本發(fā)明涉及芯片測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種cpu(centralprocessingunit，中央處理器)壓力測(cè)試裝置及方法。

背景技術(shù)：

隨著cpu芯片技術(shù)的發(fā)展，cpu芯片作為通信產(chǎn)品的核心部件，在通信產(chǎn)品上被廣泛使用，因此，cpu芯片的可靠性已然成為通信產(chǎn)品上重點(diǎn)關(guān)注的問題。目前，為了提高通信產(chǎn)品的可靠性，通信產(chǎn)品在生產(chǎn)過程中包含了針對(duì)cpu芯片的可靠性測(cè)試，其測(cè)試方法主要包括：cpu芯片焊裝之后，進(jìn)行板卡級(jí)的cpu壓力測(cè)試。

但是，在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中，本發(fā)明技術(shù)人員發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有板卡級(jí)的cpu壓力測(cè)試存在如下問題：(1)板卡級(jí)的cpu壓力測(cè)試，無多應(yīng)力因素，cpu壓力的嚴(yán)酷性不高，板級(jí)壓力測(cè)試篩選可能需要幾十小時(shí)暴露故障芯片或者無法暴露故障芯片，測(cè)試的有效性及效率都較低；(2)板卡級(jí)的cpu壓力測(cè)試，投入的測(cè)試設(shè)備成本、人力成本及時(shí)間成本都較大；(3)板卡級(jí)的cpu壓力測(cè)試項(xiàng)，cpu芯片放在產(chǎn)品整機(jī)上測(cè)試，對(duì)測(cè)試操作的復(fù)雜度要求較大。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種cpu壓力測(cè)試裝置及方法，以解決現(xiàn)有板卡級(jí)的cpu壓力測(cè)試，導(dǎo)致有效性低、效率低、測(cè)試成本高、操作復(fù)雜度高的問題。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種cpu壓力測(cè)試裝置，所述裝置可以包括：主板、設(shè)置在所述主板之上單片機(jī)管理模塊和cpu模塊；

所述cpu模塊，包含被測(cè)cpu芯片；

所述單片機(jī)管理模塊，可以用于控制所述被測(cè)cpu芯片在高溫、高壓、高頻模式下執(zhí)行設(shè)定的壓力測(cè)試程序，若所述被測(cè)cpu芯片在高溫、高壓、高頻模式下的預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)成功執(zhí)行所述壓力測(cè)試程序，則再控制所述被測(cè)cpu芯片在高溫、低壓、低頻模式下執(zhí)行所述壓力 測(cè)試程序；

若所述被測(cè)cpu芯片在高溫、低壓、低頻模式下的預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)成功執(zhí)行所述壓力測(cè)試程序，則確定所述被測(cè)cpu芯片通過壓力測(cè)試，可以將被測(cè)cpu芯片轉(zhuǎn)交后續(xù)生產(chǎn)，并應(yīng)用到通信產(chǎn)品中。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種cpu壓力測(cè)試方法，該方法應(yīng)用于第一方面所述的裝置，所述方法可以包括：

所述單片機(jī)管理模塊控制所述cpu在高溫、高壓、高頻模式下執(zhí)行所述壓力測(cè)試程序；若所述cpu在所述高溫、高壓、高頻模式下的預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)成功執(zhí)行所述壓力測(cè)試程序，則控制所述cpu在高溫、低壓、低頻模式下執(zhí)行所述壓力測(cè)試程序；

若所述cpu在所述高溫、低壓、低頻模式下的預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)成功執(zhí)行所述壓力測(cè)試程序，則確定所述cpu壓力測(cè)試成功，可以將cpu轉(zhuǎn)交后續(xù)生產(chǎn)，并應(yīng)用到通信產(chǎn)品中。

