專利名稱：一種單片式電容觸摸屏及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種觸摸屏及其制造方法，尤其涉及一種單片式電容觸摸屏及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著信息技術(shù)、無線行動通訊和信息家電的快速發(fā)展與應(yīng)用，人們對電子產(chǎn)品的依賴性與日俱增。為了達(dá)到更便利，體積更輕巧化以及更人性化的目的，許多電子產(chǎn)品已由傳統(tǒng)的鍵盤或鼠標(biāo)作為輸入裝置，轉(zhuǎn)變?yōu)槭褂迷O(shè)置在顯示屏幕前的觸摸屏作為輸入裝置?，F(xiàn)有的觸摸屏大致可分為電容式、電阻式、感光式等類型。其中，電容觸摸屏已經(jīng)廣泛應(yīng)用到各類電子產(chǎn)品，如手機(jī)、平板電腦中。電容觸摸屏的特點是透過率高且觸摸施壓不必用力，工作時還可以實現(xiàn)多個觸摸點的同時探測，操作使用更為人性化。電容觸摸屏一般包含一感測電極層，感測電極層包括多個沿著第一方向延伸的第一感測電極以及多個沿著第二方向延伸的第二感測電極，第一感測電極與第二感測電極相互交錯形成感應(yīng)陣列；各個第一感測電極之間互相電性不連接，各個第二感測電極之間互相電性不連接，第一感測電極與第二感測電極之間電性不連接。當(dāng)使用者以手指接觸觸控屏?xí)r，接觸點處的第一、第二感測電極的電容發(fā)生變化，通過電路檢測，就可以判斷觸摸的發(fā)生以及接觸點的坐標(biāo)。為了將電容觸摸屏設(shè)計為透明的，上述第一、第二感測電極往往采用透明導(dǎo)電材料制作而成。為了保證第一、第二感測電極的光學(xué)一致性，第一、第二感測電極往往由同一層的透明導(dǎo)電膜形成，這種情況下，感測電極層還包含設(shè)置在每個第一、第二感測電極的交錯點處的跳線結(jié)構(gòu)，跳線結(jié)構(gòu)一般包含由絕緣層(絕緣墊塊)隔開的底部連接和頂部連接，其分別用于連接被交錯點分開的第一感測電極和第二感測電極。按照當(dāng)前電容觸摸屏的設(shè)計，頂部連接或底部連接的其中一個，一般為金屬膜形成的金屬連接橋，由于金屬膜可以同時形成設(shè)置在電容觸摸屏周邊低電阻的周邊線路，從而省略一次專門制作低電阻周邊線路的步驟。金屬膜一般為以鋁合金為主的極薄膜層(< 500nm)，而且金屬連接橋的寬度極小 ( ΙΟμπι)，當(dāng)其暴露在環(huán)境中時，極其容易受到氧化作用而逐漸降低其導(dǎo)電性。即使是底部連接采用金屬連接橋，其外側(cè)覆蓋有絕緣層(絕緣墊塊)的情況，底部連接也容易受到氧化作用而逐漸降低其導(dǎo)電性。當(dāng)前的電容觸摸屏一般設(shè)計為兩片基板的貼合體，上述感測電極層則設(shè)置在一片基板的一側(cè)，并且，當(dāng)兩片基板貼合時，感測電極層剛好被夾置在兩片基板之間，因此，兩片基板隔絕了金屬連接橋與外界環(huán)境的接觸，使得金屬連接橋不容易受到氧化作用而逐漸降低其導(dǎo)電性。隨著電子產(chǎn)品的輕薄化發(fā)展，其要求所裝配的電容觸摸屏越來越輕薄，由兩片基板貼合而成的電容觸摸屏厚度較大，因此，有人提出了單片式的電容觸摸屏。單片式電容觸摸屏將上述感測電極層設(shè)置在一片基板的背面，而省略掉另一片基板，因此其厚度可以進(jìn)一步降低，滿足信息產(chǎn)品輕薄化發(fā)展的要求。
