專利名稱：記錄介質(zhì)和信息存儲設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及記錄介質(zhì)和信息存儲設(shè)備，并且更具體地說，涉及把ID分配到每片數(shù)據(jù)和存儲信息的一種記錄介質(zhì)和一種信息存儲設(shè)備。
在最近幾年，對于較大容量信息存儲設(shè)備的需求一直在增大，因為在信息處理場中的信息量一直在迅速增大。在一種用在信息存儲設(shè)備的記錄介質(zhì)中，如在磁光盤中，根據(jù)ID記錄信息。由于這種基于ID的記錄方法，更高記錄密度的更大記錄容量要求更多的ID，導(dǎo)致格式化效率低。
在磁光盤中，由凹坑形成包括ID的首部。通過注模法使用一塊基板生產(chǎn)盤基片。在基板上，通過光處理技術(shù)已經(jīng)形成凹坑。在盤基片上，形成一個記錄層和一個保護(hù)層，以生產(chǎn)磁光盤。因而，通過激光束的波長確定凹坑的尺寸。
在磁光盤中，標(biāo)記尺寸由MSR(磁感應(yīng)超分辨率)技術(shù)減小到其中預(yù)格式化凹坑尺寸比記錄標(biāo)記尺寸大兩倍或三倍的點。結(jié)果，凹坑的存在阻礙記錄密度的提高。


圖1表示常規(guī)磁光盤的示范格式。
先有技術(shù)的磁光盤1以恒定旋轉(zhuǎn)速度轉(zhuǎn)動。在磁光盤1的內(nèi)周緣側(cè)上光束與磁光盤1之間的相對速度不同于在磁光盤1的外周緣側(cè)上的。因此，把磁光盤1劃分成四個區(qū)域Z1至Z4。最內(nèi)區(qū)域Z1在四個區(qū)域Z1至Z4中具有最低的記錄頻率，而最遠(yuǎn)區(qū)域Z4具有最高的記錄頻率。記錄頻率的這種設(shè)置叫作ZCAV(區(qū)域恒定角速度)法，這種方法用來提高記錄容量。
在磁光盤1內(nèi)，在具有預(yù)定長度的每個扇區(qū)內(nèi)形成首部區(qū)域2。按照預(yù)先用凹坑記錄在相應(yīng)首部區(qū)域2上的地址信息(ID)，把光束定位到目標(biāo)扇區(qū)上。其中存儲信息的數(shù)據(jù)區(qū)域形成在每兩個首部區(qū)域2之間。
圖2表示常規(guī)磁光盤示范數(shù)據(jù)軌道的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。
數(shù)據(jù)軌道由多個數(shù)據(jù)扇區(qū)4組成。數(shù)據(jù)扇區(qū)4的每一個包括首部5和數(shù)據(jù)字段6。用來標(biāo)識每個數(shù)據(jù)字段6的地址存儲在每個相應(yīng)首部5中，并且把信息存儲在每個數(shù)據(jù)字段6中。
一個緩沖區(qū)7布置在每兩個數(shù)據(jù)扇區(qū)4之間。一個間隙8形成在首部5與數(shù)據(jù)字段6之間。在區(qū)Z1至Z4的每一個中，兩條相鄰軌道的首部5彼此相鄰。在相同區(qū)中的兩條軌道的數(shù)據(jù)字段6也彼此相鄰。
圖3表示常規(guī)磁光盤的示范首部的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。
首部5的每一個包括一個扇區(qū)標(biāo)記9、一個第一VFO(變頻振蕩器)同步區(qū)域10、一個地址標(biāo)記11、一個第一軌道地址12、一個第一扇區(qū)地址13、一個第一錯誤校正碼14、一個第二VFO同步區(qū)域15、一個地址標(biāo)記16、一個第二軌道地址17、一個第二扇區(qū)地址18、一個第二錯誤校正碼19、及一個后同步20。
扇區(qū)標(biāo)記9代表數(shù)據(jù)扇區(qū)4的開始。第一VFO同步區(qū)域10啟動用來讀第一軌道地址12和第一扇區(qū)地址13的VFO同步。第一地址標(biāo)記11代表第一軌道地址12和第一扇區(qū)地址13的開始。第一軌道地址12代表掃描數(shù)據(jù)的軌道地址。第一扇區(qū)地址13代表掃描數(shù)據(jù)的扇區(qū)地址。第一錯誤校正碼14用來校正第一軌道地址12和第二扇區(qū)地址13中的錯誤。
第二VFO同步區(qū)域15啟動用來讀第二軌道地址17和第二扇區(qū)地址18的VFO同步。第二地址標(biāo)記16代表軌道地址17和第二扇區(qū)地址18的開始。第二軌道地址17代表掃描數(shù)據(jù)的軌道地址。第二扇區(qū)地址18代表掃描數(shù)據(jù)的扇區(qū)地址。第二錯誤校正碼19用來校正第二軌道地址17和第二扇區(qū)地址18中的錯誤。后同步20代表首部5的端部。
由第一軌道地址12和第一扇區(qū)地址13的組合、或第二軌道地址17和第二扇區(qū)地址18的組合確定光束的位置。
圖4表示常規(guī)磁光盤的示范數(shù)據(jù)字段的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。
數(shù)據(jù)字段6包括包括一個第三VFO同步字段21、一個同步信號字段22、一個數(shù)據(jù)存儲字段23、一個錯誤校正碼字段24、及一個后同步字段25。
第三VFO同步區(qū)域21啟動用來記錄和復(fù)制數(shù)據(jù)的VFO同步。同步信號字段22與數(shù)據(jù)字段6同步，并且啟動用來復(fù)制數(shù)據(jù)的同步。錯誤校正碼字段24用來檢測和校正存儲在數(shù)據(jù)存儲字段23中的數(shù)據(jù)中的錯誤。添加后同步字段25以復(fù)制數(shù)據(jù)末端。
如以上解釋的那樣，常規(guī)磁光盤1在每個數(shù)據(jù)扇區(qū)4中帶有一個首部5，以確定光束的位置。
然而，雖然由MSR技術(shù)形成小尺寸的標(biāo)記，但由比標(biāo)記大兩倍或三倍的凹坑形成首部，因為不用MSR技術(shù)讀出凹坑。凹坑尺寸限于與激光束的波長相對應(yīng)的尺寸。如果通過MSR技術(shù)使數(shù)據(jù)密度增至兩倍或三倍，則由首部占據(jù)了記錄區(qū)域的大部分。從整體來說，由于大尺寸的凹坑不能提高記錄密度。而且，為常規(guī)磁光盤中的每個扇區(qū)提供一個首部，所以不能提高格式化效率。而且，在紋間表面／凹坑軌道中引起的交錯減小格式化效率。
本發(fā)明一個一般目的在于提供其中消除以上缺點的記錄介質(zhì)和信息存儲設(shè)備。
本發(fā)明一個更具體的目的在于提供以較高格式化效率帶有較高記錄密度的一種記錄介質(zhì)和一種信息存儲設(shè)備。
本發(fā)明的以上目的通過一種記錄介質(zhì)實現(xiàn)，該記錄介質(zhì)包括數(shù)據(jù)扇區(qū)；和標(biāo)識符部分，每個為多于一個的數(shù)據(jù)扇區(qū)提供。標(biāo)識符部分排列在與相鄰軌道上彼此交錯的位置中。
由于在該記錄介質(zhì)中為多于一個數(shù)據(jù)扇區(qū)僅提供一個標(biāo)識符，所以能提高格式化效率。而且，當(dāng)從軌道讀出標(biāo)識符部分時，不讀出相鄰軌道上的標(biāo)識符部分。因而，能實現(xiàn)準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)存取。況且，由于標(biāo)識符部分在兩條相鄰軌道上彼此交錯，所以MSR(磁感應(yīng)超分辨率)技術(shù)能用來減小標(biāo)記尺寸，并且由凹坑能形成包括標(biāo)識符部分的首部，而不減小記錄密度。由于首部不在兩條相鄰軌道上彼此對準(zhǔn)，所以首部能寬于軌道，而不會彼此不利地影響。因而，即使對于凹坑的使用也能提高記錄密度。
本發(fā)明的以上目的也通過一種用來對記錄介質(zhì)進(jìn)行存取的信息存儲設(shè)備實現(xiàn)，該記錄介質(zhì)具有數(shù)據(jù)扇區(qū)、和每個為多于一個數(shù)據(jù)扇區(qū)提供的標(biāo)識符部分，標(biāo)識符部分的每一個排列在相鄰軌道上彼此交錯的位置中。該信息存儲設(shè)備包括一個地址確定單元，該地址確定單元根據(jù)標(biāo)識符部分產(chǎn)生數(shù)據(jù)扇區(qū)的地址，并且按照地址確定是否到達(dá)希望的數(shù)據(jù)扇區(qū)。
由于在該信息存儲設(shè)備中為多于一個數(shù)據(jù)扇區(qū)僅提供一個標(biāo)識符部分，所以能提高格式化效率。而且，當(dāng)從軌道讀出標(biāo)識符部分時，不讀相鄰軌道上的標(biāo)識符部分。因而，能實現(xiàn)準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)存取。
