一種對(duì)探測(cè)器的檢測(cè)方法和裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開了一種對(duì)探測(cè)器的檢測(cè)方法和裝置，所述方法包括：將探測(cè)器中的任一晶體陣列確定為目標(biāo)晶體陣列；獲取所述目標(biāo)晶體陣列的晶體位置散點(diǎn)圖；在所述晶體位置散點(diǎn)圖中，確定與預(yù)設(shè)的等高閾值對(duì)應(yīng)的等高線；基于所述等高線，將所述晶體位置散點(diǎn)圖分割，得到分割塊；以位于同一行的分割塊為單位，向與該行平行的方向投影，得到第一投影圖，以及以位于同一列的分割塊為單位，向與該列平行的方向投影，得到第二投影圖；根據(jù)所述第一投影圖和所述第二投影圖，確定檢測(cè)結(jié)果。本發(fā)明采用客觀有效的定量的數(shù)據(jù)分析來對(duì)探測(cè)器進(jìn)行檢測(cè)，得出的檢測(cè)結(jié)果準(zhǔn)確率高，為工作人員對(duì)探測(cè)器的設(shè)計(jì)提供參考。
【專利說明】一種對(duì)探測(cè)器的檢測(cè)方法和裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及醫(yī)療設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種對(duì)探測(cè)器的檢測(cè)方法和裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]雙模態(tài)醫(yī)學(xué)診斷設(shè)備為當(dāng)今的醫(yī)學(xué)診斷提供了有效的工具，PET/CT和SPECT/CT均是雙模態(tài)醫(yī)學(xué)診斷設(shè)備的典型代表。探測(cè)器作為PET或SPECT裝置最為核心的部件，主要用于檢測(cè)引入病人體內(nèi)的放射性核素所發(fā)出的射線(如:Y射線)。探測(cè)器主要包括閃爍晶體和光電轉(zhuǎn)換器，其中，閃爍晶體可以為單獨(dú)的塊狀晶體，或?yàn)槟茏R(shí)別的多個(gè)閃爍晶體單元組成的晶體陣列，其主要用于探測(cè)從病人體內(nèi)釋放的Y光子，并轉(zhuǎn)換成可見光光子。而光電轉(zhuǎn)換器可以是光電倍增管或光電二極管，其主要用于將可見光光子轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
[0003]當(dāng)探測(cè)器中的閃爍晶體為晶體陣列時(shí)，參考圖1，圖1為晶體陣列的二維晶體位置散點(diǎn)圖。理想情況下，該晶體位置散點(diǎn)圖中的各個(gè)像素點(diǎn)的分布應(yīng)該是均勻的。然而，在實(shí)際情況中，由于受探測(cè)器制作工藝的不完全一致性等因素的影響，上述像素點(diǎn)的分布經(jīng)常不均勻，這一定程度上反映了該探測(cè)器的性能。
[0004]目前，現(xiàn)有的探測(cè)器性能檢測(cè)多是基于對(duì)晶體位置散點(diǎn)圖的主觀判斷，即當(dāng)晶體位置散點(diǎn)圖中的各個(gè)像素點(diǎn)的分布均勻時(shí)，就確定其性能優(yōu)良，并沒有一個(gè)客觀有效的定量的數(shù)據(jù)分析來對(duì)探測(cè)器進(jìn)行性能檢測(cè)。因此，現(xiàn)有技術(shù)的方法可能會(huì)針對(duì)探測(cè)器性能得出錯(cuò)誤的結(jié)論，這在一定程度上制約和干擾了后續(xù)工作人員對(duì)探測(cè)器的設(shè)計(jì)，可能會(huì)降低探測(cè)器的分辨率，最終影響探測(cè)器的成像質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供了一種對(duì)探測(cè)器的檢測(cè)方法和裝置，能夠通過定量的數(shù)據(jù)分析實(shí)現(xiàn)對(duì)探測(cè)器的檢測(cè)。
[0006]本發(fā)明提供了一種對(duì)探測(cè)器的檢測(cè)方法，所述方法包括:
[0007]將探測(cè)器中的任一晶體陣列確定為目標(biāo)晶體陣列；
[0008]獲取所述目標(biāo)晶體陣列的晶體位置散點(diǎn)圖；
[0009]在所述晶體位置散點(diǎn)圖中，確定與預(yù)設(shè)的等高閾值對(duì)應(yīng)的等高線；
