本發(fā)明涉及電容屏領(lǐng)域，更具體地，涉及一種高透過率的OnCell的電容觸摸屏。
背景技術(shù)：
隨著近年智能手機(jī)行業(yè)的高速發(fā)展，觸摸屏技術(shù)也成為眾多用戶和開發(fā)者關(guān)注的熱門技術(shù)，在眾多觸控技術(shù)中，G+G,、OGS、In-cell等等都有其不足之處。而On cell由于其制程簡單，成本低，良率高等等優(yōu)點(diǎn)，這兩年來已經(jīng)越來越成為觸控產(chǎn)業(yè)新的主導(dǎo)技術(shù)方向。
目前，在國內(nèi)外，在oncell觸控方面的發(fā)展水平還處于少數(shù)幾家已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，多數(shù)行業(yè)大公司正在布局開發(fā)階段。主要受限于前期眾多觸摸屏sensor技術(shù)的選擇問題，顯示屏廠家一起聯(lián)合觸摸屏廠家共同推動這項(xiàng)產(chǎn)品技術(shù)路線。
傳統(tǒng)觸摸屏的G+G 結(jié)構(gòu)是由兩片玻璃對貼組成 ( 一片玻璃做為觸摸傳感器，一片玻璃做為視窗保護(hù)蓋板玻璃) 這樣增加了觸摸屏的厚度和重量。
OGS是直接把觸摸傳感器直接做在視窗保護(hù)蓋板玻璃。但制程工序復(fù)雜導(dǎo)致良率不高以及玻璃的強(qiáng)度相對單獨(dú)的蓋板玻璃下降。
In-cell是將觸摸傳感器直接集成到TFT液晶顯示玻璃里面。工藝復(fù)雜導(dǎo)致良率低，成本高。
現(xiàn)有的Oncell采用以TFT液晶顯示玻璃(包括array面板玻璃和CF玻璃)貼盒減薄好后的CF玻璃背面制造觸摸功能。同時起到液晶顯示和觸摸傳感器的雙重作用。該結(jié)構(gòu)為TFT-CF/ITO，具有制程簡單，成本低等優(yōu)點(diǎn)。但由于基板為TFT貼盒玻璃，必須常溫或低溫鍍ITO膜。導(dǎo)致電阻率偏高，必須鍍較厚的ITO膜層才能達(dá)到驅(qū)動靈敏的功能。而ITO鍍厚了帶來了兩個問題：第一，整個顯示屏的透過率偏低。第二，顯示屏有ITO的可視區(qū)和周圍的BM邊框的色差過大，導(dǎo)致整個屏幕的外觀不美觀。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種提高透過率，改善顯示屏有ITO的可視區(qū)和周圍的BM邊框的色差。
本發(fā)明首先提供一種高透過率的OnCell的電容觸摸屏，依次包括TFT基板、二氧化鈦膜層、二氧化硅膜層和ITO透過導(dǎo)電膜層，所述的ITO透過導(dǎo)電膜層的厚度為1000~2000埃米。
所述的二氧化鈦膜層厚度為100~300埃米。
所述的二氧化硅膜層厚度為200~300埃米。
當(dāng)電容觸摸屏與視窗保護(hù)蓋板貼合后，可視區(qū)和邊框區(qū)的顏色都趨于黑色。
所述的TO透過導(dǎo)電膜層的電阻值為15~60歐姆/口。
更進(jìn)一步提供一種上述的高透過率的OnCell的電容觸摸屏的制備方法，對TFT基板的CF玻璃背面進(jìn)行功能層鍍膜加工，依次鍍一層TiO2膜層，TiO2膜層上再鍍一層SiO2膜層、SiO2膜層上再鍍一層ITO透明導(dǎo)電膜層。
現(xiàn)有的Oncell采用以TFT液晶顯示玻璃貼盒減薄好后的CF玻璃背面制造觸摸功能。該結(jié)構(gòu)為TFT-CF/ITO，具有制程簡單，成本低等優(yōu)點(diǎn)。但由于基板為TFT貼盒玻璃，必須常溫或低溫鍍ITO膜。導(dǎo)致電阻率偏高，必須鍍較厚的ITO膜層才能達(dá)到驅(qū)動靈敏的功能。這樣會導(dǎo)致整個顯示屏的透過率偏低，大概為78-83%，而通過本發(fā)明的技術(shù)在ITO膜下增加功能層，達(dá)到一個增透減反的作用，使得玻璃整個表面的透光率可增加到 86％以上。同時為了降低電阻值，把ITO膜厚加厚，會使顯示屏有ITO的可視區(qū)和周圍的BM邊框的色差過大，導(dǎo)致整個屏幕的外觀不美觀，無法滿足中高端手機(jī)對屏幕外觀的要求。通過在玻璃增加二氧化鈦膜層和二氧化硅膜層，就可以在保證和提高現(xiàn)有功能的前提下，使之和視窗保護(hù)蓋板貼盒后，可視區(qū)和邊框區(qū)的顏色趨于接近，達(dá)到整個手機(jī)屏幕一體黑的美觀效果。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)：