但是，對于當(dāng)前的單片式電容觸摸屏來說，由于金屬連接橋缺乏另外一片基板的夾置而暴露在環(huán)境中，極其容易受到氧化作用而逐漸降低其導(dǎo)電性，使得這種單片式電容觸屏的可靠性不佳。為了解決這個問題，有些廠家采用在感測電極層上覆蓋一層有機(jī)樹脂保護(hù)層的方法，雖然可以在一定程度上阻止金屬連接橋與環(huán)境接觸，減緩其受到的氧化作用，但是保護(hù)層一般比較薄，容易受到環(huán)境的作用而逐漸老化，而且也容易存在針孔、裂縫等缺陷，使得環(huán)境中的氧氣依然可以滲透到感測電極層上，導(dǎo)致金屬連接橋被氧化；總而言之，這種采用保護(hù)層的方法，依然無法徹底解決金屬連接橋受到環(huán)境的氧化作用的問題。還有一些廠家，為了提高金屬連接橋的可靠性，將金屬連接橋設(shè)計得比較寬(> 30 μ m)，但由于金屬膜具有反光性，比較寬的金屬連接橋的反射光容易干擾使用者對顯示畫面的觀看。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種單片式電容觸摸屏，以及這種單片式電容觸摸屏的制造方法，這種單片式電容觸摸屏的跳線結(jié)構(gòu)中的底部連接和頂部連接不會受到環(huán)境的氧化作用而導(dǎo)致其導(dǎo)電性的降低，具有高可靠性，而且可以大幅度降低反射光，防止反射光對使用者觀看畫面造成干擾。采用的技術(shù)方案如下一種單片式電容觸摸屏，包括透明基板，以及設(shè)置在透明基板背面的感測電極層和周邊線路，所述感測電極層包括圖形化的第一導(dǎo)電膜，以及與第一導(dǎo)電膜相結(jié)合的跳線結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括第二導(dǎo)電膜，第二導(dǎo)電膜由導(dǎo)電氧化物材料制作而成；所述第一導(dǎo)電膜包括多個第一電極隊列，每個第一電極隊列由多個第一電極塊按第一方向排列而成； 在每兩個相鄰的第一電極隊列之間定義出的第二電極隊列配置區(qū)；多個第二電極隊列，每個第二電極隊列由多個設(shè)置在第二電極隊列配置區(qū)的第二電極塊按不同于第一方向的第二方向排列而成；所述跳線結(jié)構(gòu)包括底部連接、絕緣墊塊和頂部連接；底部連接附著在所述透明基板上；絕緣墊塊由絕緣層圖形化而成，絕緣墊塊設(shè)于底部連接的外側(cè)；頂部連接跨過絕緣墊塊，并與底部連接交叉設(shè)置；跳線結(jié)構(gòu)設(shè)置在每個第一電極隊列與第二電極隊列的交錯位置；同一第一電極隊列的相鄰兩個第一電極塊通過底部連接相互連接；相應(yīng)的第二電極隊列的相鄰兩個第二電極塊通過頂部連接相互連接；底部連接由第二導(dǎo)電膜形成，頂部連接由第一導(dǎo)電膜形成。在透明基板背面的膜層中，靠近透明基板的一側(cè)為內(nèi)側(cè)，遠(yuǎn)離透明基板的一側(cè)為外側(cè)。周邊線路可由第一導(dǎo)電膜或第二導(dǎo)電膜形成；也可以由第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜形成，其電阻更低。第一導(dǎo)電膜通常采用透明的導(dǎo)電氧化物形成，例如氧化錫(SnO2)、氧化鎘(CdO)、 氧化銦(In2O3)、氧化銅(CuO)、氧化鎵(Ca2O3)、氧化鋅(SiO)及其摻雜體系或含有其組分的多元體系，優(yōu)選為氧化銦錫(ITO)或氧化鋅鋁(AZO)。由于增設(shè)第二導(dǎo)電膜，第二導(dǎo)電膜采用導(dǎo)電氧化物材料制作而成，并且第二導(dǎo)電膜形成底部連接，第一導(dǎo)電膜形成頂部連接，因此，跳線結(jié)構(gòu)的底部連接和頂部連接均由導(dǎo)電氧化物材料形成，幾乎不會再與環(huán)境中的氧氣發(fā)生作用，保證了其導(dǎo)電性不發(fā)生改變，由此使得單片式電容觸摸屏具有良好的可靠性。另外，由于導(dǎo)電氧化物一般不具有金屬光澤， 因此大幅度降低反射光，防止反射光對使用者觀看畫面造成干擾。作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，其特征是所述第二導(dǎo)電膜由透明的導(dǎo)電氧化物制作而成。第二導(dǎo)電膜選用透明的導(dǎo)電氧化物作為材料，幾乎不存在反射光，使得使用者能夠觀看到更加清晰的畫面。