一種陣列基板的制備方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術領域，具體地說，涉及一種陣列基板的制備方法。
【背景技術】
[0002] 隨著智能電子產(chǎn)品的普及，電容式觸控屏被廣泛的應用于手機、平板電腦等各種 電子產(chǎn)品中。目前較為多見的電容式觸控屏有〇GS(One Glass Solution)、on-cell和 in-cell三種技術。其中，in-cell技術由于其制作工藝上的優(yōu)勢，相比OGS技術和on-cell 技術，具有更加輕薄、透光性更好、結構更加穩(wěn)定等優(yōu)點。
[0003] 發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，為了減小尋址電極的阻值，采用in-cell技術的觸控屏中，需要對尋 址電極搭配一金屬結構。但該金屬結構的出現(xiàn)將增加制備陣列基板的工藝復雜程度，降低 陣列基板的良品率。

【發(fā)明內容】

[0004] 本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板的制備方法，以解決采用in-cell技術的觸 控屏中，陣列基板的制備工藝復雜的技術問題。
[0005] 本發(fā)明提供了一種陣列基板的制備方法，該方法包括：
[0006] 依次形成透明導電薄膜和金屬薄膜；
[0007] 采用光罩工藝，將所述透明導電薄膜形成尋址電極，同時將所述金屬薄膜形成與 所述尋址電極搭配的金屬結構，所述光罩工藝為半色調光罩工藝或灰色調光罩工藝。
[0008] 其中，采用光罩工藝，將所述透明導電薄膜形成尋址電極，同時將所述金屬薄膜形 成與所述尋址電極搭配的金屬結構包括：
[0009] 在所述金屬薄膜之上形成預定厚度的光刻膠層；
[0010] 采用半色調光罩或灰色調光罩，對所述光刻膠層進行曝光和顯影，所述光刻膠層 形成完全保留區(qū)域、部分保留區(qū)域以及完全去除區(qū)域；
[0011] 通過刻蝕工藝去除所述完全去除區(qū)域對應的透明導電薄膜和金屬薄膜，形成所述 尋址電極；
[0012] 利用灰化工藝，去除所述部分保留區(qū)域的光刻膠；
[0013] 通過刻蝕工藝去除所述部分保留區(qū)域對應的金屬薄膜并剝離殘留的光刻膠，形成 與所述尋址電極搭配的金屬結構。
[0014] 其中，通過刻蝕工藝去除完全去除區(qū)域對應的透明導電薄膜和金屬薄膜，形成尋 址電極包括：
[0015] 通過干刻工藝，去除所述完全去除區(qū)域對應的金屬薄膜；
[0016] 通過濕刻工藝，去除所述完全去除區(qū)域對應的透明導電薄膜，形成尋址電極。
[0017] 其中，所述尋址電極包括驅動電極和感應電極。
[0018] 其中，所述半色調光罩或所述灰色調光罩包括不透光區(qū)域、半透光區(qū)域和全透光 區(qū)域，所述半透光區(qū)域的光強透過率為30%?50%。
[0019] 其中，采用濺射或熱蒸發(fā)的方式沉積形成厚度為100A4000A的透明導電薄膜。
[0020] 其中，所述透明導電薄膜的材質為氧化銦錫、氧化銦鋅或氧化銦鎵鋅。
[0021] 其中，采用濺射或熱蒸發(fā)的方式在所述透明導電薄膜之上沉積厚度為 1000A?6000A的金屬薄膜。
[0022] 其中，所述光刻膠層的預定厚度為20000A。
[0023] 其中，所述完全保留區(qū)域和所述部分保留區(qū)域的厚度比為4:1。
[0024] 本發(fā)明帶來了以下有益效果：在本發(fā)明實施例中，采用半色調光罩工藝或灰色調 光罩工藝，可在同一次光罩工藝中形成尋址電極以及與尋址電極搭配的金屬結構。無需經(jīng) 過兩次光罩工藝分別圖案化尋址電極和金屬結構，有利于降低該陣列基板的制備工藝的復 雜程度，降低該陣列基板的制備工藝的成本，同時提高陣列基板的制成良品率。
[0025] 本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變 得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權利 要求書以及附圖中所特別指出的結構來實現(xiàn)和獲得。
【附圖說明】
