專利名稱：通過(guò)使用一組啞元填充單元來(lái)執(zhí)行啞元填充的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造。更具體地，本發(fā)明涉及在設(shè)計(jì)布 局中執(zhí)行啞元填充用于達(dá)到窄的目標(biāo)密度范圍內(nèi)的一個(gè)目標(biāo)密度。
背景技術(shù)：
計(jì)算技術(shù)的飛速發(fā)展使得在數(shù)據(jù)集上每秒執(zhí)行數(shù)萬(wàn)億次的計(jì)算 操作成為可能，其中該數(shù)據(jù)集有時(shí)有萬(wàn)億字節(jié)那么大。這些發(fā)展可以 歸因于半導(dǎo)體制造技術(shù)的顯著進(jìn)步，目前的半導(dǎo)體制造技術(shù)使得在單 一芯片上集成數(shù)千萬(wàn)個(gè)器件成為可能。
布局的特征密度可以影響一些制造過(guò)程的行為。具體地，相比較 于高密度區(qū)域，制造過(guò)程可以在低密度區(qū)域表現(xiàn)不同。特征密度的非 一致性可以通過(guò)執(zhí)行啞元填充來(lái)降低，即，通過(guò)向所述布局中空閑區(qū) 域添力口吸元特征。
如果所述啞元特征小(相對(duì)于曝光波長(zhǎng)而言)，則它們可能需要
輔助特征和光學(xué)鄰近校正(OPC)以正確地印刷。然而，在該填充。亞
元的布局上執(zhí)行輔助特征放置和光學(xué)鄰近校正可能由于啞元特征數(shù) 量巨大而非常耗時(shí)。此外，如果制造過(guò)程對(duì)特征密度變化高度敏感， 則吸元填充過(guò)程可能需要?jiǎng)?chuàng)建特征密度在窄的密度值范圍內(nèi)的填充
p亞元布局。

發(fā)明內(nèi)容
和技術(shù)。 一些半導(dǎo)體制造技術(shù)需要該啞元填充技術(shù)來(lái)放置啞元特征， 以便得到的布局達(dá)到嚴(yán)格的目標(biāo)密度要求。 一個(gè)實(shí)施方式可以執(zhí)行啞 元填充，以便填充啞元的布局具有在窄的目標(biāo)特征密度范圍內(nèi)的特征密度。所期望的是啞元填充技術(shù)不應(yīng)該大幅度增加用于執(zhí)行光學(xué)鄰近校正和輔助特征放置所需要的時(shí)間。 一個(gè)實(shí)施方式可以執(zhí)行啞元填充而不大幅度增加在填充啞元的布局上執(zhí)行分辨率增強(qiáng)技術(shù)所需要的時(shí)間。
在操作期間， 一個(gè)實(shí)施方式可以接收包括其密度不在窄的目標(biāo)密度范圍內(nèi)的區(qū)域的設(shè)計(jì)布局。接下來(lái)，系統(tǒng)可以接收一組啞元填充單元，其可以被用于放置啞元填充陣列以填充任意大小的矩形。例如，所述啞元填充單元組可以包括角單元、邊單元和中心單元。所述啞元填充單元組可以包括輔助特征和光學(xué)鄰近校正，它們能夠使所述啞元形狀正確地印刷，而不管利用所述啞元填充單元組創(chuàng)建的啞元填充陣列的大小。所述系統(tǒng)于是可以確定用于放置啞元填充陣列的 一組矩形，并且》文置所述啞元填充陣列到一個(gè)或多個(gè)這些矩形中。注意專交小的陣列可能比較大的陣列具有較低的特征密度，因?yàn)榻菃卧瓦厗卧赡鼙戎行膯卧哂休^低的密度。
在一個(gè)實(shí)施方式中，所述系統(tǒng)可以在所述設(shè)計(jì)布局上安置塊網(wǎng)
形狀沖突的塊。所述系統(tǒng)于是可以通過(guò)合并所選塊形成多邊形。接下來(lái)，所述系統(tǒng)可以斷裂該多邊形以得到一組矩形，于是可以利用啞元填充陣列來(lái)填充這些矩形。
注意由于所述系統(tǒng)可以使用已經(jīng)具有光學(xué)鄰近校正和/或輔助特征的啞元填充單元組，所述系統(tǒng)可以在放置啞元填充陣列后不執(zhí)行這些耗時(shí)的分辨率增強(qiáng)技術(shù)。此外，由于所述系統(tǒng)可以一次填充一個(gè)矩形，可以實(shí)現(xiàn)在窄的目標(biāo)密度范圍內(nèi)的目標(biāo)密度。


圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式在集成電路的設(shè)計(jì)和制造
中的各個(gè)步驟；
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的過(guò)程加載效應(yīng)；