透明的導(dǎo)電氧化物可以是氧化錫(SnO2)、氧化鎘(CdO)、氧化銦 (In2O3)、氧化銅(CuO)、氧化鎵(Ca2O3)、氧化鋅(SiO)及其摻雜體系或含有其組分的多元體系，優(yōu)選為氧化銦錫(ITO)或氧化鋅鋁(AZO)。作為本發(fā)明進(jìn)一步的優(yōu)選方案，其特征是還包括低電阻膜，低電阻膜設(shè)置在第一導(dǎo)電膜的周邊并與第一導(dǎo)電膜電連接，并且低電阻膜采用金屬膜制作而成；周邊線路由低電阻膜構(gòu)成，或者是周邊線路由低電阻膜和第一導(dǎo)電膜構(gòu)成，或者是周邊線路由低電阻膜和第二導(dǎo)電膜構(gòu)成，或者是周邊線路由低電阻膜、第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜構(gòu)成。一般來說，周邊線路的線寬較大(30 50 μ m)，因此其相對于背景技術(shù)中的金屬連接橋(約 IOym)來說，可以抵抗一定的環(huán)境氧化作用。作為本發(fā)明的更進(jìn)一步優(yōu)選方案，其特征是所述低電阻膜設(shè)置在第一導(dǎo)電膜、絕緣層、或第二導(dǎo)電膜的內(nèi)側(cè)。這樣，處于低電阻膜外側(cè)的第一導(dǎo)電膜、絕緣層、或第二導(dǎo)電膜起到保護(hù)低電阻膜的作用，進(jìn)一步提高周邊線路對環(huán)境氧化作用的抵抗。在其它具體方案中，低電阻膜還可以設(shè)置在第一導(dǎo)電膜的外側(cè)。作為本發(fā)明的再更進(jìn)一步優(yōu)選方案，其特征是所述低電阻膜設(shè)置在絕緣層的內(nèi)側(cè)，并且低電阻膜被絕緣層完全覆蓋。在這種情況下，低電阻膜與外部的電連接由第二導(dǎo)電膜形成的電極塊引出。這樣，絕緣層可以對低電阻膜起到更加完全的保護(hù)作用。作為本發(fā)明的再更進(jìn)一步優(yōu)選方案，其特征是還包括保護(hù)層，保護(hù)層覆蓋在感測電極層、周邊線路的外側(cè)。增設(shè)保護(hù)層，進(jìn)一步提高其抵抗環(huán)境氧化作用的能力。保護(hù)層可以為透明絕緣材料，如SiO2、金剛石的沉積膜層，也可以為透明有機(jī)材料的涂布層，還可以為透明的貼膜，這些保護(hù)層，不僅可以保護(hù)電容觸摸屏的內(nèi)部膜層，還可以降低電容觸摸屏外側(cè)面的反射光?！闱闆r下，為了美觀的目的，在周邊線路的內(nèi)側(cè)還設(shè)置有遮掩層。一種單片式電容觸摸屏的制造方法，包括制作感測電極層和周邊線路，其特征在于感測電極層的制作包括如下步驟步驟一、在透明基板的背面上沉積第二導(dǎo)電膜，并且對第二導(dǎo)電膜進(jìn)行圖形化，形成每個跳線結(jié)構(gòu)的底部連接；步驟二、涂布絕緣層，并且對絕緣層進(jìn)行圖形化，形成每個跳線結(jié)構(gòu)的絕緣墊塊；步驟三、沉積第一導(dǎo)電膜，并且對第一導(dǎo)電膜進(jìn)行圖形化，形成第一電極塊、第二電極塊以及頂部連接。作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，其特征是在步驟一中，由第二導(dǎo)電膜形成周邊線路；或者是，在步驟三中，由第一導(dǎo)電膜形成周邊線路；或者是，分別在步驟一和步驟三中，由第二導(dǎo)電膜和第一導(dǎo)電膜形成周邊線路的第一層和周邊線路的第二層。作為本發(fā)明的另一種優(yōu)選方案，其特征是所述周邊線路的制作包括在步驟一之前、或步驟三之后、或步驟一與步驟三之間制作低電阻膜，并形成周邊線路。低電阻膜作為形成周邊線路的主要部分，可以在步驟三之前或之后的任一步驟中制作，進(jìn)一步優(yōu)選低電阻膜在步驟三之前制作，使得最少有第一導(dǎo)電膜覆蓋在低電阻膜外側(cè)，起到保護(hù)作用，阻止低電阻膜被氧化。