)使荷載ω作用于荷載作用點(diǎn)A上，并使懸架2的常平架21沿使正壓力中心墊14靠近磁盤(pán)3的方向旋轉(zhuǎn)角度，則可使沿使正壓力中心墊14壓靠于磁盤(pán)3上的彎矩Mp作用于滑動(dòng)件1上。換言之，其剛度大大小于懸架2的荷載架部分的常平架21用來(lái)將力f1作用于正壓力中心墊14。這樣通過(guò)采用簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)便可獲得較小的接觸荷載。
第二實(shí)施例中滑動(dòng)件／懸架和磁盤(pán)之間所產(chǎn)生的力的平衡可通過(guò)下述等式來(lái)表示W(wǎng)=f2…………………………(4)f1=MpL1---(5)]]>在第二實(shí)施例中，沿傾斜方向常平架21的剛度Kp等于0．087gf．mm／度，荷載作用點(diǎn)與正壓力中間墊14的接觸部分B之間的距離L1為0．8mm。在上述滑動(dòng)件／懸架組件中，可通過(guò)預(yù)先沿使正壓力中心墊14靠近磁盤(pán)3的方向旋轉(zhuǎn)傾角度θ達(dá)1．83°，從而使接觸力f1等于200mgf。上述角度的處理很容易實(shí)現(xiàn)。
圖13為表示本發(fā)明第三實(shí)施例的接觸記錄型磁盤(pán)機(jī)中滑動(dòng)件／懸困組件和磁盤(pán)之間的接觸狀態(tài)側(cè)視圖。圖14表示第三實(shí)施例中的滑動(dòng)件的實(shí)例。在第三實(shí)施例滑動(dòng)件／懸架組件中，滑動(dòng)件以這樣的狀態(tài)浮動(dòng)從而與第二實(shí)施例中的滑動(dòng)件／懸架組件中的情況相同符載ω與正壓力墊171和181所產(chǎn)生的浮力f2相平衡。正壓力墊14受相當(dāng)于由平衡架21彎矩所產(chǎn)生荷載f1的力作用，它與磁盤(pán)3相接觸，在第三實(shí)施例中，與第二實(shí)施例不同的是，其中形成有在正壓力中間墊14的前端產(chǎn)生負(fù)壓力的正壓力軌道191和產(chǎn)生負(fù)壓力的負(fù)壓力的凹部192。與第一和第二實(shí)施例中的方式相同凹部19的深度至少為50μm，它僅僅產(chǎn)生正壓力。負(fù)壓力凹部192的深度為6μm左右。在本實(shí)施例中，要這樣進(jìn)行設(shè)計(jì)以便使正壓力軌道191中的浮力值等于負(fù)壓力凹部192中的負(fù)壓力值。因此，正壓力軌道191產(chǎn)生的浮力和負(fù)壓力凹部192所產(chǎn)生的負(fù)壓力不對(duì)整個(gè)滑動(dòng)件上的浮力和接觸力值產(chǎn)生影響。然而，如果正壓力軌道191和負(fù)壓力凹部192設(shè)置于滑動(dòng)件1的空氣支承表面上，進(jìn)而空氣有效地設(shè)置于滑動(dòng)件和磁盤(pán)之間，這樣便增加了空氣的向外擠出量。特別是在象本發(fā)明的中的接觸記錄型磁盤(pán)機(jī)中，上述空氣的向外擠出可有效限制滑動(dòng)件／懸架組件的振動(dòng)。
圖15為帶有旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)的磁盤(pán)機(jī)的俯視圖，該驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)中適合應(yīng)用上述的本發(fā)明結(jié)構(gòu)。通過(guò)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)臂4經(jīng)過(guò)懸架2使本發(fā)明的滑動(dòng)件1位于磁盤(pán)3的整個(gè)數(shù)據(jù)磁道上。上述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)臂4由直線馬達(dá)沿箭頭0所示方向驅(qū)動(dòng)。