圖3呈現(xiàn)了示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式用于在設(shè)計(jì)布局中執(zhí)行啞元填充的過(guò)程的流程圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的一組啞元填充單元；
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式系統(tǒng)如何可以確定多邊形以及然后將其斷裂為一組矩形；
圖6示出了#4居本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的如<可可以4吏用一組啞元填充單元來(lái)創(chuàng)建一個(gè)啞元填充陣列；以及
圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。
具體實(shí)施例方式
集成電路(IC)設(shè)計(jì)流
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式在集成電路的設(shè)計(jì)與制造中的各個(gè)步驟。
該方法通常以該產(chǎn)品概念(步驟100)開始，其利用EDA軟件i殳計(jì)過(guò)程(步驟IIO)實(shí)現(xiàn)。當(dāng)設(shè)計(jì)完成，便可以進(jìn)行投片(tape-out)(事件140),并進(jìn)行制造過(guò)程(步驟150)以及封裝和組裝過(guò)程(步驟160)，從而產(chǎn)生成品芯片(結(jié)果170)。
該EDA軟件設(shè)計(jì)過(guò)程(步驟110)包括步驟112-130,如下文所述。注意該設(shè)計(jì)流程描述僅作說(shuō)明用途，并不意。未著對(duì)本發(fā)明進(jìn)行限制。例如，實(shí)際的集成電路設(shè)計(jì)可能需要設(shè)計(jì)者以與下文描述的順序不同的順序來(lái)執(zhí)行設(shè)計(jì)步驟。
系統(tǒng)設(shè)計(jì)(步驟112):在這一步驟，設(shè)計(jì)者描述其想要實(shí)現(xiàn)的功能。他們也可以執(zhí)行假設(shè)規(guī)劃來(lái)細(xì)化功能、檢查成本等。在這個(gè)階段可以發(fā)生硬件軟件架構(gòu)劃分?？梢杂糜谶@個(gè)步驟的來(lái)自Syn叩sys公司的示例性的EDA軟件產(chǎn)品包括Model Architect、 Saber 、 SystemStudio和Design Ware⑧產(chǎn)品。
邏輯設(shè)計(jì)與功能驗(yàn)證(步驟114):在這一階段，編寫用于系統(tǒng)內(nèi)模塊的VHDL或Verilog代碼，并且針對(duì)功能準(zhǔn)確性進(jìn)行檢查。更具體地，對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行檢查以確保產(chǎn)生正確的輸出?？梢杂糜谶@個(gè)步驟的來(lái)自Synopsys公司的示例性的EDA軟件產(chǎn) 包括VCS 、 Vera 、DesignWare 、 Magellan 、 Formality , ESP和Leda⑧產(chǎn)品。
用于測(cè)試的合成和設(shè)計(jì)(步驟116):這里，VHDL/Verilog被轉(zhuǎn) 譯為網(wǎng)表?？梢葬槍?duì)目標(biāo)技術(shù)優(yōu)化該網(wǎng)表。另外，可以設(shè)計(jì)并且4丸行 測(cè)試用來(lái)檢查成品芯片?？梢杂糜谶@個(gè)步驟的來(lái)自Synopsys公司的 示例性的EDA軟件產(chǎn)品包括Design Compiler , Physical Compiler , Test Compiler, Power CompilerTM、 FPGA Compiler、 TetraMAX⑧和 DesignWare⑧產(chǎn)品。
網(wǎng)表驗(yàn)證(步驟118):在這一步驟，針對(duì)與時(shí)間約束的兼容和 與VHDL/Verilog源代碼的對(duì)應(yīng)對(duì)網(wǎng)表進(jìn)行檢查?？梢杂糜谶@個(gè)步驟 的來(lái)自Synopsys公司的示例性的EDA軟件產(chǎn)品包括Formality 、 PrimeTime⑧和VCS⑧產(chǎn)品。
設(shè)計(jì)規(guī)劃(步驟120):這里，針對(duì)定時(shí)和頂層路由構(gòu)建和分析 芯片的總體平面布置圖?？梢杂糜谶@個(gè)步驟的來(lái)自Synopsys公司的 示例性的EDA軟件產(chǎn)品包括AstroTM和IC Compiler產(chǎn)品。
