觸摸感測(cè)顯示裝置及相關(guān)方法
【專利摘要】本發(fā)明提供關(guān)于包括感測(cè)裝置及顯示裝置的觸摸感測(cè)顯示裝置的系統(tǒng)、方法及設(shè)備。在一個(gè)方面中，觸摸感測(cè)顯示裝置可包括自適應(yīng)尋址架構(gòu)以至少部分地基于感測(cè)裝置的感測(cè)特性而調(diào)整尋址特性。在另一方面中，觸摸感測(cè)顯示裝置可包括自適應(yīng)感測(cè)架構(gòu)以至少部分地基于顯示裝置的尋址特性及／或由所述顯示裝置的尋址電路變更的電干擾特性而調(diào)整感測(cè)裝置的感測(cè)特性。
【專利說明】觸摸感測(cè)顯示裝置及相關(guān)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及觸摸感測(cè)顯示裝置，且更特定來說涉及并入有自適應(yīng)感測(cè)架構(gòu)及/或自適應(yīng)尋址架構(gòu)的觸摸感測(cè)顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]機(jī)電系統(tǒng)包括具有電及機(jī)械元件、激活器、換能器、傳感器、光學(xué)組件(例如，鏡)及電子器件的裝置。可以多種尺寸制造機(jī)電系統(tǒng)，包括但不限于微米尺寸及納米尺寸。舉例來說，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)裝置可包括具有介于從大約一微米到數(shù)百微米或更大的范圍內(nèi)的大小的結(jié)構(gòu)。納米機(jī)電系統(tǒng)(NEMS)裝置可包括具有小于一微米的大小(舉例來說，包括小于數(shù)百納米的大小)的結(jié)構(gòu)。可使用沉積、蝕刻、光刻及/或蝕刻掉襯底及/或所沉積材料層的部分或添加層以形成電裝置及機(jī)電裝置的其它微機(jī)械加工工藝形成機(jī)電元件。
[0003]一種類型的機(jī)電系統(tǒng)裝置稱作干涉式調(diào)制器(IMOD)。如本文中所用，術(shù)語干涉式調(diào)制器或干涉式光調(diào)制器是指使用光學(xué)干涉原理選擇性地吸收及/或反射光的裝置。在一些實(shí)施方案中，干涉式調(diào)制器可包括一對(duì)導(dǎo)電板，所述對(duì)導(dǎo)電板中的一者或兩者可為全部或部分透明的及/或反射的且能夠在施加適當(dāng)電信號(hào)時(shí)相對(duì)運(yùn)動(dòng)。在實(shí)施方案中，一個(gè)板可包括沉積于襯底上的固定層且另一板可包括通過氣隙與所述固定層分離的反射膜。一個(gè)板相對(duì)于另一板的位置可改變?nèi)肷溆诟缮媸秸{(diào)制器上的光的光學(xué)干涉。干涉式調(diào)制器裝置具有廣泛的應(yīng)用，且預(yù)期用于改進(jìn)現(xiàn)有產(chǎn)品及形成新產(chǎn)品，尤其是具有顯示能力的那些產(chǎn)品O
[0004]用于觸摸感測(cè)顯示裝置的許多現(xiàn)有觸摸感測(cè)裝置包括由導(dǎo)電材料(舉例來說，氧化銦錫(ITO))形成的電隔離導(dǎo)電行及列，所述電隔離導(dǎo)電行及列用以檢測(cè)導(dǎo)電物體(例如，手指)在感測(cè)裝置上的位置。這些感測(cè)裝置可安置于顯示器(舉例來說，頂0D)上方使得通過感測(cè)裝置可看到下伏顯示器。然而，感測(cè)裝置的性能可受到相關(guān)聯(lián)的顯示裝置所產(chǎn)生的電干擾影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的系統(tǒng)、方法及裝置各自具有數(shù)個(gè)創(chuàng)新性方面，所述方面中的單個(gè)方面均不單獨(dú)地決定本文中所揭示的所要屬性。
[0006]本發(fā)明中所描述的標(biāo)的物的一個(gè)創(chuàng)新性方面可實(shí)施于一種顯示裝置中。所述顯示裝置可包括經(jīng)配置以調(diào)整顯示器的至少一個(gè)尋址特性的尋址電路且調(diào)整所述至少一個(gè)尋址特性可變更所述顯示器的干擾特性。所述顯示裝置還可包括經(jīng)配置以接收識(shí)別尋址特性或干擾特性的信息的感測(cè)電路。所述感測(cè)電路可經(jīng)配置以至少部分地基于所接收信息而調(diào)整觸摸傳感器的至少一個(gè)感測(cè)特性。在一個(gè)方面中，所述感測(cè)電路可經(jīng)配置以基于所接收信息而進(jìn)行感測(cè)。在一個(gè)方面中，所述尋址電路可經(jīng)配置以調(diào)整所述至少一個(gè)尋址特性使得干擾特性增加且所述感測(cè)電路可經(jīng)配置以降低所述至少一個(gè)感測(cè)特性。在一個(gè)方面中，所述尋址電路可經(jīng)配置以調(diào)整所述至少一個(gè)尋址特性使得干擾特性降低且所述感測(cè)電路可經(jīng)配置以增加所述至少一個(gè)感測(cè)特性。
[0007]本發(fā)明中所描述的一個(gè)創(chuàng)新性面可實(shí)施于一種顯示裝置中。所述顯示裝置可包括用于調(diào)整顯示器的至少一個(gè)尋址特性的裝置且調(diào)整所述至少一個(gè)尋址特性可變更所述顯示器的干擾特性。所述顯示裝置還可包括用于至少部分地基于識(shí)別尋址特性或干擾特性的信息而調(diào)整觸摸傳感器的至少一個(gè)感測(cè)特性的裝置。在一個(gè)方面中，所述尋址裝置可經(jīng)配置以調(diào)整所述至少一個(gè)尋址特性使得干擾特性增加且所述感測(cè)裝置可經(jīng)配置以降低所述至少一個(gè)感測(cè)特性。在一個(gè)方面中，所述尋址裝置可經(jīng)配置以調(diào)整所述至少一個(gè)尋址特性使得干擾特性降低且所述感測(cè)裝置可經(jīng)配置以增加所述至少一個(gè)感測(cè)特性。
[0008]本發(fā)明中所描述的另一創(chuàng)新性方面可實(shí)施于一種方法中。所述方法可包括調(diào)整顯示器的至少一個(gè)尋址特性使得調(diào)整所述至少一個(gè)尋址特性變更所述顯示器的干擾特性。所述方法還可包括至少部分地基于尋址特性或干擾特性而調(diào)整觸摸傳感器的至少一個(gè)感測(cè)特性及基于經(jīng)調(diào)整的感測(cè)特性而進(jìn)行感測(cè)。在一個(gè)方面中，調(diào)整所述至少一個(gè)尋址特性可增加干擾特性且可降低所述至少一個(gè)感測(cè)特性。在一個(gè)方面中，調(diào)整所述至少一個(gè)尋址特性可降低干擾特性且可增加所述至少一個(gè)感測(cè)特性。
[0009]在隨附圖式及以下描述中闡明本說明書中所描述的標(biāo)的物的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施方案的細(xì)節(jié)。根據(jù)所述描述、圖式及權(quán)利要求書將明了其它特征、方面及優(yōu)點(diǎn)。注意，以下各圖的相對(duì)尺寸可能并未按比例繪制。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1展示描繪干涉式調(diào)制器(IMOD)顯示裝置的一系列像素中的兩個(gè)鄰近像素的等角視圖的實(shí)例。
[0011]圖2展示圖解說明并入有3X3干涉式調(diào)制器顯示器的電子裝置的系統(tǒng)框圖的實(shí)例。
[0012]圖3展示圖解說明圖1的干涉式調(diào)制器的可移動(dòng)反射層位置對(duì)所施加電壓的圖的實(shí)例。
[0013]圖4展示圖解說明當(dāng)施加各種共用電壓及分段電壓時(shí)干涉式調(diào)制器的各種狀態(tài)的表的實(shí)例。
[0014]圖5A展示圖解說明在圖2的3X3干涉式調(diào)制器顯示器中的顯示數(shù)據(jù)幀的圖的實(shí)例。
[0015]圖5B展示可用于寫入圖5A中所圖解說明的顯示數(shù)據(jù)幀的共用信號(hào)及分段信號(hào)的時(shí)序圖的實(shí)例。
[0016]圖6A展示圖1的干涉式調(diào)制器顯示器的部分橫截面的實(shí)例。
[0017]圖6B到6E展示干涉式調(diào)制器的不同實(shí)施方案的橫截面的實(shí)例。
[0018]圖7展示圖解說明用于干涉式調(diào)制器的制造工藝的流程圖的實(shí)例。
[0019]圖8A到SE展示制作干涉式調(diào)制器的方法中的各種階段的橫截面示意性圖解的實(shí)例。
[0020]圖9A展示具有用于檢測(cè)導(dǎo)電物體在傳感器陣列上方的存在的多個(gè)導(dǎo)電行及列的實(shí)例性感測(cè)裝置的俯視側(cè)視圖。
[0021]圖9B展示圖解說明操作感測(cè)裝置的實(shí)例性方法的流程圖。[0022]圖9C展示觸摸感測(cè)顯示裝置的實(shí)例。
[0023]圖1OA及IOB展示包括安置于顯示裝置上方的感測(cè)裝置的觸摸感測(cè)顯示裝置的兩個(gè)實(shí)例性實(shí)施方案的橫截面。
[0024]圖1lA到IlD展示具有自適應(yīng)尋址架構(gòu)的觸摸感測(cè)顯示裝置的實(shí)例。
[0025]圖12A展示具有自適應(yīng)感測(cè)及/或自適應(yīng)尋址架構(gòu)的觸摸感測(cè)顯示裝置的實(shí)例。
[0026]圖12B及12C展示可用于圖12A的觸摸感測(cè)顯示裝置中的查找表的實(shí)例。
[0027]圖13展示供與觸摸感測(cè)顯示裝置一起使用的過程的實(shí)例。
[0028]圖14A及14B展示圖解說明包括多個(gè)干涉式調(diào)制器的顯示裝置的系統(tǒng)框圖的實(shí)例。
[0029]在各個(gè)圖式中，相似的參考編號(hào)及標(biāo)示指示相似的元件。
【具體實(shí)施方式】
[0030]以下詳細(xì)描述針對(duì)用于描述創(chuàng)新性方面的目的的某些實(shí)施方案。然而，可以多種不同方式應(yīng)用本文中的教示。所描述的實(shí)施方案可在經(jīng)配置以顯示圖像(無論是處于運(yùn)動(dòng)(例如，視頻)還是靜止的(例如，靜止圖像)，且無論是文本、圖形的還是圖片的)的任一裝置中實(shí)施。更特定來說，本發(fā)明預(yù)期:所述實(shí)施方案可在以下多種電子裝置中實(shí)施或可與所述電子裝置相關(guān)聯(lián):例如(但不限于)，移動(dòng)電話、具有多媒體因特網(wǎng)能力的蜂窩式電話、移動(dòng)電視接收器、無線裝置、智能電話、藍(lán)牙裝置、個(gè)人數(shù)據(jù)助理(PDA)、無線電子郵件接收器、手持式或便攜式計(jì)算機(jī)、上網(wǎng)本、筆記本計(jì)算機(jī)、智能本、打印機(jī)、復(fù)印機(jī)、掃瞄儀、傳真裝置、GPS接收器/導(dǎo)航器、相機(jī)、MP3播放器、攝錄像機(jī)、游戲控制臺(tái)、手表、鐘表、計(jì)算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、電子閱讀裝置(例如，電子閱讀器)、計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、汽車顯示器(例如，里程表顯示器等等)、駕駛艙控制件及/或顯示器、相機(jī)視圖顯示器(例如，車輛的后視相機(jī)的顯示器)、電子照片、電子告示牌或標(biāo)牌、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、微波爐、冰箱、立體聲系統(tǒng)、盒式錄音機(jī)或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、無線電設(shè)備、便攜式存儲(chǔ)器芯片、洗衣機(jī)、干衣機(jī)、洗衣機(jī)/干衣機(jī)、停車計(jì)時(shí)器、封裝(例如，MEMS及非MEMS)、美學(xué)結(jié)構(gòu)(例如，一件珠寶上的圖像顯示器)及多種機(jī)電系統(tǒng)裝置。本文中的教示還可用于非顯示應(yīng)用中，例如(但不限于):電子切換裝置、射頻濾波器、傳感器、加速計(jì)、陀螺儀、運(yùn)動(dòng)感測(cè)裝置、磁力計(jì)、消費(fèi)型電子器件的慣性組件、消費(fèi)型電子產(chǎn)品的部件、變?nèi)荻O管、液晶裝置、電泳裝置、驅(qū)動(dòng)方案、制造工藝、電子測(cè)試設(shè)備。因此，所述教示并不打算限于僅描繪于各圖中的實(shí)施方案，而是具有所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易明了的寬廣適用性。