就磁頭定位來(lái)說(shuō)，本發(fā)明的接觸記錄型磁般機(jī)和普通的浮動(dòng)型滑動(dòng)件／懸架組件之間的最顯著區(qū)別在于摩擦力fcr2沿下述方向作用于滑動(dòng)件和磁盤(pán)之間的接觸點(diǎn)之間，上述方向與查找定位時(shí)的定位運(yùn)動(dòng)方向相反。該摩擦力fcr2會(huì)對(duì)磁頭的定位精度造成很大影響。如果該摩擦力加大，則磁頭會(huì)脫離其應(yīng)當(dāng)定位于其內(nèi)的數(shù)據(jù)磁道，從而無(wú)法進(jìn)行讀／寫(xiě)操作。在最好的情況中，驅(qū)動(dòng)器會(huì)失控，從而使滑動(dòng)件／懸架組件或磁盤(pán)損壞。沿查找定位方向的摩擦力fcr2由沿查找定位方向的懸架側(cè)向剛度k2和數(shù)據(jù)道寬度Tr按下述表達(dá)式的形式來(lái)定義fcr2≤k2·Tr假定磁道密度為2000TPI(磁道/英寸)，則磁道寬度Tr為1．27μm。沿查找定位方向的本發(fā)明中的懸架側(cè)向剛度k2為0．24kgf／mm左右，沿查找定位方向的摩擦力fcr2為300mgf左右。因此為了防止磁頭脫離其所應(yīng)當(dāng)定位于其內(nèi)數(shù)據(jù)磁道，至少需要使摩擦力fcr2小于300mgf。如果需要增加磁道密度，則必須提高懸架2的側(cè)向剛度d2或降低摩擦力fcr2本身。如果用μ表示滑動(dòng)件1和磁盤(pán)3之間的摩擦系數(shù)，ω表示荷載，ωs表示滑動(dòng)件1和磁盤(pán)3之間的吸力，則摩擦力fcr2也可由下述表達(dá)式來(lái)表達(dá)fcr2≤H(ω+ωs)…………………………(7)根據(jù)本發(fā)明人進(jìn)行的試驗(yàn)，本發(fā)明中的滑動(dòng)件1與磁盤(pán)3之間的摩擦系數(shù)為0．3，上述磁盤(pán)3具有參照第一實(shí)施例所描述的凸部高度d1。懸架2荷載ω為500mgf。如上所述，如果使fcr2等于或小于300mgf，則根據(jù)表達(dá)式(7)吸力ωs必須等于或小于500mgf。在查找定位時(shí)，正壓力中間墊14與磁盤(pán)3相接觸，上述接觸面積為0．02mm2左右。因此，每單位接觸部分B面積的允許吸力為25gf／mm2。該數(shù)值幾乎等于在下述情況下每單位面積滑動(dòng)件1和磁盤(pán)3之間的作用的吸力，該情況是采用參照第一實(shí)施例所描述的磁盤(pán)，其凸部高度d1為15nm，凸部面積比為1％。因此可以知道，具有參照第一實(shí)施例所描述的結(jié)構(gòu)的磁盤(pán)也可有效減小沿定位方向的摩擦力fcr2。
另外，當(dāng)本發(fā)明中的接觸記錄型滑動(dòng)件／懸架組件正在于磁盤(pán)的相同半徑上記錄時(shí)或在查找定位操作過(guò)程中，摩擦力fcr3沿磁盤(pán)的比特方向(圓周方向)作用，如果沿比特方向的摩擦力fcr3還不滿足下述條件，則不能進(jìn)行精確定位，上述條件與沿磁道方向的摩擦力fcr2中的類似。如果用k3表示懸架2的沿比特方向的側(cè)向剛度，上述方向與查找方向垂直，用Tb表示比特寬度，則必須滿足下述表達(dá)式fcr3≤k3·Tb………(8)假設(shè)比特密度為50000BPI(比特／英寸)，則比特寬度為0．05μm。如果需要使沿比特方向的摩擦力fcr3等于沿查找方向的摩擦力fcr2，則必須使沿比特方向的剛度K3等于6Kgf／mm左右。
在浮動(dòng)型滑動(dòng)件／懸架組件中，要在磁盤(pán)中進(jìn)行凸部處理以便減小啟動(dòng)時(shí)的摩擦力。然而在接觸記錄型磁盤(pán)機(jī)中，磁盤(pán)的凸對(duì)于減小啟動(dòng)時(shí)以及查找時(shí)的摩擦力是很重要的。
在上述實(shí)施例中，在磁盤(pán)側(cè)邊進(jìn)行凸部處理。然而甚至在滑動(dòng)件1側(cè)邊上進(jìn)行凸部處理的條件下，也可獲得類似效果。此時(shí)，磁盤(pán)3無(wú)需進(jìn)行凸部處理，磁記錄間隙最好通過(guò)使滑動(dòng)件1上的凸部等于凸部高度d1的數(shù)值來(lái)降低。