物理實(shí)現(xiàn)(步驟122):在這一步驟發(fā)生放置(電路元件的定位) 和路由(電路元件的連接)?？梢杂糜谶@個(gè)步驟的來(lái)自Synopsys公 司的示例性的EDA軟件產(chǎn)品包括Astro 和IC Compiler產(chǎn)品。
分析和提取(步驟124):在這一步驟，在晶體管級(jí)驗(yàn)證電路功 能，這則允許假設(shè)細(xì)化。可以用于這個(gè)步驟的來(lái)自Synopsys公司的 示例性的EDA軟件產(chǎn)品包括AstroRailTM、 PrimeRail、 PrimeTime 和Star-RCXTTM產(chǎn)品。
物理驗(yàn)證(步驟126):在這一步驟，為確保制造、電的問(wèn)題、 光刻問(wèn)題和電路的正確性對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行檢查。可以用于這個(gè)步驟的來(lái)自 Synopsys公司的示例性的EDA軟件產(chǎn)品包括Hercules 產(chǎn)品。
分辨率增強(qiáng)(步驟l28):這一步驟涉及布局的幾何操作以提高 設(shè)計(jì)的可制造能力?？梢杂糜谶@個(gè)步驟的來(lái)自Synopsys公司的示例 性的EDA軟件產(chǎn)品包括Proteus/Progen、 ProteusAF和PSMGen產(chǎn)品。
掩模數(shù)據(jù)準(zhǔn)備(步驟130):這一步驟為掩模的生產(chǎn)提供"投片" 數(shù)據(jù)以生產(chǎn)成品芯片?？梢杂糜谶@個(gè)步驟的來(lái)自Synopsys公司的示例性的EDA軟件產(chǎn)品包括0八丁3@產(chǎn)品族。
可以在一個(gè)或多個(gè)上述步驟期間使用本發(fā)明的實(shí)施方式。具體 地，可以在所述物理驗(yàn)證步驟126期間使用本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式。
p亞元填充
啞元填充通常用于確保CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)后表面狀況中的變 化處于給定容限內(nèi)。例如， 一種鑄造可以將非功能性的結(jié)構(gòu)放置到設(shè) 計(jì)布局中空閑的區(qū)域，以便所述布局在CMP后產(chǎn)生大致上平的表面。 啞元填充也可以用于降低受特征密度變化影響的其它制造過(guò)程的處 理變化。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的過(guò)程加載效應(yīng)。
制造期間，抗蝕劑層202可以放置在二氧化石圭層204上，該二氧 化硅層204可以放置在晶片206上。在深度蝕刻處理期間可以使用反 應(yīng)離子208以創(chuàng)建溝槽。在一個(gè)位置的蝕刻率可以依賴該位置附近的 特征密度。例如，低特征密度區(qū)域例如區(qū)域210中的蝕刻率可以比高 特征密度區(qū)域例如區(qū)域212中的蝕刻率高?？梢允褂脝≡畛鋪?lái)確保 蝕刻率變化在可以接收的范圍內(nèi)。
芯片制造通?？梢匀萑桃欢ǚ秶奶幚碜兓?。如果該處理變化比 可接受的范圍大，所產(chǎn)生的芯片可能完全不工作或它們可能具有很差 的性能量度。在當(dāng)前集成密度，處理回旋余地是非常小的，即，所能 接收的處理變化可能是非常小的。
對(duì)于深度蝕刻處理，我們可能需要確保溝槽深度在窄的值范圍 內(nèi)。注意溝槽深度可以對(duì)該溝槽附近的反應(yīng)離子濃度高度敏感。所述 反應(yīng)離子濃度，反過(guò)來(lái)，可以對(duì)特征密度高度敏感。因此，為確保高 產(chǎn)量，可以要求特征密度在窄的值范圍中。遺憾的是，傳統(tǒng)的啞元填 充技術(shù)通常沒有設(shè)計(jì)為用于滿足如此嚴(yán)格的特征密度約束。
此外， 一旦啞元填充結(jié)構(gòu)被放置到所述布局，則它們可能需要光 學(xué)鄰近才交正和輔助特征以正確地印刷。然而，；改置在布局中的啞元填 充特征的數(shù)量可以是非常巨大的。因此，由于啞元填充特征的巨大數(shù)量，執(zhí)行光學(xué)鄰近校正和/或輔助特征放置可能是不切實(shí)際的。
