兩側(cè)的走線直接與觸控電極連接且多功能電極的直向連接線于適當(dāng)位置斷開以供走線通過的示意圖。
[0054]圖20A為位于內(nèi)嵌式互電容觸控面板的有效區(qū)域左右兩側(cè)的走線直接與有效區(qū)域上方的走線連接的示意圖。
[0055]圖20B為位于內(nèi)嵌式互電容觸控面板的有效區(qū)域左右兩側(cè)的走線直接與有效區(qū)域上方的走線連接且多功能電極的直向連接線不需斷開的示意圖。
[0056]圖21為內(nèi)嵌式互電容觸控面板的電極走線布局的一實施例。
[0057]主要組件符號說明
[0058]I ?4、11A、12A:疊層結(jié)構(gòu)
[0059]10、20、30、40、111、121:基板
[0060]11、21、31、41、112、122:薄膜晶體管元件層
[0061]12、23、32、42、113、123:液晶層
[0062]13、24、33、43、114、124:彩色濾光層
[0063]14、25、34、44、115、125:玻璃層
[0064]15、22:觸控感應(yīng)層
[0065]16、26:偏光片
[0066]17、27:粘合劑
[0067]18、28:上覆透鏡
[0068]CF:彩色濾光片
[0069]BM:黑色矩陣光阻
[0070]M2、M3:導(dǎo)電層
[0071]CITO:氧化銦錫層
[0072]VIA:通孔
[0073]LC:液晶單元
[0074]ISOl ?IS03:絕緣層
[0075]S:源極
[0076]D:汲極
[0077]G:閘極
[0078]5?6、8、10A、13A、170:內(nèi)嵌式互電容觸控面板
[0079]P:像素或子像素
[0080]TX:傳送器電極
[0081]RX:接收器電極
[0082]MFL:多功能電極
[0083]TPAA:觸控面板的有效區(qū)域
[0084]120:驅(qū)動 IC
[0085]140:觸控 IC
[0086]BR:橋接單元
[0087]Hffl?HW2:多功能電極的橫向連接線
[0088]Vffl?VW2:多功能電極的直向連接線
[0089]RTl?RT2:有效區(qū)域外的左右兩側(cè)的走線
[0090]TXl?TXN:傳送器電極
【具體實施方式】
[0091]根據(jù)本發(fā)明的一較佳具體實施例為一種內(nèi)嵌式的電容式觸控面板。實際上，由于內(nèi)嵌式的電容式觸控面板可達(dá)成最薄化的觸控面板設(shè)計，可廣泛應(yīng)用于智能型手機(jī)、平板電腦及筆記本電腦等各種可攜式消費(fèi)性電子產(chǎn)品上。
[0092]于此實施例中，內(nèi)嵌式的電容式觸控面板所適用的顯示器可以是采用橫向電場效應(yīng)顯示技術(shù)(In-Plane-Switching Liquid Crystal，IPS)或由其延伸的邊界電場切換廣視角技術(shù)(Fringe Field Switching，F(xiàn)FS)或高階超廣視角技術(shù)(Advanced Hyper-ViewingAngle，AHVA)的顯示器，但不以此為限。
[0093]一般而言，目前市場上的主流電容式觸控感測技術(shù)應(yīng)為投射式電容觸控感測技術(shù)，可分為互電容(Mutual capacitance)及自電容(Self capacitance)兩種?；ル娙萦|控感測技術(shù)就是當(dāng)觸碰發(fā)生時，會在鄰近兩層電極間產(chǎn)生電容耦合的現(xiàn)象，并由電容量變化來確定觸碰動作的發(fā)生；自電容觸控感測技術(shù)就是觸控物與電極間產(chǎn)生電容耦合，并量測電極的電容量變化，以確定觸碰動作的發(fā)生。
[0094]需說明的是，此實施例中的內(nèi)嵌式的電容式觸控面板可采用采用互電容(Mutualcapacitance)觸控感測技術(shù)，通過兩個導(dǎo)電層與顯示元件整合形成內(nèi)嵌式(In_cell)互電容(Mutual capacitance)觸控顯示器，并通過布局方式降低內(nèi)嵌式觸控元件對IXD在電性及光學(xué)上的影響。
[0095]接下來，將分別就此實施例的內(nèi)嵌式的電容式觸控面板的疊層結(jié)構(gòu)里的兩個導(dǎo)電層如何與顯示元件進(jìn)行整合進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0096]如圖3所示，于一實施例中，內(nèi)嵌式的電容式觸控面板的疊層結(jié)構(gòu)3由下至上依序是:基板30、薄膜晶體管元件層31、液晶層32、彩色濾光層33及玻璃層34。彩色濾光層33包含彩色濾光片(Color Filter)CF及黑色矩陣光阻(Black Matrix Resist)BM兩部分，其中黑色矩陣光阻BM具有良好的光遮蔽性，可應(yīng)用于彩色濾光層33中，作為區(qū)隔紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)三種顏色的彩色濾光片的材料。
[0097]于此實施例中，導(dǎo)電層M2與薄膜晶體管元件層31內(nèi)的源極(Source) S及汲極(Drain)D相同材料且于同一道工藝制成，故不會額外增加工藝的復(fù)雜度。導(dǎo)電層M2可以是由任何導(dǎo)電材料構(gòu)成，其排列可以是水平排列、垂直排列或交錯(Mesh)排列。