由聯(lián)系附圖進(jìn)行的如下描述，使本發(fā)明的以上和其他目的和特征更明白。
圖1表示一種常規(guī)磁光盤的示范盤格式；圖2表示常規(guī)磁光盤的示范數(shù)據(jù)區(qū)域的結(jié)構(gòu)；圖3表示常規(guī)磁光盤的示范首部的結(jié)構(gòu)；圖4表示常規(guī)磁光盤的示范數(shù)據(jù)字段的結(jié)構(gòu)；圖5表示按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第一實施例的格式；圖6表示按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第一實施例的數(shù)據(jù)區(qū)域格式；圖7表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第一實施例中用于數(shù)據(jù)字段地址設(shè)置的一個例子；圖8表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第一實施例中用于數(shù)據(jù)字段的地址設(shè)置的另一個例子；圖9表示按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第二實施例的數(shù)據(jù)區(qū)域格式；圖10A和10B表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第二實施例中一種扇區(qū)標(biāo)記的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)；
圖11表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第三實施例中一個數(shù)據(jù)區(qū)域的格式；圖12表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第四實施例中一個數(shù)據(jù)區(qū)域的格式；圖13表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第四實施例中光束與扇區(qū)標(biāo)記之間的關(guān)系；圖14是按照本發(fā)明的一種信息存儲設(shè)備的一個實施例的方塊圖；圖15是按照本發(fā)明的信息存儲設(shè)備的一個伺服誤差檢測電路的方塊圖；圖16是按照本發(fā)明的信息存儲設(shè)備的一個ODC的方塊圖；圖17是按照本發(fā)明的信息存儲設(shè)備的一個字節(jié)計數(shù)器的方塊圖；圖18表示在按照本發(fā)明的信息存儲設(shè)備中用來產(chǎn)生一個事件的過程；圖19A至19F表示在按照本發(fā)明的信息存儲設(shè)備中在紋間表面軌道存取時的ID讀出操作；圖20是用來產(chǎn)生按照本發(fā)明的信息存儲設(shè)備的一個扇區(qū)標(biāo)記檢測窗口的等效電路；圖21A至21F表示在按照本發(fā)明的信息存儲設(shè)備中用來產(chǎn)生合成扇區(qū)標(biāo)記的過程；圖22是在按照本發(fā)明的信息存儲設(shè)備中用來產(chǎn)生的一個合成扇區(qū)標(biāo)記的等效電路；圖23是在按照本發(fā)明的信息存儲設(shè)備中用來校正扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖的等效電路；圖24是按照本發(fā)明的信息存儲設(shè)備的一個門脈沖發(fā)生器的等效電路；圖25A至25M表明按照本發(fā)明的信息存儲設(shè)備的門脈沖發(fā)生器的操作；
圖26A至26D表明在按照本發(fā)明的信息存儲設(shè)備的數(shù)據(jù)區(qū)域中的讀／寫開始計時操作；圖27A至27C表明按照本發(fā)明的信息存儲設(shè)備的伺服誤差檢測靈敏度的狀態(tài)；圖28表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第五實施例中的格式；及圖29表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第六實施例中的格式。
下面是參照附圖的本發(fā)明實施例的描述。
圖5表示在按照本發(fā)明的一種記錄介質(zhì)的第一實施例中的格式。在該圖中，與圖1中相同的元件用相同的標(biāo)號指示。
在該實施例的磁光盤100中，數(shù)據(jù)區(qū)域101和首部102具有與數(shù)據(jù)區(qū)域3和首部5不同的格式。
圖6表示在記錄介質(zhì)的第一實施例中的數(shù)據(jù)區(qū)域的格式。應(yīng)該理解，圖6不表示首部和數(shù)據(jù)字段的實際物理部分。
在該實施例的磁光盤100中，彼此相鄰的軌道Tr1至Trn由凹槽限定。軌道Tr1、Tr3、…是蝕刻在磁光盤100的基片中的凹槽。在軌道Tr1、Tr3、…的每一條上，一個首部102跟隨有兩個數(shù)據(jù)字段103—1和103—2。
軌道Tr2、Tr4、…形成在紋間表面中，紋間表面形成在磁光盤100的基片上。在軌道Tr2、Tr4、…的每一條上，一個首部104跟隨有兩個數(shù)據(jù)字段105—1和105—2。
形成在凹槽中的軌道Tr1、Tr3、…的首部102，與磁光盤100的徑向?qū)?zhǔn)(即在箭頭A的方向上)。形成在紋間表面中的軌道Tr2、Tr4、…的首部104，也與磁光盤100的徑向?qū)?zhǔn)(即在箭頭A的方向上)。
形成在凹槽中的軌道Tr1、Tr3、…的數(shù)據(jù)字段103—1和形成在紋間表面中的軌道Tr2、Tr4、…的數(shù)據(jù)字段105—2，與磁光盤100的徑向?qū)?zhǔn)(即在箭頭A的方向上)。形成在凹槽中的軌道Tr1、Tr3、…的數(shù)據(jù)字段103—2和形成在紋間表面中的軌道Tr2、Tr4、…的數(shù)據(jù)字段105—1，也與磁光盤100的徑向?qū)?zhǔn)(即在箭頭A的方向上)。
在掃描軌道Tr1、Tr3、…的首部102的同時，例如，絕不會同時掃描相鄰軌道Tr2、Tr4、…的首部104。因而，能防止錯誤ID檢測。特別是當(dāng)采用高密度記錄技術(shù)，如MSR(磁感應(yīng)超分辨率)技術(shù)時，相鄰首部絕不會彼此重疊，因為標(biāo)記小于凹坑。因而，能提高軌道密度。況且，每兩個數(shù)據(jù)字段僅需要一個首部，例如，用于每兩個數(shù)據(jù)字段103—1和103—2的每個首部102、和用于每兩個數(shù)據(jù)字段105—1和105—2的每個首部104。在這種布置中，能減小在磁光盤100上形成的首部數(shù)量。因而，能提高在磁光盤100上的格式化效率。
每個首部102的結(jié)構(gòu)與圖3中所示的首部5相同。類似地，數(shù)據(jù)字段103—1、103—2、105—1、和105—2的每一個的結(jié)構(gòu)與圖4中所示的數(shù)據(jù)字段6相同。
由于對于每兩個數(shù)據(jù)字段僅設(shè)置一個首部，所以必須由從每個首部得到的一個地址產(chǎn)生兩個地址。
圖7表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第一實施例中用于數(shù)據(jù)字段的地址設(shè)置的一個例子。在該圖中，多個專用標(biāo)號102a、102b、102c、…分配到首部102，并且標(biāo)號103—1a和103—2a、103—1b和103—2b…分配到數(shù)據(jù)字段103—1和103—2。
如圖7中所示，在軌道Tr1上的首部102a的地址是“N”，數(shù)據(jù)字段103—1a的地址是“N”，及數(shù)據(jù)字段103—2a的地址是“N+1”。下一個首部102b的地址是“N+2”，數(shù)據(jù)字段103—1b的地址是“N+2”，及數(shù)據(jù)字段103—2b的地址是“N+3”。按照一個扇區(qū)的通過信號，通過把“1”分別添加到首部102a和首部102b的地址“N”和“N+2”上確定數(shù)據(jù)字段103—2a和103—2b的地址。
以以上方式，能連續(xù)地把地址分配到所有數(shù)據(jù)字段。應(yīng)該理解，地址設(shè)置的以上方式能應(yīng)用于首部104和數(shù)據(jù)字段105—1和105—2。