由上可知，本發(fā)明實(shí)施例提供一種cpu壓力測(cè)試裝置及方法，將被測(cè)cpu芯片放置在cpu模塊之后，由單片機(jī)管理模塊控制被測(cè)cpu芯片在高溫、高壓、高頻模式下執(zhí)行壓力測(cè)試程序，若被測(cè)cpu芯片在預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)成功執(zhí)行壓力測(cè)試程序，則控制被測(cè)cpu芯片在高溫、低壓、低頻模式下執(zhí)行壓力測(cè)試程序，若被測(cè)cpu芯片在預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)成功執(zhí)行壓力測(cè)試程序，則確定被測(cè)cpu芯片通過壓力測(cè)試，可以將cpu轉(zhuǎn)交后續(xù)生產(chǎn)，并應(yīng)用到通信產(chǎn)品中。如此，在cpu芯片焊裝之前，通過本發(fā)明提供的cpu壓力測(cè)試裝置對(duì)cpu芯片進(jìn)行內(nèi)核電壓、內(nèi)核主頻、溫度三重應(yīng)力的壓力測(cè)試，加大了對(duì)cpu芯片壓力測(cè)試的應(yīng)力因素，提高了cpu芯片壓力測(cè)試的嚴(yán)酷性，大大縮短了故障芯片的暴露時(shí)間，提高了測(cè)試有效性和效率，同時(shí)，該測(cè)試是在本發(fā)明提供的裝置上進(jìn)行的，避免放在產(chǎn)品整機(jī)上測(cè)試，降低了設(shè)備投入成本和操作復(fù)雜度。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他 的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的cpu壓力測(cè)試裝置10的結(jié)構(gòu)圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的cpu模塊102的結(jié)構(gòu)圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種cpu壓力測(cè)試方法的流程圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種cpu壓力測(cè)試方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的基本原理是：在中央處理器(centralprocessingunit，簡稱為cpu)焊裝之前，將cpu芯片放置在測(cè)試裝置上進(jìn)行溫度、電壓、頻率三重應(yīng)力的壓力測(cè)試，加大cpu芯片壓力測(cè)試的應(yīng)力因素，提高cpu芯片壓力測(cè)試的嚴(yán)酷性。

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

需要理解的是，在本發(fā)明的描述中，術(shù)語“第一”、“第二”、“另一”等指示的系統(tǒng)或元件為基于實(shí)施例描述的具有一定功能的系統(tǒng)或元件，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的系統(tǒng)或元件必須有此命名，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

實(shí)施例一

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的cpu壓力測(cè)試裝置10的結(jié)構(gòu)圖，該測(cè)試裝置單獨(dú)設(shè)立，不隸屬于任何通信設(shè)備，以避免cpu壓力測(cè)試過程中對(duì)其他器件的影響；如圖1所示，所述cpu壓力測(cè)試裝置10可以包括：主板101，至少一個(gè)cpu模塊102，單片機(jī)管理模塊103，以及至少一個(gè)管理通道104，管理通道104用于實(shí)現(xiàn)主板101上cpu模塊102和單片機(jī)管理模塊103之間的連接和相互通信。

其中，cpu模塊102包括被測(cè)cpu芯片201。

單片機(jī)管理模塊103，可能是一個(gè)控制被測(cè)cpu芯片201工作的cpu，也可以是特定集成電路(applicationspecificintegratedcircuit，asic)，或者是被配置成實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)集 成電路，例如：一個(gè)或多個(gè)微處理器(digitalsignalprocessor，dsp)，或，一個(gè)或者多個(gè)現(xiàn)場可編程門陣列(fieldprogrammablegatearray，fpga)；

所述單片機(jī)管理模塊103主要用于控制所述被測(cè)cpu芯片201在高溫、高壓、高頻模式下執(zhí)行所述壓力測(cè)試程序，若所述被測(cè)cpu芯片201在高溫、高壓、高頻模式下的預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)成功執(zhí)行所述壓力測(cè)試程序，則控制所述被測(cè)cpu芯片201在高溫、低壓、低頻模式下執(zhí)行所述壓力測(cè)試程序；若所述被測(cè)芯片cpu201在所述高溫、低壓、低頻模式下的預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)再次成功執(zhí)行所述壓力測(cè)試程序，則確定所述被測(cè)cpu芯片通過壓力測(cè)試。

管理通道104，可以是工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)體系結(jié)構(gòu)(industrystandardarchitecture，isa)總線、外部設(shè)備互連(peripheralcomponentinterconnect，pci)總線或擴(kuò)展工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)體系結(jié)構(gòu)(extendedindustrystandardarchitecture，eisa)總線等。為便于表示，圖1中僅用一條粗線表示，但并不表示僅有一根總線或一種類型的總線。

需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例所述的壓力測(cè)試程序可以根據(jù)需要預(yù)先設(shè)定，該壓力測(cè)試程序主要用于測(cè)試：被測(cè)cpu芯片內(nèi)部不同的內(nèi)核與各自的cache(緩存)之間、各自的cache與外部內(nèi)存之間進(jìn)行大量數(shù)據(jù)訪問的能力。