優(yōu)選低電阻膜在步驟三之前制作的情況下，低電阻膜可以在步驟一之前制作，也可以在步驟一與步驟二之間制作，還可以在步驟二與步驟三之間制作。低電阻膜單獨形成周邊線路，或者是低電阻膜和第二導(dǎo)電膜形成周邊線路，或者是低電阻膜和第一導(dǎo)電膜形成周邊線路，或者是低電阻膜、第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜三者共同形成周邊線路。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點本發(fā)明的單片式電容觸摸屏，其跳線結(jié)構(gòu)中的底部連接和頂部連接不會受到環(huán)境的氧化作用而導(dǎo)致其導(dǎo)電性的降低，具有高可靠性，而且大幅度降低反射光，防止反射光對使用者觀看畫面造成干擾。


圖1是本發(fā)明各個實施例的整體結(jié)構(gòu)示意圖，各個實施例的整體結(jié)構(gòu)示意圖都一樣；圖2是本發(fā)明實施例一的層狀結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明實施例二的層狀結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明實施例三的層狀結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明實施例四的層狀結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明實施例五的層狀結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和本發(fā)明的優(yōu)選實施方式做進(jìn)一步的說明。實施例一如圖1和圖2所示，這種單片式電容觸摸屏，包括透明基板1、設(shè)置在透明基板1 背面的感測電極層2、周邊線路3和第二導(dǎo)電膜4 ；感測電極2層包括圖形化的第一導(dǎo)電膜 5，以及與第一導(dǎo)電膜5相結(jié)合的跳線結(jié)構(gòu)6 ；第一導(dǎo)電膜5和第二導(dǎo)電膜4均由氧化銦錫 (ITO)制成。第一導(dǎo)電膜5包括多個第一電極隊列，每個第一電極隊列由多個第一電極塊7按第一方向排列而成；在每兩個相鄰的第一電極隊列之間定義出的第二電極隊列配置區(qū)；多個第二電極隊列，每個第二電極隊列由多個設(shè)置在第二電極隊列配置區(qū)的第二電極塊8按不同于第一方向的第二方向排列而成。跳線結(jié)構(gòu)6包括底部連接9、絕緣墊塊10和頂部連接11 ；底部連接9附著在所述透明基板1上；絕緣墊塊10由絕緣層12圖形化而成，絕緣墊塊10設(shè)于底部連接9的內(nèi)側(cè)；頂部連接11跨過絕緣墊塊10，并與底部連接9交叉設(shè)置。跳線結(jié)構(gòu)6設(shè)置在每個第一電極隊列與第二電極隊列的交錯位置；同一第一電極隊列的相鄰兩個第一電極塊7通過底部連接9相互連接；相應(yīng)的第二電極隊列的相鄰兩個第二電極塊8通過頂部連接11相互連接。底部連接9由第二導(dǎo)電膜4形成，頂部連接11由第一導(dǎo)電膜5形成。周邊線路3由第一導(dǎo)電膜5和第二導(dǎo)電膜4形成，第一導(dǎo)電膜5處于第二導(dǎo)電膜 4的外側(cè)，絕緣層12夾置在第一導(dǎo)電膜5與第二導(dǎo)電膜4之間。在周邊線路3的內(nèi)側(cè)還設(shè)有遮掩層13。