在該實施例中，即使在磁光盤上的標(biāo)記通過MSR技術(shù)形成，以便顯著減小標(biāo)記的寬度，由凹坑形成的首部102和104也不會彼此重疊。因而，比相應(yīng)軌道寬的首部102和104彼此絕不會有不利影響。這樣，能顯著增大記錄密度。
盡管首部102和104形成在紋間表面和凹槽中，但他們也能僅形成在紋間表面上。首部102和104的形成不限于以上例子，而是能采用其他技術(shù)以形成首部102和104。
在圖7中所示的例子中，首部102的地址不是連續(xù)的。然而，也有可能把連續(xù)地址分配給首部102。在這種情況下，按照首部102的地址確定數(shù)據(jù)字段103—1和103—2的地址。
圖8表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第一實施例中用于數(shù)據(jù)字段的地址設(shè)置的另一個例子。在該圖中，與圖7中相同的標(biāo)號分配給首部102和數(shù)據(jù)字段103—1和103—2。
如圖8中所示，首部102a的地址是“N”，及下一個首部102b的地址是“N+1”。緊跟著首部102a的數(shù)據(jù)字段103—1a的地址是“2N”，及跟隨數(shù)據(jù)字段103—1a的數(shù)據(jù)字段103—2a的地址是“2N+1”。緊跟著首部102b的數(shù)據(jù)字段103—1b的地址是“2(N+1)”，及跟隨數(shù)據(jù)字段103—1b的數(shù)據(jù)字段103—2b的地址是“2(N+1)+1”。
在這種改進(jìn)中，能把連續(xù)地址分配給首部102。應(yīng)該理解，地址設(shè)置的以上方式能應(yīng)用于首部104和數(shù)據(jù)字段105—1和105—2。
在第一實施例中，對于每兩個數(shù)據(jù)字段設(shè)置一個首部。然而，也有可能例如把一個扇區(qū)標(biāo)記放在數(shù)據(jù)字段103—1與103—2之間。對于扇區(qū)標(biāo)記，能準(zhǔn)確識別每個扇區(qū)的開始。由于扇區(qū)標(biāo)記是相同的，并且布置在跨過相鄰軌道的線中，而與地址無關(guān)，所以即使出現(xiàn)交擾也能準(zhǔn)確地檢測他們。
圖9表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第二實施例中一個數(shù)據(jù)區(qū)域的格式。在該圖中，與圖6中相同的元件用相同的標(biāo)號指示。
該實施例的一個數(shù)據(jù)區(qū)域帶有一個在每兩個數(shù)據(jù)字段103—1與103—2之間、和在每兩個數(shù)據(jù)字段105—1與105—2之間的扇區(qū)標(biāo)記111。扇區(qū)標(biāo)記111與圖3中所示的扇區(qū)標(biāo)記9相同。
圖10A表示具有第一圖案的扇區(qū)標(biāo)記的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，及圖10B表示具有第二圖案的扇區(qū)標(biāo)記的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。表示在圖10A和10B中的第一和第二圖案分別是在ISO／IEC 15041中規(guī)定的“奇數(shù)帶”和“偶數(shù)帶”。
表示在圖10A和10B中的兩個圖案的任一個用于每個扇區(qū)標(biāo)記111。由于第一圖案是在ISO／IEC 15041中規(guī)定的“奇數(shù)帶”，具有第一圖案的扇區(qū)標(biāo)記111帶有交替的三個6—循環(huán)“6T”無標(biāo)記部分和三個12—循環(huán)“12T”標(biāo)記部分、及交替的兩個12—循環(huán)“12T”無標(biāo)記部分和兩個6—循環(huán)“6T”標(biāo)記部分，如圖10A中所示。在第一圖案的末端添加一個位圖案“0001”+“01”。
第二圖案是在ISO／IEC 15041中規(guī)定的“偶數(shù)帶”。具有第二圖案的扇區(qū)標(biāo)記111帶有交替的三個6—循環(huán)“6T”標(biāo)記部分和三個12—循環(huán)“12T”無標(biāo)記部分、及然后是交替的兩個12—循環(huán)“12T”標(biāo)記部分和兩個6—循環(huán)“6T”無標(biāo)記部分，如圖10B中所示。在第二圖案的末端添加一個位圖案“000001”。
扇區(qū)標(biāo)記111在箭頭A的方向上，即在磁光盤100的徑向，與相鄰軌道上的首部102和104的扇區(qū)標(biāo)記9對準(zhǔn)。扇區(qū)標(biāo)記111放在數(shù)據(jù)字段103—1與103—2之間、和在每兩個數(shù)據(jù)字段105—1與105—2之間，以便啟動同步以補(bǔ)償由盤位移或轉(zhuǎn)動振動引起的窗口移動。
盡管在該實施例中，在數(shù)據(jù)字段103—1與103—2之間和在每兩個數(shù)據(jù)字段105—1與105—2之間的扇區(qū)標(biāo)記111與首部102和104的扇區(qū)標(biāo)記9相同，但扇區(qū)標(biāo)記111也可以具有與扇區(qū)標(biāo)記9不同的圖案。而且，扇區(qū)標(biāo)記111與相鄰首部102和104的扇區(qū)標(biāo)記9成直線的定位。然而，扇區(qū)標(biāo)記111可以稍微偏離首部102和104的扇區(qū)標(biāo)記9的直線，從而扇區(qū)標(biāo)記111在徑向不與首部102和104重疊。在這種布置中，形成首部102和104及扇區(qū)標(biāo)記111的凹坑能擴(kuò)展到相鄰軌道。因而，能使軌道節(jié)距比用來形成凹坑的激光束的直徑窄。
圖11表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第三實施例中一個數(shù)據(jù)區(qū)域的格式。在該圖中與圖9中相同的元件用相同的標(biāo)號指示。
該實施例的一個數(shù)據(jù)區(qū)域120帶有一個在每個首部121中的扇區(qū)標(biāo)記123、一個在每個首部122中的扇區(qū)標(biāo)記124、一個在每兩個數(shù)據(jù)字段103—1與103—2之間的扇區(qū)標(biāo)記125、及一個在每兩個數(shù)據(jù)字段105—1與105—2之間的扇區(qū)標(biāo)記126。扇區(qū)標(biāo)記123和126的每一個具有表示在圖10A中的第一圖案，而扇區(qū)標(biāo)記124和125的每一個具有圖10B中所示的第二圖案。
由于在該實施例中，扇區(qū)標(biāo)記123的每一個具有第一圖案，而扇區(qū)標(biāo)記124的每一個具有第二圖案，所以在具有ID的扇區(qū)與沒有ID的扇區(qū)之間能區(qū)分扇區(qū)標(biāo)記，并且能從紋間表面和凹槽排列識別具有ID的扇區(qū)。
在該實施例中，扇區(qū)標(biāo)記既形成在紋間表面中又形成在凹槽中。然而，在具有比光束直徑小的軌道節(jié)距的紋間表面／凹槽介質(zhì)中，有可能在紋間表面或凹槽介質(zhì)中形成扇區(qū)標(biāo)記，并且由交擾檢測在紋間表面和凹槽介質(zhì)中的扇區(qū)標(biāo)記。
圖12表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第四實施例中一個數(shù)據(jù)區(qū)域的格式。在該圖中與圖11中相同的元件用相同的標(biāo)號指示。
該實施例的一個數(shù)據(jù)區(qū)域130在軌道Tr2和Tr4上不具有第三實施例的扇區(qū)標(biāo)記124和126。在凹槽掃描時當(dāng)然檢測扇區(qū)標(biāo)記123。在該實施例中，在紋間表面掃描時也借助于交擾檢測扇區(qū)標(biāo)記123。
圖13表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第四實施例的光束與扇區(qū)標(biāo)記之間的尺寸關(guān)系。
在圖13中，扇區(qū)標(biāo)記形成在凹槽軌道Tr1和Tr3上，并且沒有標(biāo)記形成在紋間表面軌道Tr2和Tr4上。當(dāng)激光束L掃描紋間表面軌道Tr2時，紋間表面軌道Tr2到激光束L的中心，如圖13中所示。盡管沒有扇區(qū)標(biāo)記形成紋間表面軌道Tr2上，但大于軌道節(jié)路的激光束L掃描到形成在兩個相鄰槽軌道Tr1和Tr3上的扇區(qū)標(biāo)記的部分，由此借助于交擾檢測扇區(qū)標(biāo)記。