本發(fā)明實(shí)施例所述的高溫、高壓、高頻模式下的預(yù)設(shè)時(shí)間、高溫、低壓、低頻模式下的預(yù)設(shè)時(shí)間可以依據(jù)研發(fā)階段壓力測(cè)試數(shù)據(jù)而定，優(yōu)選的，二者可以設(shè)置為同一預(yù)設(shè)時(shí)間，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不進(jìn)行限定。

具體的，如圖2所示，所述cpu模塊102除了包括被測(cè)cpu芯片201，還可以包括：風(fēng)扇單元202、供電單元203、存儲(chǔ)單元204、指示燈205和串口206；

其中，被測(cè)cpu芯片201可以通過設(shè)置在cpu模塊102上的cpu插座靈活地固定在cpu模塊102上，以便更換cpu芯片。

風(fēng)扇單元202，可以為四線風(fēng)扇，支持調(diào)速功能。

供電單元203，為給cpu供電的模塊，其輸出電壓值可以通過單片 機(jī)管理模塊103來配置。

存儲(chǔ)單元204，可以為是易失性存儲(chǔ)器(volatilememory)，例如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(random-accessmemory，ram)；或者非易失性存儲(chǔ)器(non-volatilememory)，例如只讀存儲(chǔ)器(read-onlymemory，rom)，快閃存儲(chǔ)器(flashmemory)，硬盤(harddiskdrive，hdd)或固態(tài)硬盤(solid-statedrive，ssd)；或者上述種類的存儲(chǔ)器的組合；其主要用于：存儲(chǔ)cpu芯片的啟動(dòng)程序、壓力測(cè)試程序、壓力測(cè)試過程中的打印信息、cpu芯片的內(nèi)核工作頻率參數(shù)，頻率參數(shù)可以為：cpu芯片能支持的最高工作頻率與最低工作頻率。

指示燈205，可以為兩個(gè)發(fā)光二極管(lightemittingdiode，led)，其主要用來指示被測(cè)cpu芯片壓力測(cè)試的結(jié)果。例如，指示燈205可以為led1和led2，且其指示模式可以設(shè)置為如表1所示：

表1

串口206，可以為被測(cè)cpu芯片201與外部設(shè)備通信的接口。如：可以將測(cè)試中的日志信息通過串口206發(fā)送至外部設(shè)備。

具體的，將被測(cè)cpu芯片固定在cpu模塊102上、cpu模塊102固定在主板101上之后，可以將cpu壓力測(cè)試裝置10放入高溫烤箱內(nèi)，以便被測(cè)cpu芯片的內(nèi)核溫度可以快速達(dá)到最大結(jié)溫；

然后，在高溫環(huán)境下，單片機(jī)管理模塊103，可以用于在主板101開電后，將cpu模塊102中的供電單元203的輸出電壓值調(diào)節(jié)到芯片的最大值，以便被測(cè)cpu芯片201在高壓下開始工作；

被測(cè)cpu芯片201在高壓下開始工作后，可以從存儲(chǔ)單元204中讀取最大工作內(nèi)核頻率，以該頻率執(zhí)行設(shè)定的壓力測(cè)試程序，所述壓力測(cè)試程序可以預(yù)先存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元204中；

被測(cè)cpu芯片201在高壓、高頻執(zhí)行壓力測(cè)試程序的過程中，單片機(jī)管理模塊103，還可以用于讀取被測(cè)cpu芯片201的內(nèi)核溫度，根據(jù)被測(cè)cpu芯片201的內(nèi)核溫度，調(diào)控cpu模塊102中的風(fēng)扇單元202的轉(zhuǎn)速，使被測(cè)cpu芯片201的內(nèi)核溫度達(dá)到最大結(jié)溫，以保證被測(cè)cpu芯片201在高溫下進(jìn)行壓力測(cè)試。

此時(shí)，被測(cè)cpu芯片201在高壓、高頻、高溫環(huán)境下進(jìn)行壓力測(cè)試，按照表1預(yù)設(shè)的指示燈的工作模式，這時(shí)候，cpu模塊102中指示燈205的led1閃爍，led2常滅。