[0010]基于所述等高線，將所述晶體位置散點(diǎn)圖分割，得到分割塊；
[0011]以位于同一行的分割塊為單位，向與該行平行的方向投影，得到第一投影圖，以及以位于同一列的分割塊為單位，向與該列平行的方向投影，得到第二投影圖；
[0012]根據(jù)所述第一投影圖和所述第二投影圖，確定檢測(cè)結(jié)果。
[0013]優(yōu)選地，所述獲取所述目標(biāo)晶體陣列的晶體位置散點(diǎn)圖之后，且在所述確定所述晶體位置散點(diǎn)圖的等高線之前，還包括:
[0014]對(duì)所述晶體位置散點(diǎn)圖進(jìn)行平滑處理。
[0015]優(yōu)選地，所述對(duì)所述晶體位置散點(diǎn)圖進(jìn)行平滑處理，包括:
[0016]利用公式(I )，對(duì)所述晶體位置散點(diǎn)圖進(jìn)行平滑處理，[0017]D(x，y，o) = (G(X，y，ko)_G(X，y，o))*I(x，y) (I)
[0018]其中，I(x，y)為原始的晶體位置散點(diǎn)圖，k為常數(shù),G(x, y, σ )為方差為σ的高斯分布函數(shù)，G(x，y，ko )為方差為ko的高斯分布函數(shù)，D(x, y, σ )為平滑處理后的晶體位置散點(diǎn)圖；
[0019]獲取經(jīng)過平滑處理后的晶體位置散點(diǎn)圖。
[0020]優(yōu)選地，所述在所述晶體位置散點(diǎn)圖中，確定與預(yù)設(shè)的等高閾值對(duì)應(yīng)的等高線，包括:
[0021]獲取所述晶體位置散點(diǎn)圖的最大值和最小值；
[0022]將所述最大值和最小值之間的數(shù)值段進(jìn)行等差劃分，得到等高閾值；
[0023]確定與所述等聞閾值對(duì)應(yīng)的等聞線。
[0024]優(yōu)選地，所述基于所述等高線，將所述晶體位置散點(diǎn)圖分割，得到分割塊，包括:
[0025]對(duì)所述等高線進(jìn)行擬合，得到擬合曲面；
[0026]獲取相鄰的所述擬合曲面的交線；
[0027]以所述交線為分割線，將所述晶體位置散點(diǎn)圖分割，得到分割塊。
[0028]優(yōu)選地，所述對(duì)所述等高線進(jìn)行擬合，得到擬合曲面，包括:
[0029]利用二維高斯曲面公式，對(duì)所述等高線進(jìn)行擬合；
[0030]對(duì)所述等高線進(jìn)行擬合后，獲取擬合曲面。
[0031]優(yōu)選地，所述對(duì)所述等高線進(jìn)行擬合，得到擬合曲面，包括:
[0032]判斷所述等高線是否對(duì)稱，如果是，則對(duì)所述等高線進(jìn)行擬合，得到擬合曲面，如果否，則獲取所述等高線的不對(duì)稱的兩部分，分別對(duì)所述不對(duì)稱的兩部分進(jìn)行擬合，得到擬合曲面。
[0033]優(yōu)選地，所述根據(jù)所述第一投影圖和所述第二投影圖，確定檢測(cè)結(jié)果，包括:
[0034]分別在所述第一投影圖和所述第二投影圖中，獲取峰值；
[0035]獲取與每個(gè)峰值相鄰的兩個(gè)谷值；
[0036]根據(jù)所述谷值和所述峰值，確定峰谷比值，所述峰谷比值為所述峰值和所述谷值的比值；
[0037]依據(jù)所述峰谷比值確定檢測(cè)結(jié)果。
[0038]優(yōu)選地，所述依據(jù)所述峰谷比值確定檢測(cè)結(jié)果，包括:
[0039]獲取所述峰谷比值中的最小值；
[0040]依據(jù)所述最小值確定檢測(cè)結(jié)果。
[0041]本發(fā)明還提供了一種對(duì)探測(cè)器的檢測(cè)裝置，所述裝置包括:
[0042]第一確定模塊，用于將探測(cè)器中的任一晶體陣列確定為目標(biāo)晶體陣列；
[0043]第一獲取模塊，用于獲取所述目標(biāo)晶體陣列的晶體位置散點(diǎn)圖；
[0044]第二確定模塊，用于在所述晶體位置散點(diǎn)圖中，確定與預(yù)設(shè)的等高閾值對(duì)應(yīng)的等聞線;
[0045]分割模塊，用于基于所述等高線，將所述晶體位置散點(diǎn)圖分割，得到分割塊；
[0046]投影模塊，用于以位于同一行的分割塊為單位，向與該行平行的方向投影，得到第一投影圖，以及以位于同一列的分割塊為單位，向與該列平行的方向投影，得到第二投影圖；[0047]第三確定模塊，用于根據(jù)所述第一投影圖和所述第二投影圖，確定檢測(cè)結(jié)果。