按照該實施例，能采用MSR(磁感應(yīng)超分辨率)技術(shù)來減小標(biāo)記尺寸，并且包括標(biāo)識符部分的首部能由凹坑形成，而不減小記錄密度。由于首部在兩相鄰軌道彼此不對準(zhǔn)，所以首部能比軌道寬，而彼此不會不利地影響。因而，即使對于大凹坑也能增大記錄密度。
盡管在以上實施例中把磁光盤用作記錄介質(zhì)，但本發(fā)明的應(yīng)用不限于磁光盤。例如，以上實施例可應(yīng)用于這樣一種記錄介質(zhì)在其上通過用來形成比激光束直徑窄的一種MAMMOS技術(shù)等進(jìn)行記錄。
圖14是按照本發(fā)明的一種信息存儲設(shè)備的一個實施例的方塊圖。
該實施例的磁光盤裝置200把信息存儲在圖5至13中所示的磁光盤中。磁光盤裝置200包括一個磁光盤201、一個主軸電機(jī)202、一個磁頭203、一個磁頭控制電路204、一個光學(xué)頭205、一個定位器206、一個LD控制電路207、一個頭放大器208、一個讀電路209、一個伺服電路210、一個伺服誤差檢測電路211、及一個ODC(光盤控制器)212。
磁光盤201具有圖5至13中所示的格式任一種。磁光盤201在由箭頭C指示的方向上由主軸電機(jī)202轉(zhuǎn)動。磁頭203在徑向(在由箭頭B指示的方向上)放置在磁光盤201的一個表面上。磁頭203把磁場施加到磁光盤201上，以在其上記錄和復(fù)制信息。
光學(xué)頭205放置在磁光盤201的另一個表面上。光學(xué)頭205把一個光束L發(fā)射到磁光盤201上。光學(xué)頭205與定位器206嚙合，并且能由定位器206在磁光盤201的徑向(在由箭頭B指示的方向上)移動。光學(xué)頭205連接到LD控制電路207上，并且按照從LD控制電路207供給的信號驅(qū)動。
光束L由磁光盤201反射，并且返回光學(xué)頭205。來自磁光盤201的反射光然后轉(zhuǎn)換成供給到頭放大器208的復(fù)制信號。頭放大器208由復(fù)制信號分離一個跟蹤誤差信號TES、ID和扇區(qū)標(biāo)記信號、及一個信息信號MO。由頭放大器208分離的ID和扇區(qū)標(biāo)記信號及信息信號MO發(fā)送到讀電路209。讀電路209把ID和扇區(qū)標(biāo)記信號與信息信號MO分離開，并且解調(diào)ID和扇區(qū)標(biāo)記信號以及信息信號MO。
由讀電路209解調(diào)的ID信號、扇區(qū)標(biāo)記信號SM、及信息信號MO然后發(fā)送到ODC 212。按照ID信號和扇區(qū)標(biāo)記信號SM，ODC212確定光束在磁光盤201上的光束照亮位置，并且產(chǎn)生用來切換伺服靈敏度的靈敏度切換信號。ODC 212也把信息信號MO發(fā)送到主計算機(jī)。
從ODC 212產(chǎn)生的靈敏度切換信號供給到伺服誤差檢測電路211。按照靈敏度切換信號，伺服誤差檢測電路211控制靈敏度，以便檢測來自從頭放大器208供給的跟蹤誤差信號TES的伺服誤差。當(dāng)從頭放大器208供給的跟蹤誤差信號TES大于由從ODC 212供給的靈敏度切換信號設(shè)置的一個閾值時，伺服誤差檢測電路211確定有一個伺服誤差，并且輸出一個高電平信號。
伺服誤差檢測電路211的檢測結(jié)果供給到ODC 212和伺服電路210。當(dāng)伺服誤差檢測電路211檢測到一個伺服誤差時，ODC 212停止寫和讀操作，并且伺服電路210停止伺服機(jī)構(gòu)。
圖15是按照本發(fā)明的信息存儲設(shè)備的實施例的伺服誤差檢測電路的方塊圖。
伺服誤差檢測電路211包括一個開關(guān)213、比較器214和215、一個OR(或)門216、及電阻器R1至R4。電阻器R1至R3串聯(lián)連接在一個電源的電壓+V與電壓—V之間。一個第一閾值產(chǎn)生在電阻器R1與R2之間的連接點處，并且一個第二閾值產(chǎn)生在電阻器R2與R3之間的連接點處。
由開關(guān)213和電阻器R4組成的串聯(lián)電路并聯(lián)連接到電阻器R2上。電阻器R4至電阻器R2的連接通過接通和斷開開關(guān)213切換。開關(guān)213連接到ODC 212上，并且按照從ODC 212供給的靈敏度切換信號切換電阻器R4至電阻器R2的連接。當(dāng)從ODC 212供給的靈敏度切換信號是高時，即當(dāng)需要高靈敏度時，接通開關(guān)213以把電阻器R4并聯(lián)連接到電阻器R2上。當(dāng)并聯(lián)連接電阻器R4和電阻器R2時，電阻器R4降低電阻器R1與電阻器R3之間的電阻率。因而，在第一閾值與第二閾值之間的差值變小，并且靈敏度變高。當(dāng)從ODC212供給靈敏度切換信號時，即當(dāng)需要低靈敏度時，斷開開關(guān)213以在電阻器R1與電阻器R3之間只留下電阻器R2。借助于在電阻器R1與電阻器R3之間只連接電阻器R2，在電阻器R1與電阻器R3之間的電阻率變高。因而，在第一閾值與第二閾值之間的差值變大，并且靈敏度降低。
從在電阻器R1與電阻器R2之間的連接點輸出的第一閾值供給到比較器214的倒相輸入終端。從在電阻器R2與電阻器R3之間的連接點輸出的第二閾值供給到比較器215的非倒相輸入終端。
從頭放大器208輸出的伺服誤差信號TES供給到比較器214的非倒相輸入終端。比較器214把伺服誤差信號TES與第一閾值相比較。當(dāng)伺服誤差信號TES小于第一閾值時，比較器214的輸出為低。當(dāng)伺服誤差信號TES大于第一閾值時，比較器214的輸出為高。
從頭放大器208輸出的伺服誤差信號TES也供給到比較器215的倒相輸入終端。比較器215把伺服誤差信號TES與第二閾值相比較。當(dāng)伺服誤差信號TES大于第二閾值時，比較器215的輸出為低。當(dāng)伺服誤差信號TES小于第二閾值時，比較器215的輸出為高。
比較器214和215的輸出供給到OR門216。OR門216輸出在比較器214和215的輸出之間的OR邏輯。OR門216的輸出作為伺服誤差檢測電路211的輸出供給到ODC 212和伺服電路210。
ODC 212從磁光盤201上的首部檢測地址，并且計數(shù)已經(jīng)通過的數(shù)據(jù)字段數(shù)量。按照從首部檢測的地址和已經(jīng)通過的數(shù)據(jù)字段的數(shù)量，ODC 212辨別數(shù)據(jù)字段的地址而不用首部，并且然后讀或?qū)?。例如，ODC 212把已經(jīng)通過的數(shù)據(jù)字段數(shù)量添加到檢測地址，以便確定數(shù)據(jù)字段的地址而不用首部。
圖16是按照本發(fā)明的信息存儲設(shè)備的實施例的ODC的方塊圖。
ODC 212包括一個扇區(qū)標(biāo)記檢測器217、一個ID檢測器218、一個字節(jié)計數(shù)器219、一個地址計數(shù)器220、比較器221、222、及223、一個門脈沖發(fā)生器224、一個控制器225、及寄存器226和227。
扇區(qū)標(biāo)記檢測器217檢測從讀電路209供給的扇區(qū)標(biāo)記信號SM，并且把一個與扇區(qū)標(biāo)記信號SM同步的扇區(qū)標(biāo)記同步信號發(fā)送到字節(jié)計數(shù)器219。ID檢測器218由從讀電路209供給的ID信號檢測一個ID地址，并且把ID地址發(fā)送到比較器221。 ID檢測器218還把一個與ID信號同步的ID同步信號發(fā)送到字節(jié)計數(shù)器219。當(dāng)沒有檢測到ID地址時，ID檢測器218把一個ID檢測失敗通知發(fā)送到門脈沖發(fā)生器224。
字節(jié)計數(shù)器219按照同步事件計數(shù)，并且輸出一個與選擇同步事件相對應(yīng)的信號。更具體地說，字節(jié)計數(shù)器219計數(shù)從扇區(qū)標(biāo)記檢測器217供給的扇區(qū)標(biāo)記同步信號和從ID檢測器218供給的ID同步信號，作為同步事件。按照計數(shù)結(jié)果，字節(jié)計數(shù)器219把一個扇區(qū)標(biāo)記檢測窗口供給到扇區(qū)標(biāo)記檢測器217，并且把一個ID檢測窗口供給到ID檢測器218。
字節(jié)計數(shù)器219還根據(jù)計數(shù)結(jié)果檢測已經(jīng)通過的每個扇區(qū)。每通過一個扇區(qū)就把一個1扇區(qū)通過通知供給到地址計數(shù)器220。地址計數(shù)器220計數(shù)從字節(jié)計數(shù)器219供給的1扇區(qū)通過通知，并且由扇區(qū)的ID地址產(chǎn)生一個外推地址而不用ID地址。由地址計數(shù)器220產(chǎn)生的外推地址供給到比較器221、222、及223。