進(jìn)一步的，若被測(cè)cpu芯片201在高壓、高頻、高溫環(huán)境下預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)未成功執(zhí)行所述壓力測(cè)試程序，則指示燈205的led1常滅，led2常滅，確定被測(cè)cpu芯片201未通過壓力測(cè)試，即壓力測(cè)試失敗，該被測(cè)cpu芯片201可能為故障cpu芯片，不應(yīng)將此cpu芯片投產(chǎn)，此時(shí)，可以通過所述cpu模塊102的串口206將本次測(cè)試的日志信息反饋給用戶，并將下一次壓力測(cè)試的最大工作內(nèi)核頻率寫入存儲(chǔ)單元204中，更換cpu芯片，對(duì)更換后的cpu芯片進(jìn)行下一次壓力測(cè)試。

若被測(cè)cpu芯片201在預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)成功執(zhí)行所述壓力測(cè)試程序，則表示被測(cè)cpu芯片201的高溫、高壓、高頻模式測(cè)試成功，接下來，所述cpu模塊102，還可以用于：

在所述被測(cè)cpu芯片201成功執(zhí)行壓力測(cè)試程序后，將最小工作內(nèi)核頻率寫入所述cpu模塊102的存儲(chǔ)單元204中，并重新啟動(dòng)所述被測(cè)cpu芯片201，向所述單片機(jī)管理模塊103發(fā)送重啟信號(hào)，所述重啟信號(hào)用于控制所述被測(cè)cpu芯片重新啟動(dòng)；

所述單片機(jī)管理模塊103，還可以用于在接收到所述cpu模塊102發(fā)送的重啟信號(hào)后，將所述cpu模塊102中供電單元203的輸出電壓值調(diào)節(jié)到最小值，使所述被測(cè)cpu芯片201在低壓環(huán)境下工作；被測(cè)cpu芯片201讀取存儲(chǔ)單元204中的最小工作內(nèi)核頻率，采用所述最小工作內(nèi)核頻率執(zhí)行壓力測(cè)試程序；

并獲取所述被測(cè)cpu芯片201執(zhí)行所述壓力測(cè)試程序中的內(nèi)核溫度，根據(jù)所述被測(cè)cpu芯片201的內(nèi)核溫度控制所述cpu模塊102的風(fēng)扇單元202的轉(zhuǎn)速，保證所述被測(cè)cpu芯片201的內(nèi)核溫度為最大結(jié)溫。

此時(shí)，被測(cè)cpu芯片201在低壓、低頻、高溫環(huán)境下進(jìn)行壓力測(cè)試，按照表1預(yù)設(shè)的指示燈的工作模式，這時(shí)候，cpu模塊102中指示燈205的led1常亮，led2閃爍。

若被測(cè)cpu芯片201在低壓、低頻、高溫環(huán)境下，經(jīng)過預(yù)設(shè)時(shí)間成功執(zhí)行壓力測(cè)試程序，則指示燈205的led1常亮，led2常亮，確定被測(cè)cpu芯片201通過壓力測(cè)試，即cpu壓力測(cè)試成功，該cpu芯片性能良好，可以投產(chǎn)，此時(shí)，可以刪除存儲(chǔ)在所述cpu模塊102的存儲(chǔ)單元204中的本次測(cè)試的日志信息，并將下一次壓力測(cè)試的最大工作內(nèi)核頻率寫入存儲(chǔ)單元204中，更換cpu芯片，對(duì)更換后的cpu芯片進(jìn)行下一次壓力測(cè)試。

若被測(cè)cpu芯片201在低壓、低頻、高溫環(huán)境下，經(jīng)過預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)未成功執(zhí)行所述壓力測(cè)試程序，則led1常亮，led2常滅，確定被測(cè)cpu芯片201的高溫高壓高頻模式測(cè)試成功，而被測(cè)cpu芯片201的高溫低壓低頻模式測(cè)試失敗，即該cpu芯片201未通過壓力測(cè)試，屬于問題芯片，不能投產(chǎn)，此時(shí)，可以通過所述cpu模塊102的串口206將本次測(cè)試的日志信息反饋給用戶，并將下一次壓力測(cè)試的最大工作內(nèi)核頻率寫入存儲(chǔ)單元204中，更換cpu芯片，對(duì)更換后的cpu芯片進(jìn)行下一次壓力測(cè)試。

需要說明的是，圖2中的供電單元203可以為不支持2條雙向串行線(inter-integratedcircuit，i2c)配置輸出電壓的供電單元，也可以為支持i2c配置輸出電壓的供電單元；