[0098]導(dǎo)電層M3設(shè)置于薄膜晶體管元件層31內(nèi)的位置可對應(yīng)于上方的彩色濾光層33中的黑色矩陣光阻BM，由以通過具有良好光遮蔽性的黑色矩陣光阻BM來獲得遮蔽，但不以此為限。
[0099]需說明的是，由于導(dǎo)電層M2的主要用途作為走線橋接之用，故其布線的位置會在面板的有效區(qū)域(Active Area)之外，而不會布線于面板的有效區(qū)域內(nèi)。
[0100]至于導(dǎo)電層M3，于此實施例中，導(dǎo)電層M3亦可以是由任何導(dǎo)電材料構(gòu)成，其排列亦可以是水平排列、垂直排列或交錯排列，亦可通過位于具有良好光遮蔽性的黑色矩陣光阻BM的下方來獲得遮蔽，但不以此為限。
[0101]需說明的是，導(dǎo)電層M3需與耦接共同電壓(VCOM)的透明導(dǎo)電層，例如氧化銦錫層(Indium Tin Oxide, ITO)CITO f禹接，以作為觸控電極。實際上，此透明導(dǎo)電層除了可由氧化銦錫材料所構(gòu)成之外，亦可由其他任何透明的導(dǎo)電材料所構(gòu)成，并無特定的限制。于此實施例中，如圖3所示，氧化銦錫層CITO形成于絕緣層ISOl上，再覆蓋另一絕緣層IS02后，在絕緣層IS02形成一開孔VIA，使得形成于絕緣層IS02上的導(dǎo)電層M3能通過開孔VIA與氧化銦錫層CITO耦接。接著，再于導(dǎo)電層M3上覆蓋另一絕緣層IS03，以隔開導(dǎo)電層M3及液晶層32。
[0102]于另一具體實施例中，如圖4所示，于內(nèi)嵌式電容式觸控面板的疊層結(jié)構(gòu)4中，導(dǎo)電層M3先形成于絕緣層ISOl上，再覆蓋上另一絕緣層IS02后，在絕緣層IS02形成一開孔VIA，使得形成于絕緣層IS02上的氧化銦錫層CITO能通過開孔VIA與導(dǎo)電層M3耦接。
[0103]需說明的是，圖3與圖4為常見的薄膜晶體管液晶顯示面板(TFT-1XD panel)為例，實際上，本發(fā)明亦可實施于具有(Color filter on array，C0A)結(jié)構(gòu)的顯示面板，還可進(jìn)一步再提升面板的開口率(Aperture rat1) ο
[0104]接著，將就此實施例中的內(nèi)嵌式的電容式觸控面板所采用的電極走線布局方式進(jìn)行說明。
[0105]如圖5所示，于內(nèi)嵌式互電容觸控面板5中，每一個方塊P可代表一個電極，端視實際情況而設(shè)定不同的方塊范圍分別代表執(zhí)行不同功能的觸控電極，例如可包含用來灌入觸控驅(qū)動信號的傳送器電極(Transmitter electrode) TX、用來接收觸控感測信號的接收器電極(Receiver electrode)RX 以及多功能電極(Mult1-funct1n electrode)MFL0
[0106]位于有效區(qū)域內(nèi)的每一個圓點VIA代表如同圖3所不的開孔，用以供導(dǎo)電層M3連接至氧化銦錫層CITO作觸控電極與走線的連接；位于有效區(qū)域上方的每一個方點VIA，用以供導(dǎo)電層M3連接至導(dǎo)電層M2作為第一道傳送器電極TX及多功能電極MFL橋接之用，其設(shè)置的數(shù)量與位置可依照不同的電路設(shè)計而定；位于有效區(qū)域下方的走線皆為第二導(dǎo)電層M3，并且使用氧化銦錫CITO作為跨線時的橋接，在此作為第二道傳送器電極TX及多功能電極MFL橋接之用。
[0107]需說明的是，位于傳送器電極TX、接收器電極RX及多功能電極MFL的范圍內(nèi)的各氧化銦錫層CITO會彼此相連接。多功能電極MFL設(shè)置于傳送器電極TX與接收器電極RX之間，并可依照不同設(shè)定執(zhí)行不同的功能，例如耦接至接地端(GND)、共同電壓(VCOM)或其他電壓準(zhǔn)位等。多功能電極MFL的存在可增加電極使用上的彈性，但亦可省略之。
[0108]屬于傳送器電極TX的多條導(dǎo)電層M3往下走線后，可于面板的有效區(qū)域之外分別形成接腳(Pin)。至于屬于不同傳送器電極TX虛線區(qū)域的不同導(dǎo)電層M3走線之間的橫向連接則由另一導(dǎo)電層M2在內(nèi)嵌式互電容觸控面板5的有效區(qū)域上方進(jìn)行連接，及利用導(dǎo)電層M3與氧化銦錫層CITO在有效區(qū)域下方進(jìn)行連接，故不會對內(nèi)嵌式互電容觸控面板5的開口率造成影響。
[0109]如圖5所示，于內(nèi)嵌式互電容觸控面板5中，通過通孔與相同電極耦接的導(dǎo)電層M3的走線于有效區(qū)域內(nèi)以多于兩條走線并聯(lián)的方式進(jìn)行布線。例如:內(nèi)嵌式互電容觸控面板5中的屬于傳送器電極TX的導(dǎo)電層M3走線在其電極范圍內(nèi)可采用兩條或兩條以上走線并聯(lián)的方式，以降低阻抗。
[0110]需說明的是，無論是在傳送器電極TX或接收器電極RX的范圍內(nèi)，導(dǎo)電層M3的走線均可采用多條走線并聯(lián)的方式來降低阻抗；對每一電極而言，導(dǎo)電層M3于電極范圍內(nèi)的均勻布線可降低電極的整體阻抗。
[0111]此外，對于傳統(tǒng)的中大尺寸觸控面板而言，其電極走線連接至驅(qū)動IC的出線方式亦會影響到面板的整體電阻電容負(fù)載的大小，因此，接下來，將就大尺寸