[0026] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要的 附圖做簡單的介紹：
[0027] 圖1為本發(fā)明實施例中的陣列基板的結構示意圖；
[0028] 圖2至圖3為本發(fā)明實施例中的陣列基板的制備方法的流程圖；
[0029] 圖4至圖11為本發(fā)明實施例中的陣列基板的制備過程示意圖；
[0030] 圖12為本發(fā)明實施例中的尋址電極的結構示意圖。
[0031] 附圖標記說明：
[0032] 1-襯底基板； 2-薄膜晶體管； 21-LTPS;
[0033]22一柵極； 23-柵極絕緣層； 24-源極；
[0034] 25一漏極； 3-第一絕緣層； 4一第二絕緣層；
[0035] 5一第二絕緣層； 6-過孔； 7-像素電極；
[0036] 8-遮光層； 9一公共電極； 10-尋址電極；
[0037] 11-金屬結構； 12-透明導電薄膜；13-金屬薄膜；
[0038] 14-光罩； 141一不透光區(qū)域；142-半透光區(qū)域；
[0039] 143-全透光區(qū)域； 15-光刻膠層； 151-完全保留區(qū)域；
[0040] 152-部分保留區(qū)域；16-第一走線； 17-第二走線。
【具體實施方式】
[0041] 以下將結合附圖及實施例來詳細說明本發(fā)明的實施方式，借此對本發(fā)明如何應用 技術手段來解決技術問題，并達成技術效果的實現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實施。需要說明 的是，只要不構成沖突，本發(fā)明中的各個實施例以及各實施例中的各個特征可以相互結合， 所形成的技術方案均在本發(fā)明的保護范圍之內。
[0042] 本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制備方法。如圖1所示，該陣列基板包括多 個像素單元，每個像素單元中設置有薄膜晶體管2和像素電極7。本發(fā)明實施例中的薄膜 晶體管2為采用低溫多晶娃（Low Temperature Poly-Silicon，簡稱LTPS)的頂柵型薄膜 晶體管。在該薄膜晶體管2中，LTPS21位于底層，柵極22位于LTPS21之上，且柵極22與 LTPS21之間設置有柵極絕緣層23。柵極22上方設置有第一絕緣層3,源極24和漏極25設 置于第一絕緣層3之上，并且源極24和漏極25通過過孔6與LTPS21連接且保持與柵極22 絕緣。源極24和漏極25之上還設置有第二絕緣層4和第三絕緣層5,像素電極7通過貫穿 第二絕緣層4和第三絕緣層5的過孔6連接至漏極25。
[0043] 為了防止來自背光源的光照射至LTPS21的導電溝道，使得導電溝道在光照情況 下出現(xiàn)光生電流，影響該薄膜晶體管2的性能。如圖1所示，可在襯底基板1之上、LTPS21 之下設置有遮光層8,該遮光層8用于為LTPS21遮光。
[0044] 該陣列基板優(yōu)選采用邊緣場開關型（Fringe Field Switching，簡稱FFS)的驅動 方式。FFS的核心技術特性可簡單描述為：通過同一平面內狹縫狀像素電極7電極邊緣所 產(chǎn)生的電場，使狹縫狀電極間以及電極正上方的所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生平面旋轉， 從而提高了液晶層的透光效率。FFS技術可以提高液晶顯示器的畫面品質，具有高分辨率、 高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋等優(yōu)點。
[0045] 因此，如圖1所示，該陣列基板還設置有公共電極9,公共電極9位于第三絕緣層5 和第二絕緣層4之間，為板狀結構。與該公共電極9配合的像素電極7則為具有狹縫的條 狀結構。
[0046] 進一步的，為了實現(xiàn)觸控功能，公共電極9可作為陣列基板的尋址電極10使用。該 陣列基板在應用中可采用顯示與觸控分時掃描的驅動方式，具體的：在顯示圖像時，公共電 極9為相應的像素單元提供公共電壓，使公共電極9與像素電極7之間形成電場，并且一個 公共電極9可以對應一個或多個像素單元；在觸控掃描時，公共電極9作為尋址電極10,用 于傳輸觸控信號，供位于陣列基板的邊緣的處理芯片分析、判斷觸控信號發(fā)生處，使得陣列