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式提供用于放置啞元填充特征的系統(tǒng)和技 術(shù)，以便特征密度在窄的密度值范圍中。例如，所述窄的密度值范圍 可以是0.1%,其中0%密度值對(duì)應(yīng)完全空閑的區(qū)域，而100%密度值 對(duì)應(yīng)完全占據(jù)的區(qū)域。此外， 一個(gè)實(shí)施方式放置已經(jīng)具有光學(xué)鄰近校 正和輔助特征的啞元填充結(jié)構(gòu)，因此排除用于在啞元特征上執(zhí)行光學(xué) 鄰近校正和/或輔助特征放置的需求。
用于執(zhí)行啞元填充的過(guò)程
圖3呈現(xiàn)了示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式用于在設(shè)計(jì)布局中
執(zhí)行啞元填充的過(guò)程的流程圖。
所述過(guò)程可以從接收定義窄的目標(biāo)密度范圍的一個(gè)低目標(biāo)密度
和一個(gè)高目標(biāo)密度開始(步驟302)。
接下來(lái)，所述系統(tǒng)可以接收設(shè)計(jì)布局，其包括密度小于所述低目 標(biāo)密度的區(qū)域(步驟304)。
在所述設(shè)計(jì)布局放置啞元填充形狀可以增加密度，以便該密度在 所述窄的目標(biāo)密度范圍中。在當(dāng)前集成密度，啞元形狀可以小到它們 可能需要輔助特征和光學(xué)鄰近4吏正以正確地印刷。然而，在所述i殳計(jì) 布局放置啞元形狀后，執(zhí)行輔助特征放置和光學(xué)鄰近校正可能是不切 實(shí)際的或甚至計(jì)算上不可行的，原因是設(shè)計(jì)布局中要求的啞元特征的 數(shù)量巨大。例如，DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器)布局可能要求巨大 凄l(xiāng)量的啞元填充結(jié)構(gòu)，并且因此，在填充啞元的DRAM布局上應(yīng)用 分辨率增強(qiáng)技術(shù)是不切實(shí)際的。
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式使用一組已經(jīng)具有光學(xué)鄰近校正和輔助 特征的啞元填充單元，以便所述實(shí)施方式不需要在i丈置啞元填充結(jié)構(gòu)
后應(yīng)用分辨率增強(qiáng)技術(shù)。
繼續(xù)圖3中的流程圖，繼而，系統(tǒng)可以接收一組啞元填充單元(步 驟306 )。所述系統(tǒng)也可以-接收所述啞元填充單元的相對(duì)位置。這些 啞元填充單元可以用于創(chuàng)建可以填充任何大小矩形的啞元填充陣列。
12所述啞元填充單元組可以包括輔助特征和光學(xué)鄰近校正，其可以^吏啞 元形狀正確地印刷，而不管所述啞元陣列的大小。注意啞元填充單元 在填充啞元的陣列中可以或可以不互相鄰才妄。
一4殳來(lái)說(shuō)，所述啞元填充單元組可以包括一個(gè)或多個(gè)用于創(chuàng)建啞 元填充陣列的單元。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述啞元填充單元組可以包
括三種單元角單元、邊單元和中心單元。在另一個(gè)實(shí)施方式中，所 述啞元填充單元組可以包括九種單元頂部左單元、頂部右單元、底 部左元件、底部右單元、頂部中心單元、右中心單元、底部中心單元、 左中心單元和中心單元。注意，在一些情況中，可能使用簡(jiǎn)單的幾何 操作(例如，旋轉(zhuǎn)和/或映射)用于從三種單元組創(chuàng)建九種單元組。在 另一個(gè)實(shí)施方式中，所述系統(tǒng)可以僅接收一種單元，其可以被復(fù)制從 而形成任意大小的陣列。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的一個(gè)啞元填充單元組。
一個(gè)啞元填充單元組可以包括頂部左單元402、頂部右單元406、 底部左單元414、底部右單元418、頂部中心單元404、右中心單元 412、底部中心單元416、左中心單元408和中心單元410。所述單元 可以包括不同的形狀和光學(xué)鄰近校正和/或輔助特4i。例如，在邊單元 例如右中心單元412 (見放大圖)中的結(jié)構(gòu)、光學(xué)鄰近校正和輔助特 征，可以與在角單元例如底部右單元418 (見放大圖)中的結(jié)構(gòu)、光 學(xué)鄰近4交正和輔助特征不同。該啞元填充單元組可以具有以下重要特 性它們可以用于創(chuàng)建不要求任何附加的光學(xué)鄰近校正或輔助特4正放 置以正確地印刷的任意大小的陣列。 才妄下來(lái)，所述系統(tǒng)可以確定在所述"i殳計(jì)布局中用于用啞元填充單 元填充的多邊形(步驟308 )。
