一種低功耗可校準高壓穩(wěn)壓電路的制作方法
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明屬于微電子技術(shù)領域，具體涉及一種低功耗可校準高壓穩(wěn)壓電路，它主要應用于存在高壓工作情況的非易失存儲器中，例如快閃存儲器Flash Memory、電可擦除可編程只讀存儲器EEPR0M等等。
【背景技術(shù)】
[0002]在多數(shù)的非易失存儲器擦寫數(shù)據(jù)的時候需要使用電荷栗產(chǎn)生高壓，高壓的穩(wěn)定是存儲器擦寫數(shù)據(jù)時所必須的，而且晶體管被暴露在高壓環(huán)境時面臨被擊穿損壞的危險，所以高壓不僅需要保證其幅值具有較小的波動幅度，而且不能夠在整個高壓有效的過程中產(chǎn)生漂移。而在一些功耗要求比較嚴格的應用環(huán)境中還要利用低功耗方法來設計穩(wěn)壓電路，例如應用在無源RFID標簽芯片中的非易失存儲器中的高壓穩(wěn)壓器，它需要從面積和功耗兩個性能指標中進行嚴格的控制。
[0003]目前在一些文獻中也有提出的一些低功耗的高壓穩(wěn)壓方法，但是他們多數(shù)是不能夠進行外部校準，一次性設計流片之后產(chǎn)生的高壓幅值不能夠進行修正導致流片失敗，并且高壓在長時間的工作情況時產(chǎn)生正向漂移，使高壓變得更高，具有擊穿晶體管的隱患。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提出一種低功耗可校準的高壓穩(wěn)壓電路，在保證低功耗和不占用太大面積的情況下使高壓電路的設計在流片之后可以方便修正高壓幅值，并且利用簡單的電荷補償方法解決了高壓在工作過程中存在漂移的情況。
[0005]本發(fā)明具體的技術(shù)方案如下:
[0006]—種低功耗可校準高壓穩(wěn)壓電路，包括隔離高壓模塊1、電壓復位模塊一 2、帶校準電容的分壓模塊3、電壓復位模塊二 4、電荷補償模塊5和控制模塊6 ;
[0007]所述隔離高壓模塊1由一個PM0S晶體管Ml構(gòu)成，所述PM0S晶體管Ml的源極連接至電荷栗CP的高壓輸出端口 VPP，柵極連接至電荷栗CP的中壓輸出端口 VMID，其漏極連接至節(jié)點N1 ；
[0008]所述電壓復位模塊一 2由NM0S晶體管M2?M4構(gòu)成，所述晶體管M2的漏極連接至節(jié)點N1，源極連接至節(jié)點N2，柵極連接至電源VDD ;所述晶體管M3的柵極與源極連接并連接至節(jié)點N2，漏極連接至電源VDD ;所述晶體管M4的漏極連接至節(jié)點N2，源極連接至地端GND，柵極連接至端口 WR_N ；
[0009]所述帶校準電容的分壓模塊3由若干個電容和若干個編碼控制開關構(gòu)成，電容CA連接在節(jié)點N1和N3之間，電容CB連接在節(jié)點N3和地端GND之間，電容C。?C ,的一端連接至節(jié)點N3，另外一端分別與對應的編碼控制開關S〈0>?S〈N>連接，其中，i表示序號，S〈i>表示第i個編碼開關，對應電容(；，N表示電容總個數(shù)；S〈i> = 0表示開關處于斷開狀態(tài)，S〈i> = 1則表示開關處于閉合狀態(tài)；
[0010]所述電壓復位模塊二 4由一個PM0S晶體管M6和一個NM0S晶體管M7組成，晶體管M6、M7的源極相連之后連接至地端GND，漏極相連之后連接至節(jié)點N3 ;晶體管M6的柵極連接至端口 WR，晶體管M7的柵極連接至端口 WR_N。其中端口 WR的信號與端口 WR_N的信號總是反相的。