[0031]在一些實(shí)施方案中，觸摸感測(cè)顯示裝置可包括安置于顯示裝置(舉例來說，干涉式顯示器)的至少一部分上方的感測(cè)裝置。感測(cè)裝置可經(jīng)配置以檢測(cè)呈導(dǎo)電物體(舉例來說，人類手指或手寫筆)的觸摸或接近定位的形式的用戶輸入。感測(cè)裝置可進(jìn)一步經(jīng)配置以檢測(cè)用戶輸入相對(duì)于感測(cè)裝置的位置且此所檢測(cè)位置可通過感測(cè)電路提供到尋址下伏顯示器的外部電路(舉例來說，尋址電路)。因此，下伏顯示裝置的尋址可至少部分地基于尋址電路從感測(cè)裝置所接收的輸入。舉例來說，在一些實(shí)施方案中，感測(cè)裝置可檢測(cè)手指或手寫筆的觸摸且尋址電路可顯示接近于所檢測(cè)觸摸的光標(biāo)元件。此外，在包括一個(gè)或一個(gè)以上感測(cè)裝置的觸摸感測(cè)顯示裝置的實(shí)施方案中，尋址顯示器可產(chǎn)生影響所述感測(cè)裝置的性能的電干擾。[0032]本文中所揭示的各種實(shí)施方案包括具有自適應(yīng)感測(cè)架構(gòu)及/或自適應(yīng)尋址架構(gòu)的觸摸感測(cè)顯示裝置。在一些實(shí)施方案中，觸摸感測(cè)顯示裝置可包括尋址顯示器的尋址電路，所述顯示器借此產(chǎn)生電干擾。由于所述電干擾可影響感測(cè)裝置的性能，因此所述觸摸感測(cè)顯示裝置可包括自適應(yīng)感測(cè)電路，所述自適應(yīng)感測(cè)電路至少部分地基于通過尋址所述顯示器產(chǎn)生的電干擾而調(diào)整所述感測(cè)裝置的至少一個(gè)感測(cè)特性。在一些實(shí)施方案中，可通過感測(cè)電路調(diào)整的感測(cè)特性可包括(舉例來說)信噪比、敏感度閾值、開始/停止時(shí)間、部分掃描、到感測(cè)電路的輸入波形的電壓、感測(cè)波形的電流驅(qū)動(dòng)、頻率(例如，取樣速率)及施加到所接收感測(cè)信號(hào)的濾波的類型及量。由于電干擾可至少部分地與顯示器的尋址特性相關(guān)，因此在一些實(shí)施方案中，自適應(yīng)感測(cè)電路可至少部分地基于相關(guān)聯(lián)顯示器的尋址特性及/或至少部分地基于由所述顯示器產(chǎn)生的電干擾而調(diào)整感測(cè)裝置的至少一個(gè)感測(cè)特性。
[0033]在一些實(shí)施方案中，觸摸感測(cè)顯示裝置可包括檢測(cè)觸摸輸入的感測(cè)電路且所述感測(cè)電路可將此輸入提供到自適應(yīng)尋址電路。所述尋址電路可至少部分地基于從感測(cè)電路接收的觸摸輸入而調(diào)整顯示器的尋址特性。在一些實(shí)施方案中，可通過尋址電路調(diào)整的尋址特性可包括(舉例來說)部分更新、更新速度、識(shí)別尋址區(qū)、高電壓尋址、低電壓尋址、高分段驅(qū)動(dòng)、低分段驅(qū)動(dòng)、線反轉(zhuǎn)、點(diǎn)反轉(zhuǎn)、巾貞反轉(zhuǎn)及分辨率。在一些實(shí)施方案中，觸摸感測(cè)顯示裝置可包括自適應(yīng)感測(cè)架構(gòu)及自適應(yīng)尋址架構(gòu)，使得可通過用戶輸入(舉例來說，觸摸)來調(diào)整尋址特性，且所述尋址特性及/或所得電干擾的調(diào)整可至少部分地導(dǎo)致對(duì)一個(gè)或一個(gè)以上感測(cè)特性的調(diào)整。
[0034]可實(shí)施本發(fā)明中所描述的標(biāo)的物的特定實(shí)施方案以實(shí)現(xiàn)以下潛在優(yōu)點(diǎn)中的一者或一者以上。舉例來說，本文中所揭示的觸摸感測(cè)顯示裝置可并入有自適應(yīng)尋址架構(gòu)以限制顯示器的電力耗散或消耗及/或限制由所述顯示器產(chǎn)生的電干擾。減少電干擾可改進(jìn)相關(guān)聯(lián)感測(cè)裝置的性能且限制電力耗散可改進(jìn)電池壽命且減少操作成本。在另一實(shí)例中，本文中所揭示的觸摸感測(cè)顯示裝置可并入有自適應(yīng)感測(cè)架構(gòu)以至少部分地基于顯示器的尋址特性及/或由所述顯示器產(chǎn)生的電干擾而調(diào)整感測(cè)裝置的感測(cè)特性。舉例來說，當(dāng)針對(duì)例如手寫的應(yīng)用使用導(dǎo)電手寫筆時(shí)，感測(cè)特性可經(jīng)修改以允許較高分辨率及較高速度。此修改可需要來自相關(guān)聯(lián)顯示面板的較低干擾。因此，所述感測(cè)裝置可基于正尋址顯示器的方式而調(diào)適以改進(jìn)所述感測(cè)裝置的性能。此外，減小顯示器驅(qū)動(dòng)及/或到感測(cè)裝置的輸入信號(hào)可減少由觸摸感測(cè)顯示裝置作為整體發(fā)射的電磁干擾的總量。
[0035]可應(yīng)用所描述的實(shí)施方案的適合MEMS裝置的實(shí)例為反射式顯示裝置。反射式顯示裝置可并入有用以使用光學(xué)干涉原理選擇性地吸收及/或反射入射于其上的光的干涉式調(diào)制器(IMOD)。IMOD可包括吸收器、可相對(duì)于所述吸收器移動(dòng)的反射器及界定于所述吸收器與所述反射器之間的光學(xué)共振腔。所述反射器可移動(dòng)到兩個(gè)或兩個(gè)以上不同位置，此可改變光學(xué)共振腔的大小且借此影響所述干涉式調(diào)制器的反射比。MOD的反射光譜可形成可跨越可見波長(zhǎng)移位以產(chǎn)生不同色彩的相當(dāng)寬的光譜帶。可通過改變光學(xué)共振腔的厚度(即，通過改變反射器的位置)來調(diào)整所述光譜帶的位置。
[0036]圖1展示描繪干涉式調(diào)制器(IMOD)顯示裝置的一系列像素中的兩個(gè)鄰近像素的等角視圖的實(shí)例。所述IMOD顯示裝置包括一個(gè)或一個(gè)以上干涉式MEMS顯示元件。在這些裝置中，MEMS顯示元件的像素可處于亮或暗狀態(tài)。在亮(“松弛”、“打開”或“接通”)狀態(tài)中，所述顯示元件將入射可見光的一大部分反射到(例如)用戶。相反地，在暗(“激活”、“關(guān)閉”或“關(guān)斷”)狀態(tài)中，所述顯示元件反射甚少的入射可見光。在一些實(shí)施方案中，可反轉(zhuǎn)接通與關(guān)斷狀態(tài)的光反射性質(zhì)。MEMS像素可經(jīng)配置以主要在特定波長(zhǎng)下反射，從而允許除黑色及白色以外還進(jìn)行彩色顯示。
[0037]IMOD顯示裝置可包括行/列IMOD陣列。每一 IMOD可包括一對(duì)反射層，即，可移動(dòng)反射層及固定部分反射層，所述對(duì)反射層以彼此相距可變且可控的距離進(jìn)行定位以形成氣隙(還稱作光學(xué)間隙或腔)。所述可移動(dòng)反射層可在至少兩個(gè)位置之間移動(dòng)。在第一位置(即，松弛位置)中，可移動(dòng)反射層可定位于距固定部分反射層相對(duì)大的距離處。在第二位置(即，激活位置)中，可移動(dòng)反射層可更靠近于部分反射層而定位。取決于可移動(dòng)反射層的位置，從兩個(gè)層反射的入射光可以相長(zhǎng)或相消方式干涉，從而產(chǎn)生每一像素的總體反射或非反射狀態(tài)。在一些實(shí)施方案中，所述IMOD可在未被激活時(shí)處于反射狀態(tài)，從而反射在可見光譜內(nèi)的光，且可在未被激活時(shí)處于暗狀態(tài)，從而反射在可見范圍之外的光(例如，紅外光)。然而，在一些其它實(shí)施方案中，IMOD可在未被激活時(shí)處于暗狀態(tài)且在被激活時(shí)處于反射狀態(tài)。在一些實(shí)施方案中，引入所施加電壓可驅(qū)動(dòng)像素改變狀態(tài)。在一些其它實(shí)施方案中，所施加電荷可驅(qū)動(dòng)像素改變狀態(tài)。
[0038]圖1中所描繪的像素陣列部分包括兩個(gè)鄰近的干涉式調(diào)制器12。在左側(cè)(如所圖解說明)的IM0D12中，將可移動(dòng)反射層14圖解說明為處于距包括部分反射層的光學(xué)堆疊16預(yù)定距離處的松弛位置?？缭阶髠?cè)IM0D12施加的電壓Vtl不足以致使可移動(dòng)反射層14激活。在右側(cè)的IM0D12中，將可移動(dòng)反射層14圖解說明為處于接近或鄰近光學(xué)堆疊16的激活位置。跨越右側(cè)M0D12施加的電壓Vbias足以使可移動(dòng)反射層14維持處于激活位置。
[0039]在圖1中，大體圖解說明像素12的反射性質(zhì)，其中箭頭13指示入射于像素12上的光且光15從左側(cè)像素12反射。雖然未詳細(xì)地圖解說明，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，入射于像素12上的光13的大部分將穿過透明襯底20朝向光學(xué)堆疊16透射。入射于光學(xué)堆疊16上的光的一部分將透射穿過光學(xué)堆疊16的部分反射層，且一部分將往回反射穿過透明襯底20。光13的透射穿過光學(xué)堆疊16的部分將在可移動(dòng)反射層14處往回朝向(且穿過)透明襯底20反射。從光學(xué)堆疊16的部分反射層反射的光與從可移動(dòng)反射層14反射的光之間的干涉(相長(zhǎng)性或相消性)將確定從像素12反射的光15的波長(zhǎng)。
[0040]光學(xué)堆疊16可包括單個(gè)層或數(shù)個(gè)層。所述層可包括電極層、部分反射且部分透射層及透明電介質(zhì)層中的一者或一者以上。在一些實(shí)施方案中，光學(xué)堆疊16為導(dǎo)電、部分透明且部分反射的，且可(舉例來說)通過將以上層中的一者或一者以上沉積到透明襯底20上來制作。所述電極層可由多種材料形成，例如各種金屬，舉例來說，氧化銦錫(ITO)。所述部分反射層可由多種部分反射的材料形成，例如各種金屬，例如鉻(Cr)、半導(dǎo)體及電介質(zhì)。所述部分反射層可由一個(gè)或一個(gè)以上材料層形成，且所述層中的每一者可由單一材料或材料的組合形成。在一些實(shí)施方案中，光學(xué)堆疊16可包括單個(gè)半透明厚度的金屬或半導(dǎo)體，其充當(dāng)光學(xué)吸收器及導(dǎo)體兩者，同時(shí)(例如光學(xué)堆疊16或IMOD的其它結(jié)構(gòu)的)不同的更多導(dǎo)電層或部分可用于在IMOD像素之間運(yùn)送信號(hào)。光學(xué)堆疊16還可包括覆蓋一個(gè)或一個(gè)以上導(dǎo)電層或?qū)щ?吸收層的一個(gè)或一個(gè)以上絕緣或電介質(zhì)層。
[0041]在一些實(shí)施方案中，可將光學(xué)堆疊16的層圖案化成若干平行條帶，且其可在顯示裝置中形成行電極，如下文進(jìn)一步描述。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，術(shù)語“圖案化”在本文中用于指掩蔽以及蝕刻工藝。在一些實(shí)施方案中，可將高度導(dǎo)電且反射的材料(例如鋁(AL))用于可移動(dòng)反射層14，且這些條帶可在顯示裝置中形成列電極?？梢苿?dòng)反射層14可形成為用以形成沉積于柱18及在柱18之間沉積的介入犧牲材料的頂部上的列的一個(gè)或若干所沉積金屬層的一系列平行條帶(正交于光學(xué)堆疊16的行電極)。當(dāng)蝕刻掉所述犧牲材料時(shí)，可在可移動(dòng)反射層14與光學(xué)堆疊16之間形成經(jīng)界定間隙19或光學(xué)腔。在一些實(shí)施方案中，柱18之間的間隔可為約Ium到lOOOum，而間隙19可小于10.000埃(人)。
[0042]在一些實(shí)施方案中，所述MOD的每一像素(無論是處于激活狀態(tài)還是松弛狀態(tài))基本上均為由固定反射層及移動(dòng)反射層形成的電容器。當(dāng)不施加電壓時(shí)，可移動(dòng)反射層14保持處于機(jī)械松弛狀態(tài)，如圖1中左側(cè)的像素12所圖解說明，其中可移動(dòng)反射層14與光學(xué)堆疊16之間具有間隙19。然而，當(dāng)向選定行及列中的至少一者施加電位差(例如，電壓)時(shí)，在對(duì)應(yīng)像素處的行電極與列電極的相交點(diǎn)處形成的電容器變得被充電，且靜電力將所述電極拉在一起。如果所施加的電壓超過閾值，那么可移動(dòng)反射層14可變形且移動(dòng)而接近或抵靠光學(xué)堆疊16。光學(xué)堆疊16內(nèi)的電介質(zhì)層(未展示)可防止短路且控制層14與16之間的分離距離，如圖1中右側(cè)的經(jīng)激活像素12所圖解說明。不管所施加電位差的極性如何，行為均相同。雖然在一些實(shí)例中可將陣列中的一系列像素稱作“行”或“列”，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易理解，將一個(gè)方向稱作“行”且將另一方向稱作“列”是任意的。重申，在一些定向中，可將行視為列，且將列視為行。此外，顯示元件可均勻地布置成正交的行與列(“陣列”)，或布置成非線性配置，舉例來說，相對(duì)于彼此具有某些位置偏移(“鑲嵌塊”)。術(shù)語“陣列”及“鑲嵌塊”可指代任一配置。因此，雖然將顯示器稱作包括“陣列”或“鑲嵌塊”，但在任一實(shí)例中，元件本身不需要彼此正交地布置或安置成均勻分布，而是可包括具有不對(duì)稱形狀及不均勻分布元件的布置。
[0043]圖2展示圖解說明并入有3X3干涉式調(diào)制器顯示器的電子裝置的系統(tǒng)框圖的實(shí)例。所述電子裝置包括可經(jīng)配置以執(zhí)行一個(gè)或一個(gè)以上軟件模塊的處理器21。除執(zhí)行操作系統(tǒng)以外，處理器21還可經(jīng)配置以執(zhí)行一個(gè)或一個(gè)以上軟件應(yīng)用程序，包括web瀏覽器、電話應(yīng)用程序、電子郵件程序或任一其它軟件應(yīng)用程序。
[0044]處理器21可經(jīng)配置以與陣列驅(qū)動(dòng)器22通信。陣列驅(qū)動(dòng)器22可包括將信號(hào)提供到(例如)顯示陣列或面板30的行驅(qū)動(dòng)器電路24及列驅(qū)動(dòng)器電路26。圖2中的線1-1展示圖1中所圖解說明的頂OD顯示裝置的橫截面。雖然為清晰起見圖2圖解說明3X3IM0D陣列，但顯示陣列30可含有極大數(shù)目個(gè)MOD且可在列中具有與在行中不同數(shù)目的M0D，且反之亦然。