比較器221把從ID檢測器218供給的ID地址與從地址計數(shù)器220供給的外推地址相比較，并且按照比較結(jié)果輸出一個信號。當(dāng)ID地址與外推地址不同時，比較器221的輸出信號為高。當(dāng)ID地址與外推地址相同時，比較器221的輸出信號為低。比較器221的輸出信號供給到門脈沖發(fā)生器224。
比較器222把從地址計數(shù)器220供給的外推地址與存儲在寄存器226中的過程開始扇區(qū)地址相比較，并且按照比較結(jié)果輸出一個信號。當(dāng)從地址計數(shù)器220供給的外推地址與從寄存器226供給的過程開始扇區(qū)地址相同時，比較器222的輸出信號為高。當(dāng)從地址計數(shù)器220供給的外推地址與從寄存器226供給的過程開始扇區(qū)地址不同時，比較器222的輸出信號為低。比較器222的輸出信號供給到門脈沖發(fā)生器224。按照該輸出信號，門脈沖發(fā)生器224檢測一個過程開始位置。
比較器223把從地址計數(shù)器220供給的外推地址與存儲在寄存器227中的過程結(jié)束扇區(qū)地址相比較，并且按照比較結(jié)果輸出一個信號。當(dāng)從地址計數(shù)器220供給的外推地址與從寄存器227供給的過程結(jié)束扇區(qū)地址相同時，比較器223的輸出信號為高。當(dāng)從地址計數(shù)器220供給的外推地址與從寄存器227供給的過程結(jié)束扇區(qū)地址不同時，比較器223的輸出信號為低。比較器223的輸出信號供給到門脈沖發(fā)生器224。按照該輸出信號，門脈沖發(fā)生器224檢測一個過程結(jié)束位置。
寄存器226連接到控制器225?？刂破?25把過程開始地址供給到寄存器226。寄存器227也連接到控制器225?？刂破?25把過程結(jié)束地址供給到寄存器227。
門脈沖發(fā)生器224根據(jù)從字節(jié)計數(shù)器219供給的計數(shù)值，并且根據(jù)從比較器222和223供給的過程開始地址和過程結(jié)束地址，分別產(chǎn)生一個寫門脈沖、一個讀門脈沖、和一個伺服靈敏度切換信號。如果ID檢測失敗通知從ID檢測器218供給到門脈沖發(fā)生器224，則門脈沖發(fā)生器224停止門脈沖發(fā)生操作。
圖17是按照本發(fā)明的信息存儲設(shè)備的字節(jié)計數(shù)器的方塊圖。
字節(jié)計數(shù)器219包括寄存器228和229、一個多路復(fù)用器230、一個OR門231、一個計數(shù)器232、及比較器233—1至233—n。
寄存器228把同步值保持為用來產(chǎn)生同步事件的計時值。存儲在寄存器228中的同步值供給到多路復(fù)用器230。多路復(fù)用器230從寄存器228接收一個同步事件以及同步值。同步事件是這樣一個信號當(dāng)產(chǎn)生讀門脈沖、寫門脈沖、或伺服靈敏度脈沖切換信號時為高，而當(dāng)停止脈沖發(fā)生操作時為低。
多路復(fù)用器230按照供給的同步事件從寄存器228選擇一個希望的同步值，并且把選擇的同步值送到計數(shù)器232。同步事件也供給到OR門231，OR門231產(chǎn)生同步事件的OR邏輯。OR門231的輸出供給到計數(shù)器232。計數(shù)器232從由多路復(fù)用器230選擇的同步值開始計數(shù)。計數(shù)器232的計數(shù)值供給到比較器233—1至233—n。
比較器233—1至233—n的每一個接收來自計數(shù)器232的計數(shù)值和一個來自寄存器229的計時值。其每一個代表用來產(chǎn)生每個同步事件每個同步事件的計時值，預(yù)先存儲在寄存器229中。
比較器233—1至233—n的每一個把來自計數(shù)器232的計數(shù)值與來自寄存器229的計時值相比較，并且按照比較結(jié)果信號輸出一個信號。當(dāng)來自計數(shù)器232的計數(shù)值與來自寄存器229的計時值相同時，比較器233—1至233—n的每一個的輸出信號為高。當(dāng)來自計數(shù)器232的計數(shù)值與來自寄存器229的計時值不同時，比較器233—1至233—n的每一個的輸出信號為低。
以以上方式，當(dāng)應(yīng)該產(chǎn)生一個事件時，比較器233—1至233—n的每一個輸出一個為高的信號。比較器233—1至233—n的輸出供給到扇區(qū)標(biāo)記檢測器217、ID檢測器218、地址計數(shù)器220、及門脈沖發(fā)生器224。
圖18表示在按照本發(fā)明的信息存儲設(shè)備的實施例中用來產(chǎn)生一個事件的過程。參照圖18解釋的事件是信息讀事件。
首先，隨著光束到達(dá)其中記錄扇區(qū)標(biāo)記的一個位置，ODC 212在步驟S1—1打開扇區(qū)標(biāo)記檢測窗口。借助于被打開的扇區(qū)標(biāo)記檢測窗口，扇區(qū)標(biāo)記成為可檢測的。如果扇區(qū)標(biāo)記信號與這里的扇區(qū)標(biāo)記檢測窗口同步，則在步驟S1—2能讀扇區(qū)標(biāo)記。然后在步驟S1—3關(guān)閉扇區(qū)標(biāo)記檢測窗口。這里，扇區(qū)標(biāo)記檢測窗口的周期比扇區(qū)標(biāo)記的周期長。例如，如果扇區(qū)標(biāo)記的周期是5字節(jié)，則扇區(qū)標(biāo)記檢測窗口的周期是8字節(jié)，在扇區(qū)標(biāo)記之前和之后擴(kuò)展3字節(jié)。因而，伺服標(biāo)記位于伺服標(biāo)記檢測窗口內(nèi)，并且保證扇區(qū)標(biāo)記的精確檢測。
在步驟S1—3中關(guān)閉扇區(qū)標(biāo)記檢測窗口之后，在步驟S1—4打開ID檢測窗口。借助于被打開的ID檢測窗口，ID成為可檢測的。如果ID信號與這里的ID檢測窗口同步，則能在步驟S1—5讀ID。由連接到每個ID上的CRC(循環(huán)冗余校驗)確定ID檢測的證實。如果檢測到ID，并且確定連接到ID上的CRC是正常的，則在步驟S1—6關(guān)閉ID檢測窗口。這里，ID檢測窗口的周期比ID的周期長。
在關(guān)閉ID檢測窗口之后，在步驟S1—7確定檢測的ID屬于紋間表面還是凹槽。
其次，在步驟1—8增大伺服誤差檢測靈敏度，并且在步驟S1—9打開一個讀門。然后打開同步信號檢測窗口，并且在步驟S1—10同步信號成為可檢測的。如果同步信號與同步信號檢測窗口同步，則在步驟S1—11讀出同步信號。然后在步驟S1—12關(guān)閉同步信號檢測窗口。這里，同步信號檢測窗口的周期比同步信號的周期長。
在關(guān)閉同步信號檢測窗口之后，在步驟S1—13讀出數(shù)據(jù)。在讀出數(shù)據(jù)之后，在步驟S1—14關(guān)閉讀門。然后減小伺服誤差檢測靈敏度，并且在步驟S1—15穩(wěn)定伺服。這里，讀門打開周期比讀數(shù)據(jù)的周期長。因而，已經(jīng)讀了一個扇區(qū)的數(shù)據(jù)，并且在步驟S1—16光束已經(jīng)通過該扇區(qū)。
當(dāng)寫信息而不是讀它時，在步驟S1—9打開一個寫門，并且在步驟S1—14關(guān)閉。跳過步驟S1—10至S1—12的同步信號檢測。寫門打開周期也比寫數(shù)據(jù)的周期長。
以以上方式，在軌道Tr1、Tr2、Tr3、Tr4、…上進(jìn)行讀和寫循環(huán)。
在該實施例中，有不帶有首部的數(shù)據(jù)區(qū)域。因此，必須防止ID讀門在這些數(shù)據(jù)區(qū)域中被接通。
圖19A至19F表示在按照本發(fā)明的信息存儲設(shè)備的實施例中的ODC操作。圖19A表示紋間表面的數(shù)據(jù)格式，圖19B表示凹槽的數(shù)據(jù)格式，圖19C表示一個紋間表面扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖，圖19D表示一個凹槽扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖，圖19E表示一個扇區(qū)標(biāo)記檢測窗口，及圖19F表示一個ID讀門。
在該實施例中使用的磁光盤201帶有如圖19A中所示格式化的紋間表面、和如圖19B中所示格式化的凹槽。在磁光盤201中，每條紋間表面軌道與每個相鄰凹槽軌道非常接近。因為這個原因，當(dāng)掃描紋間表面軌道時，可能錯誤地讀出一個凹槽ID。該實施例防止這樣一種誤差。