[0011]所述電荷補償模塊5由一個PM0S晶體管M5構(gòu)成，它的柵極與其源極均與電源VDD相連接，漏極連接至節(jié)點N3 ；
[0012]所述控制模塊6為一個差分輸入、單端輸出的比較器C0MP構(gòu)成，反相輸入端連接至節(jié)點N3，其正向輸入端連接至端口 REF，輸出端連接到節(jié)點N4。
[0013]為進一步理解本發(fā)明，將各模塊功能說明如下，隔離高壓模塊負責隔離由電荷栗CP產(chǎn)生的高壓VPP外部掛載的電容對分壓電容CA、CB造成的影響；電壓復位模塊一 2為節(jié)點N1電壓復位模塊，負責在寫信號無效時即端口 WR_N = 1時將節(jié)點N1電位置為初始電位0V ;帶校準電容的分壓模塊負責將節(jié)點N1的，電位經(jīng)過電容的分壓在節(jié)點N3處得到分壓；電壓復位模塊二為節(jié)點N3電壓復位模塊，負責在寫信號無效時即端口 WR = 0、WR_N = 1時將節(jié)點N3的電位置為初始電位0V ;電荷補償模塊是為節(jié)點N3進行電荷補償?shù)哪K；控制模塊負責產(chǎn)生電荷栗工作使能信號并輸出到節(jié)點N4。
[0014]采用本發(fā)明取得的技術(shù)效果:本發(fā)明提出一種能夠方便調(diào)整高壓幅值的高壓穩(wěn)壓結(jié)構(gòu)，容易使流片后廣生的尚壓穩(wěn)定在要求的幅值，提尚流片后的芯片良率；本發(fā)明中提供了一種簡潔的電荷補償結(jié)構(gòu)，能夠很有效的解決高壓正向漂移的問題。
【附圖說明】
[0015]圖1是本發(fā)明的低功耗可校準高壓穩(wěn)壓電路結(jié)構(gòu)圖。
【具體實施方式】
[0016]下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行說明。
[0017]如圖1所述，一種低功耗可校準高壓穩(wěn)壓電路，包括隔離高壓模塊1、電壓復位模塊一 2、帶校準電容的分壓模塊3、電壓復位模塊二 4、電荷補償模塊5、控制模塊6 ;
[0018]所述隔離高壓模塊1由一個PM0S晶體管Ml構(gòu)成，所述PM0S晶體管Ml的源極連接至電荷栗CP的高壓輸出端口 VPP，柵極連接至電荷栗CP的中壓輸出端口 VMID，其漏極連接至節(jié)點N1 ;這樣可以有效的解除高壓輸出端口外加電容負載對節(jié)點N1的影響，從而確保模塊3在節(jié)點N3處能夠得到可靠正確的分壓。電荷栗CP是高壓產(chǎn)生電路，采用現(xiàn)有技術(shù)中的產(chǎn)品即可實現(xiàn)高壓輸出。
[0019]所述電壓復位模塊一 2由NM0S晶體管M2?M4構(gòu)成，所述晶體管M2的漏極連接至節(jié)點N1，源極連接至節(jié)點N2，柵極連接至電源VDD ;所述晶體管M3的柵極與源極連接并連接至節(jié)點N2，漏極連接至電源VDD ;所述晶體管M4的漏極連接至節(jié)點N2，源極連接至地端GND，柵極連接至端口 WR_N ；
[0020]所述帶校準電容的分壓模塊3由若干個電容和若干個編碼控制開關構(gòu)成，電容CA連接在節(jié)點N1和N3之間，電容CB連接在節(jié)點N3和地端GND之間，電容C。?C ,的一端連接至節(jié)點N3，另外一端分別與對應的編碼控制開關S〈0>?S〈N>連接，其中，i表示序號，S〈i>表示第i個編碼開關，對應電容(；，N表示電容總個數(shù)；S〈i> = 0表示開關處于斷開狀態(tài)，S〈i> = 1則表示開關處于閉