[0045]圖3展示圖解說明圖1的干涉式調(diào)制器的可移動(dòng)反射層位置對(duì)所施加電壓的圖的實(shí)例。對(duì)于MEMS干涉式調(diào)制器，行/列(即，共用/分段)寫入程序可利用圖3中所圖解說明的這些裝置的滯后性質(zhì)。干涉式調(diào)制器可需要(舉例來說)大約10伏電位差致使可移動(dòng)反射層或鏡從松弛狀態(tài)改變?yōu)榧せ顮顟B(tài)。當(dāng)電壓從所述值減小時(shí)，隨著電壓回降到低于(例如)10伏，所述可移動(dòng)反射層維持其狀態(tài)，然而，所述可移動(dòng)反射層不會(huì)完全松弛直到電壓下降到低于2伏為止。因此，如圖3中所展示，存在約3伏到7伏的電壓范圍，在所述電壓范圍內(nèi)存在所施加電壓窗，在所述窗內(nèi)，裝置穩(wěn)定在松弛狀態(tài)或激活狀態(tài)中。在本文中將此窗稱作“滯后窗”或“穩(wěn)定窗”。對(duì)于具有圖3的滯后特性的顯示陣列30，行/列寫入程序可經(jīng)設(shè)計(jì)以一次尋址一個(gè)或一個(gè)以上行，使得在對(duì)給定行的尋址期間使經(jīng)尋址行中待激活的像素暴露于大約10伏的電壓差，并使待松弛的像素暴露于接近零伏的電壓差。在尋址之后，使像素暴露于穩(wěn)定狀態(tài)或約5伏的偏置電壓差使得其保持在先前選通狀態(tài)中。在此實(shí)例中，在被尋址之后，每一像素經(jīng)歷在大約3伏到7伏的“穩(wěn)定窗”內(nèi)的電位差。此滯后性質(zhì)特征使得(例如)圖1中所圖解說明的像素設(shè)計(jì)能夠在相同所施加電壓條件下保持穩(wěn)定在激活狀態(tài)或松弛預(yù)存狀態(tài)中。由于每一 IMOD像素(無論是處于激活狀態(tài)還是松弛狀態(tài))基本上均為由固定反射層及移動(dòng)反射層形成的電容器，因此此穩(wěn)定狀態(tài)可保持在滯后窗內(nèi)的穩(wěn)定電壓下而實(shí)質(zhì)上不消耗或損失電力。此外，如果所施加的電壓電位保持實(shí)質(zhì)上固定，那么基本上有甚少或無電流流動(dòng)到MOD像素中。
[0046]在一些實(shí)施方案中，可通過根據(jù)給定行中的像素的狀態(tài)的所要改變(如果有的話)沿著所述組列電極以“分段”電壓的形式施加數(shù)據(jù)信號(hào)來形成圖像的幀?？梢来螌ぶ匪鲫嚵械拿恳恍?，使得一次一行地寫入所述幀。為了將所要數(shù)據(jù)寫入到第一行中的像素，可將對(duì)應(yīng)于所述第一行中的像素的所要狀態(tài)的分段電壓施加于列電極上，且可將呈特定“共用”電壓或信號(hào)形式的第一行脈沖施加到第一行電極。接著，可使所述組分段電壓改變?yōu)閷?duì)應(yīng)于第二行中的像素的狀態(tài)的所要改變(如果有的話)，且可將第二共用電壓施加到第二行電極。在一些實(shí)施方案中，第一行中的像素不受沿著列電極施加的分段電壓的改變影響，且保持于在第一共用電壓行脈沖期間其被設(shè)定到的狀態(tài)?？梢匝蚍绞结槍?duì)整個(gè)系列的行或替代地整個(gè)系列的列重復(fù)此過程，以產(chǎn)生圖像幀?？赏ㄟ^以每秒某一所要數(shù)目的幀不斷地重復(fù)此過程來尋址、刷新及/或用新的圖像數(shù)據(jù)更新所述幀。
[0047]跨越每一像素所施加的分段與共用信號(hào)的組合(即，跨越每一像素的電位差)確定了每一像素的所得狀態(tài)。圖4展示圖解說明當(dāng)施加各種共用電壓及分段電壓時(shí)干涉式調(diào)制器的各種狀態(tài)的表的實(shí)例。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易理解，可將“分段”電壓施加到列電極或行電極，且可將“共用”電壓施加到列電極或行電極中的另一者。
[0048]如在圖4中(以及在圖5B中所展示的時(shí)序圖中)所圖解說明，當(dāng)沿著共用線施加釋放電壓VC.時(shí)，沿著共用線的所有干涉式調(diào)制器元件將被置于松弛狀態(tài)(或者稱作釋放或未激活狀態(tài))中，而不管沿著分段線所施加的電壓(即，高分段電壓VSh及低分段電壓VSl)如何。特定來說，當(dāng)沿著共用線施加釋放電壓VC.時(shí)，在沿著所述像素的對(duì)應(yīng)分段線施加高分段電壓VSh及低分段電壓V&兩者時(shí)，跨越調(diào)制器的電位電壓(或者稱作像素電壓)在松弛窗(參見圖3，也稱作釋放窗)內(nèi)。
[0049]當(dāng)將保持電壓(例如高保持電壓VCmd H或低保持電壓VCmD J施加于共用線上時(shí)，干涉式調(diào)制器的狀態(tài)將保持恒定。舉例來說，松弛IMOD將保持處于松弛位置，且激活I(lǐng)MOD將保持處于激活位置。所述保持電壓可經(jīng)選擇使得在沿著對(duì)應(yīng)分段線施加高分段電壓VSh及低分段電壓V&兩者時(shí)，像素電壓將保持在穩(wěn)定窗內(nèi)。因此，分段電壓擺幅(即，高VSh與低分段電壓VSlj之間的差)小于正穩(wěn)定窗或負(fù)穩(wěn)定窗的寬度。
[0050]當(dāng)將尋址或激活電壓(例如高尋址電壓VCadd H或低尋址電壓VCadd J施加于共用線上時(shí)，可通過沿著相應(yīng)分段線施加分段電壓選擇性地將數(shù)據(jù)寫入到沿著所述線的調(diào)制器。所述分段電壓可經(jīng)選擇使得激活取決于所施加的分段電壓。當(dāng)沿著共用線施加尋址電壓時(shí)，施加一個(gè)分段電壓將導(dǎo)致穩(wěn)定窗內(nèi)的像素電壓，從而致使所述像素保持不被激活。相比之下，施加另一分段電壓將導(dǎo)致超出所述穩(wěn)定窗的像素電壓，從而導(dǎo)致所述像素的激活。致使激活的特定分段電壓可取決于使用了哪一尋址電壓而變化。在一些實(shí)施方案中，當(dāng)沿著共用線施加高尋址電壓VCadd H時(shí)，施加高分段電壓VSh可致使調(diào)制器保持處于其當(dāng)前位置，而施加低分段電壓可致使所述調(diào)制器激活。作為推論，當(dāng)施加低尋址電壓VCadU時(shí)，分段電壓的影響可為相反的，其中高分段電壓VSh致使所述調(diào)制器激活，且低分段電壓￥&對(duì)所述調(diào)制器的狀態(tài)無影響(即，保持穩(wěn)定)。
[0051]在一些實(shí)施方案中，可使用跨越調(diào)制器始終產(chǎn)生相同極性電位差的保持電壓、尋址電壓及分段電壓。在一些其它實(shí)施方案中，可使用使調(diào)制器的電位差的極性交替的信號(hào)。跨越調(diào)制器的極性的交替(即，寫入程序的極性的交替)可減少或抑制在單個(gè)極性的重復(fù)寫入操作之后可能發(fā)生的電荷積累。
[0052]圖5A展示圖解說明圖2的3X3干涉式調(diào)制器顯示器中的顯示數(shù)據(jù)幀的圖的實(shí)例。圖5B展示可用于寫入圖5A中所圖解說明的顯示數(shù)據(jù)幀的共用信號(hào)及分段信號(hào)的時(shí)序圖的實(shí)例?？蓪⑺鲂盘?hào)施加到(例如)圖2的3X3陣列，此將最終產(chǎn)生圖5A中所圖解說明的線時(shí)間60e的顯示布置。圖5A中的經(jīng)激活調(diào)制器處于暗狀態(tài)，即，其中反射光的實(shí)質(zhì)部分在可見光譜之外，以便給(例如)觀看者產(chǎn)生暗外觀。在寫入圖5A中所圖解說明的幀之前，所述像素可處于任一狀態(tài)，但圖5B的時(shí)序圖中所圖解說明的寫入程序假定在第一線時(shí)間60a之前每一調(diào)制器已被釋放且駐存于未激活狀態(tài)中。
[0053]在第一線時(shí)間60a期間:將釋放電壓70施加于共用線I上；施加于共用線2上的電壓以高保持電壓72開始且移動(dòng)到釋放電壓70 ;且沿著共用線3施加低保持電壓76。因此，沿著共用線I的調(diào)制器(共用1，分段I)、(1,2)及(1，3)在第一線時(shí)間60a的持續(xù)時(shí)間內(nèi)保持處于松弛或未激活狀態(tài)，沿著共用線2的調(diào)制器(2，I)、(2,2)及(2，3)將移動(dòng)到松弛狀態(tài)，且沿著共用線3的調(diào)制器(3，I)、(3,2)及(3，3)將保持處于其先前狀態(tài)。參考圖4，沿著分段線1、2及3施加的分段電壓將對(duì)干涉式調(diào)制器的狀態(tài)無影響，因?yàn)樵诰€時(shí)間60a期間，共用線1、2或3中的 任一者均未暴露于致使激活的電壓電平(即，VCeel-松弛及VChold l-穩(wěn)定)。
[0054]在第二線時(shí)間60b期間，共用線I上的電壓移動(dòng)到高保持電壓72，且由于未將尋址或激活電壓施加于共用線I上，因此不管所施加的分段電壓如何，沿著共用線I的所有調(diào)制器均保持處于松弛狀態(tài)。沿著共用線2的調(diào)制器因釋放電壓70的施加而保持處于松弛狀態(tài)，且當(dāng)沿著共用線3的電壓移動(dòng)到釋放電壓70時(shí)，沿著共用線3的調(diào)制器(3，I)、(3,2)? (3,3)將松弛。
[0055]在第三線時(shí)間60c期間，通過將高尋址電壓74施加于共用線I上來尋址共用線
I。由于在施加此尋址電壓期間沿著分段線I及2施加低分段電壓64，因此跨越調(diào)制器(1，I)及(1，2)的像素電壓大于調(diào)制器的正穩(wěn)定窗的高端(即，電壓差超過預(yù)定義閾值)，且激活調(diào)制器(1，1)及(1，2)。相反地，由于沿著分段線3施加高分段電壓62，因此跨越調(diào)制器(1,3)的像素電壓小于調(diào)制器(1，1)及(1，2)的像素電壓，且保持在所述調(diào)制器的正穩(wěn)定窗內(nèi)；調(diào)制器(1，3)因此保持松弛。此外，在線時(shí)間60c期間，沿著共用線2的電壓減小到低保持電壓76，且沿著共用線3的電壓保持處于釋放電壓70，從而使沿著共用線2及3的調(diào)制器處于松弛位置。
[0056]在第四線時(shí)間60d期間，共用線I上的電壓返回到高保持電壓72，從而使沿著共用線I上的調(diào)制器處于其相應(yīng)經(jīng)尋址狀態(tài)。將共用線2上的電壓減小到低尋址電壓78。由于沿著分段線2施加高分段電壓62，因此跨越調(diào)制器(2，2)的像素電壓低于所述調(diào)制器的負(fù)穩(wěn)定窗的較低端，從而致使調(diào)制器(2，2)激活。相反地，由于沿著分段線I及3施加低分段電壓64，因此調(diào)制器(2，I)及(2，3)保持處于松弛位置。共用線3上的電壓增加到高保持電壓72，從而使沿著共用線3的調(diào)制器處于松弛狀態(tài)中。
[0057]最后，在第五線時(shí)間60e期間，共用線I上的電壓保持處于高保持電壓72，且共用線2上的電壓保持處于低保持電壓76，從而使沿著共用線I及2的調(diào)制器處于其相應(yīng)經(jīng)尋址狀態(tài)。共用線3上的電壓增加到高尋址電壓74以尋址沿著共用線3的調(diào)制器。在將低分段電壓64施加于分段線2及3上時(shí)，調(diào)制器(3，2)及(3，3)激活，而沿著分段線I所施加的高分段電壓62致使調(diào)制器(3，I)保持處于松弛位置。因此，在第五線時(shí)間60e結(jié)束時(shí)，3X3像素陣列處于圖5A中所展示的狀態(tài)，且只要沿著共用線施加保持電壓就將保持處于所述狀態(tài)，而不管可能在正尋址沿著其它共用線(未展示)的調(diào)制器時(shí)發(fā)生的分段電壓的變化如何。
[0058]在圖5B的時(shí)序圖中，給定寫入程序(B卩，線時(shí)間60a到60e)可包括高保持及尋址電壓或低保持及尋址電壓的使用。一旦已針對(duì)給定共用線完成寫入程序(且將共用電壓設(shè)定為具有與激活電壓相同的極性的保持電壓)，所述像素電壓便保持在給定穩(wěn)定窗內(nèi)，且不通過松弛窗，直到將釋放電壓施加于所述共用線上為止。此外，由于每一調(diào)制器是在尋址所述調(diào)制器之前作為寫入程序的一部分而釋放，因此調(diào)制器的激活時(shí)間而非釋放時(shí)間可確定必需的線時(shí)間。具體來說，在其中調(diào)制器的釋放時(shí)間大于激活時(shí)間的實(shí)施方案中，可將釋放電壓施加達(dá)長(zhǎng)于單個(gè)線時(shí)間，如在圖5B中所描繪。在一些其它實(shí)施方案中，沿著共用線或分段線所施加的電壓可變化以考慮到不同調(diào)制器(例如不同色彩的調(diào)制器)的激活及釋放電壓的變化。
[0059]根據(jù)上文所闡明的原理操作的干涉式調(diào)制器的結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)可廣泛變化。舉例來說，圖6A到6E展示包括可移動(dòng)反射層14及其支撐結(jié)構(gòu)的干涉式調(diào)制器的不同實(shí)施方案的橫截面的實(shí)例。圖6A展示圖1的干涉式調(diào)制器顯示器的部分橫截面的實(shí)例，其中金屬材料條帶(即，可移動(dòng)反射層14)沉積于從襯底20正交延伸的支撐件18上。在圖6B中，每一IMOD的可移動(dòng)反射層14的形狀為大體正方形或矩形且在拐角處或接近拐角處經(jīng)由系鏈32附接到支撐件。在圖6C中，可移動(dòng)反射層14的形狀為大體正方形或矩形且懸掛于可變形層34上，可變形層34可包括柔性金屬?？勺冃螌?4可圍繞可移動(dòng)反射層14的周界直接或間接地連接到襯底20。這些連接在本文中稱作支撐柱。圖6C中所展示的實(shí)施方案具有源于可移動(dòng)反射層14的光學(xué)功能與其機(jī)械功能(其由可變形層34來實(shí)施)解耦合的額外益處。此解耦合允許用于反射層14的結(jié)構(gòu)設(shè)考慮到材料與用于可變形層34的結(jié)構(gòu)設(shè)考慮到材料彼此獨(dú)立地進(jìn)行優(yōu)化。