在一個(gè)實(shí)施方式中系統(tǒng)在設(shè)計(jì)布局中放置塊網(wǎng)格。塊可以是正方 形或矩形，其可以容納九單元的陣列。網(wǎng)格中的每個(gè)塊可以鄰接鄰居 塊。接下來(lái)，系統(tǒng)可以移除與設(shè)計(jì)布局中形狀沖突的塊。所述系統(tǒng)可 以合并所述剩余塊以得到多邊形。
繼而，系統(tǒng)可以斷裂該多邊形成一組矩形(步驟310)。在一個(gè)實(shí)施方式中，每個(gè)矩形的尺寸可以是網(wǎng)格塊尺寸的整數(shù)倍。
在一個(gè)實(shí)施方式中，系統(tǒng)可以以如下方式將所述多邊形斷裂成一
組矩形其中沒有矩形具有比上限更大的面積。這對(duì)于確保系統(tǒng)在執(zhí) 行啞元填充同時(shí)沒有超過(guò)所述高密度值是所期望的。如果系統(tǒng)超過(guò)該 高密度值，所述系統(tǒng)可以移除造成布局超過(guò)該高密度值的吸元填充陣 列。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式系統(tǒng)如何可以確定多邊形 和將其斷裂為一組矩形。
^沒計(jì)布局的區(qū)域502、區(qū)域504和區(qū)域506可以包括功能結(jié)構(gòu)。 所述系統(tǒng)可以在設(shè)計(jì)布局中放置網(wǎng)格508。網(wǎng)格508中的每個(gè)塊可以 大到足以包含九個(gè)或更多單元組。接下來(lái)，系統(tǒng)可以選擇與所述設(shè)計(jì) 布局中結(jié)構(gòu)不相沖突的塊。如果在塊中放置單元違反設(shè)計(jì)規(guī)則，那么 該塊可能會(huì)與結(jié)構(gòu)沖突。例如，系統(tǒng)可以選擇網(wǎng)格508中陰影塊。系 統(tǒng)于是可以合并所選塊以形成多邊形。例如，所述系統(tǒng)可以合并網(wǎng)才各 508中陰影塊以形成多邊形。另外，系統(tǒng)可以移除與設(shè)計(jì)布局中結(jié)構(gòu) 沖突的塊，并且合并剩余塊以得到多邊形。接下來(lái)，系統(tǒng)可以斷裂該 多邊形以得到一組矩形，例如，矩形510、矩形512、矩形514、矩形 516和矩形518。
接下來(lái)，系統(tǒng)可以使用啞元填充單元組用于在設(shè)計(jì)布局中放置啞 元填充陣列，以填充所述矩形組中的矩形(步驟312)。在一個(gè)實(shí)施 方式中，系統(tǒng)可以;故置在頂部單元中啞元填充陣列。注意啞元填充陣 列可能不能完全填充矩形，即，啞元填充陣列填充的面積可能比該矩 形的面積小。
在一個(gè)實(shí)施方式中，系統(tǒng)可以選擇具有最大面積的矩形。具體地， 系統(tǒng)可以以矩形面積遞減的順序排列矩形，并且,人最大的矩形開始填 充矩形，直到布局的特征密度在低目標(biāo)密度和高目標(biāo)密度之間為止。
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的如何使用一組啞元填充 單元來(lái)創(chuàng)建一個(gè)啞元填充陣列。
矩形602可以利用圖4中所示的單元組填充。具體地，矩形602可以通過(guò)在角中放置角單元402、角單元406、角單元414和角單元 418,沿著邊放置邊單元404、邊單元408、邊單元412和邊單元416 并利用中心單元410填充該矩形剩余部分。顯而易見上述技術(shù)可以用 于填充任意大小的矩形。在每個(gè)單元中的輔助特征和光學(xué)鄰近校正設(shè) 計(jì)為不管矩形大小，該輔助特征和光學(xué)鄰近校正是有效的。
注意較小陣列可能具有較低密度，以及較大陣列可能具有較高密 度。角單元和邊單元可以包括亞分辨率輔助特征(SRAF)。因此， 角單元和邊單元的密度可能小于中心單元的密度，因?yàn)橹行膯卧赡?沒有任何輔助特征，或它可能比角單元和邊單元具有較少的輔助特 征。例如，圖4中所示的3 x 3陣列的密度可能小于圖6中所示的4 x7陣列的密度。在一個(gè)實(shí)施方式中，系統(tǒng)可以在填充較小的矩形前 填充較大的矩形以便該系統(tǒng)盡快增加特征密度。
在一個(gè)實(shí)施方式中，系統(tǒng)可以分兩步驟;故置啞元填充陣列首先， 系統(tǒng)可以利用啞元填充單元組創(chuàng)建啞元填充陣列，然后所述系統(tǒng)可以 在設(shè)計(jì)布局中放置啞元填充陣列。
