一種ogs觸摸屏的制作工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種OGS觸摸屏的制作工藝，屬觸摸屏領域，解決了邊框層不耐高溫致使ITO導電膜質量較低的問題。一種OGS觸摸屏的制作工藝，包括下述步驟，在玻璃基板的一面沉積TiCN或TiN并蝕刻形成金屬邊框層；在金屬邊框層上沉積一層五氧化二鈮；在五氧化二鈮上覆蓋一層二氧化硅構成消影膜；在消影膜上濺射氧化銦錫并使用340℃-360℃的溫度退火處理形成ITO導電膜并蝕刻電路；在ITO導電膜上覆蓋OC絕緣層絕緣；在OC絕緣膜層上沉積一層金屬膜層并蝕刻過橋和電路；在金屬膜層上覆蓋一層保護層；進行一遍或兩遍邊框絲印制成OGS觸摸傳感器；貼合顯示屏。使用金屬邊框可耐受高溫，使沉積ITO導電膜時可使用超過230℃的高溫，從而提高ITO導電膜的質量，提高良品率。
【專利說明】一種OGS觸摸屏的制作工藝
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及觸摸屏領域，特別是一種OGS觸摸屏的制作工藝。
【背景技術】
[0002]目前OGS電容式觸摸屏普遍采用的邊框工藝為絲網印刷或BM光阻劑(與ITO層在同一面)，可以基本滿足OGS觸摸屏的使用要求，但無論是絲網印刷還是BM光阻劑都無法耐受高溫，即溫度不能高于230°C，即ITO膜層沉積時不能采用超過230°C的溫度造成ITO膜層沉積質量較低，從產品的良品率不高。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明所要達到的目的是提供一種OGS觸摸屏的制作工藝，可使用超過230°C的溫度沉積ITO導電膜層。
[0004]為了達到上述目的，本發(fā)明采用如下技術方案:一種OGS觸摸屏的制作工藝，包括下述步驟，在玻璃基板的一面沉積金屬化合物，使用蝕刻工藝制作形成金屬邊框層，金屬化合物為TiCN或TiN ;在金屬邊框層上沉積一層五氧化二鈮；在五氧化二鈮上覆蓋一層二氧化硅與五氧化二鈮共同構成消影膜；在消影膜上濺射氧化銦錫并使用340°C _360°C的溫度退火處理形成ITO導電膜，在ITO導電膜上蝕刻電路；在ITO導電膜上覆蓋OC絕緣層絕緣；在OC絕緣膜層上沉積一層金屬膜層，在金屬膜層上蝕刻過橋和電路；在金屬膜層上覆蓋一層保護層；進行一遍或兩遍邊框絲印制成OGS觸摸傳感器；使用OCA光學膠將顯示屏貼合在OGS觸摸傳感器帶有保護層的一面制成OGS觸摸屏。
[0005]進一步的，在玻璃基板的一面反應濺射沉積金屬化合物時溫度在280°C -320°C。
[0006]進一步的，所述消影膜的沉積鍍膜溫度為210°C _230°C。
[0007]進一步的，在OC絕緣層上沉積金屬膜層的溫度為215°C _225°C。
[0008]進一步的，所述保護層的材料為二氧化硅。
[0009]采用上述技術方案后，本發(fā)明具有如下優(yōu)點:
[0010]使用金屬邊框可耐受高溫，使沉積ITO導電膜時可使用超過230°C的高溫，從而提高ITO導電膜的質量，提高良品率。
【具體實施方式】
[0011]一種OGS觸摸屏的制作工藝，包括下述步驟，在玻璃基板的一面使用300°C的溫度(也可以是280°C、320°C或280°C -320°C中的其他取值)沉積金屬化合物，使用蝕刻工藝制作形成金屬邊框層，金屬化合物為TiCN或TiN ;在金屬邊框層上使用220°C的溫度(也可以是210°C、230°C或210°C _230°C中的其他取值)沉積一層五氧化二鈮；在五氧化二鈮上覆蓋一層二氧化硅與五氧化二鈮共同構成消影膜；在消影膜上濺射氧化銦錫并使用350°C的溫度(也可以是340°C、360°C或340°C-360°C中的其他取值)的溫度退火處理形成ITO導電膜，在ITO導電膜上蝕刻電路；在ITO導電膜上覆蓋OC絕緣層絕緣；在OC絕緣膜層上使用220°C的溫度(也可以是215°C、225°C或215°C _225°C中的其他取值)沉積一層金屬膜層，在金屬膜層上蝕刻過橋和電路；在金屬膜層上覆蓋一層二氧化硅材質的保護層；進行一遍或兩遍邊框絲印制成OGS觸摸傳感器；使用OCA光學膠將顯示屏貼合在OGS觸摸傳感器帶有保護層的一面制成OGS觸摸屏。
[0012]使用金屬邊框可耐受高溫，使沉積ITO導電膜時可使用超過230°C的高溫，從而提高ITO導電膜的質量，提高良品率。
[0013]除上述優(yōu)選實施例外，本發(fā)明還有其他的實施方式，本領域技術人員可以根據(jù)本發(fā)明作出各種改變和變形，只要不脫離本發(fā)明的精神，均應屬于本發(fā)明所附權利要求所定義的范圍。
【權利要求】
1.一種OGS觸摸屏的制作工藝，其特征在于:包括下述步驟， (A)在玻璃基板的一面沉積金屬化合物，使用蝕刻工藝制作形成金屬邊框層，金屬化合物為TiCN或TiN ； (B)在金屬邊框層上沉積一層五氧化二鈮； (C)在五氧化二鈮上覆蓋一層二氧化硅與五氧化二鈮共同構成消影膜； (D)在消影膜上濺射氧化銦錫并使用340°C_360°C的溫度退火處理形成ITO導電膜，在ITO導電膜上蝕刻電路； (E)在ITO導電膜上覆蓋OC絕緣層絕緣； (F)在OC絕緣膜層上沉積一層金屬膜層，在金屬膜層上蝕刻過橋和電路； (G)在金屬膜層上覆蓋一層保護層； (H)進行一遍或兩遍邊框絲印制成OGS觸摸傳感器； (I)使用OCA光學膠將顯示屏貼合在OGS觸摸傳感器帶有保護層的一面制成OGS觸摸屏。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種OGS觸摸屏的制作工藝,其特征在于:在玻璃基板的一面反應濺射沉積金屬化合物時溫度在280°C -320°C。
3.根據(jù)權利要求1任一所述的一種OGS觸摸屏的制作工藝，其特征在于:所述消影膜的沉積鍍膜溫度為210°C -230°C。
4.根據(jù)權利要求1-3任一所述的一種OGS觸摸屏的制作工藝，其特征在于:在OC絕緣層上沉積金屬膜層的溫度為215°C -225°C。
5.根據(jù)權利要求1-3任一所述的一種OGS觸摸屏的制作工藝，其特征在于:所述保護層的材料為二氧化硅。
【文檔編號】G06F3/044GK104035637SQ201410197204
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年5月9日 優(yōu)先權日:2014年5月9日
【發(fā)明者】張吉 申請人:浙江金指科技有限公司