上述這種單片式電容觸摸屏的制造方法包括首先，在透明基板1的背面制作框狀遮掩層13 ；然后進(jìn)行如下步驟步驟一、在透明基板1的背面沉積第二導(dǎo)電膜4，第二導(dǎo)電膜4的周邊覆蓋在遮掩層13的外側(cè)面，并且對第二導(dǎo)電膜4進(jìn)行圖形化，形成每個跳線結(jié)構(gòu)6的底部連接9和周邊線路3的第一層；步驟二、涂布絕緣層12，并且對絕緣層12進(jìn)行圖形化，形成每個跳線結(jié)構(gòu)6的絕緣墊塊10 ；步驟三、沉積第一導(dǎo)電膜5，并且對第一導(dǎo)電膜5進(jìn)行圖形化，形成第一電極塊 7 (圖2沒有表示出來，參考圖1)、第二電極塊8、頂部連接11以及周邊線路3的第二層。上述制造方法中，制作框狀遮掩層13還可以在步驟三之前或步驟二之前進(jìn)行。周邊線路還有如下設(shè)置方式單獨采用第一導(dǎo)電膜形成周邊線路，第一導(dǎo)電膜與遮掩層之間還夾置絕緣層；單獨采用第二導(dǎo)電膜形成周邊線路，第二導(dǎo)電膜的內(nèi)側(cè)可以設(shè)置有絕緣層和第一導(dǎo)電膜，這種情況下，制作框狀遮掩層還可以在步驟三之前或步驟二之前進(jìn)行。實施例二如圖1和圖3所示，在其它部分均與實施例一相同的情況下，其區(qū)別在于增設(shè)低電阻膜14，低電阻膜14采用金屬材料，在遮掩層13的相應(yīng)位置上，低電阻膜14覆蓋在第一導(dǎo)電膜5的外側(cè)，絕緣層12夾置在第一導(dǎo)電膜5與遮掩層13之間，低電阻膜14與第一導(dǎo)電膜5—起構(gòu)成周邊線路3。其制造方法與實施例一的區(qū)別在于在實施例一的步驟三之后，在遮掩層13相應(yīng)位置的第一導(dǎo)電膜5外側(cè)面上制作低電阻膜14，并形成周邊線路3。由于增設(shè)了低電阻膜，相應(yīng)地，周邊線路還有如下設(shè)置方式單獨采用低電阻膜形成周邊線路，絕緣層夾置在低電阻膜與遮掩層之間；第二導(dǎo)電膜形成周邊線路的第一層，第一導(dǎo)電膜形成周邊線路的第二層，低電阻膜形成周邊線路的第三層，絕緣層夾置在第二導(dǎo)電膜與第一導(dǎo)電膜之間。實施例三如圖1和圖4所示，在其它部分均與實施例二相同的情況下，其區(qū)別在于在遮掩層13的相應(yīng)位置上，低電阻膜14處于第一導(dǎo)電膜5的內(nèi)側(cè)，即是低電阻膜14夾置在第一導(dǎo)電膜5與絕緣層12之間，并且第二導(dǎo)電膜4形成周邊線路3的第一層，低電阻膜14形成周邊線路3的第二層，第一導(dǎo)電膜5形成周邊線路3的第三層，第一導(dǎo)電膜5處于低電阻膜 14的外側(cè)，起到阻止低電阻膜14被氧化的作用。其制造方法上的區(qū)別在于在實施例一的步驟一中，將第二導(dǎo)電膜4形成周邊線路3的第一層；在實施例一的步驟二(制作絕緣層1 之后，在遮掩層13相應(yīng)位置的絕緣層12外側(cè)面上制作低電阻膜14，并形成周邊線路3的第二層；然后再進(jìn)行實施例一的步驟三(即制作第一導(dǎo)電膜4)，并將第一導(dǎo)電膜4形成周邊線路3的第三層。由于低電阻膜的制作步驟提前到制作第一導(dǎo)電膜之前，相應(yīng)地，周邊線路還有如下設(shè)置方式單獨采用低電阻膜形成周邊線路，第一導(dǎo)電膜覆蓋在低電阻膜的外側(cè)，絕緣層夾置在遮掩層與低電阻膜之間；采用第一導(dǎo)電膜和低電阻膜形成周邊線路，低電阻膜處于第一導(dǎo)電膜的內(nèi)側(cè)，絕緣層夾置在遮掩層與低電阻膜之間；采用第二導(dǎo)電膜和低電阻膜形成周邊線路，絕緣層夾置在低電阻膜與第二導(dǎo)電膜之間，第一導(dǎo)電膜覆蓋在低電阻膜外側(cè)。實施例四如圖1和圖5所示，在其它部分均與實施例二相同的情況下，其區(qū)別在于在遮掩層13的相應(yīng)位置上，低電阻膜14處于絕緣層12的內(nèi)側(cè)，即是低電阻膜14夾置在第二導(dǎo)電膜4與絕緣層12之間，并且第二導(dǎo)電膜4形成周邊線路3的第一層，低電阻膜14形成周邊線路3的第二層，第一導(dǎo)電膜5形成周邊線路3的第三層，第一導(dǎo)電膜5和絕緣層12處于低電阻膜14的外側(cè)，起到阻止低電阻膜14被氧化的作用。