具體地，系統(tǒng)可以首先確定在矩形中單元的相對(duì)位置。例如，圖 6中，系統(tǒng)可以確定陣列中所有單元關(guān)于底部左單元414位置的相對(duì) 位置。，接下來(lái)，系統(tǒng)可以在矩形602的底部左角604》文置底部左單元 414。該陣列中的其它單元于是可以利用它們關(guān)于底部左單元414的 位置的相對(duì)位置而進(jìn)行放置。在一個(gè)實(shí)施方式中，最小陣列大小可以 是3x3。
注意所述流程可以利用全局方法或基于窗口的方法執(zhí)行啞元填 充才乘作。在全局方法中，系統(tǒng)可以針對(duì)整個(gè)設(shè)計(jì)布局凈丸行啞元填充。 另一方面，在基于窗口的方法中，系統(tǒng)可以^"對(duì)每個(gè)窗口執(zhí)行啞元填 充。
在一個(gè)實(shí)施方式中，系統(tǒng)可以以反復(fù)的方式執(zhí)行。亞元填充。例如， 系統(tǒng)可以以它們面積的遞減順序排列矩形。接下來(lái)，系統(tǒng)可以通過(guò)填 充最大面積的矩形和然后逐漸地填充較小面積的矩形來(lái)反復(fù)執(zhí)行啞 元填充。系統(tǒng)可以在該反復(fù)過(guò)程期間計(jì)算特征密度若干次(例如，系統(tǒng)可以在填充每個(gè)矩形后計(jì)算特征密度)，并且一旦布局(或窗口) 的特征密度在可接受的密度范圍中，所述系統(tǒng)可以結(jié)束該過(guò)程。 圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。
計(jì)算機(jī)系統(tǒng)702包括處理器704、存儲(chǔ)器706和存儲(chǔ)設(shè)備708。 計(jì)算機(jī)系統(tǒng)702可以與顯示器714、鍵盤710和指點(diǎn)設(shè)備712耦合。 存儲(chǔ)設(shè)備708可以存儲(chǔ)應(yīng)用716和可以包括模塊720的應(yīng)用718。應(yīng) 用716和應(yīng)用718可以包括當(dāng)計(jì)算機(jī)執(zhí)行時(shí)會(huì)使該計(jì)算機(jī)執(zhí)行用于執(zhí) 行啞元填充的流程的指令。
在操作期間，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)702可以加載應(yīng)用716到存儲(chǔ)器706。 接下來(lái)，該系統(tǒng)可以利用應(yīng)用716來(lái)才丸行啞元填充。備選地，啞元填 充操作可以通過(guò)模塊720來(lái)執(zhí)行，其中模塊720可以是用于執(zhí)行IC 設(shè)計(jì)流程中其它步驟的應(yīng)用718的一部分。
結(jié)論
在該詳細(xì)說(shuō)明中描述的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)和代碼通常存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀 存儲(chǔ)介質(zhì)上，其可以是任何可存儲(chǔ)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)使用的代碼和/或數(shù) 據(jù)的設(shè)備或介質(zhì)。這包括但不限于易失性存儲(chǔ)器、非易失性存儲(chǔ)器、 磁和光存儲(chǔ)設(shè)備例如磁盤驅(qū)動(dòng)器、磁帶、CD(壓縮光盤)、DVD(數(shù) 字多功能光盤或數(shù)字視頻光盤)或其它的已知或?qū)?lái)開發(fā)的可以存儲(chǔ) 計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的介質(zhì)。
此外，前文已經(jīng)給出的關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施方式的描述僅出于說(shuō)明 和描述的目的。其并非意在于窮盡或者將本發(fā)明限制在所公開的形 式。因此，許多修改和變化對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見的。此 外，上述^^開的內(nèi)容并不試圖限制本發(fā)明。本發(fā)明的范圍由附加的權(quán) 利要求來(lái)限定。
1權(quán)利要求