[0060]圖6D展示MOD的另一實(shí)例,其中可移動(dòng)反射層14包括反射子層14a。可移動(dòng)反射層14靠在支撐結(jié)構(gòu)(例如，支撐柱18)上。支撐柱18提供可移動(dòng)反射層14與下部固定電極(即，所圖解說明的IMOD中的光學(xué)堆疊16的一部分)的分離，使得(舉例來說)當(dāng)可移動(dòng)反射層14處于松弛位置時(shí)，在可移動(dòng)反射層14與光學(xué)堆疊16之間形成間隙19?？梢苿?dòng)反射層14還可包括可經(jīng)配置以充當(dāng)電極的導(dǎo)電層14c及支撐層14b。在此實(shí)例中，導(dǎo)電層14c安置于支撐層14b的遠(yuǎn)離襯底20的一側(cè)上，且反射子層14a安置于支撐層14b的接近于襯底20的另一側(cè)上。在一些實(shí)施方案中，反射子層14a可為導(dǎo)電的且可安置于支撐層14b與光學(xué)堆疊16之間。支撐層14b可包括電介質(zhì)材料(舉例來說，氧氮化硅(SiON)或二氧化硅(SiO2))的一個(gè)或一個(gè)以上層。在一些實(shí)施方案中，支撐層14b可為若干層的堆疊，例如，SiO2 / SiON / SiO2三層堆疊。反射子層14a及導(dǎo)電層14c中的任一者或兩者可包括(例如)具有大約0.5%銅(Cu)的鋁(Al)合金或另一反射金屬材料。在電介質(zhì)支撐層14b上面及下面采用導(dǎo)體層14a、14c可平衡應(yīng)力且提供增強(qiáng)的傳導(dǎo)性。在一些實(shí)施方案中，可出于多種設(shè)計(jì)目的(例如實(shí)現(xiàn)可移動(dòng)反射層14內(nèi)的特定應(yīng)力分布曲線)而由不同材料形成反射子層14a及導(dǎo)電層14c。
[0061]如在圖6D中所圖解說明，一些實(shí)施方案還可包括黑色掩模結(jié)構(gòu)23。黑色掩模結(jié)構(gòu)23可形成于光學(xué)非作用區(qū)(例如在像素之間或在柱18下方)中以吸收環(huán)境光或雜散光。黑色掩模結(jié)構(gòu)23還可通過抑制光從顯示裝置的非作用部分反射或透射穿過所述部分借此增加對(duì)比度來改進(jìn)所述顯示器的光學(xué)性質(zhì)。另外，黑色掩模結(jié)構(gòu)23可為導(dǎo)電的且經(jīng)配置以充當(dāng)電運(yùn)送層。在一些實(shí)施方案中，可將行電極連接到黑色掩模結(jié)構(gòu)23以減小所連接行電極的電阻?？墒褂冒ǔ练e及圖案化技術(shù)的多種方法來形成黑色掩模結(jié)構(gòu)23。黑色掩模結(jié)構(gòu)23可包括一個(gè)或一個(gè)以上層。舉例來說，在一些實(shí)施方案中，黑色掩模結(jié)構(gòu)23包括充當(dāng)光學(xué)吸收器的鑰-鉻(MoCr)層、SiO2層及充當(dāng)反射器及運(yùn)送層的鋁合金，其分別具有在
大約30 A到80 A > 500 A到i000 A及500 A到6000 A的范圍中的厚度?？墒褂枚喾N技術(shù)
來圖案化所述一個(gè)或一個(gè)以上層，包括光刻及干蝕刻，舉例來說，所述干蝕刻包括用于MoCr及SiO2層的四氟化碳(CF4)及/或氧氣(O2)以及用于鋁合金層的氯氣(Cl2)及/或三氯化硼(BCl3)。在一些實(shí)施方案中，黑色掩模23可為標(biāo)準(zhǔn)具或干涉式堆疊結(jié)構(gòu)。在此些干涉式堆疊黑色掩模結(jié)構(gòu)23中，導(dǎo)電吸收器可用于在每一行或列的光學(xué)堆疊16中的下部固定電極之間傳輸或運(yùn)送信號(hào)。在一些實(shí)施方案中，間隔件層35可用于將吸收器層16a與黑色掩模23中的導(dǎo)電層大體電隔離。
[0062]圖6E展示MOD的另一實(shí)例，其中可移動(dòng)反射層14為自支撐的。與圖6D相比，圖6E的實(shí)施方案不包括支撐柱18。而是，可移動(dòng)反射層14在多個(gè)位置處接觸下伏光學(xué)堆疊16，且可移動(dòng)反射層14的曲率提供足夠的支撐使得可移動(dòng)反射層14在跨越干涉式調(diào)制器的電壓不足以致使激活時(shí)返回到圖6E的未激活位置。為清晰所見，此處將可含有多個(gè)數(shù)種不同層的光學(xué)堆疊16展示為包括光學(xué)吸收器16a及電介質(zhì)16b。在一些實(shí)施方案中，光學(xué)吸收器16a可充當(dāng)固定電極及部分反射層兩者。
[0063]在例如圖6A到6E中所展示的實(shí)施方案的實(shí)施方案中，MOD充當(dāng)直視裝置，其中從透明襯底20的前側(cè)(即，與其上布置有調(diào)制器的側(cè)相對(duì)的側(cè))觀看圖像。在這些實(shí)施方案中，可對(duì)所述裝置的背面部分(即，所述顯示裝置的在可移動(dòng)反射層14后面的任一部分，舉例來說，包括圖6C中所圖解說明的可變形層34)進(jìn)行配置及操作而不影響或負(fù)面地影響顯示裝置的圖像質(zhì)量，因?yàn)榉瓷鋵?4光學(xué)屏蔽所述裝置的所述部分。舉例來說，在一些實(shí)施方案中，可在可移動(dòng)反射層14后面包括總線結(jié)構(gòu)(未圖解說明)，其提供將調(diào)制器的光學(xué)性質(zhì)與調(diào)制器的機(jī)電性質(zhì)(例如電壓尋址及由此尋址產(chǎn)生的移動(dòng))分離的能力。另外，圖6A到6E的實(shí)施方案可簡(jiǎn)化處理(例如，圖案化)。
[0064]圖7展示圖解說明用于干涉式調(diào)制器的制造工藝80的流程圖的實(shí)例，且圖8A到SE展示此制造工藝80的對(duì)應(yīng)階段的橫截面示意性圖解的實(shí)例。在一些實(shí)施方案中，除圖7中未展示的其它框以外，制造工藝80還可經(jīng)實(shí)施以制造(例如)圖1及6中所圖解說明的一股類型的干涉式調(diào)制器。參考圖1、6及7，工藝80在框82處開始，其中在襯底20上方形成光學(xué)堆疊16。圖8A圖解說明在襯底20上方形成的此光學(xué)堆疊16。襯底20可為透明襯底(例如玻璃或塑料)，其可為柔性的或相對(duì)剛性且不易彎曲的，且可能已經(jīng)受先前準(zhǔn)備工藝，例如，用以促進(jìn)有效地形成光學(xué)堆疊16的清潔。如上文所論述，光學(xué)堆疊16可為導(dǎo)電、部分透明且部分反射的且可(舉例來說)通過將具有所要性質(zhì)的一個(gè)或一個(gè)以上層沉積到透明襯底20上來制作。在圖8A中，光學(xué)堆疊16包括具有子層16a及16b的多層結(jié)構(gòu)，但在一些其它實(shí)施方案中可包括更多或更少的子層。在一些實(shí)施方案中，子層16a、16b中的一者可經(jīng)配置而具有光學(xué)吸收及導(dǎo)電性質(zhì)兩者，例如組合式導(dǎo)體/吸收器子層16a。另外，可將子層16a、16b中的一者或一者以上圖案化成若干平行條帶，且其可在顯示裝置中形成行電極?？赏ㄟ^掩蔽及蝕刻工藝或此項(xiàng)技術(shù)中已知的另一適合工藝來執(zhí)行此圖案化。在一些實(shí)施方案中，子層16a、16b中的一者可為絕緣或電介質(zhì)層，例如沉積于一個(gè)或一個(gè)以上金屬層(例如，一個(gè)或一個(gè)以上反射及/或?qū)щ妼?上方的子層16b。另外，可將光學(xué)堆疊16圖案化成形成顯示器的行的個(gè)別且平行條帶。
[0065]工藝80在框84處繼續(xù)在光學(xué)堆疊16上方形成犧牲層25。稍后移除犧牲層25 (例如，在框90處)以形成腔19且因此在圖1中所圖解說明的所得干涉式調(diào)制器12中未展示犧牲層25。圖SB圖解說明包括形成于光學(xué)堆疊16上方的犧牲層25的經(jīng)部分制作的裝置。在光學(xué)堆疊16上方形成犧牲層25可包括以經(jīng)選擇以在隨后移除之后提供具有所要設(shè)計(jì)大小的間隙或腔19 (還參見圖1及SE)的厚度沉積二氟化氙(XeF2)可蝕刻材料，例如鑰(Mo)或非晶硅(Si)?？墒褂美缥锢須庀喑练e(PVD，例如，濺鍍)、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、熱化學(xué)氣相沉積(熱CVD)或旋涂等沉積技術(shù)來實(shí)施犧牲材料的沉積。
[0066]工藝80在框86處繼續(xù)形成支撐結(jié)構(gòu)，例如，如圖1、6及8C中所圖解說明的柱
18。形成柱18可包括以下步驟:圖案化犧牲層25以形成支撐結(jié)構(gòu)孔口，接著使用例如PVD、PECVD、熱CVD或旋涂等沉積方法將材料(例如，聚合物或無機(jī)材料，例如二氧化硅)沉積到所述孔口中以形成柱18。在一些實(shí)施方案中，形成于犧牲層中的支撐結(jié)構(gòu)孔口可延伸穿過犧牲層25及光學(xué)堆疊16兩者而到達(dá)下伏襯底20，使得柱18的下部端接觸襯底20，如在圖6A中所圖解說明?；蛘?，如在圖SC中所描繪，形成于犧牲層25中的孔口可延伸穿過犧牲層25，但不穿過光學(xué)堆疊16。舉例來說，圖SE圖解說明支撐柱18的下部端與光學(xué)堆疊16的上部表面接觸?？赏ㄟ^將支撐結(jié)構(gòu)材料層沉積于犧牲層25上方并圖案化支撐結(jié)構(gòu)材料的位于遠(yuǎn)離犧牲層25中的孔口的部分來形成柱18或其它支撐結(jié)構(gòu)。所述支撐結(jié)構(gòu)可位于所述孔口內(nèi)，如在圖8C中所圖解說明，但還可至少部分地延伸到犧牲層25的一部分上方。如上文所提及，犧牲層25及/或支撐柱18的圖案化可通過圖案化及蝕刻工藝來執(zhí)行，但也可通過替代蝕刻方法來執(zhí)行。
[0067]工藝80在框88處繼續(xù)形成可移動(dòng)反射層或膜，例如圖1、6及8D中所圖解說明的可移動(dòng)反射層14。可通過采用一個(gè)或一個(gè)以上沉積步驟(例如，反射層(例如，鋁、鋁合金)沉積)連同一個(gè)或一個(gè)以上圖案化、掩蔽及/或蝕刻步驟來形成可移動(dòng)反射層14?？梢苿?dòng)反射層14可為導(dǎo)電的且稱作導(dǎo)電層。在一些實(shí)施方案中，可移動(dòng)反射層14可包括如圖8D中所展示的多個(gè)子層14a、14b、14c。在一些實(shí)施方案中，所述子層中的一者或一者以上(例如子層14a、14c)可包括針對(duì)其光學(xué)性質(zhì)選擇的高度反射子層，且另一子層14b可包括針對(duì)其機(jī)械性質(zhì)選擇的機(jī)械子層。由于犧牲層25仍存在于在框88處形成的經(jīng)部分制作的干涉式調(diào)制器中，因此可移動(dòng)反射層14在此階段處通常不可移動(dòng)。在本文中還可將含有犧牲層25的經(jīng)部分制作的MOD稱作“未釋放”頂0D。如上文結(jié)合圖1所描述，可將可移動(dòng)反射層14圖案化成形成顯示器的列的個(gè)別且平行條帶。
[0068]工藝80在框90處繼續(xù)形成腔(例如，如圖1、6及8E中所圖解說明的腔19)。可通過將犧牲材料25 (在框84處沉積)暴露于蝕刻劑來形成腔19。舉例來說，可通過干化學(xué)蝕刻(例如，通過將犧牲層25暴露于氣態(tài)或蒸氣蝕刻劑，例如衍生自固體XeF2的蒸氣)達(dá)有效地移除所要的材料量(通常相對(duì)于環(huán)繞腔19的結(jié)構(gòu)選擇性地移除)的時(shí)間周期來移除可蝕刻犧牲材料，例如Mo或非晶Si。還可使用其它蝕刻方法，例如，濕蝕刻及/或等離子蝕刻。由于在框90期間移除了犧牲層25，因此可移動(dòng)反射層14在此階段之后通?？梢苿?dòng)。在移除犧牲層25之后，在本文中可將所得的經(jīng)完全或部分制作的MOD稱作“經(jīng)釋放”頂0D。
[0069]如上文所論述，觸摸感測(cè)顯示裝置可包括可安置于一個(gè)或一個(gè)以上顯示器上方的感測(cè)裝置，舉例來說，參考圖1到8E所描述的干涉式調(diào)制器。在一些實(shí)施方案中，觸摸感測(cè)裝置可安置于一個(gè)或一個(gè)以上MEMS裝置、干涉式調(diào)制器裝置、反射顯示裝置及/或其它顯示裝置的至少一部分上方。觸摸感測(cè)裝置的性能可受到由與所述感測(cè)裝置相關(guān)聯(lián)的經(jīng)尋址顯示器產(chǎn)生的電干擾的不利影響。另外，顯示器的尋址可至少部分地基于由感測(cè)裝置接收的觸摸輸入。本文中所揭示的觸摸感測(cè)顯示裝置可包括自適應(yīng)感測(cè)架構(gòu)及/或自適應(yīng)尋址架構(gòu)。如下文進(jìn)一步詳細(xì)地論述，通過至少部分地基于由感測(cè)電路提供到尋址電路的觸摸輸入而尋址顯示器，自適應(yīng)尋址架構(gòu)可限制電力耗散且可限制電干擾。另外，自適應(yīng)感測(cè)架構(gòu)可通過至少部分地基于由尋址電路提供到感測(cè)電路的尋址特性進(jìn)行感測(cè)及/或通過至少部分地基于顯示裝置的電干擾特性進(jìn)行感測(cè)來改進(jìn)感測(cè)性能。