其制造方法上的區(qū)別在于在實施例一的步驟一中，將第二導(dǎo)電膜4形成周邊線路3的第一層；在實施例一的步驟一(制作第二導(dǎo)電膜4)之后，在遮掩層13相應(yīng)位置的第二導(dǎo)電膜4外側(cè)面上制作低電阻膜14，并形成周邊線路3的第二層；接著進(jìn)行實施例一的步驟二(制作絕緣層12)，絕緣層12覆蓋在低電阻膜14的外側(cè)；然后再進(jìn)行實施例一的步驟三(即制作第一導(dǎo)電膜5)，并將第一導(dǎo)電膜5形成周邊線路3的第三層。由于低電阻膜的制作步驟提前到制作絕緣層之前，相應(yīng)地，周邊線路還有如下設(shè)置方式單獨采用低電阻膜形成周邊線路，低電阻膜夾置在遮掩層與絕緣層之間，絕緣層和第一導(dǎo)電膜依次覆蓋在低電阻膜的外側(cè)；采用第一導(dǎo)電膜和低電阻膜形成周邊線路，低電阻膜夾置在遮掩層與絕緣層之間，第一導(dǎo)電膜覆蓋在絕緣層的外側(cè)；采用第二導(dǎo)電膜和低電阻膜形成周邊線路?？梢赃x擇絕緣層、第一導(dǎo)電膜或兩者的組合作為保護(hù)層，并依次覆蓋在低電阻膜的外側(cè)，起到阻止低電阻膜被氧化的作用。由于低電阻膜的制作步驟提前到制作絕緣層之前，還可以將低電阻膜設(shè)置為被絕緣層完全覆蓋，低電阻膜與外部的電連接由第二導(dǎo)電膜形成的電極塊引出。這樣，絕緣層可以對低電阻膜起到更加完全的保護(hù)作用。實施例五如圖1和圖6所示，在其它部分均與實施例二相同的情況下，其區(qū)別在于在遮掩層13的相應(yīng)位置上，低電阻膜14處于第二導(dǎo)電膜4的內(nèi)側(cè)，即是低電阻膜14夾置在第二導(dǎo)電膜4與遮掩層13之間，并且低電阻膜14形成周邊線路3的第一層，第二導(dǎo)電膜4形成周邊線路3的第二層，第一導(dǎo)電膜5形成周邊線路3的第三層，第二導(dǎo)電膜4、絕緣層12和第一導(dǎo)電膜5 —次覆蓋在低電阻膜14的外側(cè)，起到阻止低電阻膜14被氧化的作用。其制造方法上的區(qū)別在于在實施例一中制作完遮掩層13之后，在遮掩層13相應(yīng)位置的外側(cè)面上制作低電阻膜14，并形成周邊線路3的第一層；接著進(jìn)行實施例一的步驟一(制作第二導(dǎo)電膜4)，將第二導(dǎo)電膜4形成周邊線路3的第二層；然后，進(jìn)行實施例一的步驟二(制作絕緣層12)，絕緣層12覆蓋在第二導(dǎo)電膜4的外側(cè)；最后進(jìn)行實施例一的步驟三(即制作第一導(dǎo)電膜5)，并將第一導(dǎo)電膜5形成周邊線路3的第三層。
由于低電阻膜的制作步驟提前到制作第二導(dǎo)電膜之前，相應(yīng)地，周邊線路還有如下設(shè)置方式單獨采用低電阻膜形成周邊線路；采用第一導(dǎo)電膜和低電阻膜形成周邊線路；采用第二導(dǎo)電膜和低電阻膜形成周邊線路?？梢赃x擇第二導(dǎo)電膜、低電阻膜、絕緣層和第一導(dǎo)電膜中的全部或部分作為保護(hù)層，并依次覆蓋在低電阻膜的外側(cè)，起到阻止低電阻膜被氧化的作用。在其它實施方式中，另外設(shè)置保護(hù)層，保護(hù)層覆蓋在感測電極層和周邊線路的外側(cè)。
權(quán)利要求
1.一種單片式電容觸摸屏，包括透明基板，以及設(shè)置在透明基板背面的感測電極層和周邊線路，所述感測電極層包括圖形化的第一導(dǎo)電膜，以及與第一導(dǎo)電膜相結(jié)合的跳線結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括第二導(dǎo)電膜，第二導(dǎo)電膜由導(dǎo)電氧化物材料制作而成；所述第一導(dǎo)電膜包括多個第一電極隊列，每個第一電極隊列由多個第一電極塊按第一方向排列而成；在每兩個相鄰的第一電極隊列之間定義出的第二電極隊列配置區(qū)；多個第二電極隊列，每個第二電極隊列由多個設(shè)置在第二電極隊列配置區(qū)的第二電極塊按不同于第一方向的第二