本發(fā)明關(guān)于一種儲(chǔ)存裝置，特別涉及一種可以自我進(jìn)行一物理性破壞的儲(chǔ)存裝置。

背景技術(shù)：

在特殊的場合中，例如軍方、國防或是航空單位，單純的將固態(tài)硬盤內(nèi)的機(jī)密數(shù)據(jù)進(jìn)行抹除已無法滿足使用者的需求，其原因在于此種抹除方式可經(jīng)由軟件進(jìn)行機(jī)密數(shù)據(jù)的還原，因此，目前已存在一種將固態(tài)硬盤進(jìn)行物理性破壞的摧毀方式，以確保其上的機(jī)密數(shù)據(jù)可完全的消失。

在目前常見的摧毀方式中，使用者可以利用一極大的電流通過固態(tài)硬盤內(nèi)的閃存或是控制器，使其遭受物理性的破壞而永久無法使用。而目前已知的方式是可先在連接至此固態(tài)硬盤上的電子裝置安裝一應(yīng)用程序，并執(zhí)行此應(yīng)用程序以觸發(fā)此固態(tài)硬盤內(nèi)的一電流開關(guān)，由此電流開關(guān)增加通過閃存或控制器的電流大小，進(jìn)而摧毀此閃存或控制器。

在上述的方式中，此固態(tài)硬盤上可能必須增加許多的電子零件，才可以達(dá)到永久物理性破壞的目的，然而此種方式卻可能增加許多成本，因此，勢必需要另外一種簡易的方式來將固態(tài)硬盤進(jìn)行一物理性的摧毀。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明的目的就是在提供一種可自我摧毀的儲(chǔ)存裝置，以解決以上的問題。

基于上述目的，本發(fā)明是提供一種可自我摧毀的儲(chǔ)存裝置，其包含一控制模塊、一熔斷模塊以及一開關(guān)模塊?？刂颇K是控制一儲(chǔ)存模塊的讀取作動(dòng)、寫入作動(dòng)以及抹除作動(dòng)。熔斷模塊可電性連接控制模塊及開關(guān)模塊，一供應(yīng)電力可通過熔斷模塊以傳送至控制模塊或開關(guān)模塊。當(dāng)開關(guān)模 塊為一開啟狀態(tài)時(shí)，供應(yīng)電力是被傳送至開關(guān)模塊且此供應(yīng)電力的電流的大小是逐漸增加，當(dāng)電流的大小超過一門坎值時(shí)，供應(yīng)電力是熔斷熔斷模塊并燒毀控制模塊。

優(yōu)選地，當(dāng)開關(guān)模塊為關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，供應(yīng)電力是被傳送至控制模塊。

優(yōu)選地，開關(guān)模塊可接于零電位或接地在線。

優(yōu)選地，熔斷模塊包含一快速型保險(xiǎn)絲(fastactingfuses)或一普通型保險(xiǎn)絲(mediumactingfuses)。

優(yōu)選地，控制模塊是利用一進(jìn)階加密標(biāo)準(zhǔn)(aes,advancedencryptionstandard)對(duì)寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行加密，并將加密過的寫入數(shù)據(jù)寫入至儲(chǔ)存模塊。

優(yōu)選地，控制模塊包含一閃存控制器，儲(chǔ)存模塊包含一閃存。

優(yōu)選地，控制模塊是利用一gpio(generalpurposei/o)以控制開啟狀態(tài)及關(guān)閉狀態(tài)。

優(yōu)選地，另一控制模塊是利用一gpio以控制開啟狀態(tài)及關(guān)閉狀態(tài)。

優(yōu)選地，二極管是置于開關(guān)模塊以及熔斷模塊之間，使一另供應(yīng)電力無法通過二極管以傳輸至控制模塊。

承上所述，依本發(fā)明的可自我摧毀的儲(chǔ)存裝置，其可具有下述優(yōu)點(diǎn)：

(1)本發(fā)明的可自我摧毀的儲(chǔ)存裝置是通過一簡易的熔斷裝置來達(dá)到物理性破壞的目的，可大幅降低制造時(shí)的一成本。

(2)本發(fā)明的可自我摧毀的儲(chǔ)存裝置是包含一二極管組件，可以確保電流的一流動(dòng)方向，使得此儲(chǔ)存裝置無法再接受其他的電力來驅(qū)動(dòng)控制模塊。

(3)本發(fā)明的可自我摧毀的儲(chǔ)存裝置可利用控制模塊對(duì)寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行加密，在對(duì)控制模塊進(jìn)行物理性破壞之后，所寫入的數(shù)據(jù)將永遠(yuǎn)無法進(jìn)行解密，如此一來，可更進(jìn)一步地達(dá)到確保數(shù)據(jù)安全性的目的。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的可自我摧毀的儲(chǔ)存裝置的方塊圖。