[0070]圖9A展示具有用于檢測(cè)導(dǎo)電物體在傳感器陣列上方的存在的多個(gè)導(dǎo)電行及列的實(shí)例性感測(cè)裝置的俯視側(cè)視圖。雖然可將本文中所揭示的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的一些導(dǎo)電結(jié)構(gòu)稱作“行”或“列”，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易理解將一個(gè)方向稱作“行”且將另一方向稱作“列”是任意的。重申，在一些定向中，可將行視為列，且將列視為行。此外，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可均勻地布置成正交的行與列(“陣列”)，或布置成非線性配置，舉例來說，相對(duì)于彼此具有某些位置偏移(“鑲嵌塊”)。因此，在任一實(shí)例中，稱作行及列的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)無需彼此正交地布置，或以均勻分布安置，而是可包括具有不對(duì)稱形狀及不均勻分布的元件的布置。
[0071]感測(cè)裝置900a可經(jīng)配置以確定導(dǎo)電物體(舉例來說，用戶的手指或手寫筆)相對(duì)于感測(cè)裝置900a的位置且將此位置提供到外部電路(舉例來說，尋址電路)、計(jì)算機(jī)或其它電子裝置。在一個(gè)實(shí)施方案中，感測(cè)裝置900a可安置于下伏反射式顯示器(未展示)(舉例來說，干涉式顯示器)上方。在此實(shí)施方案中，觀看者可通過感測(cè)裝置900a的傳感器區(qū)908a觀察下伏反射式顯示器的至少一部分。
[0072]感測(cè)裝置900a可包括實(shí)質(zhì)上透明的覆蓋襯底902a，覆蓋襯底902a具有安置于覆蓋襯底902a下方的一組導(dǎo)電行906a及一組導(dǎo)電列904a。為清晰起見，圖9A中未展不所述組導(dǎo)電行906a及所述組導(dǎo)電列906a的細(xì)節(jié)。覆蓋襯底902a可包括絕緣材料，舉例來說，玻璃。導(dǎo)電行906a及導(dǎo)電列904a界定傳感器區(qū)908a內(nèi)的傳感器陣列920a。導(dǎo)電行906a及導(dǎo)電列904a通過導(dǎo)電引線912a、914a電耦合到感測(cè)電路910a。
[0073]在一些實(shí)施方案中，感測(cè)電路910a將脈沖信號(hào)周期性地施加到個(gè)別導(dǎo)電行906a及導(dǎo)電列904a且檢測(cè)單獨(dú)導(dǎo)電行906a與導(dǎo)電列904a之間及/或?qū)щ娦谢蛄信c任意接地之間的電容。感測(cè)電路910a可包括硬件及/或可編程邏輯。導(dǎo)電行與導(dǎo)電列之間的電容可稱作“互電容”且導(dǎo)電行或列與任意接地之間的電容可稱作“自電容”。接近導(dǎo)電行906a與導(dǎo)電列904a之間的重疊定位導(dǎo)電物體改變局部靜電場(chǎng)，這減少導(dǎo)電行906a與導(dǎo)電列904a之間的互電容。感測(cè)電路910a可通過周期性地檢測(cè)導(dǎo)電行906a與導(dǎo)電列904a的互電容及/或自電容且比較從默認(rèn)條件的電容改變來檢測(cè)接近于傳感器區(qū)908a的區(qū)域而定位(例如，觸摸或接近而安置)的導(dǎo)電物體的存在。因此，可改變接近一個(gè)或一個(gè)以上行906a及列904a的局部靜電場(chǎng)的其它因素(舉例來說，由另一電路(例如，下伏顯示器)產(chǎn)生的電干擾)可影響感測(cè)電路910a的感測(cè)性能?；趯?dǎo)電行906a及導(dǎo)電列904a的幾何形狀的圖案化，可確定導(dǎo)電物體相對(duì)于感測(cè)裝置900a的位置。此所感測(cè)的位置可由感測(cè)電路910a提供到控制下伏反射式顯示器的外部電路，舉例來說，提供到尋址電路。如參考圖1lA到IlD所論述，尋址電路可至少部分地基于由感測(cè)電路提供到尋址電路的所感測(cè)位置而調(diào)整下伏顯示裝置的尋址特性。
[0074]圖9B展示圖解說明操作感測(cè)裝置的實(shí)例性方法的流程圖?？墒褂梅椒?30來操作各個(gè)感測(cè)裝置，舉例來說，圖9A的感測(cè)裝置900a。如框932處所展示，可提供彼此間隔開的導(dǎo)電行及列以在傳感器區(qū)內(nèi)形成傳感器陣列。如上文所論述，所述傳感器區(qū)可安置于下伏顯示器(舉例來說，反射式顯示器)上方。如框934處所展示，可由外部感測(cè)電路將信號(hào)提供到每一導(dǎo)電行及列且可隨時(shí)間測(cè)量每一行及列的電容變化，如框936處所展示。感測(cè)電路可比較鄰近行與鄰近列之間的時(shí)間電容變化，如框938處所展示。每一行可與傳感器區(qū)上的坐標(biāo)位置(例如，垂直位置)相關(guān)聯(lián)且每一列可與傳感器區(qū)上的另一坐標(biāo)位置(例如，水平位置)相關(guān)聯(lián)，使得使用經(jīng)比較的電容變化來確定導(dǎo)電物體在傳感器區(qū)上方的二維輸入位置(例如，水平-垂直坐標(biāo)位置)，如框940處所展示。
[0075]圖9C展示觸摸感測(cè)顯示裝置的實(shí)例。觸摸感測(cè)顯示裝置950c可包括感測(cè)裝置900c及安置于感測(cè)裝置900c的至少一部分下方的顯示裝置960c。顯示裝置960c可包括類似于上文參考圖2所論述的顯示器的干涉式調(diào)制器顯示器。顯示裝置960c可包括可經(jīng)配置以尋址多個(gè)顯示行966c及多個(gè)顯示列964c的尋址電路962c。在一些實(shí)施方案中，尋址電路962c可包括通過導(dǎo)電引線970c將信號(hào)提供到多個(gè)顯示行966c的行驅(qū)動(dòng)器電路。在一些實(shí)施方案中，尋址電路962c還可包括通過導(dǎo)電引線972c將信號(hào)提供到多個(gè)顯示列964c的列驅(qū)動(dòng)器電路。如上文所論述，尋址多個(gè)顯示行966c及/或多個(gè)顯示列964c可形成可影響感測(cè)裝置900c的性能的電干擾。
[0076]類似于上文參考圖9A所論述的感測(cè)裝置900a，圖9C中的感測(cè)裝置900c可包括實(shí)質(zhì)上透明的覆蓋襯底902c，覆蓋襯底902c具有安置于覆蓋襯底902c下方的一組導(dǎo)電行906c及一組導(dǎo)電列904c。導(dǎo)電行906c及導(dǎo)電列904c可界定傳感器區(qū)908c內(nèi)的傳感器陣列920c。導(dǎo)電行906c及導(dǎo)電列904c可通過導(dǎo)電引線912c、914c電耦合到感測(cè)電路910c。
[0077]感測(cè)電路910c可將脈沖信號(hào)周期性地施加到個(gè)別導(dǎo)電行906c及導(dǎo)電列904c且檢測(cè)單獨(dú)導(dǎo)電行906c與導(dǎo)電列904c之間及/或?qū)щ娦谢蛄信c任意接地之間的電容?？筛鶕?jù)一個(gè)或一個(gè)以上感測(cè)特性(舉例來說，信噪比、敏感度閾值、開始/停止時(shí)間、部分掃描、到感測(cè)電路的輸入波形的電壓、感測(cè)波形的電流驅(qū)動(dòng)、頻率及施加到所接收感測(cè)信號(hào)的濾波的類型及量)將脈沖信號(hào)施加到導(dǎo)電行906c及導(dǎo)電列904c。
[0078]接近導(dǎo)電行906c與導(dǎo)電列904c之間的重疊定位導(dǎo)電物體可改變局部靜電場(chǎng)，這可減少導(dǎo)電行906c與導(dǎo)電列904c之間的互電容。感測(cè)電路910c可通過周期性地檢測(cè)導(dǎo)電行906c與導(dǎo)電列904c的互電容及/或自電容且比較從默認(rèn)條件的電容改變來檢測(cè)接近于傳感器區(qū)908c的區(qū)域而定位(例如，觸摸或接近而安置)的導(dǎo)電物體的存在。然而，由下伏顯示裝置960c產(chǎn)生的電干擾可影響感測(cè)裝置900c的敏感度。因此，如下文參考圖12A到12C所論述，可調(diào)整感測(cè)裝置900c的感測(cè)特性以考慮到在尋址電路962c尋址多個(gè)顯示行966c及多個(gè)顯示列964c時(shí)由顯示裝置960c產(chǎn)生的電干擾。
[0079]圖1OA及IOB展示感測(cè)裝置的兩個(gè)實(shí)例性實(shí)施方案的橫截面。圖1OA展示顯示裝置IOOOa的橫截面，顯示裝置IOOOa包括安置于下伏干涉式顯示器1070a上方的感測(cè)裝置IOOla0如上文所論述，感測(cè)裝置可安置于其它類型的顯示器及/或并非顯示器的物體上方。在一些實(shí)施方案中，感測(cè)裝置可與不安置于感測(cè)裝置下方的顯示裝置相關(guān)聯(lián)。舉例來說，感測(cè)裝置可與鄰近所述感測(cè)裝置而安置的顯示裝置相關(guān)聯(lián)。
[0080]感測(cè)裝置IOOla可包括安置于第一側(cè)上的覆蓋層1002a及安置于相對(duì)側(cè)上的絕緣層1082a。在一些實(shí)施方案中，覆蓋層1002a可經(jīng)配置以保護(hù)安置于覆蓋層1002a下面的組件且可具有在0.02mm與1.5mm之間的厚度。在其它實(shí)施方案中，覆蓋層1002a可具有小于20μπι且薄至約0.5μπι的厚度。在一些實(shí)施方案中，絕緣層1082a可包括任何非導(dǎo)電材料且可經(jīng)配置以將感測(cè)裝置IOOla與下伏干涉式顯示器1070a電隔離。
[0081]感測(cè)裝置IOOla還可包括大體平行于X軸(在圖中展示為左到右)延伸的導(dǎo)電行1006a及大體垂直于導(dǎo)電行1006a且大體平行于y軸(展不為進(jìn)出所述圖的平面)延伸的一組導(dǎo)電列1004a。導(dǎo)電列1004a及導(dǎo)電行1006a可形成傳感器陣列1005a,傳感器陣列1005a可與一個(gè)或一個(gè)以上感測(cè)電路(未展示)電耦合以形成如上文所論述的感測(cè)裝置。穿過絕緣層及跨接或穿接分段(未展示)的電通孔允許導(dǎo)電列1004a或?qū)щ娦?006a的部分分別電連接到導(dǎo)電列1004a或?qū)щ娦?006a的其它部分，同時(shí)避免鄰近或重疊的導(dǎo)電行1006a與導(dǎo)電列1004a之間的電短路。
[0082]仍參考圖10A，干涉式顯示器1070a可安置于傳感器陣列1005a下方使得入射于顯示裝置IOOOa上的光通過傳感器陣列1005a而朝向干涉式顯示器1070a。干涉式顯示器1070a可包括吸收器層1016a(例如，部分反射且部分透射層)及通過一個(gè)或一個(gè)以上柱1018a從吸收器層1016a偏移的可移動(dòng)反射器層1014a。一個(gè)或一個(gè)以上光學(xué)共振腔1019a可安置于吸收器層1016a與可移動(dòng)反射器層1014a之間。如上文所論述，關(guān)于參考圖1到SE中的一些圖所描述的可移動(dòng)反射層，可在至少兩個(gè)狀態(tài)之間驅(qū)動(dòng)可移動(dòng)反射器層1014a以改變從顯示裝置IOOOa反射的光的波長(zhǎng)。因此，尋址電路可通過在第一狀態(tài)與第二狀態(tài)之間驅(qū)動(dòng)可移動(dòng)反射器層1014a來尋址干涉式顯示器1070a。
[0083]圖1OB示意性地圖解說明顯示裝置IOOOb的另一實(shí)施方案，顯示裝置IOOOb并入有安置于下伏干涉式顯示器1070b上方的感測(cè)裝置1001b。在此實(shí)施方案中，傳感器陣列1005b可包括安置于一組導(dǎo)電行1006b與一組導(dǎo)電列1004b之間的第二絕緣層1084b。第一絕緣層1082b及第二絕緣層1084b可包括經(jīng)配置以將導(dǎo)電行1006b及導(dǎo)電列1004b彼此隔離且使其與吸收器層1016b隔離的任何絕緣或電介質(zhì)材料。第一絕緣層1082b及第二絕緣層1084b可為光學(xué)透明的以允許光通過其而不顯著吸收。另外，第一絕緣層1082b及第二絕緣層1084b的折射率可經(jīng)選擇以抑制通過其的光的反射。舉例來說，絕緣層1082b、1084b可與直接安置于這些層上面或下面的材料折射率匹配。此外，在一些實(shí)施方案中，任選抗反射層可安置于絕緣層1082b、1084b上面及/或下面。此些抗反射層可由厚度為波長(zhǎng)的四分之一、折射率等于直接在抗反射層上面及下面的材料的反射率的乘積的根的材料層形成。在一些實(shí)施方案中，絕緣層1082b、1084b及/或任選抗反射層可具有在從1.30到1.60的范圍中的折射率。
[0084]圖1lA到IlD展示包括自適應(yīng)尋址架構(gòu)的觸摸感測(cè)顯示裝置的實(shí)例。觸摸感測(cè)顯示裝置1100可包括可至少部分地安置于顯示裝置(舉例來說，干涉式調(diào)制器)上方的傳感器區(qū)1108。如圖1lA中所展示，觸摸感測(cè)顯示裝置1100可經(jīng)配置以感測(cè)導(dǎo)電物體(舉例來說，手指1102)的觸摸輸入的區(qū)域1110。包括于觸摸感測(cè)顯示裝置1100中的感測(cè)裝置可包括一個(gè)或一個(gè)以上導(dǎo)電行1106及一個(gè)或一個(gè)以上導(dǎo)電列1104。為清晰起見，圖1lA及IlB圖解說明單一導(dǎo)電行1106及單一導(dǎo)電列1104。
[0085]如上文參考圖9A及9C所論述，感測(cè)電路可周期性地將脈沖信號(hào)施加到個(gè)別導(dǎo)電行1106及導(dǎo)電列1104以檢測(cè)單獨(dú)導(dǎo)電行1106與導(dǎo)電列1104之間及/或?qū)щ娦谢蛄信c任意接地之間的電容。接近導(dǎo)電行1106與導(dǎo)電列1104之間的重疊定位手指1102可改變局部靜電場(chǎng)，這減少導(dǎo)電行1106與導(dǎo)電列1104之間的互電容。感測(cè)電路可通過周期性地檢測(cè)導(dǎo)電行1106與導(dǎo)電列1104的互電容及/或自電容且比較從默認(rèn)條件的電容改變來檢測(cè)接近于傳感器區(qū)1108的區(qū)域1110而定位(例如，觸摸或接近而安置)的手指1102的存在。在觸摸感測(cè)顯示裝置的一些實(shí)施方案中，可使用觸摸輸入與嵌入式軟件交互。舉例來說，可使用觸摸輸入來操縱光標(biāo)元件以在軟件中導(dǎo)覽及/或顯示手寫文本及/或?qū)⑹謱懳谋炬I入到存儲(chǔ)器中。