當(dāng)搜索在如圖19A中所示的紋間表面軌道上的扇區(qū)標(biāo)記時，應(yīng)該忽略從圖19B中所示的凹槽檢測的扇區(qū)標(biāo)記。因此，當(dāng)如圖19E中所示開始扇區(qū)標(biāo)記檢測時，忽略在圖19D中所示凹槽軌道上的扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖。當(dāng)如圖19C中所示檢測在紋間表面軌道上的扇區(qū)標(biāo)記時，如圖19E中所示關(guān)閉扇區(qū)標(biāo)記檢測窗口，及如圖19F中所示打開ID讀門。由于ID讀門僅當(dāng)檢測到在紋間表面軌道上的首部中的扇區(qū)標(biāo)記時才打開，所以當(dāng)檢測到在紋間表面軌道上的首部中的扇區(qū)標(biāo)記時，絕不會錯誤地打開ID讀門。因而，能防止由于交擾造成的讀在圖19B中所示凹槽軌道上的ID。
圖20是按照本發(fā)明的信息存儲設(shè)備的ODC操作的等效電路。圖19A至19F中所示的過程由圖20的等效電路實現(xiàn)。
如圖20中所示，等效電路包括AND(與)門234和235、一個NOT(非)電路236、一個OR門237、及一個扇區(qū)標(biāo)記檢測窗口輸出部分238。
AND門234接收一個來自扇區(qū)標(biāo)記檢測器217的紋間表面扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖和一個來自控制器225的紋間表面跟蹤信號。AND門234然后確定紋間表面扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖和紋間表面跟蹤信號之間的AND邏輯。AND門235接收一個來自扇區(qū)標(biāo)記檢測器217的凹槽扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖和由NOT電路236倒相的紋間表面跟蹤信號。AND門235然后確定凹槽扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖和倒相的紋間表面跟蹤信號的AND邏輯。
AND門234和235的輸出供給到OR門237，OR門237確定在AND門234的輸出與AND門235的輸出之間的OR邏輯。OR門237的輸出供給到扇區(qū)標(biāo)記檢測窗口輸出部分238。按照從OR門237供給的信號，扇區(qū)標(biāo)記檢測窗口輸出部分238關(guān)閉扇區(qū)標(biāo)記檢測窗口。同時，扇區(qū)標(biāo)記檢測窗口輸出部分238接收一個作為字節(jié)計數(shù)器219內(nèi)的事件產(chǎn)生的扇區(qū)標(biāo)記搜索開始脈沖。按照扇區(qū)標(biāo)記搜索開始脈沖，扇區(qū)標(biāo)記檢測窗口輸出部分238打開扇區(qū)標(biāo)記檢測窗口。按照從OR門237供給的信號，扇區(qū)標(biāo)記檢測窗口輸出部分238關(guān)閉扇區(qū)標(biāo)記檢測窗口。從扇區(qū)標(biāo)記檢測窗口輸出部分238輸出的扇區(qū)標(biāo)記檢測窗口供給到扇區(qū)標(biāo)記檢測器217。按照從扇區(qū)標(biāo)記檢測窗口輸出部分238供給的扇區(qū)標(biāo)記檢測窗口，扇區(qū)標(biāo)記檢測器217控制扇區(qū)標(biāo)記檢測。而且，按照從扇區(qū)標(biāo)記檢測窗口輸出部分238供給的扇區(qū)標(biāo)記檢測窗口，如圖19F中所示控制ID檢測窗口的計時。
以以上方式，能防止由于在紋間表面軌道掃描時的交擾生成檢測凹槽軌道ID。
由于在該實施例的磁光盤201中對于兩個扇區(qū)僅設(shè)置一個ID，所以在紋間表面上的數(shù)據(jù)區(qū)域和在凹槽上的相應(yīng)數(shù)據(jù)區(qū)域中應(yīng)該檢測扇區(qū)標(biāo)記。從兩個數(shù)據(jù)區(qū)域檢測的扇區(qū)標(biāo)記然后合成一個合成扇區(qū)標(biāo)記。通過計數(shù)合成扇區(qū)標(biāo)記，產(chǎn)生一個扇區(qū)通過脈沖。因而，能進(jìn)行扇區(qū)的準(zhǔn)確計數(shù)。
圖21A至21F表示在按照本發(fā)明的信息存儲設(shè)備中用來產(chǎn)生一個扇區(qū)通過脈沖的過程。更具體地說，圖21A表示紋間表面軌道的格式，圖21B表示凹槽軌道的格式，圖21C表示一個紋間表面ID讀門，圖21D表示一個紋間表面扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖，圖21E表示一個凹槽扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖，及圖21F表示一個合成扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖。
在圖21A中所示的紋間表面格式中的首部中首先檢測一個紋間表面扇區(qū)標(biāo)記。然后產(chǎn)生圖21D中所示的紋間表面扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖。而且，在圖21B中所示的凹槽格式中的首部中檢測凹槽扇區(qū)標(biāo)記，并且然后產(chǎn)生圖21E中所示的凹槽扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖。
圖21D中所示的紋間表面標(biāo)記檢測脈沖和圖21E中所示的凹槽扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖，合成圖21F中所示的合成扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖。
圖22是在按照本發(fā)明的信息存儲設(shè)備中用來產(chǎn)生的一個合成扇區(qū)標(biāo)記的等效電路。
圖22中所示的扇區(qū)標(biāo)記合成電路包括AND門239和240、一個NOT電路241、及一個OR門242。AND門239接收來自扇區(qū)標(biāo)記檢測器217的紋間表面扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖和由字節(jié)計數(shù)器219產(chǎn)生的ID檢測窗口。AND門239然后確定紋間表面扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖與ID檢測窗口之間的AND邏輯。AND門239的輸出表示在圖21D中。
AND門240接收來自扇區(qū)標(biāo)記檢測器217的凹槽扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖和由字節(jié)計數(shù)器219產(chǎn)生的ID檢測窗口。AND門240然后確定凹槽扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖與ID檢測窗口之間的AND邏輯。AND門240的輸出表示在圖21E中。
AND門239和240的輸出供給到OR門242。OR門242輸出在AND門239的輸出與AND門240的輸出之間的OR邏輯。OR門242的輸出表示在圖21F中。
以以上方式，在每個數(shù)據(jù)區(qū)域中，即在每個扇區(qū)中輸出一個脈沖。然后供給一個脈沖作為至地址計數(shù)器220的一個扇區(qū)通過脈沖。
在其中在凹槽軌道上形成的扇區(qū)標(biāo)記與紋間表面軌道共享的情況下，如圖13中所示，用掃描紋間表面軌道Tr2的光束L的右和左側(cè)端檢測在兩條凹槽軌道Tr1和Tr3上的扇區(qū)標(biāo)記。因而，與其中用光束L的中心檢測扇區(qū)標(biāo)記的情形相比，引起延遲。在該實施例的磁光盤201中，對于兩個數(shù)據(jù)區(qū)域僅設(shè)置一個ID。因此，重要的是得到扇區(qū)的準(zhǔn)確數(shù)量以確定帶有noID的數(shù)據(jù)區(qū)域的地址。因而，扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖的脈沖寬度需要校正。
圖23是按照本發(fā)明的信息存儲設(shè)備的扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖校正電路的方塊圖。
扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖校正電路243例如連接到圖22中所示的扇區(qū)標(biāo)記合成電路的輸出終端上。扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖校正電路243包括一個延遲電路244、一個AND門245、及一個OR門246。
延遲電路244接收扇區(qū)標(biāo)記合成電路的輸出，即圖21F中所示的信號，并且延遲接收的信號一個預(yù)定時間。根據(jù)從光束L的中心端至其中凹槽軌道上扇區(qū)標(biāo)記跨過光束L的邊緣端的點的延遲距離T，確定延遲時間，如圖13中所示。
延遲電路244的輸出供給到AND門245。AND門245也從控制器225接收一個紋間跟蹤信號，該信號在紋間軌道掃描時為高。AND門245然后輸出在延遲電路244的輸出與紋間跟蹤信號之間的AND邏輯。因而，能按照紋間跟蹤信號控制延遲電路244的輸出。
AND門245的輸出供給到OR門246。OR門246也接收扇區(qū)標(biāo)記合成電路的輸出，即圖21F中所示的信號。OR門246然后輸出在AND門245的輸出與扇區(qū)標(biāo)記合成電路的輸出之間的OR邏輯。
以以上方式，扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖校正電路243使在紋間軌道掃描時的扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖的脈沖寬度等于在凹槽軌道掃描時的扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖的脈沖寬度。因而，在其中凹槽軌道上的扇區(qū)標(biāo)記與紋間軌道共享的情況下，如圖13中所示，能進(jìn)行準(zhǔn)確的扇區(qū)標(biāo)記檢測。
圖24是按照本發(fā)明的信息存儲設(shè)備的門脈沖發(fā)生器的方塊圖。
門脈沖發(fā)生器224包括觸發(fā)電路247至251、多路復(fù)用器252和253、及AND門254。
觸發(fā)電路247至251的每一個帶有J—K觸發(fā)功能。
在觸發(fā)電路248中，紋間表面扇區(qū)標(biāo)記搜索開始脈沖從控制器225供給到J輸入終端。K輸入終端固定在“0”。紋間表面扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖從扇區(qū)標(biāo)記檢測器217供給到R輸入終端。觸發(fā)電路248輸出一個紋間表面扇區(qū)標(biāo)記搜索脈沖。
在觸發(fā)電路249中，凹槽扇區(qū)標(biāo)記搜索開始脈沖從控制器225供給到J輸入終端。K輸入終端固定在“0”。凹槽扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖從扇區(qū)標(biāo)記檢測器217供給到R輸入終端。觸發(fā)電路249輸出一個凹槽扇區(qū)標(biāo)記搜索脈沖。
在觸發(fā)電路247中，紋間表面／凹槽識別脈沖從字節(jié)計數(shù)器219供給到J和K輸入終端。觸發(fā)電路248的輸出供給到P輸入終端，并且觸發(fā)電路249的輸出供給到R輸入終端。觸發(fā)電路247然后產(chǎn)生一個紋間表面ID門脈沖。紋間表面ID門脈沖供給到多路復(fù)用器252和253、及AND門254。
在觸發(fā)電路250中，一個ID讀門打開脈沖從字節(jié)計數(shù)器219供給到J輸入終端，并且一個ID讀門關(guān)閉脈沖從字節(jié)計數(shù)器219供給到K輸入終端。觸發(fā)電路250然后根據(jù)從字節(jié)計數(shù)器219供給的ID讀門打開脈沖和ID讀門關(guān)閉脈沖，產(chǎn)生一個ID讀門脈沖。
觸發(fā)電路250的輸出供給到AND門254。AND門254輸出在觸發(fā)電路247的輸出與觸發(fā)電路250的輸出之間的AND邏輯。觸發(fā)電路250僅輸出ID讀門脈沖的紋間表面讀門脈沖。
多路復(fù)用器252接收來自字節(jié)計數(shù)器219的第一和第二同步信號窗口打開脈沖。按照從觸發(fā)電路247供給的紋間表面ID門脈沖，多路復(fù)用器252選擇性地把第一同步信號窗口打開脈沖或第二同步信號窗口打開脈沖供給到觸發(fā)電路251。更具體地說，當(dāng)從觸發(fā)電路247供給的紋間表面ID門脈沖為高時，多路復(fù)用器252選擇第一同步信號窗口打開脈沖，而當(dāng)紋間表面ID門脈沖為低時，多路復(fù)用器252選擇第二同步信號窗口打開脈沖。
多路復(fù)用器253接收來自字節(jié)計數(shù)器219的第一和第二同步信號窗口關(guān)閉脈沖。按照從觸發(fā)電路247供給的紋間表面ID門脈沖，多路復(fù)用器253選擇性地把第一同步信號窗口關(guān)閉脈沖或第二同步信號窗口關(guān)閉脈沖供給到觸發(fā)電路251。更具體地說，當(dāng)從觸發(fā)電路247供給的紋間表面ID門脈沖為高時，多路復(fù)用器253選擇第一同步信號窗口關(guān)閉脈沖，而當(dāng)紋間表面ID門脈沖為低時，多路復(fù)用器253選擇第二同步信號窗口關(guān)閉脈沖。
在觸發(fā)電路251中，多路復(fù)用器252的選擇性輸出供給到J輸入終端，而多路復(fù)用器253的選擇性輸出供給到K輸入終端。觸發(fā)電路251然后輸出一個同步信號窗口。當(dāng)紋間表面ID門脈沖為高時，同步信號窗口隨第一同步信號窗口打開脈沖變高，而隨第一同步信號窗口關(guān)閉脈沖變低。當(dāng)紋間表面ID門脈沖為低時，同步信號窗口隨第二同步信號窗口打開脈沖變高，而隨第二同步信號窗口關(guān)閉脈沖變低。
圖25A至25M表明按照本發(fā)明的信息存儲設(shè)備的門脈沖發(fā)生器的操作。更具體地說，圖25A表示一種軌道格式，圖25B表示紋間表面扇區(qū)標(biāo)記搜索開始脈沖，圖25C表示紋間扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖，圖25D表示凹槽扇區(qū)標(biāo)記檢測脈沖，圖25E表示紋間表面／凹槽識別脈沖，圖25F表示紋間表面ID門，圖25G表示紋間表面ID讀門，圖25H表示ID讀門，圖25I表示第一同步信號窗口打開脈沖，圖25J表示第二同步信號窗口打開脈沖，圖25K表示第一同步信號窗口關(guān)閉脈沖，圖25L表示第二同步信號窗口關(guān)閉脈沖，及圖25M表示同步信號窗口。應(yīng)該注意，在這些圖中使用的標(biāo)號指示與圖11中使用的標(biāo)號相同的元件。
當(dāng)發(fā)出一個讀／寫命令時，紋間表面扇區(qū)標(biāo)記搜索開始脈沖作為一個事件輸出，如圖25B中所示。當(dāng)輸出紋間表面扇區(qū)標(biāo)記搜索開始脈沖時，如圖25F中所示打開紋間表面ID門。在打開紋間表面ID門之后，供給紋間扇區(qū)標(biāo)記124，并且然后如圖25C中所示被檢測。在打開紋間表面ID門的同時，打開如圖25G中所示的紋間表面ID讀門。在常規(guī)首部的位置中打開紋間表面ID讀門。
其次，圖25E中所示的紋間表面／凹槽識別脈沖作為一個事件產(chǎn)生，并且關(guān)閉圖25F中所示的紋間表面ID門。
當(dāng)圖25J中所示的第二同步信號窗口打開脈沖作為一個事件產(chǎn)生時，打開圖25M中所示的同步信號窗口。當(dāng)圖25L中所示的第二同步信號窗口關(guān)閉脈沖作為一個事件產(chǎn)生時，關(guān)閉圖25M中所示的同步信號窗口。
當(dāng)光束L達(dá)到扇區(qū)標(biāo)記126時，如圖25G中所示打開紋間表面ID讀門。然而，如圖25F中所示紋間表面ID門保持關(guān)閉，并且因而，如圖25H中所示ID讀門也保持關(guān)閉。因而，在紋間表面軌道掃描時能防止凹槽ID讀出。
以以上方式，在沒有ID的扇區(qū)中，例如伺服窗口從5字節(jié)擴(kuò)展到8字節(jié)，以便提供一個把伺服信息保持在伺服窗口內(nèi)的余量。因而，能吸收由不規(guī)則盤轉(zhuǎn)動或盤偏心造成的伺服計時間隙。
圖26A至26D表明在按照本發(fā)明的信息存儲設(shè)備的數(shù)據(jù)區(qū)域中的讀／寫計時操作。更具體地說，圖26A表示要讀或?qū)懙能壍赖囊环N格式，圖26B和26D每個表示用于第一數(shù)據(jù)區(qū)域103—1或105—1的讀／寫計時，及圖26C表示用于第二數(shù)據(jù)區(qū)域103—2或105—2的讀／寫計時。在這些圖中的標(biāo)號指示與圖6中的那些相同的元件。