其中，針對(duì)不支持i2c配置輸出電壓的供電單元203，單片機(jī)管理模塊103可以用于通過繼電器選通高電壓配置電阻網(wǎng)絡(luò)，將cpu模塊102中供電單元203的輸出電壓值調(diào)節(jié)到cpu芯片的最大值；通過繼電器選通低電壓配置電阻網(wǎng)絡(luò)，將cpu模塊102中供電單元203的輸出電壓值調(diào)節(jié)到cpu芯片的最小值；

針對(duì)支持i2c配置輸出電壓的供電單元203，單片機(jī)管理模塊103可以通過i2c總線配置，將cpu模塊102中供電單元203的輸出電壓值調(diào)節(jié)到芯片的最大值；通過i2c總線配置，將cpu模塊102中供電單元203的輸出電壓值調(diào)節(jié)到芯片的最小值。

此外，在單片機(jī)管理模塊103控制風(fēng)扇單元202的轉(zhuǎn)速時(shí)，單片 機(jī)管理模塊103具體可以用于：通過i2c總線獲取被測(cè)cpu芯片201的內(nèi)核溫度，根據(jù)被測(cè)cpu芯片201的內(nèi)核溫度、以及風(fēng)扇調(diào)速機(jī)制輸出不同占空比的脈沖寬度調(diào)制(pulsewidthmodulation，pwm)信號(hào)控制風(fēng)扇單元202的轉(zhuǎn)速，保證被測(cè)cpu芯片201在進(jìn)行壓力測(cè)試時(shí)，被測(cè)cpu芯片的內(nèi)核溫度為芯片的最大結(jié)溫。

其中，風(fēng)扇單元的轉(zhuǎn)速可以是cpu芯片的內(nèi)核溫度的一次函數(shù)，其具體關(guān)系如下：

當(dāng)t_n<tmin_n時(shí)，duty_n＝0；

當(dāng)t_n>tmax_n時(shí)，duty_n＝100；

否則duty_n＝100*(t_n–tmin_n)/(tmax_n–tmin_n)；

tmin_n：調(diào)速機(jī)制的溫度最小值，風(fēng)扇停轉(zhuǎn)時(shí)內(nèi)核溫度；

tmax_n：調(diào)速機(jī)制的溫度最大值，風(fēng)扇全速轉(zhuǎn)時(shí)內(nèi)核溫度；

t_n：實(shí)時(shí)獲取的cpu的內(nèi)核溫度；

duty_n：pwm信號(hào)的占空比。

由上可知，本發(fā)明實(shí)施例提供一種cpu壓力測(cè)試裝置，將被測(cè)cpu芯片固定在cpu模塊之后，由單片機(jī)管理模塊控制被測(cè)cpu芯片在高溫、高壓、高頻模式下執(zhí)行壓力測(cè)試程序，若被測(cè)cpu芯片在預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)成功執(zhí)行壓力測(cè)試程序，則控制被測(cè)cpu芯片在高溫、低壓、低頻模式下再次執(zhí)行壓力測(cè)試程序，若被測(cè)cpu芯片在預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)再次成功執(zhí)行壓力測(cè)試程序，則確定被測(cè)cpu芯片通過壓力測(cè)試，即測(cè)試成功，可以將被測(cè)cpu芯片轉(zhuǎn)交后續(xù)生產(chǎn)，并應(yīng)用到通信產(chǎn)品中。如此，在cpu芯片焊裝之前，通過本發(fā)明提供的cpu壓力測(cè)試裝置對(duì)cpu芯片進(jìn)行內(nèi)核電壓、內(nèi)核主頻、溫度三重應(yīng)力的壓力測(cè)試，加大了對(duì)cpu芯片測(cè)試的應(yīng)力因素，提高了cpu芯片壓力測(cè)試的嚴(yán)酷性，大大縮短了故障芯片的暴露時(shí)間，提高了測(cè)試有效性和效率，同時(shí)，該測(cè)試是在本發(fā)明提供的裝置上進(jìn)行的，避免放在產(chǎn)品整機(jī)上測(cè)試，降低了設(shè)備投入成本和操作復(fù)雜度。

為了便于描述，以下以步驟的形式示出并詳細(xì)描述了本發(fā)明中的cpu壓力測(cè)試方法，此外，雖然在圖中示出了邏輯順序，但是在某些可以以不同于此處的順序執(zhí)行所示出或描述的步驟。