[0086]現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖11B，示意性地圖解說明觸摸感測(cè)顯示裝置1100，其中光標(biāo)元件1112顯示于圖1lA的觸摸輸入的區(qū)域1110下方。用戶可通過使觸摸輸入的位置變化來操縱光標(biāo)元件1112。舉例來說，用戶可用手指1102觸摸傳感器區(qū)1108使得光標(biāo)元件1112顯示于觸摸區(qū)域1110下方，且可隨后將手指1102移動(dòng)到傳感器區(qū)1108的第二區(qū)域使得光標(biāo)元件1112顯示于第二區(qū)域下方。
[0087]在許多實(shí)例中，光標(biāo)元件1112可顯示于靜態(tài)背景圖像(例如，網(wǎng)頁的圖像或字處理文檔的圖像)上方。在包括反射式顯示器(例如，干涉式調(diào)制器)的觸摸感測(cè)顯示裝置的實(shí)施方案中，所述裝置可在保持模式中具有較低電力耗散且在尋址顯示器時(shí)(例如，當(dāng)刷新顯示器時(shí))具有較高電力耗散。由于光標(biāo)元件的顯示可需要連續(xù)尋址以反映光標(biāo)元件的移動(dòng)，因此現(xiàn)有觸摸感測(cè)顯示裝置可在顯示光標(biāo)元件時(shí)尋址整個(gè)顯示區(qū)域，從而導(dǎo)致高的電力耗散及電干擾的產(chǎn)生。如下文參考圖1lC及IlD所論述，本文中所揭示的觸摸感測(cè)裝置的實(shí)施方案可并入有自適應(yīng)尋址架構(gòu)以在僅連續(xù)尋址顯示器的一部分時(shí)限制電力耗散及電干擾。
[0088]圖1lC示意性地圖解說明可由觸摸感測(cè)顯示裝置1100的尋址電路尋址以顯示光標(biāo)元件1112的顯示行1116a及顯示列1114a。觸摸感測(cè)顯示裝置1100可包括多個(gè)顯示行1116及多個(gè)顯示列1114使得可尋址裝置的其它部分以顯示圖像。然而，如果顯示器的除了光標(biāo)元件1112之外的部分為靜態(tài)的，那么自適應(yīng)尋址電路可僅連續(xù)尋址顯示行1116a及顯示列1114a以顯示動(dòng)態(tài)光標(biāo)元件1112而不連續(xù)尋址顯示器的靜態(tài)部分。因此，在觸摸感測(cè)顯示裝置中并入自適應(yīng)尋址架構(gòu)可通過響應(yīng)于觸摸輸入而僅尋址顯示器的一部分來限制電力耗散及電干擾。在一些實(shí)施方案中，可連同顯示行1116a及顯示列1114a —起連續(xù)尋址鄰近顯示行1116a的一個(gè)或一個(gè)以上顯示行1116及鄰近顯示列1114a的一個(gè)或一個(gè)以上顯示列1114以確保甚至在觸摸輸入稍微偏離區(qū)域1110時(shí)也連續(xù)顯示光標(biāo)元件1112。在此些實(shí)施方案中，可通過不尋址從顯示行1116a偏移的其它顯示行1116且通過不尋址從顯示列1114a偏移的顯示列1114來減少電力耗散及電干擾。
[0089]圖1lD示意性地圖解說明圖1lA到IlC的觸摸輸入的光標(biāo)元件1112從第一位置到第二位置的操縱。圖1lD包括在第一位置中的表示圖1lC的光標(biāo)元件1112的第一光標(biāo)元件1112a及在第二位置中的表示圖1lC的光標(biāo)元件1112的第二光標(biāo)元件1112b。如所展示，可通過尋址顯示行1106a及顯示列1104a來顯示第一光標(biāo)元件1112a。類似地，可通過尋址顯示行1116b及顯示列1114b來顯示第二光標(biāo)元件1112b。在光標(biāo)元件1112從第一位置移動(dòng)到第二位置時(shí)，自適應(yīng)尋址電路可僅尋址對(duì)應(yīng)于用戶的觸摸輸入的那些顯示行1116及列1114使得不尋址其它顯示行及列。以此方式，自適應(yīng)尋址電路可限制電力耗散及電干擾。限制電干擾可允許增加的感測(cè)敏感度且增加感測(cè)速度。在一些實(shí)施方案中，感測(cè)裝置可基于光標(biāo)元件的較早移動(dòng)路徑的軌跡來預(yù)測(cè)光標(biāo)元件的移動(dòng)路徑。可由感測(cè)電路將觸摸輸入路徑預(yù)測(cè)提供到自適應(yīng)尋址電路以增加觸摸感測(cè)顯示裝置的尋址速度及/或進(jìn)一步限制電力耗散及/或電干擾。
[0090]如上文所論述，本文中所揭示的觸摸感測(cè)顯示裝置的一些實(shí)施方案可包括自適應(yīng)尋址架構(gòu)以限制電力耗散及/或電干擾。此外，觸摸感測(cè)顯示裝置的一些實(shí)施方案可包括自適應(yīng)感測(cè)架構(gòu)。自適應(yīng)感測(cè)架構(gòu)可包括感測(cè)電路，所述感測(cè)電路至少部分地基于尋址電路的尋址特性及/或相關(guān)聯(lián)顯示器的電干擾特性而調(diào)整感測(cè)裝置的感測(cè)特性。因此，可實(shí)施自適應(yīng)感測(cè)架構(gòu)以隨著顯示器的尋址特性改變來調(diào)整感測(cè)性能。在一些實(shí)施方案中，尋址特性可包括部分更新、更新速度、識(shí)別尋址區(qū)、高電壓尋址、低電壓尋址、高分段驅(qū)動(dòng)、低分段驅(qū)動(dòng)、線反轉(zhuǎn)、點(diǎn)反轉(zhuǎn)、巾貞反轉(zhuǎn)及分辨率。
[0091]在一些實(shí)施方案中，感測(cè)特性可包括信噪比、敏感度閾值、開始/停止時(shí)間、部分掃描、到感測(cè)電路的輸入波形的電壓、感測(cè)波形的電流驅(qū)動(dòng)、頻率及施加到所接收感測(cè)信號(hào)的濾波的類型及量。在一個(gè)實(shí)例中，調(diào)整顯示器的尋址特性可增加顯示器的電干擾特性且感測(cè)電路可基于增加的電干擾特性及/或基于經(jīng)調(diào)整的尋址特性而降低感測(cè)特性(舉例來說，敏感度閾值)。因此，可連同由尋址特性改變產(chǎn)生的電干擾改變一起調(diào)整感測(cè)裝置的性能。在另一實(shí)例中，調(diào)整顯示器的尋址特性可降低顯示器的電干擾特性且感測(cè)電路可基于經(jīng)降低的電干擾特性及/或基于經(jīng)調(diào)整的尋址特性而增加感測(cè)特性。在另一實(shí)例中，感測(cè)定時(shí)與尋址定時(shí)可彼此干擾。在此實(shí)例中，如果尋址頻率或其諧波中的一者接近于感測(cè)頻率，那么電干擾特性將增加。為了限制及/或降低電干擾特性，可調(diào)整尋址頻率或感測(cè)特性中的任一者。舉例來說，如果調(diào)整尋址頻率以適應(yīng)到系統(tǒng)的視頻輸入速率的改變很重要，那么可改變感測(cè)頻率?；蛘?，如果尋址波形的振幅增加以適應(yīng)環(huán)境條件(例如，溫度)的改變，那么電干擾特性可增加。在此實(shí)例中，感測(cè)特性可經(jīng)調(diào)整以需要更多平均化及/或感測(cè)電路可發(fā)送出更大電壓脈沖。
[0092]圖12A展示具有自適應(yīng)感測(cè)及/或自適應(yīng)尋址架構(gòu)的觸摸感測(cè)顯示裝置的實(shí)例。圖12的觸摸感測(cè)顯示裝置1250c類似于圖9C的觸摸感測(cè)顯示裝置950c。然而，尋址電路962c與感測(cè)電路910c可(舉例來說)經(jīng)由連接980彼此通信。在一些實(shí)施方案中，尋址電路962c可從感測(cè)電路910c接受輸入及/或感測(cè)電路910c可從尋址電路962c接受輸入。
[0093]在一些實(shí)施方案中，感測(cè)電路910c可至少部分地基于從尋址電路962所接收的輸入而調(diào)整感測(cè)裝置900c的感測(cè)特性。在一些實(shí)施方案中，感測(cè)電路910c對(duì)感測(cè)特性的調(diào)整可基于通過尋址電路962c對(duì)尋址特性的調(diào)整而變更的電干擾特性。如下文參考圖12B及12C所論述，感測(cè)電路910c對(duì)感測(cè)特性的調(diào)整可基于一個(gè)或一個(gè)以上查找表。舉例來說,尋址電路962c可增加尋址特性，例如可增加由顯示器產(chǎn)生的電干擾的分辨率。感測(cè)電路910c可從尋址電路接收關(guān)于對(duì)尋址特性的調(diào)整及/或關(guān)于電干擾的增加的輸入且可相應(yīng)地調(diào)整感測(cè)特性。因此，感測(cè)電路910c可至少部分地基于對(duì)尋址特性的調(diào)整響應(yīng)于電干擾的改變而調(diào)整感測(cè)特性。在一些實(shí)施方案中，感測(cè)電路910c可感測(cè)電干擾的改變且至少部分地基于所感測(cè)的改變而調(diào)整感測(cè)特性。
[0094]在一些實(shí)施方案中，尋址電路962c可至少部分地基于從感測(cè)電路910c所接收的輸入而調(diào)整顯示裝置960c的尋址特性。在一些實(shí)施方案中，尋址電路962c對(duì)尋址特性的調(diào)整可基于由感測(cè)電路910c提供到尋址電路962c的觸摸輸入。在一個(gè)實(shí)例中，可將對(duì)應(yīng)于傳感器區(qū)908c的區(qū)域的觸摸輸入提供到尋址電路962c，使得僅尋址對(duì)應(yīng)于傳感器區(qū)908c的區(qū)域的顯示行966c及顯示列964c而不尋址所述顯示器的其它部分。以此方式，尋址電路962c可至少部分地基于從感測(cè)電路910c所接收的輸入來限制顯示裝置960c的電力耗散及其所產(chǎn)生的電干擾。
[0095]在一些實(shí)施方案中，觸摸感測(cè)顯示裝置1250c可包括自適應(yīng)感測(cè)架構(gòu)及自適應(yīng)尋址架構(gòu)兩者。在一些此類實(shí)施方案中，感測(cè)電路可檢測(cè)觸摸輸入的位置且將所述位置提供到尋址電路。所述尋址電路可至少部分地基于觸摸輸入而改變顯示器的尋址特性。舉例來說，尋址電路可調(diào)整顯示器的尋址特性(舉例來說，部分更新)使得光標(biāo)元件顯示于觸摸輸入下方而顯示器的其余部分包括靜態(tài)圖像。感測(cè)電路可接收識(shí)別經(jīng)調(diào)整的尋址特性及/或識(shí)別由所述尋址特性導(dǎo)致的干擾改變的信息。所述感測(cè)電路可至少部分地基于所接收信息而調(diào)整感測(cè)特性。在一些實(shí)施方案中，感測(cè)電路可響應(yīng)于經(jīng)調(diào)整的尋址特性及/或響應(yīng)于顯示器的電干擾特性而調(diào)整顯示器的被掃描的部分。舉例來說，當(dāng)尋址電路顯示光標(biāo)元件時(shí)，感測(cè)電路可僅部分地掃描顯示器的包括光標(biāo)元件的區(qū)及/或增加顯示器的包括光標(biāo)元件的區(qū)的掃描速率。
[0096]圖12B及12C展示可用于圖12A的觸摸感測(cè)顯示裝置中的查找表的實(shí)例。圖12B展示查找表1280b的實(shí)例，查找表1280b包括尋址特性輸入列1282b及感測(cè)特性輸出列1284b。尋址特性輸入列1282b可包括可由尋址電路調(diào)整且提供到感測(cè)電路的各種尋址特性。為清晰起見，由若干數(shù)字識(shí)別包括于尋址特性輸入列1282b中的尋址特性，其中每一數(shù)字對(duì)應(yīng)于一尋址特性，舉例來說，部分更新、更新速度、識(shí)別尋址區(qū)、高電壓尋址、低電壓尋址、高分段驅(qū)動(dòng)、低分段驅(qū)動(dòng)、線反轉(zhuǎn)、點(diǎn)反轉(zhuǎn)、巾貞反轉(zhuǎn)及分辨率。在一些實(shí)施方案中，包括于尋址特性輸入列1282b中的每一尋址特性可為相同類型。舉例來說，尋址特性輸入列1282b中的每一尋址特性可為顯示器的一部分的分辨率。在一些實(shí)施方案中，包括于尋址特性輸入列1282b中的尋址特性可包括不同類型的尋址特性。這些尋址特性中的每一者可任選地由尋址電路在尋址顯示器時(shí)變更且可導(dǎo)致由顯示器產(chǎn)生的干擾改變。
[0097]感測(cè)特性輸出列1284b可包括對(duì)應(yīng)于尋址特性輸入列1282b中的一個(gè)或一個(gè)以上尋址特性的各種感測(cè)特性。作為一實(shí)例，包括于感測(cè)特性輸入列1284b中的感測(cè)特性被識(shí)別為部分掃描特性。然而，包括于感測(cè)輸入列1284b中的感測(cè)特性可為不同類型，舉例來說，部分掃描特性及頻率。另外，在一些實(shí)施方案中，多個(gè)感測(cè)特性可對(duì)應(yīng)于尋址特性輸入列1282b中的單個(gè)尋址特性輸入。因此,感測(cè)電路可基于從尋址電路所接收的一個(gè)或一個(gè)以上尋址特性輸入來調(diào)整不同類型的感測(cè)特性及/或多種感測(cè)特性。
[0098]圖12C展示查找表1280c的實(shí)例，查找表1280c包括干擾特性輸入列1283c及感測(cè)特性輸出列1284c。干擾特性輸入列1283c可包括可受尋址電路影響且提供到感測(cè)電路的各種干擾特性(例如，電干擾特性)。為清晰起見，由若干數(shù)字識(shí)別包括于干擾特性輸入列1283c中的干擾特性，其中每一數(shù)字對(duì)應(yīng)于一干擾特性。在一些實(shí)施方案中，干擾可隨著沿干擾特性輸入列1283c移動(dòng)而增加。這些干擾特性中的每一者可任選地由尋址電路在尋址顯示器時(shí)影響且可通過變更接近一個(gè)或一個(gè)以上感測(cè)元件的局部靜電場(chǎng)來影響觸摸傳感器裝置的性能。