圖2為本發(fā)明的可自我摧毀的儲(chǔ)存裝置的第一示意圖。

圖3為本發(fā)明的可自我摧毀的儲(chǔ)存裝置的第二示意圖。

圖4為本發(fā)明的可自我摧毀的儲(chǔ)存裝置的另一實(shí)施例的第一示意圖。

圖5為本發(fā)明的可自我摧毀的儲(chǔ)存裝置的另一實(shí)施例的第二示意圖。

具體實(shí)施方式

為利審查員了解本發(fā)明的技術(shù)特征、內(nèi)容與優(yōu)點(diǎn)及其所能實(shí)現(xiàn)的技術(shù)效果，茲將本發(fā)明配合附圖，并以實(shí)施例的表達(dá)形式詳細(xì)說明如下，而其中所使用的附圖，其主旨僅為示意及輔助說明書的用，未必為本發(fā)明實(shí)施后的真實(shí)比例與精準(zhǔn)配置，故不應(yīng)就所附的附圖的比例與配置關(guān)系解讀、局限本發(fā)明于實(shí)際實(shí)施上的權(quán)利范圍，合先敘明。

請(qǐng)參閱圖1，其是為本發(fā)明的可自我摧毀的儲(chǔ)存裝置的方塊圖。如圖所示，本發(fā)明的可自我摧毀的儲(chǔ)存裝置100可包含控制模塊10、一開關(guān)模塊20、一熔斷模塊30以及一儲(chǔ)存模塊40。儲(chǔ)存模塊40可以為一nand閃存，熔斷模塊30可以為一保險(xiǎn)絲，如一快速型保險(xiǎn)絲(fastactingfuses)或一普通型保險(xiǎn)絲(mediumactingfuses)，控制模塊10可以為一閃存控制器，而開關(guān)模塊20可以為一電力開關(guān)，而較佳的情況是，此可自我摧毀的儲(chǔ)存裝置100可以以一msata、m.2,ussd，halfslin,sdm(satadiskmodule)來舉例實(shí)施，但并不以此為限，亦可以實(shí)施于其他用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存裝置之內(nèi)。

在一實(shí)施例中，此可自我摧毀的儲(chǔ)存裝置100可外接一電力模塊50，并由此電力模塊50提供本儲(chǔ)存裝置100作動(dòng)所需的電力，其中此電力模塊50可以包含一計(jì)算機(jī)主機(jī)上的電源供應(yīng)器?？刂颇K10是電性連接至開關(guān)模塊20、熔斷模塊30以及儲(chǔ)存模塊40，且此控制模塊10是用以控制儲(chǔ)存模塊40的讀取作動(dòng)、寫入作動(dòng)以及抹除作動(dòng)。

電力模塊50所產(chǎn)生的供應(yīng)電力51可通過熔斷模塊30并傳送至控制模塊10或開關(guān)模塊20。更進(jìn)一步地說明，此開關(guān)模塊20可分為兩種狀態(tài)，分別為開啟狀態(tài)21以及關(guān)閉狀態(tài)22。當(dāng)此開關(guān)模塊20處于開啟狀態(tài)21時(shí)，此開關(guān)模塊20是呈現(xiàn)一導(dǎo)通狀態(tài)，在此情況之下，供應(yīng)電力51的電流可通過此開關(guān)模塊20而傳導(dǎo)至另一處，相反地，當(dāng)開關(guān)模塊20處于關(guān)閉狀態(tài)22時(shí)，則此開關(guān)模塊20則呈現(xiàn)一非導(dǎo)通狀態(tài)，即供應(yīng)電力51的電流無 法通過此開關(guān)模塊20而傳導(dǎo)至另一處。

在一較佳實(shí)施例中，開關(guān)模塊20可連接至具有低電位的一物品，例如一電阻值極小的電阻，當(dāng)開關(guān)模塊20為開啟狀態(tài)21時(shí)，供應(yīng)電力51是被傳送至開關(guān)模塊20，且此供應(yīng)電力51的電流大小是逐漸增加，當(dāng)電流的大小超過一門坎值時(shí)，供應(yīng)電力51可將熔斷模塊30熔斷，并進(jìn)而燒毀此控制模塊10。

值得一提的是，在本實(shí)施例中的可自我摧毀的儲(chǔ)存裝置100是以msata、m.2,ussd，halfslin,sdm(satadiskmodule)等體積較小的儲(chǔ)存模塊來舉例實(shí)施，一但當(dāng)此可自我摧毀的儲(chǔ)存裝置100上的控制模塊10被燒毀時(shí)，其儲(chǔ)存模塊40亦將一并并燒毀，而無法再被使用。

請(qǐng)參閱圖2及圖3，其是為本發(fā)明的可自我摧毀的儲(chǔ)存裝置的第一示意圖及第二示意圖，并請(qǐng)一并參閱圖1，其中圖2及圖3是分別說明本發(fā)明的可自我摧毀的儲(chǔ)存裝置100的關(guān)閉狀態(tài)22以及開啟狀態(tài)21的作動(dòng)，且此開關(guān)模塊20可連接至一接地線或是一電阻值極低的電阻上，而熔斷模塊30是焊接并緊鄰于控制模塊10。