[0048]優(yōu)選地，所述裝置還包括:
[0049]平滑處理模塊，用于對(duì)所述晶體位置散點(diǎn)圖進(jìn)行平滑處理。
[0050]優(yōu)選地，所述分割模塊包括:
[0051]第一擬合子模塊，用于對(duì)所述等高線進(jìn)行擬合，得到擬合曲面；
[0052]第三獲取子模塊，用于獲取相鄰的所述擬合曲面的交線；
[0053]分割子模塊，用于以所述交線為分割線，將所述晶體位置散點(diǎn)圖分割，得到分割塊。
[0054]優(yōu)選地，所述第一擬合子模塊包括:
[0055]判斷子模塊，用于判斷所述等高線是否對(duì)稱；
[0056]第三擬合子模塊，用于在所述判斷子模塊的結(jié)果為是時(shí)，對(duì)所述等高線進(jìn)行擬合，得到擬合曲面；
[0057]第四擬合子模塊，用于在所述判斷子模塊的結(jié)果為否時(shí)，獲取所述等高線的不對(duì)稱的兩部分，分別對(duì)所述不對(duì)稱的兩部分進(jìn)行擬合，得到擬合曲面。
[0058]本發(fā)明提供的檢測(cè)方法基于等高線對(duì)晶體位置散點(diǎn)圖進(jìn)行分割，得到若干分割塊，并將分割塊進(jìn)行投影，得到第一投影圖和第二投影圖，最終可以通過投影圖中的峰值和谷值確定檢測(cè)結(jié)果。與現(xiàn)有技術(shù)的基于對(duì)晶體位置散點(diǎn)圖的主觀判斷相比，本發(fā)明采用客觀有效的定量的數(shù)據(jù)分析來對(duì)探測(cè)器進(jìn)行檢測(cè)，得出的檢測(cè)結(jié)果準(zhǔn)確率高，為工作人員對(duì)探測(cè)器的設(shè)計(jì)提供參考。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0059]為了更清楚地說明本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0060]圖1為晶體陣列的二維晶體位置散點(diǎn)圖；
[0061]圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的對(duì)探測(cè)器的檢測(cè)方法流程圖；
[0062]圖3為晶體位置散點(diǎn)圖的等聞線的不意圖；
[0063]圖4為分割后的兩個(gè)相鄰晶體塊的示意圖；
[0064]圖5為等高線的示意圖；
[0065]圖6為目標(biāo)晶體陣列中的位于同一行的晶體塊投影得到的第一投影圖；
[0066]圖7為本發(fā)明實(shí)施例二提供的對(duì)探測(cè)器的檢測(cè)裝置結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0067]下面將結(jié)合本申請(qǐng)實(shí)施例中的附圖,對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒旧暾?qǐng)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。
[0068]實(shí)施例一[0069]參考圖2，圖2為本實(shí)施例提供的對(duì)探測(cè)器的檢測(cè)方法流程圖，具體可以包括:
[0070]步驟201:將探測(cè)器中的任一晶體陣列確定為目標(biāo)晶體陣列，所述目標(biāo)晶體陣列包括行和列。
[0071]本實(shí)施例中，由于探測(cè)器是由多個(gè)晶體陣列組成的，所以，對(duì)探測(cè)器的檢測(cè)可以通過檢測(cè)晶體陣列實(shí)現(xiàn)。同時(shí)，各個(gè)晶體陣列的性能相差不大，本實(shí)施例可以只對(duì)其中一個(gè)晶體陣列進(jìn)行檢測(cè)，得到的檢測(cè)結(jié)果可以作為對(duì)該探測(cè)器的檢測(cè)結(jié)果。所以，本實(shí)施例可以首先將該探測(cè)器中的任意一個(gè)晶體陣列確定為目標(biāo)晶體陣列，并將其作為本實(shí)施例的處理對(duì)象。
[0072]步驟202:獲取所述目標(biāo)晶體陣列的晶體位置散點(diǎn)圖。
[0073]本實(shí)施例中，在確定目標(biāo)晶體陣列之后，獲取該目標(biāo)晶體陣列的晶體位置散點(diǎn)圖。參考圖1，圖1為目標(biāo)晶體陣列的晶體位置散點(diǎn)圖，具體的，本實(shí)施例不限制獲取晶體位置散點(diǎn)圖的方法。