如上所述，在本發(fā)明的浮動(dòng)／接觸混合型滑動(dòng)件中可使滑動(dòng)件1和磁盤(pán)3之間的接觸力等于或小于200mgf。另外，可在不依賴速度的情況下在整個(gè)表面長(zhǎng)時(shí)是進(jìn)行穩(wěn)定的接觸式讀／寫(xiě)操作。此外，可將作用于滑動(dòng)件或懸架2上的干擾相互隔開(kāi)。另外還能防止滑動(dòng)件1相對(duì)磁盤(pán)跳動(dòng)并防止不穩(wěn)定接觸力的增加。還有，可降低查找和定位時(shí)的接觸力，并且甚至在接觸記錄時(shí)也可進(jìn)行精確的定位。
權(quán)利要求
1．一種磁盤(pán)機(jī)，它包括磁盤(pán)，該磁盤(pán)固定于軸上從而可以旋轉(zhuǎn)，帶有磁頭滑動(dòng)件，該磁頭用來(lái)從／在磁盤(pán)上讀／寫(xiě)數(shù)據(jù)，使滑動(dòng)件承受預(yù)定荷載的懸架，半懸架在磁盤(pán)上定位的驅(qū)動(dòng)臂，其特征在于，在滑動(dòng)件空氣支承表面上設(shè)有后端墊，該墊帶有磁頭，在滑動(dòng)件空氣支承表面設(shè)有其它墊，這些墊不帶磁頭，在磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)期間只有后端墊與磁盤(pán)相接觸，通過(guò)磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)引起的空氣流上述其它墊與磁盤(pán)分開(kāi)浮動(dòng)，后端墊和磁盤(pán)之間的接觸力等于或小于200mgf。
2．根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤(pán)機(jī)，其特征在于，至少在后端墊上形成有碳覆蓋層，其厚度等于或小于7nm，磁盤(pán)最表面粗糙度等于或小于25nm。
3．一種設(shè)于驅(qū)動(dòng)臂上可沿磁盤(pán)表面平動(dòng)的滑動(dòng)件，其上作用有懸架施加的預(yù)定荷載，該滑動(dòng)件帶有從／在磁盤(pán)上讀／寫(xiě)數(shù)據(jù)的磁頭，其特征在于，在滑動(dòng)件前端設(shè)有第一對(duì)正壓力側(cè)墊，沿滑動(dòng)件長(zhǎng)度方向在其中部位置設(shè)有第二對(duì)正壓力側(cè)墊，設(shè)于滑動(dòng)件后端的正壓力中心墊帶有磁頭，第二對(duì)正壓力側(cè)墊中的每一個(gè)的面積大于第一對(duì)下壓力側(cè)墊中的每一個(gè)和正壓力中心墊的面積。
4．根據(jù)權(quán)利要求3所述的滑動(dòng)件，其特征在于，所有正壓力墊具有基本平滑的平面。
5．根據(jù)權(quán)利要求3所述的滑動(dòng)件，其特征在于，滑動(dòng)件質(zhì)量和懸架的等效質(zhì)量之和至少為2mg，至多為11mg。
6．一種磁盤(pán)機(jī)，它包括磁盤(pán)，該磁盤(pán)固定于軸上從而可以旋轉(zhuǎn)，帶有磁頭的滑動(dòng)件，該磁頭用來(lái)從／在磁盤(pán)上讀／寫(xiě)數(shù)據(jù)，具有荷載架和常平架且在滑動(dòng)件上作用有預(yù)定荷載的懸架，將懸架在磁盤(pán)上定位的驅(qū)動(dòng)臂，其特征在于，在滑動(dòng)件空氣支承表面設(shè)有第一墊，該墊帶有磁頭；在滑動(dòng)件空氣支承表面設(shè)有第二墊，該第二墊不帶有磁頭；上述第一墊所產(chǎn)生的浮力足夠小于第二墊所產(chǎn)生的浮力，第二墊所產(chǎn)生的浮力值和壓力中心與懸架作用于滑動(dòng)件的荷載值作用點(diǎn)基本一致，懸架的常平架上所設(shè)置的滑動(dòng)件，作用有沿使第一墊靠近磁盤(pán)的方向的力矩，在磁盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)期間只有第一墊與磁盤(pán)相接觸。
7．根據(jù)權(quán)利要求1所述的懸架，其特征在于，常平架沿傾斜方向的剛度等于或小于0．087gf·mm／度。