如圖2所示，當(dāng)此開關(guān)模塊20為關(guān)閉狀態(tài)22時(shí)，此時(shí)電力模塊50所產(chǎn)生的供應(yīng)電力51是經(jīng)熔斷模塊30而流向控制模塊10，并提供控制模塊10足夠的電力以控制儲(chǔ)存模塊40。另一方面，如圖3所示，當(dāng)此開關(guān)模塊20為開啟狀態(tài)21時(shí)，由于開關(guān)模塊20是導(dǎo)通地連接至接地線，供應(yīng)電力51的流動(dòng)方向?qū)?huì)經(jīng)過熔斷模塊30而流向開關(guān)模塊20，值得一提的是，此時(shí)供應(yīng)電力51的電流的大小是逐漸增加，而當(dāng)此電流的大小超過一門坎值時(shí)，供應(yīng)電力51將熔斷熔斷模塊30并燒毀控制模塊10。

在一實(shí)施例中，一二極管62可以安置于開關(guān)模塊20以及熔斷模塊30之間，此目的在于當(dāng)電力模塊50不產(chǎn)生供應(yīng)電力51時(shí)，若是此時(shí)有另一供應(yīng)電力嘗試供給電力給控制模塊10，進(jìn)而欲存取儲(chǔ)存模塊40時(shí)，則二極管62可確保此另一供應(yīng)電力的電流無法通過二極管62而傳輸至控制模塊10，以減少儲(chǔ)存模塊40上數(shù)據(jù)被不當(dāng)存取的一風(fēng)險(xiǎn)。

此外，如圖2及圖3所示，在本實(shí)施例中，控制模塊10可以利用一gpio(generalpurposei/o)來控制開關(guān)模塊20的開啟狀態(tài)21及關(guān)閉狀態(tài) 22，然而并不以此為限，亦可以通過另一控制模塊來觸發(fā)此gpio，進(jìn)而控制此開關(guān)模塊20的開啟狀態(tài)21及關(guān)閉狀態(tài)22，其中此另一控制模塊可以為一電子裝置上的一控制器或是一處理器。

請(qǐng)參閱圖4及圖5，其是為本發(fā)明的可自我摧毀的儲(chǔ)存裝置的另一實(shí)施例的第一示意圖及第二示意圖，請(qǐng)一并參閱圖1的符號(hào)說明。在此實(shí)施例中，此可自我摧毀的儲(chǔ)存裝置100可以以一1.8”或是2.5”的固態(tài)硬盤來舉例實(shí)施。不同于上述實(shí)施例，本實(shí)施例的控制模塊10可允許擁有較大的體積，使得熔斷模塊30可以被封裝于控制模塊10內(nèi)，且在一較佳的情況中，二極管62亦可以一并封裝于控制模塊10里。

除此之外，在一實(shí)施例中，控制模塊10可利用一進(jìn)階加密標(biāo)準(zhǔn)(aes,advancedencryptionstandard)來對(duì)一寫入數(shù)據(jù)61進(jìn)行加密，并將加密過的寫入數(shù)據(jù)63寫入至儲(chǔ)存模塊40，其中此進(jìn)階加密標(biāo)準(zhǔn)可以由一進(jìn)階加密標(biāo)準(zhǔn)單元11來加以實(shí)施，詳細(xì)地說明，此進(jìn)階加密標(biāo)準(zhǔn)單元11可以是固件中的一段程序代碼，其是以寫入數(shù)據(jù)61作為輸入，并輸出已加密過的寫入數(shù)據(jù)63。而一但加密過的寫入數(shù)據(jù)63寫入至儲(chǔ)存模塊40之后，若此時(shí)將開關(guān)模塊20設(shè)定成開啟狀態(tài)21，并利用增大的電流將熔斷模塊30及控制模塊10燒毀之后，由于此時(shí)的寫入數(shù)據(jù)61已經(jīng)通過由進(jìn)階加密標(biāo)準(zhǔn)單元11進(jìn)行加密，在原來的控制模塊10被燒毀之后，則儲(chǔ)存在儲(chǔ)存模塊40上的加密過的寫入數(shù)據(jù)63將永遠(yuǎn)無法進(jìn)行解密及還原，故亦可以達(dá)到保護(hù)數(shù)據(jù)的安全性的目的。

故由以上可得知，本發(fā)明的可自我摧毀的儲(chǔ)存裝置的確可以達(dá)到永久破壞儲(chǔ)存裝置的目的，其通過加大的電流來熔斷熔斷模塊，進(jìn)而燒毀控制模塊，更甚者，控制模塊可以將寫入至儲(chǔ)存模塊的數(shù)據(jù)先行加密，如此一來，一但控制模塊被破壞時(shí)，且儲(chǔ)存模塊內(nèi)的數(shù)據(jù)將無法進(jìn)行解密，進(jìn)而達(dá)到完全保護(hù)儲(chǔ)存模塊上數(shù)據(jù)的一安全性。再者，通過常見的熔斷模塊來對(duì)控制模塊進(jìn)行燒毀，也可以有效的降低此儲(chǔ)存裝置的一建置成本。

以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對(duì)其進(jìn)行的等效修改或變更，均應(yīng)包含于所附的權(quán)利要求書中。