1. 通過本發(fā)明的技術(shù)在ITO膜下增加功能層，達(dá)到一個增透減反的作用，使得玻璃整個表面的透光率可增加到 86％以上。
2. 同時由于為了降低電阻值，把ITO膜厚加厚，會使顯示屏有ITO的可視區(qū)和周圍的BM邊框的色差過大，導(dǎo)致整個屏幕的外觀不美觀，無法滿足中高端手機(jī)對屏幕外觀的要求。通過在玻璃增加二氧化鈦膜層和二氧化硅膜層，就可以在保證和提高現(xiàn)有功能的前提下，使之和視窗保護(hù)蓋板貼盒后，可視區(qū)和邊框區(qū)的顏色趨于接近，達(dá)到整個手機(jī)屏幕一體黑的美觀效果。
3. 本發(fā)明適用于 Oncell 類的電容觸摸屏設(shè)計(jì)，其在設(shè)計(jì)與制造成本上與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠更好的達(dá)到手機(jī)外觀美觀的效果，滿足中高端手機(jī)對屏幕的要求；在玻璃的上增加功能層，可提高產(chǎn)品的透光率，改善了產(chǎn)品的顯示效果。
具體實(shí)施方式
下面對本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征更易被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對本發(fā)明的保護(hù)范圍作出更為清楚的界定。
一種高透過率OnCell電容觸摸屏，是以TFT液晶顯示玻璃(包括array面板玻璃和CF玻璃)貼盒減薄好后的CF玻璃背面制造觸摸功能。同時起到液晶顯示和觸摸傳感器的雙重作用。其包括TFT基板，依次層疊于TFT基板的二氧化鈦膜層、二氧化硅膜層、ITO透過導(dǎo)電膜層。
其制備工藝流程如下：
S1、將貼盒減薄好后TFT液晶顯示玻璃基板清洗干凈；采用無滾刷工藝。
S2、將清洗干凈的玻璃基板裝在基片架上送入鍍膜線的真空腔體內(nèi)；
S3、對TFT玻璃基板的CF玻璃背面進(jìn)行功能層鍍膜加工，依次鍍一層TiO2膜層，TiO2膜層上再鍍一層Sio2膜層、Sio2膜層上再鍍一層ITO透明導(dǎo)電膜層。
其中TiO2厚度為200埃米；Sio2厚度為500埃米；ITO厚度為1500埃米；采用常溫或低溫鍍膜工藝。
S4、然后從鍍膜機(jī)中取出，再次清洗;
S5、ITO圖案的形成：TFT玻璃基板經(jīng)過鍍了三層膜后，使在玻璃基板的最上面形成一層透明及厚度均勻的ITO膜層，其厚度為1500埃米；
然后ITO膜層表面涂布一層厚度均勻的正性光阻材料，光阻涂布厚度為1μm~2μm；
經(jīng)過光阻預(yù)烤，曝光，顯影，蝕刻，脫光阻膜，最終形成厚度為1500埃米及規(guī)則ITO圖案或電極。
以上方案中的TiO2膜層是采用中頻反應(yīng)磁控濺射的方式制備而成，工作真空度為 0.3-0.5Pa，工作氣體為高純氬氣，純度為99.999％，氬氣 100-200sccm，中頻反應(yīng)濺射的反應(yīng)氣體為高純氧氣，純度為99.999％，氧氣占比例 20-30％，靶功率在10KW-20KW，靶電壓350V——550V，鍍膜溫度25-50°。膜層厚度在 10nm-30nm 之間。
以上種方案中的SiO2膜是采用中頻反應(yīng)磁控濺射的方式制備而成，工作真空度為0.3-0.5Pa，工作氣體為高純氬氣，純度99.999％，氬氣200-300sccm，中頻反應(yīng)濺射的反應(yīng)氣體為高純氧氣，純度為99.999％，氧氣占比例 30-40％，靶功率在 5KW-10KW，靶電壓350V——450V，鍍膜溫度為25-50°。膜層厚度在 20nm-80nm 之間。
以上種方案中的ITO導(dǎo)電膜是采用直流疊加射頻濺射的方式制備而成，ITO靶材料由In2O3和SnO2組成，其質(zhì)量比為85~95：5~15。工作真空度為0.3-0.5Pa，工作氣體為高純氬氣，純度為 99.999％，氬氣 250-350sccm，反應(yīng)氣體為高純氬氧混合氣，純度為99.999％，氧氣占比例1-2％靶功率在 5KW-10KW，靶電壓 100V—200V，鍍膜溫度為25-50°。膜層厚度在100nm-200nm之間。膜層電阻在 15-60Ω之間。
以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。