[0099]感測(cè)特性輸出列1284c可包括對(duì)應(yīng)于干擾特性輸入列1283c中的一個(gè)或一個(gè)以上干擾特性的各種感測(cè)特性。作為實(shí)例，包括于感測(cè)特性輸入列1284c中的感測(cè)特性被識(shí)別為頻率或取樣速率。然而，包括于感測(cè)輸入列1284c中的感測(cè)特性可為不同類型，舉例來說，部分掃描特性及頻率。另外，在一些實(shí)施方案中，多個(gè)感測(cè)特性可對(duì)應(yīng)于干擾特性輸入列1283c中的單個(gè)尋址特性輸入。因此，感測(cè)電路可基于干擾特性輸入而調(diào)整不同類型的感測(cè)特性及/或多個(gè)感測(cè)特性。
[0100]查找表1280b、1280c可經(jīng)編程以包括預(yù)設(shè)輸入及輸出及/或可由用戶輸入編程以改變輸入及輸出。查找表1280b、1280c可存儲(chǔ)于耦合到尋址電路的一個(gè)或一個(gè)以上存儲(chǔ)裝置中?；蛘撸瑢ぶ冯娐房捎策B線到查找表1280b、1280c中所陳述的值。在操作中，尋址電路可根據(jù)一個(gè)或一個(gè)以上尋址特性來尋址顯示器。用以在給定時(shí)間尋址顯示器的尋址特性可導(dǎo)致可影響感測(cè)性能的干擾。因此，可由尋址電路接收尋址特性及/或干擾特性。感測(cè)電路可至少部分地基于如查找表(舉例來說，圖12B及12C的查找表1280b、1280c)中所陳述的所接收尋址特性及/或干擾特性而任選地調(diào)整感測(cè)特性。查找表1280b、1280c可存儲(chǔ)于耦合到感測(cè)電路的一個(gè)或一個(gè)以上存儲(chǔ)裝置中?；蛘?，感測(cè)電路可硬連線到查找表1280b、1280c中所陳述的值。在一些實(shí)施方案中，感測(cè)電路可基于尋址特性輸入查找表(例如，表1280b)而調(diào)整感測(cè)特性。在一些實(shí)施方案中，感測(cè)電路可基于干擾特性輸入查找表(例如，表1280c)而調(diào)整感測(cè)特性。在一些實(shí)施方案中，感測(cè)電路可基于干擾特性輸入查找表及尋址特性輸入查找表而調(diào)整感測(cè)特性。以此方式，可通過一個(gè)或一個(gè)以上查找表來確定感測(cè)電路對(duì)感測(cè)特性的調(diào)整。
[0101]圖13展示供與觸摸感測(cè)顯示裝置一起使用的過程的實(shí)例。如框1301中所展示，實(shí)例性過程1300可包括調(diào)整顯示器的至少一個(gè)尋址特性，其中調(diào)整所述至少一個(gè)尋址特性變更顯示器的干擾特性。經(jīng)調(diào)整的尋址特性可包括(舉例來說)識(shí)別尋址區(qū)或更新速度。
[0102]如框1303中所展示，實(shí)例性過程1300可包括至少部分地基于尋址特性或干擾特性而調(diào)整觸摸傳感器的至少一個(gè)感測(cè)特性。在一些實(shí)施方案中，經(jīng)調(diào)整的感測(cè)特性可包括(舉例來說)信噪比、敏感度閾值、開始/停止時(shí)間、部分掃描、到感測(cè)電路的輸入波形的電壓、感測(cè)波形的電流驅(qū)動(dòng)、頻率及施加到所接收感測(cè)信號(hào)的濾波的類型及/或量。在一些實(shí)施方案中，調(diào)整所述至少一個(gè)尋址特性可降低干擾特性且調(diào)整感測(cè)特性可增加感測(cè)特性。在一些實(shí)施方案中，調(diào)整至少一個(gè)尋址特性可增加干擾特性且調(diào)整感測(cè)特性可降低感測(cè)特性。實(shí)例性過程1300還可包括基于經(jīng)調(diào)整的感測(cè)特性進(jìn)行感測(cè)，如框1305中所展示。
[0103]圖14A及14B展示圖解說明包括多個(gè)干涉式調(diào)制器的顯示裝置40的系統(tǒng)框圖的實(shí)例。舉例來說，顯示裝置40可為蜂窩式或移動(dòng)電話。然而，顯示裝置40的相同組件或其輕微變化形式也為對(duì)各種類型的顯示裝置的說明，例如，電視、電子閱讀器及便攜式媒體播放器。
[0104]顯示裝置40包括外殼41、顯示器30、天線43、揚(yáng)聲器45、輸入裝置48及麥克風(fēng)46。外殼41可由多種制造工藝中的任一者形成，包括注射模制及真空形成。另外，外殼41可由多種材料中的任一者制成，包括(但不限于):塑料、金屬、玻璃、橡膠及陶瓷或其組合。外殼41可包括可裝卸部分(未展示)，其可與其它不同色彩或含有不同標(biāo)識(shí)、圖片或符號(hào)的可裝卸部分互換。
[0105]顯示器30可為多種顯示器中的任一者，包括本文中所描述的雙穩(wěn)態(tài)或模擬顯示器。顯示器30還可經(jīng)配置以包括平板顯示器(例如等離子顯示器、EL、OLED> STN IXD或TFT IXD)或非平板顯示器(例如CRT或其它管式裝置)。另外，顯示器30可包括干涉式調(diào)制器顯示器，如本文中所描述。
[0106]在圖14B中示意性地圖解說明顯示裝置40的組件。顯示裝置40包括外殼41，且可包括至少部分地包封于其中的額外組件。舉例來說，顯示裝置40包括網(wǎng)絡(luò)接口 27，網(wǎng)絡(luò)接口 27包括耦合到收發(fā)器47的天線43。收發(fā)器47連接到處理器21，處理器21連接到調(diào)節(jié)硬件52。調(diào)節(jié)硬件52可經(jīng)配置以對(duì)信號(hào)進(jìn)行調(diào)節(jié)(例如，對(duì)信號(hào)進(jìn)行濾波)。調(diào)節(jié)硬件52連接到揚(yáng)聲器45及麥克風(fēng)46。處理器21還連接到輸入裝置48及驅(qū)動(dòng)器控制器29。驅(qū)動(dòng)器控制器29耦合到幀緩沖器28且耦合到陣列驅(qū)動(dòng)器22，陣列驅(qū)動(dòng)器22又耦合到顯示陣列30。電力供應(yīng)器50可按特定顯示裝置40設(shè)計(jì)的需要而向所有組件提供電力。
[0107]網(wǎng)絡(luò)接口 27包括天線43及收發(fā)器47，使得顯示裝置40可經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)與一個(gè)或一個(gè)以上裝置通信。網(wǎng)絡(luò)接口 27還可具有一些處理能力以減輕(例如)處理器21的數(shù)據(jù)處理要求。天線43可發(fā)射及接收信號(hào)。在一些實(shí)施方案中，天線43根據(jù)包括IEEE16.11(a)、
(b)或(g)的IEEE16.11標(biāo)準(zhǔn)或包括IEEE802.11a、b、g或η的ΙΕΕΕ802.11標(biāo)準(zhǔn)發(fā)射及接收RF信號(hào)。在一些其它實(shí)施方案中，天線43根據(jù)藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)發(fā)射及接收RF信號(hào)。在蜂窩式電話的情況中，天線43經(jīng)設(shè)計(jì)以接收碼分多址(CDMA)、頻分多址(FDMA)、時(shí)分多址(TDMA)、全球移動(dòng)通信系統(tǒng)(GSM)、GSM /通用包無線電服務(wù)(GPRS)、增強(qiáng)型數(shù)據(jù)GSM環(huán)境(EDGE)、地面中繼無線電(TETRA)、寬帶CDMA (W-CDMA)、演進(jìn)數(shù)據(jù)優(yōu)化(EV-DO)、I X EV-DO, EV-DO修訂版A、EV-DO修訂版B、高速包接入(HSPA)、高速下行鏈路包接入(HSDPA)、高速上行鏈路包接入(HSUPA)、演進(jìn)高速包接入(HSPA+)、長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)、AMPS或用于在無線網(wǎng)絡(luò)內(nèi)(例如利用3G或4G技術(shù)的系統(tǒng))通信的其它已知信號(hào)。收發(fā)器47可預(yù)處理從天線43接收的信號(hào)使得其可由處理器21接收及進(jìn)一步操縱。收發(fā)器47還可處理從處理器21接收的信號(hào)使得其可經(jīng)由天線43從顯示裝置40發(fā)射。
[0108]在一些實(shí)施方案中，可由接收器來替換收發(fā)器47。另外，可由圖像源來替換網(wǎng)絡(luò)接口 27，所述圖像源可存儲(chǔ)或產(chǎn)生待發(fā)送到處理器21的圖像數(shù)據(jù)。處理器21可控制顯示裝置40的總體操作。處理器21從網(wǎng)絡(luò)接口 27或圖像源接收數(shù)據(jù)(例如經(jīng)壓縮圖像數(shù)據(jù))，且將所述數(shù)據(jù)處理成原始圖像數(shù)據(jù)或處理成容易被處理成原始圖像數(shù)據(jù)的格式。處理器21可將經(jīng)處理數(shù)據(jù)發(fā)送到驅(qū)動(dòng)器控制器29或發(fā)送到幀緩沖器28以供存儲(chǔ)。原始數(shù)據(jù)通常指代識(shí)別圖像內(nèi)的每一位置處的圖像特性的信息。舉例來說，此些圖像特性可包括色彩、飽和度及灰度級(jí)。
[0109]處理器21可包括用以控制顯示裝置40的操作的微控制器、CPU或邏輯單元。調(diào)節(jié)硬件52可包括用于向揚(yáng)聲器45發(fā)射信號(hào)及從麥克風(fēng)46接收信號(hào)的放大器及濾波器。調(diào)節(jié)硬件52可為顯示裝置40內(nèi)的離散組件，或可并入于處理器21或其它組件內(nèi)。
[0110]驅(qū)動(dòng)器控制器29可直接從處理器21或從幀緩沖器28取得由處理器21產(chǎn)生的原始圖像數(shù)據(jù)，且可適當(dāng)?shù)貙⒃紙D像數(shù)據(jù)重新格式化以供高速發(fā)射到陣列驅(qū)動(dòng)器22。在一些實(shí)施方案中，驅(qū)動(dòng)器控制器29可將原始圖像數(shù)據(jù)重新格式化成具有光柵狀格式的數(shù)據(jù)流，使得其具有適合于跨越顯示陣列30進(jìn)行掃描的時(shí)間次序。接著，驅(qū)動(dòng)器控制器29將經(jīng)格式化的信息發(fā)送到陣列驅(qū)動(dòng)器22。雖然驅(qū)動(dòng)器控制器29 (例如LCD控制器)通常作為獨(dú)立的集成電路(IC)與系統(tǒng)處理器21相關(guān)聯(lián)，但可以許多方式實(shí)施此些控制器。舉例來說，可將控制器作為硬件嵌入于處理器21中、作為軟件嵌入于處理器21中或與陣列驅(qū)動(dòng)器22完全集成在硬件中。
[0111]陣列驅(qū)動(dòng)器22可從驅(qū)動(dòng)器控制器29接收經(jīng)格式化的信息且可將視頻數(shù)據(jù)重新格式化成一組平行波形，所述組平行波形每秒許多次地施加到來自顯示器的χ-y像素矩陣的數(shù)百條且有時(shí)數(shù)千條(或更多)引線。
[0112]在一些實(shí)施方案中，驅(qū)動(dòng)器控制器29、陣列驅(qū)動(dòng)器22及顯示陣列30適于本文中所描述的顯示器類型中的任一者。舉例來說，驅(qū)動(dòng)器控制器29可為常規(guī)顯示器控制器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器控制器(例如，IMOD控制器)。另外，陣列驅(qū)動(dòng)器22可為常規(guī)驅(qū)動(dòng)器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器驅(qū)動(dòng)器(例如，IMOD顯示器驅(qū)動(dòng)器)。此外，顯示陣列30可為常規(guī)顯示陣列或雙穩(wěn)態(tài)顯示陣列(例如，包括IMOD陣列的顯示器)。在一些實(shí)施方案中，驅(qū)動(dòng)器控制器29可與陣列驅(qū)動(dòng)器22集成在一起。此實(shí)施方案在高度集成系統(tǒng)(例如蜂窩式電話、手表及其它小面積顯示器)中為常見的。
[0113]在一些實(shí)施方案中，輸入裝置48可經(jīng)配置以允許(例如)用戶控制顯示裝置40的操作。輸入裝置48可包括小鍵盤(例如QWERTY鍵盤或電話小鍵盤)、按鈕、開關(guān)、搖桿、觸敏屏或者壓敏或熱敏膜。麥克風(fēng)46可配置為顯示裝置40的輸入裝置。在一些實(shí)施方案中，可使用通過麥克風(fēng)46所做的話音命令來控制顯示裝置40的操作。
[0114]電力供應(yīng)器50可包括如此項(xiàng)技術(shù)中眾所周知的多種能量存儲(chǔ)裝置。舉例來說，電力供應(yīng)器50可為可再充電電池，例如鎳-鎘電池或鋰離子電池。電力供應(yīng)器50還可為可再生能源、電容器或太陽能電池，包括塑料太陽能電池或太陽能電池涂料。電力供應(yīng)器50還可經(jīng)配置以從壁式插座接收電力。
[0115]在一些實(shí)施方案中，控制可編程性駐存于驅(qū)動(dòng)器控制器29中，驅(qū)動(dòng)器控制器29可位于電子顯示系統(tǒng)中的數(shù)個(gè)位置中。在一些其它實(shí)施方案中，控制可編程性駐存于陣列驅(qū)動(dòng)器22中。上文所描述的優(yōu)化可以任何數(shù)目個(gè)硬件及/或軟件組件且以各種配置實(shí)施。