[0074]實(shí)際操作中，可以在探測(cè)器內(nèi)放置放射源，晶體陣列會(huì)接收該放射源產(chǎn)生的Y光子，并經(jīng)過光電轉(zhuǎn)換等過程，最終得到晶體位置散點(diǎn)圖。
[0075]本實(shí)施例中，由于獲取的晶體位置散點(diǎn)圖中可能存在噪聲點(diǎn)等影響檢測(cè)結(jié)果的因素，所以在對(duì)該晶體位置散點(diǎn)圖做進(jìn)一步處理之前，首先可以對(duì)該晶體位置散點(diǎn)圖進(jìn)行平滑處理，以去除噪聲點(diǎn)等不良因素的影響。
[0076]實(shí)際操作中，對(duì)晶體位置散點(diǎn)圖進(jìn)行平滑處理的方式很多，本實(shí)施例可以利用公式(I )，對(duì)該晶體位置散點(diǎn)圖進(jìn)行平滑處理，得到平滑處理后的晶體位置散點(diǎn)圖；
[0077]D(x，y，σ ) = (G(x，y，ko )-G(x，y，σ ))*I(x，y) (I)
[0078]其中，I(x，y)為原始的晶體位置散點(diǎn)圖，k為常數(shù),G(x, y, σ )為方差為σ的高斯分布函數(shù)，G(x，y，ko )為方差為ko的高斯分布函數(shù)，D(x, y, σ )為平滑處理后的晶體位置散點(diǎn)圖。
[0079]步驟203:在所述晶體位置散點(diǎn)圖中，確定與預(yù)設(shè)的等高閾值對(duì)應(yīng)的等高線。
[0080]本實(shí)施例中，針對(duì)獲取的晶體位置散點(diǎn)圖，首先設(shè)置等高閾值，具體的等高閾值可以根據(jù)用戶的需求設(shè)置多個(gè)。其次，以等高閾值為標(biāo)準(zhǔn)，獲取晶體位置散點(diǎn)圖中與該等高閾值相等的點(diǎn)，將相等的點(diǎn)連成曲線作為等高線。也就是說，等高線就是晶體位置散點(diǎn)圖中值相等的點(diǎn)連接成的閉合曲線。參考圖3，圖3為晶體位置散點(diǎn)圖的等高線的示意圖，其中每個(gè)閉合曲線均為該晶體位置散點(diǎn)圖的等高線。另外，等高線的個(gè)數(shù)由等高閾值的個(gè)數(shù)決定，也就是說，等聞閾值與等聞線之間具有 對(duì)應(yīng)關(guān)系。
[0081]實(shí)際操作中，為了使對(duì)探測(cè)器的檢測(cè)結(jié)果更準(zhǔn)確，可以使用如下方式設(shè)定等高閾值，具體包括:
[0082]首先，獲取該晶體位置散點(diǎn)圖的最大值和最小值；其次，將所述最大值和最小值之間的數(shù)值段進(jìn)行等差劃分，得到等高閾值；最后，確定與所述等高閾值對(duì)應(yīng)的等高線。
[0083]具體的，在獲取晶體位置散點(diǎn)圖的最大值和最小值之后，以最小值為初始值，并以最大值為終止值，按等差數(shù)列對(duì)位于起始值和終止值之間的數(shù)值進(jìn)行等差劃分，得到若干個(gè)數(shù)值作為等高閾值。舉例說明，首先以I作為最小值，9作為最大值，其次，按等差數(shù)列對(duì)I和9之間的數(shù)值進(jìn)行等差劃分，可以得到3、5和7，最后，可以將1、3、5、7和9作為等高閾值。[0084]步驟204:基于所述等高線，將所述晶體位置散點(diǎn)圖分割，得到分割塊。
[0085]本實(shí)施例中，在確定該晶體位置散點(diǎn)圖的等聞線之后，基于確定的等聞線將所述晶體位置散點(diǎn)圖分割，最終可以得到多個(gè)分割塊。參考圖4，圖4為分割后的兩個(gè)相鄰分割塊的不意圖。
[0086]實(shí)際操作中，首先，在獲取晶體位置散點(diǎn)圖的等高線后，分別對(duì)等高線進(jìn)行擬合，可以得到擬合曲面。具體的，可以利用二維高斯曲面公式，將等高線擬合為擬合曲面。當(dāng)所有的等高線均完成擬合操作后，獲取兩個(gè)相鄰的擬合曲面的交線。將這些交線作為分割線，將晶體位置散點(diǎn)圖進(jìn)行分割，最終可以得到分割后的分割塊。
[0087]另外，為了提高擬合的精確性，使得到的擬合曲面更準(zhǔn)確，本實(shí)施例可以在擬合之前，首先判斷等高線是否對(duì)稱，如果是，則可以直接對(duì)等高線進(jìn)行擬合，得到擬合曲面，如果否，則獲取等高線的不對(duì)稱的兩部分，對(duì)不對(duì)稱的兩部分分別進(jìn)行擬合，最終也可以得到擬合曲面。如圖5所不，圖5為等聞線的不意圖，(a)表不對(duì)稱的等聞線，(b)為非對(duì)稱的等聞線。