實(shí)施例二

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種cpu壓力測(cè)試方法的流程圖，由圖1所示的cpu壓力測(cè)試裝置10執(zhí)行，所述cpu壓力測(cè)試裝置10可以包含單片機(jī)管理模塊和包含被測(cè)cpu芯片的cpu模塊；如圖3所示，所述方法可以包括：

s101：單片機(jī)管理模塊控制被測(cè)cpu芯片在高溫、高壓、高頻模式下執(zhí)行設(shè)定的壓力測(cè)試程序。

其中，所述壓力測(cè)試程序可以根據(jù)需要預(yù)先設(shè)定，該壓力測(cè)試程序主要用于測(cè)試：被測(cè)cpu芯片內(nèi)部不同的內(nèi)核與各自的cache(緩存)之間、各自的cache與外部內(nèi)存之間進(jìn)行大量數(shù)據(jù)訪問的能力。所述壓力測(cè)試程序可以預(yù)先存儲(chǔ)在cpu模塊的存儲(chǔ)單元中。

s102：判斷被測(cè)cpu芯片在高溫、高壓、高頻模式下的預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)是否成功執(zhí)行所述壓力測(cè)試程序，若被測(cè)cpu芯片在預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)成功執(zhí)行所述壓力測(cè)試程序，則執(zhí)行s103。

其中，所述預(yù)設(shè)時(shí)間可以依據(jù)研發(fā)階段壓力測(cè)試數(shù)據(jù)而定，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不進(jìn)行限定。

s103：單片機(jī)管理模塊控制被測(cè)cpu芯片在高溫、低壓、低頻模式下執(zhí)行所述壓力測(cè)試程序。

s104：判斷被測(cè)cpu芯片在高溫、低壓、低頻模式下的預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)是否成功執(zhí)行所述壓力測(cè)試程序。

s105：若被測(cè)cpu芯片在高溫、低壓、低頻模式下的預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)成功執(zhí)行所述壓力測(cè)試程序，則確定所述被測(cè)cpu芯片通過壓力測(cè)試。

此外，在所述被測(cè)cpu芯片通過壓力測(cè)試后，如圖3所示，所述方法還可以包括：

s106：將下一次測(cè)試的最大工作內(nèi)核頻率寫入cpu模塊的存儲(chǔ)單元中，以便在更換下一個(gè)被測(cè)cpu芯片后，采用該最大工作內(nèi)核頻率對(duì)下一cpu芯片進(jìn)行壓力測(cè)試。

可理解的是，在進(jìn)行步驟s106的同時(shí)，還可以刪除存儲(chǔ)在所述cpu中的本次測(cè)試的日志信息。

可選的，所述單片機(jī)管理模塊控制被測(cè)cpu芯片在高溫、高壓、高頻模式下執(zhí)行設(shè)定的壓力測(cè)試程序可以包括：

在cpu壓力測(cè)試裝置的主板通電后，單片機(jī)管理模塊將cpu模塊中供電單元的輸出電壓值調(diào)節(jié)到最大值，啟動(dòng)所述被測(cè)cpu芯片在高壓環(huán)境下工作，被測(cè)cpu芯片啟動(dòng)后，讀取存儲(chǔ)單元中的最大工作內(nèi)核頻率，采用最大工作內(nèi)核頻率執(zhí)行壓力測(cè)試程序；

單片機(jī)管理模塊獲取被測(cè)cpu芯片執(zhí)行壓力測(cè)試程序中的內(nèi)核溫度，根據(jù)被測(cè)cpu芯片的內(nèi)核溫度控制cpu模塊中風(fēng)扇單元的轉(zhuǎn)速，保證所述被測(cè)cpu芯片的內(nèi)核溫度為最大結(jié)溫，以便被測(cè)cpu芯片工作在高溫環(huán)境下。

可選的，被測(cè)cpu芯片在高溫、高頻、高壓環(huán)境下的預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)成功執(zhí)行壓力測(cè)試程序之后，單片機(jī)管理模塊控制被測(cè)cpu芯片在高溫、低壓、低頻模式下再次執(zhí)行壓力測(cè)試程序之前，所述方法還可以包括：

cpu模塊將被測(cè)cpu芯片的最小工作內(nèi)核頻率寫入cpu模塊的存儲(chǔ)單元中，重新啟動(dòng)被測(cè)cpu芯片，并向單片機(jī)管理模塊發(fā)送重啟信號(hào)；所述重啟信號(hào)用于控制被測(cè)cpu芯片重新啟動(dòng)。