[0116]可將結(jié)合本文中所揭示的實(shí)施方案描述的各種說明性邏輯、邏輯塊、模塊、電路及算法步驟實(shí)施為電子硬件、計(jì)算機(jī)軟件或兩者的組合。已就功能性大體描述且在上文所描述的各種說明性組件、框、模塊、電路及步驟中圖解說明了硬件與軟件的可互換性。此功能性是以硬件還是軟件實(shí)施取決于特定應(yīng)用及對(duì)總體系統(tǒng)強(qiáng)加的設(shè)計(jì)約束。
[0117]可借助通用單芯片或多芯片處理器、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、專用集成電路(ASIC)、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)或其它可編程邏輯裝置、離散門或晶體管邏輯、離散硬件組件或經(jīng)設(shè)計(jì)以執(zhí)行本文中所描述的功能的其任一組合來實(shí)施或執(zhí)行用于實(shí)施結(jié)合本文中所揭示的方面所描述的各種說明性邏輯、邏輯塊、模塊及電路的硬件及數(shù)據(jù)處理設(shè)備。通用處理器可為微處理器或任何常規(guī)處理器、控制器、微控制器或狀態(tài)機(jī)。還可將處理器實(shí)施為計(jì)算裝置的組合，例如DSP與微處理器的組合、多個(gè)微處理器、一個(gè)或一個(gè)以上微處理器與DSP核心的聯(lián)合或任何其它此種配置。在一些實(shí)施方案中，可通過給定功能特有的電路來執(zhí)行特定步驟及方法。
[0118]在一個(gè)或一個(gè)以上方面中，可以硬件、數(shù)字電子電路、計(jì)算機(jī)軟件、固件(包括本說明書中所揭示的結(jié)構(gòu)及其結(jié)構(gòu)等效物)或以其任一組合來實(shí)施所描述的功能。本說明書中所描述的標(biāo)的物的實(shí)施方案還可實(shí)施為編碼于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)媒體上以用于由數(shù)據(jù)處理設(shè)備執(zhí)行或控制數(shù)據(jù)處理設(shè)備的操作的一個(gè)或一個(gè)以上計(jì)算機(jī)程序，即，一個(gè)或一個(gè)以上計(jì)算機(jī)程序指令模塊。
[0119]所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可容易明了對(duì)本發(fā)明中所描述的實(shí)施方案的各種修改，且本文中所定義的類屬原理可應(yīng)用于其它實(shí)施方案，此并不背離本發(fā)明的精神或范圍。因此，本發(fā)明并非打算限制于本文中所展示的實(shí)施方案，而是被賦予與本文中所揭示的權(quán)利要求書、原理及新穎特征相一致的最寬廣范圍。詞語“示范性”在本文中專用于意指“用作實(shí)例、例子或圖解說明”。在本文中描述為“示范性”的任何實(shí)施方案未必解釋為比其它實(shí)施方案優(yōu)選或有利。另外，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易了解，術(shù)語“上部”及“下部”有時(shí)為了便于描述各圖而使用，且指示對(duì)應(yīng)于圖在經(jīng)恰當(dāng)定向的頁面上的定向的相對(duì)位置，且可能不反映如所實(shí)施的IMOD的恰當(dāng)定向。
[0120]還可將在本說明書中在單獨(dú)實(shí)施方案的背景中描述的某些特征以組合形式實(shí)施于單個(gè)實(shí)施方案中。相反地，還可將在單個(gè)實(shí)施方案的背景中描述的各種特征單獨(dú)地或以任一適合子組合的形式實(shí)施于多個(gè)實(shí)施方案中。此外，雖然上文可將特征描述為以某些組合的形式起作用且甚至最初如此主張，但在一些情況中，可從所主張的組合去除來自所述組合的一個(gè)或一個(gè)以上特征，且所主張的組合可針對(duì)子組合或子組合的變化形式。
[0121]類似地，盡管在圖式中以特定次序來描繪操作，但并不應(yīng)將此理解為需要以所展示的特定次序或以循序次序來執(zhí)行此些操作或執(zhí)行所有所圖解說明的操作來實(shí)現(xiàn)所要結(jié)果。此外，所述圖式可以流程圖的形式示意性地描繪一個(gè)以上實(shí)例性工藝。然而，可將其它并未描繪的操作并入于示意性地圖解說明的實(shí)例性工藝中。舉例來說，可在所圖解說明的操作中的任一者之前、之后、同時(shí)或之間執(zhí)行一個(gè)或一個(gè)以上額外操作。在某些情形中，多任務(wù)化及并行處理可為有利的。此外，不應(yīng)將上文所描述的實(shí)施方案中的各種系統(tǒng)組件的分離理解為在所有實(shí)施方案中均需要此分離，且應(yīng)理解，一股來說，可將所描述的程序組件及系統(tǒng)一起集成于單個(gè)軟件產(chǎn)品中或封裝成多個(gè)軟件產(chǎn)品。另外，其它實(shí)施方案在以上權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。在一些情況中，可以不同次序執(zhí)行權(quán)利要求書中所敘述的動(dòng)作且其仍實(shí)現(xiàn)所要的結(jié)果。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示裝置，其包含: 尋址電路，其經(jīng)配置以調(diào)整顯示器的至少一個(gè)尋址特性，其中調(diào)整所述至少一個(gè)尋址特性變更所述顯示器的干擾特性；及 感測(cè)電路，其經(jīng)配置以接收識(shí)別所述尋址特性及所述干擾特性中的至少一者的信息，其中所述感測(cè)電路經(jīng)配置以至少部分地基于所述所接收信息而調(diào)整觸摸傳感器的至少一個(gè)感測(cè)特性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述感測(cè)電路進(jìn)一步經(jīng)配置以基于所述所接收信息而進(jìn)行感測(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述尋址電路經(jīng)配置以調(diào)整所述至少一個(gè)尋址特性使得所述干擾特性增加。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中所述感測(cè)電路經(jīng)配置以降低所述至少一個(gè)感測(cè)特性。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述尋址電路經(jīng)配置以調(diào)整所述至少一個(gè)尋址特性使得所述干擾特性降低。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中所述感測(cè)電路經(jīng)配置以增加所述至少一個(gè)感測(cè)特性。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述至少一個(gè)感測(cè)特性包含信噪比。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述至少一個(gè)感測(cè)特性包含敏感度閾值。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述至少一個(gè)感測(cè)特性包含取樣速率。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯`示裝置，其中所述尋址特性包含識(shí)別尋址區(qū)的信息。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述尋址特性包含更新速度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述顯示器包含干涉式調(diào)制器。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其進(jìn)一步包含存儲(chǔ)于耦合到所述感測(cè)電路的一個(gè)或一個(gè)以上存儲(chǔ)裝置中的查找表，其中所述查找表包括所述至少一個(gè)尋址特性及所述至少一個(gè)感測(cè)特性。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其進(jìn)一步包含: 處理器，其經(jīng)配置以與所述顯示器通信，所述處理器經(jīng)配置以處理圖像數(shù)據(jù)；及 存儲(chǔ)器裝置，其經(jīng)配置以與所述處理器通信。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其進(jìn)一步包含: 驅(qū)動(dòng)器電路，其經(jīng)配置以將至少一個(gè)信號(hào)發(fā)送到所述顯示器。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其進(jìn)一步包含經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)的至少一部分發(fā)送到所述驅(qū)動(dòng)器電路的控制器。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其進(jìn)一步包含經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)發(fā)送到所述處理器的圖像源模塊。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中所述圖像源模塊包含接收器、收發(fā)器及發(fā)射器中的至少一者。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其進(jìn)一步包含經(jīng)配置以接收輸入數(shù)據(jù)且將所述輸入數(shù)據(jù)傳遞到所述處理器的輸入裝置。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置，其中所述輸入裝置包含觸摸傳感器。
21.—種顯示裝置，其包含: 用于尋址顯示器的裝置； 用于感測(cè)所述顯示器上的觸摸輸入的裝置； 用于調(diào)整所述顯示器的至少一個(gè)尋址特性的裝置，其中調(diào)整所述至少一個(gè)尋址特性變更所述顯示器的干擾特性；及 用于至少部分地基于識(shí)別所述尋址特性及所述干擾特性中的至少一者的信息而調(diào)整所述感測(cè)裝置的至少一個(gè)感測(cè)特性的裝置。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的裝置，其中所述尋址裝置包含尋址電路。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的顯示裝置，其中所述感測(cè)裝置包含感測(cè)電路。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的顯示裝置，其中所述感測(cè)裝置進(jìn)一步經(jīng)配置以基于所述經(jīng)調(diào)整的感測(cè)特性而進(jìn)行感測(cè)。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的顯示裝置，其中所述尋址裝置經(jīng)配置以調(diào)整所述至少一個(gè)尋址特性使得所述干擾特性增加。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的顯示裝置，其中所述感測(cè)裝置經(jīng)配置以降低所述至少一個(gè)感測(cè)特性。
27.根據(jù)權(quán)利要求21所述的顯示裝置，其中所述尋址裝置經(jīng)配置以調(diào)整所述至少一個(gè)尋址特性使得所述干擾特性降低。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的顯示裝置，其中所述感測(cè)裝置經(jīng)配置以增加所述至少一個(gè)感測(cè)特性。
29.—種方法,其包含: 調(diào)整顯示器的至少一個(gè)尋址特性，其中調(diào)整所述至少一個(gè)尋址特性變更所述顯示器的干擾特性； 至少部分地基于所述尋址特性或所述干擾特性而調(diào)整觸摸傳感器的至少一個(gè)感測(cè)特性；及 基于所述經(jīng)調(diào)整的感測(cè)特性而進(jìn)行感測(cè)。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中調(diào)整所述至少一個(gè)尋址特性增加所述干擾特性。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中降低所述至少一個(gè)感測(cè)特性。
32.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中調(diào)整所述至少一個(gè)尋址特性降低所述干擾特性。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中增加所述至少一個(gè)感測(cè)特性。
【文檔編號(hào)】G06F3/041GK103748535SQ201280041067
【公開日】2014年4月23日 申請(qǐng)日期:2012年7月16日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月21日
【發(fā)明者】羅素·A·馬汀, 威廉·J·卡明斯 申請(qǐng)人:高通Mems科技公司