[0088]具體的，本實(shí)施例對(duì)判斷等高線的對(duì)稱性的方法不做限制。
[0089]步驟205:以位于同一行的分割塊為單位，向與該行平行的方向投影，得到第一投影圖，以及以位于同一列的分割塊為單位，向與該列平行的方向投影，得到第二投影圖。
[0090]本實(shí)施例中，對(duì)晶體位置散點(diǎn)圖分割之后，得到若干分割塊，本步驟首先以位于同一行的分割塊為單位，將分割塊向與該行平行的方向投影，得到第一投影圖。其次，以位于同一列的分割塊為單位，再將分割塊向與該列平行的方向投影，得到第二投影圖。實(shí)際操作中，對(duì)得到第一投影圖和第二投影圖的順序不做限定。
[0091]本實(shí)施例中，可以將分割后的晶體位置散點(diǎn)圖中的任意一行或者任意一列的分割塊均完成投影步驟。如下，以晶體位置散點(diǎn)圖中的位于同一行的分割塊投影得到的第一投影圖為例，參考圖6，圖6為晶體位置散點(diǎn)圖中的位于同一行的分割塊投影得到的第一投影圖，從圖6中可以看出，明顯的位于第一投影圖中間的分割塊投影得到的波形中相鄰的波峰和波谷的差值不大。
[0092]本實(shí)施例對(duì)探測(cè)器的檢測(cè)原理為:如果分割塊投影得到的波形中相鄰的波峰和波谷的差值較小，則可以說明其性能可能存在問題，相反的，若波形中相鄰的波峰和波谷的差值較大，則可以說明其性能優(yōu)良。
[0093]本實(shí)施例中，由圖6可知，位于第一投影圖兩邊的波形中的相鄰的波峰和波谷之間的差值較大，而位于中間的波形中的相鄰的波峰和波谷差值不明顯。為了提高對(duì)探測(cè)器的檢測(cè)效率，本實(shí)施例可以只針對(duì)位于第一投影圖中間的波形執(zhí)行后續(xù)步驟，也就是說，如果針對(duì)位于第一投影圖中間的波形進(jìn)行檢測(cè)得到的結(jié)果符合用戶的需求，則可以說明位于兩邊的波形也符合用戶的需求。
[0094]步驟206:根據(jù)所述第一投影圖和所述第二投影圖，確定檢測(cè)結(jié)果。
[0095]本實(shí)施例中，獲取第一投影圖和第二投影圖之后，可以根據(jù)投影圖中波形的相鄰波峰和波谷的差值大小，確定檢測(cè)結(jié)果。具體的，可以將第一投影圖和第二投影圖作為處理對(duì)象，通過判斷投影圖中的波形的相鄰波峰和波谷的差值大小，確定檢測(cè)結(jié)果。
[0096]另外，由上述步驟可知，為了提高對(duì)探測(cè)器的檢測(cè)效率，本實(shí)施例可以只分析位于投影圖中間位置的波形的波動(dòng)情況。也就是說，只要中間位置的波形的波動(dòng)情況符合檢測(cè)要求，則可以說明對(duì)該探測(cè)器的檢測(cè)符合要求。
[0097]實(shí)際操作中，可以通過如下步驟確定檢測(cè)結(jié)果:
[0098]S1:分別在所述第一投影圖和所述第二投影圖中，獲取峰值；
[0099]S2:獲取與每個(gè)峰值相鄰的兩個(gè)谷值；
[0100]S3:根據(jù)所述谷值和所述峰值，確定峰谷比值，所述峰谷比值為所述峰值和所述谷值的比值；
[0101]S4:依據(jù)所述峰谷比值確定檢測(cè)結(jié)果。
[0102]具體的，首先獲取第一投影圖和第二投影圖中的峰值，其次，獲取與峰值相鄰的兩個(gè)谷值，將該峰值和該谷值的比值確定為峰谷比值，作為確定檢測(cè)結(jié)果的依據(jù)。由于一個(gè)峰值對(duì)應(yīng)兩個(gè)谷值，那么其必然存在兩個(gè)峰谷比值。
[0103]另外，為了降低本實(shí)施例的運(yùn)算量，提高對(duì)探測(cè)器的檢測(cè)效率，本實(shí)施例可以只獲取第一投影圖對(duì)應(yīng)的兩個(gè)峰谷比值和第二投影圖對(duì)應(yīng)的兩個(gè)峰谷比值中的最小值；也就是說，可以只根據(jù)該最小值確定檢測(cè)結(jié)果。根據(jù)本實(shí)施例的檢測(cè)原理，只要最小值滿足檢測(cè)的要求，則可以說明該探測(cè)器滿足檢測(cè)要求。
[0104]本實(shí)施例提供的檢測(cè)方法基于等高線對(duì)晶體位置散點(diǎn)圖進(jìn)行分割，得到若干分割塊，并將分割塊進(jìn)行投影，得到第一投影圖和第二投影圖，最終可以通過投影圖中的峰值和谷值確定檢測(cè)結(jié)果。與現(xiàn)有技術(shù)的基于對(duì)晶體位置散點(diǎn)圖的主觀判斷相比，本實(shí)施例采用客觀有效的定量的數(shù)據(jù)分析來對(duì)探測(cè)器進(jìn)行檢測(cè)，得出的檢測(cè)結(jié)果準(zhǔn)確率高，為工作人員對(duì)探測(cè)器的設(shè)計(jì)提供參考。