1.一種用于在設(shè)計(jì)布局中執(zhí)行啞元填充，從而實(shí)現(xiàn)在窄的目標(biāo)密度范圍中的目標(biāo)密度的方法，該方法包括接收定義窄的目標(biāo)密度范圍的低目標(biāo)密度和高目標(biāo)密度；接收包括密度小于所述低目標(biāo)密度的區(qū)域的設(shè)計(jì)布局，其中啞元形狀被期望放置該設(shè)計(jì)布局中，其中該啞元形狀要求輔助特征和光學(xué)鄰近校正以正確地印刷，并且其中在所述設(shè)計(jì)布局中放置該啞元形狀后執(zhí)行輔助特征放置和光學(xué)鄰近校正是不切實(shí)際的；接收用于放置啞元填充陣列以填充任意大小的矩形的啞元填充單元組，其中該啞元填充單元組包括使該啞元形狀正確地印刷而不管該啞元填充陣列的大小的輔助特征和光學(xué)鄰近校正；確定該設(shè)計(jì)布局中的多邊形以用啞元填充單元填充；將該多邊形斷裂成一組矩形；以及使用該啞元填充單元組來(lái)在該設(shè)計(jì)布局中放置第一啞元填充陣列，其中該第一啞元填充陣列填充矩形組中第一矩形。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該啞元填充單元組包括 頂部左單元；頂部右單元； 底部左單元； 底部右單元； 頂部中心單元；右中心單元；底部中心單元；左中心單元；以及 中心單元。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括選擇該第一矩形， 其中該第 一矩形在該矩形組中具有最大面積。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中使用該啞元填充單元組以放置該第一啞元填充陣列包括確定在該第一啞元填充陣列中一些列；以及 確定在該第一啞元填充陣列中一些行。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中確定該多邊形包括 在所述設(shè)計(jì)布局中放置塊網(wǎng)格； 移除與該設(shè)計(jì)布局中的形狀沖突的塊；以及 合并塊以得到多邊形。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該啞元填充單元組包括 角單元；邊單元；以及 中心單元。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中使用該啞元填充單元組以 放置該笫一啞元填充陣列包括確定角單元位置； 確定邊單元位置；以及 確定中心單元位置。
8. —種存儲(chǔ)指令的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中當(dāng)計(jì)算機(jī)執(zhí)行該 指令時(shí)可使計(jì)算機(jī)執(zhí)行一種用于在設(shè)計(jì)布局中執(zhí)行啞元填充，從而實(shí) 現(xiàn)在窄的目標(biāo)密度范圍中的目標(biāo)密度的方法，該方法包括接收定義窄的目標(biāo)密度范圍的低目標(biāo)密度和高目標(biāo)密度；接收包括密度小于所述低目標(biāo)密度的區(qū)域的設(shè)計(jì)布局，其中啞元 形狀被期望放置該設(shè)計(jì)布局中，其中該啞元形狀要求輔助特征和光學(xué) 鄰近校正以正確地印刷，并且其中在所述設(shè)計(jì)布局中放置該啞元形狀 后執(zhí)行輔助特征放置和光學(xué)鄰近校正是不切實(shí)際的；接收用于放置啞元填充陣列以填充任意大小的矩形的啞元填充 單元組，其中該啞元填充單元組包招"使該啞元形狀正確地印刷而不管 該啞元填充陣列的大小的輔助特征和光學(xué)鄰近校正；確定該i殳計(jì)布局中的多邊形以用啞元填充單元填充；將該多邊形斷裂成一組矩形；以及使用該啞元填充單元組來(lái)在該設(shè)計(jì)布局中》丈置第一啞元填充陣 列，其中該第 一啞元填充陣列填充矩形組中第 一矩形。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中該啞元填 充單元組包括頂部左單元； 頂部右單元； 底部左單元； 底部右單元； 頂部中心單元；右中心單元； 底部中心單元；左中心單元；以及 中心單元。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，該方法進(jìn)一步 包括選擇該第 一矩形，其中該第 一矩形在該矩形組中具有最大面積。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中使用該啞 元填充單元組以;改置該第一啞元填充陣列包括確定在該第一啞元填充陣列中一些列；以及 確定在該第一啞元填充陣列中一些行。
12. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中確定該多 邊形包括在所述設(shè)計(jì)布局中放置塊網(wǎng)格； 移除與該設(shè)計(jì)布局中的形狀沖突的塊；以及 合并塊以得到多邊形。
13. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中該啞元填 充單元組包括角單元； 邊單元；以及 中心單元。
14. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中使用該啞 元填充單元組以放置該第一啞元填充陣列包括確定角單元位置； 確定邊單元位置；以及 確定中心單元位置。
15. —種用于在設(shè)計(jì)布局中執(zhí)行啞元填充，從而實(shí)現(xiàn)在窄的目標(biāo) 密度范圍中的目標(biāo)密度的設(shè)備，該設(shè)備包括密度接收機(jī)制配置成接收定義窄的目標(biāo)密度范圍的低目標(biāo)密度 和高目標(biāo)密度；布局接收機(jī)制配置成接收包括密度小于所述低目標(biāo)密度的區(qū)域 的設(shè)計(jì)布局，其中啞元形狀被期望放置該設(shè)計(jì)布局中，其中該啞元形 狀要求輔助特征和光學(xué)鄰近校正以正確地印刷，并且其中在所述設(shè)計(jì) 布局中放置該啞元形狀后執(zhí)行輔助特征放置和光學(xué)鄰近校正是不切 實(shí)際的；單元接收機(jī)制配置成接收用于放置啞元填充陣列以填充任意大 小的矩形的啞元填充單元組，其中該吸元填充單元組包括使該吸元形 狀正確地印刷而不管該啞元填充陣列的大小的輔助特征和光學(xué)鄰近 校正；確定才幾制配置成確定該^沒計(jì)布局中的多邊形以用啞元填充單元 填充；斷裂機(jī)制配置成將該多邊形斷裂成一組矩形；以及 陣列》文置機(jī)制配置成使用該啞元填充單元組來(lái)在該設(shè)計(jì)布局中放置第一啞元填充陣列，其中該第 一啞元填充陣列填充矩形組中第一矩形。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中該啞元填充單元組包括 頂部左單元；頂部右單元； 底部左單元； 底部右單元；頂部中心單元；右中心單元； 底部中心單元；左中心單元；以及 中心單元。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括選擇機(jī)制配置成 選擇該第 一 矩形，其中該第 一 矩形在該矩形組中具有最大面積。
18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中該陣列放置機(jī)制配置成: 確定在該第一啞元填充陣列中一些列；以及 確定在該第一啞元填充陣列中一些行。
19. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中該確定機(jī)制配置成 在所述設(shè)計(jì)布局中放置塊網(wǎng)格； 移除與該設(shè)計(jì)布局中的形狀沖突的塊；以及 合并塊以得到多邊形。
20. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的"i殳備，其中該啞元填充單元組包括: 角單元；邊單元；以及 中心單元。
21. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中該陣列放置機(jī)制配置成: 確定角單元位置；確定邊單元位置；以及 確定中心單元位置。
全文摘要
一個(gè)實(shí)施方式在設(shè)計(jì)布局中執(zhí)行啞元填充，從而實(shí)現(xiàn)在窄的目標(biāo)密度范圍中的目標(biāo)密度。在操作期間，系統(tǒng)接收一個(gè)設(shè)計(jì)布局，該設(shè)計(jì)布局包括密度不在目標(biāo)密度所期望的范圍中的區(qū)域。接下來(lái)，所述系統(tǒng)接收可以用于放置啞元填充陣列從而填充任意大小的矩形的啞元填充單元組。該啞元填充單元可以包括使該啞元形狀正確地印刷，而不管該啞元填充陣列的大小的輔助特征和光學(xué)鄰近校正。該系統(tǒng)于是確定該設(shè)計(jì)布局中的多邊形以用啞元填充單元填充。接下來(lái)，該系統(tǒng)斷裂該多邊形成一組矩形。該系統(tǒng)使用該啞元填充單元組以放置填充矩形的啞元填充陣列。
文檔編號(hào)G06F17/50GK101689214SQ200880011782
公開日2010年3月31日 申請(qǐng)日期2008年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月28日
發(fā)明者D·L·瓜納爾, P·J.m.·范阿德里切姆 申請(qǐng)人:新思科技有限公司