在其中在第一數(shù)據(jù)區(qū)域103—1或105—1和第二數(shù)據(jù)區(qū)域103—2或105—2上進(jìn)行數(shù)據(jù)讀／寫操作的情況下，當(dāng)檢測到首部102或104時接收數(shù)據(jù)讀／寫操作，如圖26B和26C中所示。當(dāng)檢測到下一個首部102或104時，進(jìn)行在具有下個ID的數(shù)據(jù)區(qū)域上的數(shù)據(jù)讀／寫操作。以這種方式，伺服誤差檢測靈敏度與常規(guī)伺服誤差檢測靈敏度相比，能增大約20％。
圖27A至27C表明按照本發(fā)明的信息存儲設(shè)備的伺服誤差檢測靈敏度的狀態(tài)。更具體地說，圖27A是要用光束L掃描的軌道的一種格式，圖27B表示由伺服誤差檢測電路211設(shè)置的伺服誤差檢測靈敏度的狀態(tài)，及27C表示讀／寫門的狀態(tài)。
當(dāng)光束到達(dá)圖27A中所示的數(shù)據(jù)區(qū)域103—1或105—1時，如圖27B中所示增大伺服誤差檢測靈敏度。
如果在讀／寫操作在第二數(shù)據(jù)區(qū)域103—2或105—2上進(jìn)行之前，光束從第一數(shù)據(jù)區(qū)域103—1至105—1的軌道移到相鄰軌道，則讀／寫操作可能在相鄰軌道上的數(shù)據(jù)區(qū)域上進(jìn)行。因此，增大伺服誤差檢測靈敏度以檢測伺服誤差，從而能立即停止在錯誤位置中的讀／寫操作。
盡管在以上實施例中為兩個數(shù)據(jù)區(qū)域設(shè)置一個首部，但有可能對于多于兩個數(shù)據(jù)區(qū)域設(shè)置一個首部。而且，首部可以以與以上實施例的不同方式排列。
圖28表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第五實施例中的一種格式。如圖28中所示，對于四個數(shù)據(jù)區(qū)域設(shè)置一個首部，并且每個首部與相鄰軌道上的首部錯開。
圖29表示在按照本發(fā)明的記錄介質(zhì)的第六實施例中的一種格式。在該實施例中，在沒有ID的每個數(shù)據(jù)區(qū)域之前放置一個扇區(qū)標(biāo)記，并且其他排列與圖28中的相同。
就該實施例的記錄介質(zhì)或信息存儲設(shè)備而論，格式化效率從87％增大到93％。由于為沒有ID的每個數(shù)據(jù)區(qū)域提供一個扇區(qū)標(biāo)記，所以能校正由于盤偏心或轉(zhuǎn)動振動造成的讀／寫門偏差。
如至今描述的那樣，由于在沒有ID的數(shù)據(jù)區(qū)域中不輸出用來讀ID的ID讀門，所以當(dāng)交擾出現(xiàn)在沒有ID的數(shù)據(jù)區(qū)域中時不能讀相鄰軌道上的ID。因而，能防止錯誤ID檢測。
況且，在具有圖13中所示靠近節(jié)距軌道的紋間表面／凹槽介質(zhì)中，當(dāng)光束正在掃描紋間表面軌道時，由交擾能檢測在凹槽軌道上的扇區(qū)標(biāo)記。因而，能準(zhǔn)確地進(jìn)行扇區(qū)標(biāo)記檢測，而不用在紋間表面軌道上形成扇區(qū)標(biāo)記。
而且，在紋間表面／凹槽介質(zhì)中，在紋間表面軌道上的扇區(qū)標(biāo)記和在凹槽軌道上的扇區(qū)標(biāo)記可以區(qū)分成在ISO／IEC 15041中規(guī)定的“偶數(shù)帶”和“奇數(shù)帶”。通過這樣做，在紋間軌道掃描時，當(dāng)檢測在紋間表面軌道上的扇區(qū)標(biāo)記時，僅打開ID讀門。因而，在紋間表面軌道掃描時能防止凹槽ID讀。在其中采用在ISO／IEC 15041中規(guī)定的“偶數(shù)帶”和“奇數(shù)帶”的情況下，扇區(qū)標(biāo)記檢測器是不必要的。例如，由在已經(jīng)在市場上的640—Mbyte介質(zhì)中的扇區(qū)標(biāo)記檢測器能進(jìn)行扇區(qū)標(biāo)記檢測，并且能保持與存在640—Mbyte介質(zhì)的相容性。
本發(fā)明不限于具體公開的實施例，而是可以進(jìn)行變更和修改，而不脫離本發(fā)明的范圍。
本申請基于申請于1999年7月6日的日本優(yōu)先權(quán)申請No．11—192311，其整個內(nèi)容通過參考包括在這里。
權(quán)利要求
1．一種記錄介質(zhì)實現(xiàn)，包括數(shù)據(jù)扇區(qū)；和標(biāo)識符部分，每個提供給多于一個的數(shù)據(jù)扇區(qū)，標(biāo)識符部分的每一個排列在與相鄰軌道上的標(biāo)識符交錯的位置中。
2．根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中以紋間表面的形式產(chǎn)生預(yù)定軌道，并且以凹槽形式產(chǎn)生與預(yù)定軌道相鄰的其他軌道。
3．根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中標(biāo)識符部分具有在軌道方向上連續(xù)的地址。
4．根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中標(biāo)識符部分在恒定地址值的間隔處具有在軌道方向上連續(xù)的地址。
5．根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)，其中用來分辨數(shù)據(jù)扇區(qū)的同步信息部分提供在數(shù)據(jù)扇區(qū)之間。
6．根據(jù)權(quán)利要求5所述的記錄介質(zhì)，其中同步信息部分在相互相鄰軌道上彼此相鄰地排列。
7．根據(jù)權(quán)利要求5所述的記錄介質(zhì)，其中在相鄰軌道上的扇區(qū)之間的同步信息部分具有相同的圖案，并且在軌道上在帶有標(biāo)識符部分的數(shù)據(jù)扇區(qū)中的的同步信息部分的圖案，與在不帶有標(biāo)識符部分的數(shù)據(jù)扇區(qū)中的同步信息的圖案不同。
8．根據(jù)權(quán)利要求6所述的記錄介質(zhì)，其中同步信息部分每隔一條軌道提供。
9．一種用來對記錄介質(zhì)進(jìn)行存取的信息存儲設(shè)備，該記錄介質(zhì)具有數(shù)據(jù)扇區(qū)、和每個為多于一個數(shù)據(jù)扇區(qū)提供的標(biāo)識符部分，標(biāo)識符部分的每一個排列在相鄰軌道上彼此交錯的位置中，所述信息存儲設(shè)備包括一個地址確定單元，根據(jù)標(biāo)識符部分產(chǎn)生數(shù)據(jù)扇區(qū)的地址，并且按照地址確定是否到達(dá)希望的數(shù)據(jù)扇區(qū)。
10．根據(jù)權(quán)利要求9所述的信息存儲設(shè)備，其中地址確定單元計數(shù)數(shù)據(jù)扇區(qū)的數(shù)量，并且根據(jù)標(biāo)識符部分和數(shù)據(jù)扇區(qū)的數(shù)量產(chǎn)生地址。
11．根據(jù)權(quán)利要求9所述的信息存儲設(shè)備，進(jìn)一步包括一個伺服控制器，當(dāng)在希望數(shù)據(jù)扇區(qū)上進(jìn)行讀／寫時，該伺服控制器根據(jù)最靠近沒有標(biāo)識符部分的希望數(shù)據(jù)扇區(qū)的標(biāo)識符部分改變伺服誤差靈敏度。
12．根據(jù)權(quán)利要求9所述的信息存儲設(shè)備，其中地址確定單元輸出一個窗口信號，該窗口信號相對于地址確定單元確定沒有標(biāo)識符部分的數(shù)據(jù)扇區(qū)的地址的計時具有擴(kuò)展的余量。
13．根據(jù)權(quán)利要求9所述的信息存儲設(shè)備，其中當(dāng)?shù)刂反_定單元確定沒有標(biāo)識符部分的數(shù)據(jù)扇區(qū)的地址時，從帶有標(biāo)識符部分且剛好布置在沒有標(biāo)識符部分的扇區(qū)之前的數(shù)據(jù)扇區(qū)接收數(shù)據(jù)。
全文摘要
提供了具有高格式化效率的一種記錄介質(zhì)和一種信息存儲設(shè)備。記錄介質(zhì)和信息存儲設(shè)備對于要存儲的數(shù)據(jù)給出ID。在一個實施例中,對于兩個數(shù)據(jù)區(qū)域提供一個ID,并且在兩條相鄰軌道上只有兩個ID彼此對準(zhǔn)地定位。
文檔編號G11B27/30GK1279478SQ0010820
公開日2001年1月10日 申請日期2000年4月28日 優(yōu)先權(quán)日1999年7月6日
發(fā)明者柳茂知 申請人:富士通株式會社