[0105]實(shí)施例二
[0106]參考圖7，圖7為本實(shí)施例提供的對(duì)探測(cè)器的檢測(cè)裝置結(jié)構(gòu)圖，所述裝置可以包括:
[0107]第一確定模塊701，用于將探測(cè)器中的任一晶體陣列確定為目標(biāo)晶體陣列；
[0108]第一獲取模塊702，用于獲取所述目標(biāo)晶體陣列的晶體位置散點(diǎn)圖；
[0109]第二確定模塊703，用于在所述晶體位置散點(diǎn)圖中，確定與預(yù)設(shè)的等高閾值對(duì)應(yīng)的等聞線;
[0110]分割模塊704，用于基于所述等高線，將所述晶體位置散點(diǎn)圖分割，得到分割塊；
[0111]投影模塊705，用于以位于同一行的分割塊為單位，向與該行平行的方向投影，得到第一投影圖，以及以位于同一列的分割塊為單位，向與該列平行的方向投影，得到第二投影圖；
[0112]第三確定模塊706，用于根據(jù)所述第一投影圖和所述第二投影圖，確定檢測(cè)結(jié)果。
[0113]為了提高檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性，所述裝置還可以包括:
[0114]平滑處理模塊，用于對(duì)所述晶體位置散點(diǎn)圖進(jìn)行平滑處理。
[0115]具體的，所述平滑處理模塊可以包括:
[0116]平滑處理子模塊，用于利用公式(I )，對(duì)所述晶體位置散點(diǎn)圖進(jìn)行平滑處理，
[0117]D(x, y, O ) = (G(x, y, k σ )-G(x, y, σ ))*1 (χ, y) (I)
[0118]其中，I(x，y)為原始的晶體位置散點(diǎn)圖，k為常數(shù),G(χ, y, σ )為方差為σ的高斯分布函數(shù)，G(x，y，ko )為方差為ko的高斯分布函數(shù)，D(x, y, σ )為平滑處理后的晶體位置散點(diǎn)圖；[0119]第一獲取子模塊，用于獲取經(jīng)過平滑處理后的晶體位置散點(diǎn)圖。
[0120]為了提高檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性，所述第二確定模塊可以包括:
[0121]第二獲取子模塊，用于獲取所述晶體位置散點(diǎn)圖的最大值和最小值；
[0122]劃分子模塊，用于將所述最大值和最小值之間的數(shù)值段進(jìn)行等差劃分，得到等高閾值；
[0123]第一確定子|旲塊，用于確定與所述等聞閾值對(duì)應(yīng)的等聞線。
[0124]具體的，所述分割模塊可以包括:
[0125]第一擬合子模塊，用于對(duì)所述等高線進(jìn)行擬合，得到擬合曲面；
[0126]第三獲取子模塊，用于獲取相鄰的所述擬合曲面的交線；
[0127]分割子模塊，用于以所述交線為分割線，將所述晶體位置散點(diǎn)圖分割，得到分割塊。
[0128]其中，所述第一擬合子模塊可以包括:
[0129]第二擬合子模塊，用于利用二維高斯曲面公式，對(duì)所述等高線進(jìn)行擬合；
[0130]第四獲取子模塊，用于對(duì)所述等高線進(jìn)行擬合后，獲取得到擬合曲面。
[0131]進(jìn)一步的，所述第一擬合子模塊可以包括:
[0132]判斷子模塊，用于判斷所述等高線是否對(duì)稱；
[0133]第三擬合子模塊，用于在所述判斷子模塊的結(jié)果為是時(shí)，對(duì)所述等高線進(jìn)行擬合，得到擬合曲面；
[0134]第四擬合子模塊，用于在所述判斷子模塊的結(jié)果為否時(shí)，獲取所述等高線的不對(duì)稱的兩部分，分別對(duì)所述不對(duì)稱的兩部分進(jìn)行擬合，得到擬合曲面。
[0135]另外，所述第三確定模塊可以包括:
[0136]第五獲取子模塊，用于分別在所述第一投影圖和所述第二投影圖中，獲取峰值；
[0137]第六獲取子模塊，用于獲取與每個(gè)峰值相鄰的兩個(gè)谷值；
[0138]第二確定子模塊，用于根據(jù)所述谷值和所述峰值，確定峰谷比值，所述峰谷比值為所述峰值和所述谷值的比值；
[0139]第三確定子模塊，用于依據(jù)所述峰谷比值確定檢測(cè)結(jié)果。
[0140]為了提高檢測(cè)效率，所述第三確定子模塊可以包括:
[0141]第七獲取子模塊，用于獲取所述峰谷比值中的最小值；
[0142]第四確定子模塊，用于依據(jù)所述最小值確定檢測(cè)結(jié)果。
[0143]本實(shí)施例提供的檢測(cè)方法基于等高線對(duì)晶體位置散點(diǎn)圖進(jìn)行分割，得到若干分割塊，并將分割塊進(jìn)行投影，得到第一投影圖和第二投影圖，最終可以通過投影圖中的峰值和谷值確定檢測(cè)結(jié)果。與現(xiàn)有技術(shù)的基于對(duì)晶體位置散點(diǎn)圖的主觀判斷相比，本實(shí)施例采用客觀有效的定量的數(shù)據(jù)分析來對(duì)探測(cè)器進(jìn)行檢測(cè)，得出的檢測(cè)結(jié)果準(zhǔn)確率高，為工作人員對(duì)探測(cè)器的設(shè)計(jì)提供參考。
[0144]對(duì)于系裝置實(shí)施例而言，由于其基本對(duì)應(yīng)于方法實(shí)施例，所以相關(guān)之處參見方法實(shí)施例的部分說明即可。以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，其中所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到多個(gè)網(wǎng)絡(luò)單元上?？梢愿鶕?jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部模塊來實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的情況下，即可以理解并實(shí)施。
[0145]需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。
[0146]以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的對(duì)探測(cè)器的檢測(cè)方法和裝置進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。`
【權(quán)利要求】
1.一種對(duì)探測(cè)器的檢測(cè)方法，其特征在于，所述方法包括: 將探測(cè)器中的任一晶體陣列確定為目標(biāo)晶體陣列； 獲取所述目標(biāo)晶體陣列的晶體位置散點(diǎn)圖； 在所述晶體位置散點(diǎn)圖中，確定與預(yù)設(shè)的等高閾值對(duì)應(yīng)的等高線； 基于所述等高線，將所述晶體位置散點(diǎn)圖分割，得到分割塊； 以位于同一行的分割塊為單位，向與該行平行的方向投影，得到第一投影圖，以及以位于同一列的分割塊為單位，向與該列平行的方向投影，得到第二投影圖； 根據(jù)所述第一投影圖和所述第二投影圖，確定檢測(cè)結(jié)果。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲取所述目標(biāo)晶體陣列的晶體位置散點(diǎn)圖之后，且在所述確定所述晶體位置散點(diǎn)圖的等高線之前，還包括: 對(duì)所述晶體位置散點(diǎn)圖進(jìn)行平滑處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述對(duì)所述晶體位置散點(diǎn)圖進(jìn)行平滑處理，包括: 利用公式(I )，對(duì)所述晶體位置散點(diǎn)圖進(jìn)行平滑處理，
D(X，y, σ ) = (G(X，y, k σ )-G(X，y, σ ))*1 (χ, y) (I) 其中，I(x，y)為原始的晶體位置散點(diǎn)圖，k為常數(shù),G(x, y, σ )為方差為σ的高斯分布函數(shù)，G(x，y，ko )為方差為ko的高斯分布函數(shù)，D(x, y, σ )為平滑處理后的晶體位置散點(diǎn)圖；` 獲取經(jīng)過平滑處理后的晶體位置散點(diǎn)圖。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述晶體位置散點(diǎn)圖中，確定與預(yù)設(shè)的等高閾值對(duì)應(yīng)的等高線，包括: 獲取所述晶體位置散點(diǎn)圖的最大值和最小值； 將所述最大值和最小值之間的數(shù)值段進(jìn)行等差劃分，得到等高閾值； 確定與所述等聞閾值對(duì)應(yīng)的等聞線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述等高線，將所述晶體位置散點(diǎn)圖分割，得到分割塊，包括: 對(duì)所述等高線進(jìn)行擬合，得到擬合曲面； 獲取相鄰的所述擬合曲面的交線； 以所述交線為分割線，將所述晶體位置散點(diǎn)圖分割，得到分割塊。