本發(fā)明涉及嵌入式系統(tǒng)的固態(tài)硬盤技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種基于fpga的srio接口固態(tài)硬盤系統(tǒng)及其實現(xiàn)方法。

背景技術(shù)：

fpga（field－programmablegatearray），即現(xiàn)場可編程門陣列，它是在pal、gal、cpld等可編程器件的基礎(chǔ)上進(jìn)一步發(fā)展的產(chǎn)物。它是作為專用集成電路（asic）領(lǐng)域中的一種半定制電路而出現(xiàn)的，既解決了定制電路的不足，又克服了原有可編程器件門電路數(shù)有限的缺點。

srio（serialrapidi/o）是面向嵌入式系統(tǒng)開發(fā)提出的高可靠、高性能、基于包交換的新一代高速互聯(lián)技術(shù)，已于2004年被國際標(biāo)準(zhǔn)化組織(iso)和國際電工協(xié)會(iec)批準(zhǔn)為iso/iecdis18372標(biāo)準(zhǔn)。srio則是面向串行背板、dsp和相關(guān)串行數(shù)據(jù)平面連接應(yīng)用的串行rapidio接口。

串行rapidio包含一個3層結(jié)構(gòu)的協(xié)議，即物理層、傳輸層、邏輯層。物理層定義電氣特性、鏈路控制、低級錯誤管理、底層流控制數(shù)據(jù)；傳輸層定義包交換、路由和尋址機制；邏輯層定義總體協(xié)議和包格式?？梢詫崿F(xiàn)最低引腳數(shù)量，采用dma傳輸，支持復(fù)雜的可擴展拓?fù)洌帱c傳輸；可選的1．25gbps、2．5gbps、3．125gbps和5gbps四種速度能滿足不同應(yīng)用需求，是未來十幾年中嵌入式系統(tǒng)互聯(lián)的最佳選擇之一。

隨著高性能嵌入式系統(tǒng)的不斷發(fā)展，芯片間及板間互連對帶寬、成本、靈活性及可靠性的要求越來越高，傳統(tǒng)的互連方式，如處理器總線、pci總線和以太網(wǎng)，都難以滿足新的需求。針對嵌入式系統(tǒng)的需求以及傳統(tǒng)互連方式的局限性，rapidio標(biāo)準(zhǔn)按如下目標(biāo)被制定：

1、針對嵌入式系統(tǒng)機框內(nèi)高速互連應(yīng)用而設(shè)計。

2、簡化協(xié)議及流控機制，限制軟件復(fù)雜度，使得糾錯重傳機制乃至整個協(xié)議棧易于用硬件實現(xiàn)。

3、提高打包效率，減小傳輸時延。

4、減少管腳，降低成本。

5、簡化交換芯片的實現(xiàn)，避免交換芯片中的包類型解析。

6、分層協(xié)議結(jié)構(gòu)，支持多種傳輸模式，支持多種物理層技術(shù)，靈活且易于擴展。

基于srio的這些特點，將ssd設(shè)計為srio接口的，方便掛載到srio接口的系統(tǒng)上去。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明實施例提供了一種基于fpga的srio接口固態(tài)硬盤系統(tǒng)及其實現(xiàn)方法，其通過fpga芯片管理nandflash存儲陣列，達(dá)到高速率大容量的srio接口固態(tài)硬盤。

本發(fā)明所采用的技術(shù)方案如下：

一種基于fpga的srio接口固態(tài)硬盤系統(tǒng)，包括主控fpga芯片，主控fpga芯片并接有四個輔fpga芯片，所述的主控fpga芯片掛載有第一級ddr3靜態(tài)隨機存儲器，所述的四個輔fpga芯片分別掛載有一個第二級ddr3靜態(tài)隨機存儲器和一個nandflash存儲陣列。

主控fpga芯片和輔fpga芯片之間的通信通過gtx/gtp高速收發(fā)器實現(xiàn)。

nandflash存儲陣列由4個并行4級流水的nandflash陣列組成。

一種基于fpga的srio接口固態(tài)硬盤系統(tǒng)的實現(xiàn)方法，包括以下步驟：

a、從srio接口過來的信號，首先經(jīng)過主控fpga芯片解析出存儲數(shù)據(jù)，并通過直接內(nèi)存存取，將數(shù)據(jù)搬移到主控fpga芯片的第一級ddr3靜態(tài)隨機存儲器中；

