壓V3 =VB(；+Vth。值a和b 是溫度獨立的常數(shù)。電壓VBG是由帶隙電壓生成器電路（對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是已知的） 所生成的帶隙基準(zhǔn)電壓生成。電壓aVT和bVT可以從帶隙基準(zhǔn)電壓生成器得出。
[0019] 運算放大器112通過負(fù)反饋路徑124運行以驅(qū)動晶體管120的操作，使得晶體 管120的源極端子處的電壓等于第一基準(zhǔn)電壓VI。因此，通過電阻126在晶體管120的源 極-漏極路徑中生成基準(zhǔn)電流Iref( =V1/R126)。電阻126的值是相并聯(lián)的晶體管128的 導(dǎo)通電阻和晶體管130的導(dǎo)通電阻的函數(shù)，并且這些器件由施加的偏置電壓V2和V3所控 制以操作在三極管區(qū)。因此，晶體管128和130的導(dǎo)通電阻取決于V2和V3。
【主權(quán)項】
1. 一種電路，包括： 被配置為運載基準(zhǔn)電流的基準(zhǔn)電流路徑； 第一晶體管，耦合到所述基準(zhǔn)電流路徑并且被配置為運載所述基準(zhǔn)電流的第一部分， 所述第一晶體管具有被配置為由第一電壓偏置的控制端子；以及 第二晶體管，耦合到所述基準(zhǔn)電流路徑并且被配置為運載所述基準(zhǔn)電流的第二部分， 所述第二晶體管具有被配置為由第二電壓偏置控制端子； 其中所述第一晶體管和所述第二晶體管彼此并聯(lián)耦合；并且 其中在所述第一晶體管中流動的電流的溫度系數(shù)與在所述第二晶體管中流動的電流 的溫度系數(shù)相反。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，進(jìn)一步包括被配置為生成帶隙電壓的帶隙基準(zhǔn)電壓生 成器電路，并且其中所述第一電壓是從所述帶隙電壓得出的電壓。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，進(jìn)一步包括被配置為生成第一電流的帶隙基準(zhǔn)電壓生 成器電路，并且包括被配置為通過跨二極管接法的晶體管傳送所述第一電流而生成所述第 一電壓的電路。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，進(jìn)一步包括鏡像電路和附加電路，所述鏡像電路被配 置為生成從所述第一電流鏡像反射的第二電流，所述附加電路被配置為通過跨電阻器傳送 所述第二電流而生成所述第二電壓。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路，其中所述附加電路進(jìn)一步被配置為通過跨與所述電阻 器串聯(lián)耦合的二極管接法的晶體管傳送所述第二電流而生成所述第二電壓。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路，其中所述二極管接法的晶體管具有耦合到所述第二晶 體管的控制端子的控制端子。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，進(jìn)一步包括： 運算放大器，具有第一輸入端和第二輸入端，所述第一輸入端被配置為接收基準(zhǔn)電壓， 所述第二輸入端耦合到并聯(lián)耦合的所述第一晶體管和所述第二晶體管；以及 第三晶體管，具有耦合到所述運算放大器的輸出端的控制端子，所述第三晶體管限定 所述基準(zhǔn)電流路徑并且與并聯(lián)耦合的所述第一晶體管和所述第二晶體管串聯(lián)耦合。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路，其中所述運算放大器被配置為向所述運算放大器的 所述第二輸入端供應(yīng)附加電流，所述電路進(jìn)一步包括電流源，所述電流源被配置為生成施 加至所述運算放大器的所述第二輸入端的偏移電流，所述偏移電流實質(zhì)上等于所述附加電 流。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的電路，進(jìn)一步包括電流鏡像電路，所述電流鏡像電路包括所 述電流源，所述電流鏡像電路被配置為鏡像反射從所述第一電壓得出的電流以生成所述偏 移電流。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述第一電壓從帶隙電壓得出并且所述第二電 壓從PTAT電壓得出。