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述對(duì)所述等高線進(jìn)行擬合，得到擬合曲面，包括: 利用二維高斯曲面公式，對(duì)所述等高線進(jìn)行擬合； 對(duì)所述等高線進(jìn)行擬合后，獲取擬合曲面。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述對(duì)所述等高線進(jìn)行擬合，得到擬合曲面，包括: 判斷所述等高線是否對(duì)稱，如果是，則對(duì)所述等高線進(jìn)行擬合，得到擬合曲面，如果否，則獲取所述等高線的不對(duì)稱的兩部分，分別對(duì)所述不對(duì)稱的兩部分進(jìn)行擬合，得到擬合曲面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述第一投影圖和所述第二投影圖，確定檢測(cè)結(jié)果，包括: 分別在所述第一投影圖和所述第二投影圖中，獲取峰值； 獲取與每個(gè)峰值相鄰的兩個(gè)谷值； 根據(jù)所述谷值和所述峰值，確定峰谷比值，所述峰谷比值為所述峰值和所述谷值的比值； 依據(jù)所述峰谷比值確定檢測(cè)結(jié)果。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述依據(jù)所述峰谷比值確定檢測(cè)結(jié)果，包括: 獲取所述峰谷比值中的最小值； 依據(jù)所述最小值確定檢測(cè)結(jié)果。
10.一種對(duì)探測(cè)器的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述裝置包括: 第一確定模塊，用于將探測(cè)器中的任一晶體陣列確定為目標(biāo)晶體陣列； 第一獲取模塊，用于獲取所述目標(biāo)晶體陣列的晶體位置散點(diǎn)圖； 第二確定模塊，用于在所述晶體位置散點(diǎn)圖中，確定與預(yù)設(shè)的等高閾值對(duì)應(yīng)的等高 線.分割模塊，用于基于所述等高線，將所述晶體位置散點(diǎn)圖分割，得到分割塊； 投影模塊，用于以位于同一行的分割塊為單位，向與該行平行的方向投影，得到第一投影圖，以及以位于同一列的分割塊為單位，向與該列平行的方向投影，得到第二投影圖；第三確定模塊，用于根據(jù)所述第一投影圖和所述第二投影圖，確定檢測(cè)結(jié)果。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括: 平滑處理模塊，用于對(duì)所述晶體位置散點(diǎn)圖進(jìn)行平滑處理。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，所述分割模塊包括: 第一擬合子模塊，用于對(duì)所述等高線進(jìn)行擬合，得到擬合曲面； 第三獲取子模塊，用于獲取相鄰的所述擬合曲面的交線； 分割子模塊，用于以所述交線為分割線，將所述晶體位置散點(diǎn)圖分割，得到分割塊。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于，所述第一擬合子模塊包括: 判斷子模塊，用于判斷所述等高線是否對(duì)稱； 第三擬合子模塊，用于在所述判斷子模塊的結(jié)果為是時(shí)，對(duì)所述等高線進(jìn)行擬合，得到擬合曲面； 第四擬合子模塊，用于在所述判斷子模塊的結(jié)果為否時(shí)，獲取所述等高線的不對(duì)稱的兩部分，分別對(duì)所述不對(duì)稱的兩 部分進(jìn)行擬合，得到擬合曲面。
【文檔編號(hào)】G06T5/00GK103885080SQ201310637962
【公開日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2013年11月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月29日
【發(fā)明者】徐亮, 吳國城, 支力佳 申請(qǐng)人:沈陽東軟醫(yī)療系統(tǒng)有限公司