可選的，所述單片機(jī)管理模塊控制被測(cè)cpu芯片在高溫、低壓、低頻模式下執(zhí)行壓力測(cè)試程序可以包括：

單片機(jī)管理模塊接收cpu模塊發(fā)送的重啟信號(hào)，將cpu模塊中供電單元的輸出電壓值調(diào)節(jié)到最小值，啟動(dòng)被測(cè)cpu芯片在低壓環(huán)境下，被測(cè)cpu芯片啟動(dòng)后，讀取存儲(chǔ)單元中的最小工作內(nèi)核頻率，采用所述最小工作內(nèi)核頻率執(zhí)行壓力測(cè)試程序；

單片機(jī)管理模塊獲取被測(cè)cpu芯片執(zhí)行壓力測(cè)試程序中的內(nèi)核溫度，根據(jù)被測(cè)cpu芯片的內(nèi)核溫度控制cpu模塊中風(fēng)扇單元的轉(zhuǎn)速，保證被測(cè)cpu芯片的內(nèi)核溫度為最大結(jié)溫，以便被測(cè)cpu單元工作在高溫環(huán)境下。

進(jìn)一步的，若被測(cè)cpu芯片在高溫、高壓、高頻模式下的預(yù)設(shè)時(shí)間未成功執(zhí)行壓力測(cè)試程序，或者，被測(cè)cpu芯片在高溫、低壓、低頻模式下的預(yù)設(shè)時(shí)間未成功執(zhí)行壓力測(cè)試程序，則確定所述被測(cè)cpu 芯片未通過壓力測(cè)試，即測(cè)試失敗，被測(cè)cpu芯片可能為故障芯片；如圖3所示，在確定被測(cè)cpu芯片未通過壓力測(cè)試之后，所述方法還可以包括：

s107:將下一次測(cè)試的最大工作內(nèi)核頻率寫入cpu模塊的存儲(chǔ)單元中，以便更換下一被測(cè)cpu芯片后，使下一被測(cè)cpu芯片采用該最大工作內(nèi)核頻率執(zhí)行壓力測(cè)試程序。

可理解的是，在進(jìn)行步驟s107的同時(shí)，還可以通過cpu模塊的串口將本次被測(cè)cpu芯片的壓力測(cè)試日志信息反饋給用戶。

如此，在cpu芯片焊裝之前，可以對(duì)被測(cè)cpu芯片進(jìn)行內(nèi)核電壓、內(nèi)核主頻、溫度三重應(yīng)力的壓力測(cè)試，加大了對(duì)cpu芯片壓力測(cè)試的應(yīng)力因素，提高了cpu芯片壓力測(cè)試的嚴(yán)酷性，大大縮短了故障芯片的暴露時(shí)間，提高了測(cè)試有效性和效率。

下面結(jié)合表1中指示燈的工作模式，以圖4為例，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的方法進(jìn)行詳細(xì)描述：

第一步：將被測(cè)cpu芯片固定在cpu模塊中的對(duì)應(yīng)插座中，將cpu模塊固定到cpu壓力測(cè)試裝置的主板上，將cpu壓力測(cè)試裝置的主板放置在高溫烤箱里。

第二步：cpu壓力測(cè)試裝置的主板開電后，單片機(jī)管理模塊通過繼電器選通高電壓電阻網(wǎng)絡(luò)或i2c總線配置，將cpu模塊中供電單元的輸出電壓值調(diào)節(jié)到的最大值。

第三步：被測(cè)cpu芯片從cpu模塊的存儲(chǔ)單元中讀取最大工作內(nèi)核頻率，以該最大工作內(nèi)核頻率執(zhí)行壓力測(cè)試程序。

第四步：被測(cè)cpu芯片執(zhí)行壓力測(cè)試程序后，led1閃爍，led2常滅，表示被測(cè)cpu芯片正在高溫高壓高頻模式壓力測(cè)試中。

第五步：單片機(jī)管理模塊通過i2c總線獲取被測(cè)cpu芯片的內(nèi)核溫度，根據(jù)被測(cè)cpu芯片的內(nèi)核溫度以及風(fēng)扇調(diào)速機(jī)制輸出不同占空比的pwm信號(hào)控制cpu模塊中風(fēng)扇單元的轉(zhuǎn)速，保證被測(cè)cpu芯片的內(nèi)核溫度為最大結(jié)溫，以便被測(cè)cpu芯片工作在高溫環(huán)境下。