b、然后再通過直接內(nèi)存存取，將數(shù)據(jù)以lvds接口的方式通過gtx/gtp接口搬移到其它4塊輔fpga芯片中；

c、經(jīng)過解析得到并行數(shù)據(jù)，通過輔fpga芯片的直接內(nèi)存存取將數(shù)據(jù)搬移到其掛載的第二級ddr3靜態(tài)隨機存儲器，；

d、最后通過近距離無線通訊技術(shù)，將數(shù)據(jù)寫到nandflash存儲陣列。

本發(fā)明的一種基于fpga的srio接口固態(tài)硬盤系統(tǒng)由5塊fpga芯片、4組4個并行4級流水的nandflash存儲陣列和兩級ddr3sram（靜態(tài)隨機存儲器）組成。5塊fpga芯片中的fpga5作為主控fpga，其它4個fpga為輔fpga芯片，主控fpga芯片和輔fpga芯片之間的通信通過gtx/gtp高速收發(fā)器實現(xiàn)。nandflash存儲陣列由4組4個并行4級流水的nandflash陣列組成。存儲數(shù)據(jù)采用了二級緩存。本發(fā)明使用microblazecupip對系統(tǒng)進(jìn)行調(diào)度，在fpga內(nèi)部實現(xiàn)了nfc(nandflashcontroller，存儲陣列控制器)和nandftl(flashtranslationlayer，閃存轉(zhuǎn)換層)功能。

本發(fā)明提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：

本發(fā)明用5塊fpga芯片實現(xiàn)對nandflash存儲陣列的管理，降低對單個fpga的io數(shù)量的高要求，降低了成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明的一種基于fpga的srio接口固態(tài)硬盤系統(tǒng)及其實現(xiàn)方法的系統(tǒng)構(gòu)成圖；

圖2為本發(fā)明的一種基于fpga的srio接口固態(tài)硬盤系統(tǒng)及其實現(xiàn)方法的4級流水nandflash存儲陣列示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

實施例一

本實施例的一種基于fpga的srio接口固態(tài)硬盤系統(tǒng)，由5塊fpga芯片、4組4個并行4級流水的nandflash存儲陣列和二級ddr3靜態(tài)隨機存儲器組成，如圖1所示。4級流水的nandflash存儲陣列示意圖如圖2所示。5塊fpga芯片中，fpga5是主控fpga芯片，所掛載的ddr3靜態(tài)隨機存儲器作為數(shù)據(jù)的第一級緩存，其它4個fpga芯片分別負(fù)責(zé)與1組4個并行4級流水的nandflash存儲陣列交互，每個fpga芯片都有掛載ddr3靜態(tài)隨機存儲器，作為第二級數(shù)據(jù)緩存。5塊fpga芯片中fpga5作為主控fpga，其它4塊fpga為輔fpga芯片，主控fpga芯片和輔fpga芯片之間的通信通過gtx/gtp高速收發(fā)器實現(xiàn)。

本實施例的一種基于fpga的srio接口固態(tài)硬盤系統(tǒng)利用fpgamicroblazecupip對系統(tǒng)進(jìn)行調(diào)度，在fpga內(nèi)部實現(xiàn)了nfc(nandflashcontroller，存儲陣列控制器)和nandftl(flashtranslationlayer，閃存轉(zhuǎn)換層)功能。

實施例二

本實施例的一種基于fpga的srio接口固態(tài)硬盤系統(tǒng)的實現(xiàn)方法中，從srio接口過來的信號，首先經(jīng)過fpga5srioip解析出存儲數(shù)據(jù)，通過dma（直接內(nèi)存存?。?，將數(shù)據(jù)搬移到fpga5的ddr3sram中，然后再通過dma，將數(shù)據(jù)以lvds的格式通過gtx/gtp接口搬移到其它4塊fpga（fpga1～4），然后經(jīng)過解析得到并行數(shù)據(jù)，通過fpga1～4dma將數(shù)據(jù)搬移到fpga1～4ddr3sram，也就是第二級ddr3sram，最后通過fpga1～4nfc，將數(shù)據(jù)寫到nandflash存儲陣列。這是寫sriossd的過程，讀sriossd的過程與之相反。

fpga還會實現(xiàn)ftl的功能，包括壞塊管理、磨損均衡、mapping、垃圾回收和差錯控制。經(jīng)過估算，我們的nandflash存儲陣列，16個并行4級流水可以達(dá)到3gb/s的寫速度，2.7gb/s的都速度。64個nandflash存儲陣列達(dá)到4tb的存儲容量。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。