方向排列而成；所述跳線結(jié)構(gòu)包括底部連接、絕緣墊塊和頂部連接；底部連接附著在所述透明基板上；絕緣墊塊由絕緣層圖形化而成，絕緣墊塊設(shè)于底部連接的外側(cè)；頂部連接跨過絕緣墊塊，并與底部連接交叉設(shè)置；跳線結(jié)構(gòu)設(shè)置在每個第一電極隊列與第二電極隊列的交錯位置；同一第一電極隊列的相鄰兩個第一電極塊通過底部連接相互連接；相應(yīng)的第二電極隊列的相鄰兩個第二電極塊通過頂部連接相互連接；底部連接由第二導(dǎo)電膜形成，頂部連接由第一導(dǎo)電膜形成。
2.如權(quán)利要求1所述的單片式電容觸摸屏，其特征是所述第二導(dǎo)電膜由透明的導(dǎo)電氧化物制作而成。
3.如權(quán)利要求1或2所述的單片式電容觸摸屏，其特征是還包括低電阻膜，低電阻膜設(shè)置在第一導(dǎo)電膜的周邊并與第一導(dǎo)電膜電連接，并且低電阻膜采用金屬膜制作而成；周邊線路由低電阻膜構(gòu)成，或者是周邊線路由低電阻膜和第一導(dǎo)電膜構(gòu)成，或者是周邊線路由低電阻膜和第二導(dǎo)電膜構(gòu)成，或者是周邊線路由低電阻膜、第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求3所述的單片式電容觸摸屏，其特征是所述低電阻膜設(shè)置在第一導(dǎo)電膜、絕緣層、或第二導(dǎo)電膜的內(nèi)側(cè)。
5.如權(quán)利要求4所述的單片式電容觸摸屏，其特征是所述低電阻膜設(shè)置在絕緣層的內(nèi)側(cè)，并且低電阻膜被絕緣層完全覆蓋。
6.如權(quán)利要求3所述的單片式電容觸摸屏，其特征是還包括保護(hù)層，保護(hù)層覆蓋在感測電極層、周邊線路的外側(cè)。
7.一種單片式電容觸摸屏的制造方法，包括制作感測電極層和周邊線路，其特征在于感測電極層的制作包括如下步驟步驟一、在透明基板的內(nèi)側(cè)面上沉積第二導(dǎo)電膜，并且對第二導(dǎo)電膜進(jìn)行圖形化，形成每個跳線結(jié)構(gòu)的底部連接；步驟二、涂布絕緣層，并且對絕緣層進(jìn)行圖形化，形成每個跳線結(jié)構(gòu)的絕緣墊塊；步驟三、沉積第一導(dǎo)電膜，并且對第一導(dǎo)電膜進(jìn)行圖形化，形成第一電極塊、第二電極塊以及頂部連接。
8.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征是在步驟一中，由第二導(dǎo)電膜形成周邊線路；或者是，在步驟三中，由第一導(dǎo)電膜形成周邊線路；或者是，分別在步驟一和步驟三中，由第二導(dǎo)電膜和第一導(dǎo)電膜形成周邊線路的第一層和周邊線路的第二層。
9.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征是所述周邊線路的制作包括在步驟一之前、 或步驟三之后、或步驟一與步驟三之間制作低電阻膜，并形成周邊線路。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種單片式電容觸摸屏及其制造方法，通過增設(shè)第二導(dǎo)電膜，使得跳線結(jié)構(gòu)中的底部連接和頂部連接均由導(dǎo)電膜形成，因而，跳線結(jié)構(gòu)中的底部連接和頂部連接不會受到環(huán)境的氧化作用而導(dǎo)致其導(dǎo)電性的降低，具有高可靠性，而且大幅度降低反射光，防止反射光對使用者觀看畫面造成干擾。
文檔編號G06F3/044GK102360258SQ20111030966
公開日2012年2月22日 申請日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者呂岳敏, 孫楹煌, 林鋼, 沈奕, 詹前賢, 陳遠(yuǎn)明, 高嘉桐 申請人:汕頭超聲顯示器(二廠)有限公司