8．根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁盤(pán)機(jī)，其特征在于，緊靠第一墊前端部形成有可產(chǎn)生負(fù)壓力的正壓力軌道，用來(lái)產(chǎn)生負(fù)壓力的正壓力軌道所產(chǎn)生的浮力值基本等于負(fù)壓力值。
9．根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁盤(pán)機(jī)，其特征在于，借助磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)引起的空氣流第二墊與磁盤(pán)分開(kāi)浮動(dòng)，當(dāng)借助驅(qū)動(dòng)臂通過(guò)懸架滑動(dòng)件在磁盤(pán)的某一磁道上查找定位時(shí)，第一墊和磁盤(pán)之間的摩擦力小于沿查找方位方向懸架的側(cè)向剛度與磁道寬度的乘積。
10．根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁盤(pán)機(jī)，其特征在于，當(dāng)在磁盤(pán)的相同磁道連續(xù)進(jìn)行定位時(shí)；同時(shí)；第一墊和磁盤(pán)之間保持接觸狀態(tài)時(shí)，第一墊和磁盤(pán)之間產(chǎn)生的摩擦力小于沿比特方向懸架的側(cè)向剛度和磁盤(pán)的數(shù)據(jù)比特寬度的乘積。
11．一種磁盤(pán)機(jī)，它包括磁盤(pán)，該磁盤(pán)固定于軸上從而可以旋轉(zhuǎn)，帶有磁頭的滑動(dòng)件，使磁頭用來(lái)從／在磁盤(pán)上讀／寫(xiě)數(shù)據(jù)，使滑動(dòng)件承受預(yù)定荷載的懸架，將懸架在磁盤(pán)上定位的驅(qū)動(dòng)臂，其特征在于，上述滑動(dòng)件的空氣支承表面設(shè)有第一墊，該墊帶有磁頭，上述滑動(dòng)件支承表面設(shè)有第二墊，該第二墊不帶有磁頭；在磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)期間只是第一墊與磁盤(pán)相接觸，滑動(dòng)件和磁盤(pán)之間的接觸點(diǎn)與懸架的荷載作用點(diǎn)與滑動(dòng)件重心相互成為沖擊力的中心。
12．根據(jù)權(quán)利要求11所述的磁盤(pán)機(jī)，其特征在于，相對(duì)滑動(dòng)件懸架的荷載作用點(diǎn)位于下述位置，該位置與滑動(dòng)件空氣流入端的距離基本等于滑動(dòng)件全長(zhǎng)的1／3。
13．一種權(quán)利要求11所述的磁盤(pán)機(jī)中的滑動(dòng)件，其特征在于，滑動(dòng)件的空氣支承表面上非墊的部分被局部去掉。
全文摘要
一種磁盤(pán)機(jī),它包括磁盤(pán),該磁盤(pán)固定于軸上從而可以旋轉(zhuǎn),帶有磁頭的滑動(dòng)件,該磁頭用于從/在磁盤(pán)上讀/寫(xiě)數(shù)據(jù),使滑動(dòng)件承受預(yù)定荷載懸架,將與懸架相連的滑動(dòng)件在磁盤(pán)上定位的驅(qū)動(dòng)臂。在滑動(dòng)件空氣支承表面上設(shè)有帶磁頭的第一墊和不帶磁頭的第二墊。在磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)期間,第一墊的一部分與磁盤(pán)相接觸。相對(duì)滑動(dòng)件懸架的荷載作用點(diǎn)位于滑動(dòng)件前端和下述位置之間,該位置與滑動(dòng)件前端的距離等于滑動(dòng)件全長(zhǎng)的0.42倍。
文檔編號(hào)G11B21/21GK1279465SQ0010829
公開(kāi)日2001年1月10日 申請(qǐng)日期1996年4月5日 優(yōu)先權(quán)日1995年4月7日
發(fā)明者小平英一, 時(shí)末裕充, 松本真明, 鈴木正之, 竹內(nèi)芳德, 清水利彥 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所