第六步：判斷被測(cè)cpu芯片在預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)是否成功執(zhí)行壓力測(cè)試程序，若是，則執(zhí)行第七步；若否，則led1常滅，led2常滅，確定被 測(cè)cpu芯片未通過壓力測(cè)試，執(zhí)行第十四步。

第七步：cpu模塊將下一次測(cè)試的最小工作內(nèi)核頻率寫入到cpu模塊的存儲(chǔ)單元中，重啟被測(cè)cpu芯片，并向單片機(jī)管理模塊發(fā)送重啟信號(hào)。

第八步：單片機(jī)管理模塊接收到重啟信號(hào)后，通過繼電器選通低電壓電阻網(wǎng)絡(luò)或i2c總線配置，將cpu模塊中供電單元的輸出電壓值調(diào)節(jié)到的最小值。

第九步：被測(cè)cpu芯片從cpu模塊的存儲(chǔ)單元中讀取最小工作內(nèi)核頻率，以該最小工作內(nèi)核頻率執(zhí)行壓力測(cè)試程序。

第十步：被測(cè)cpu芯片執(zhí)行壓力測(cè)試程序后，led1常亮，led2閃爍，表示被測(cè)cpu芯片高溫高壓高頻模式測(cè)試ok，正處于高溫低壓低頻模式測(cè)試中。

第十一步：單片機(jī)管理模塊通過i2c總線獲取被測(cè)cpu芯片的內(nèi)核溫度，根據(jù)被測(cè)cpu芯片的內(nèi)核溫度和風(fēng)扇調(diào)速機(jī)制輸出不同占空比的pwm信號(hào)控制cpu模塊中風(fēng)扇單元的轉(zhuǎn)速，保證被測(cè)cpu芯片的內(nèi)核溫度為最大結(jié)溫，以便被測(cè)cpu芯片工作在高溫環(huán)境下。

第十二步：判斷被測(cè)cpu芯片在預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)是否成功執(zhí)行壓力測(cè)試程序，若是，則led1常亮、led2常亮，執(zhí)行第十三步；若否，則led1常亮、led2常滅，表示被測(cè)cpu未通過壓力測(cè)試，執(zhí)行第十四步。

第十三步：將被測(cè)cpu芯片斷主板電源后投產(chǎn)，同時(shí)，將下一次測(cè)試的最大工作內(nèi)核頻率寫入到cpu模塊的存儲(chǔ)單元中，刪除存儲(chǔ)在cpu模塊的存儲(chǔ)單元中本次測(cè)試的日志信息。

第十四步：標(biāo)記被測(cè)cpu芯片為故障芯片,通過cpu模塊的串口將cpu模塊的存儲(chǔ)單元中本次測(cè)試的日志信息反饋給用戶，并將下一次測(cè)試的最大工作內(nèi)核頻率寫入到cpu模塊的存儲(chǔ)單元中，更換下一個(gè)cpu芯片進(jìn)行壓力測(cè)試。

由上可知，本發(fā)明實(shí)施例提供一種cpu壓力測(cè)試方法，單片機(jī)管理模塊控制被測(cè)cpu芯片在高溫、高壓、高頻模式下執(zhí)行壓力測(cè)試程序，若被測(cè)cpu芯片在預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)成功執(zhí)行壓力測(cè)試程序，則控制被測(cè)cpu芯片在高溫、低壓、低頻模式下再次執(zhí)行壓力測(cè)試程序，若被 測(cè)cpu芯片在預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)再次成功執(zhí)行壓力測(cè)試程序，則確定被測(cè)cpu芯片壓力通過壓力測(cè)試，可以將該cpu芯片轉(zhuǎn)交后續(xù)生產(chǎn)，并應(yīng)用到通信產(chǎn)品中。如此，在cpu芯片焊裝之前，通過本發(fā)明提供的cpu壓力測(cè)試裝置對(duì)cpu芯片進(jìn)行內(nèi)核電壓、內(nèi)核主頻、溫度三重應(yīng)力的壓力測(cè)試，加大了對(duì)cpu芯片壓力測(cè)試的應(yīng)力因素，提高了cpu芯片壓力測(cè)試的嚴(yán)酷性，大大縮短了故障芯片的暴露時(shí)間，提高了測(cè)試有效性和效率，同時(shí)，該測(cè)試是在本發(fā)明提供的裝置上進(jìn)行的，避免放在產(chǎn)品整機(jī)上測(cè)試，降低了設(shè)備投入成本和操作復(fù)雜度。

最后應(yīng)說明的是：以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。