11. 一種電路，包括： 輸出晶體管，被配置為運載基準(zhǔn)電流； 第一晶體管，與所述輸出晶體管串聯(lián)耦合以運載所述基準(zhǔn)電流的第一部分； 第二晶體管，與所述輸出晶體管串聯(lián)耦合以運載所述基準(zhǔn)電流的第二部分； 其中所述第一晶體管和所述第二晶體管彼此并聯(lián)耦合； 帶隙基準(zhǔn)電壓生成器電路，被配置為生成帶隙基準(zhǔn)電壓； 第一偏置電路，被配置為生成用于向所述第一晶體管的控制端子施加的第一偏置電 壓，所述第一偏置電壓從所述帶隙基準(zhǔn)電壓得出； 第二偏置電路，被配置為生成用于向所述第二晶體管的控制端子施加的第二偏置電 壓，所述第二偏置電壓根據(jù)從在所述帶隙基準(zhǔn)電壓生成器電路中流動的電流鏡像反射的、 與絕對溫度成比例的（PTAT)電流生成； 其中在所述第一晶體管中流動的電流的溫度系數(shù)與在所述第二晶體管中流動的電流 的溫度系數(shù)相反。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的電路，進(jìn)一步包括： 運算放大器，具有第一輸入端和第二輸入端，所述第一輸入端被配置為接收基準(zhǔn)電壓， 所述第二輸入端耦合到并聯(lián)耦合的所述第一晶體管和所述第二晶體管；并且 其中所述輸出晶體管具有耦合到所述運算放大器的輸出端的控制端子。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的電路，其中所述第一偏置電路被配置為通過跨二極管接法 的晶體管傳送在所述帶隙基準(zhǔn)電壓生成器電路內(nèi)的電流而生成所述第一電壓。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的電路，其中所述第二偏置電路被配置為通過跨電阻器傳送 所述與絕對溫度成比例的（PTAT)電流而生成所述第二電壓。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的電路，其中所述第二偏置電路進(jìn)一步被配置為通過跨與所 述電阻器串聯(lián)耦合的二極管接法的晶體管傳送所述與絕對溫度成比例的（PTAT)電流而生 成所述第二電壓。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的電路，其中所述運算放大器進(jìn)一步被配置為向所述運算放 大器的所述第二輸入端供應(yīng)附加電流，所述電路進(jìn)一步包括電流源，所述電流源被配置為 生成施加至所述運算放大器的所述第二輸入端的偏移電流，所述偏移電流實質(zhì)上等于所述 附加電流。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的電路，進(jìn)一步包括電流鏡像電路，所述電流鏡像電路包括 所述電流源，所述電流鏡像電路被配置為鏡像反射所述第二電流以生成所述偏移電流。
18. -種電路，包括： 被配置為運載基準(zhǔn)電流的基準(zhǔn)電流路徑； 第一晶體管，與所述基準(zhǔn)電流路徑串聯(lián)耦合以運載所述基準(zhǔn)電流； 第二晶體管，與所述第一晶體管串聯(lián)耦合以運載所述基準(zhǔn)電流； 帶隙基準(zhǔn)電壓生成器電路，被配置為生成帶隙基準(zhǔn)電壓； 第一偏置電路，被配置為生成用于向所述第一晶體管的控制端子施加的第一偏置電 壓，所述第一偏置電壓從所述帶隙基準(zhǔn)電壓得出；以及 第二偏置電路，被配置為生成用于向所述第二晶體管的控制端子施加的第二偏置電 壓，所述第二偏置電壓根據(jù)從在所述帶隙基準(zhǔn)電壓生成器電路中流動的電流鏡像反射的、 與絕對溫度成比例的（PTAT)電流生成。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的電路，其中所述第一偏置電路被配置為生成超過所述帶隙 基準(zhǔn)電壓的所述第一電壓。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的電路，其中所述第一偏置電路被配置為通過跨二極管接法 的晶體管傳送在所述帶隙基準(zhǔn)電壓生成器電路中流動的電流而生成所述第一電壓。
21. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的電路，其中所述第二電壓通過跨電阻器傳送所述與絕對溫 度成比例的（PTAT)電流而形成。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的電路，其中所述第二電壓進(jìn)一步通過跨與所述電阻器串聯(lián) 耦合的二極管接法的晶體管傳送所述與絕對溫度成比例的（PTAT)電流而形成。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的電路，其中所述二極管接法的晶體管具有耦合到所述第二 晶體管的控制端子的控制端子。
【專利摘要】本發(fā)明涉及溫度和工藝補償?shù)碾娏骰鶞?zhǔn)電路?；鶞?zhǔn)電流路徑運載基準(zhǔn)電流。第一晶體管耦合到基準(zhǔn)電流路徑。第二晶體管也耦合到基準(zhǔn)電流路徑。第一和第二晶體管并聯(lián)連接以運載基準(zhǔn)電流。第一晶體管由第一電壓偏置(其是帶隙電壓加閾值電壓)。第二晶體管由第二電壓偏置(其是PTAT電壓加閾值電壓)。第一和第二晶體管因此被具有不同和相反溫度系數(shù)的電壓所偏置，結(jié)果是在第一和第二晶體管中流動的電流的溫度系數(shù)是相反的并且基準(zhǔn)電流因此具有低的溫度系數(shù)。
【IPC分類】G05F3-24
【公開號】CN104765405
【申請?zhí)枴緾N201410007047
【發(fā)明人】劉永鋒
【申請人】意法半導(dǎo)體研發(fā)(深圳)有限公司
【公開日】2015年7月8日
【申請日】2014年1月2日
【公告號】US20150185754