一種用于北斗導(dǎo)航的接收射頻前端芯片的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種射頻接收前端芯片,一種用于北斗導(dǎo)航的接收射頻前端芯片，包括電流模式低噪聲放大器、第一電流模式混頻器、第二電流模式混頻器、第一鏡頻抑制多相濾波器、第二鏡頻抑制多相濾波器、IQ合成以及低通濾波器模塊；所述電流模式低噪聲放大器分別與第一電流模式混頻器和第二電流模式混頻器的輸入端連接；第一鏡頻抑制多相濾波器與第一電流模式混頻器的輸出端連接，第二鏡頻抑制多相濾波器與第二電流模式混頻器的輸出端連接；第一鏡頻抑制多相濾波器和第二鏡頻抑制多相濾波器的輸出端與IQ合成以及低通濾波器模塊連接。本實用新型可以實現(xiàn)對衛(wèi)星信號的有效放大、變頻和濾波功能。
【專利說明】
一種用于北斗導(dǎo)航的接收射頻前端芯片
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本實用新型屬于衛(wèi)星導(dǎo)航技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種用于北斗導(dǎo)航的接收射頻前端芯 片。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著導(dǎo)航系統(tǒng)的應(yīng)用越來越廣泛，消費者的要求越來越高，市場的競爭越來越激 烈，系統(tǒng)對導(dǎo)航芯片在低成本、低功耗、高性能、多功能等方面的要求也越來越高。為了實現(xiàn) 這些目標，其中一個可行的方法就是實現(xiàn)射頻接收前端電路和基帶電路的整條鏈路單片集 成。相對于以往的分立式電路設(shè)計，單片集成的形式可進一步提高接收射頻信號完整性及 系統(tǒng)載噪比指標等關(guān)鍵指標。 【實用新型內(nèi)容】
[0003] 本實用新型的目的在于提供一種用于北斗導(dǎo)航的接收射頻前端芯片。
[0004] 本實用新型解決上述問題的技術(shù)方案為：一種用于北斗導(dǎo)航的接收射頻前端芯 片，包括電流模式低噪聲放大器、第一電流模式混頻器、第二電流模式混頻器、第一鏡頻抑 制多相濾波器、第二鏡頻抑制多相濾波器、IQ合成以及低通濾波器模塊；
[0005] 所述電流模式低噪聲放大器分別與第一電流模式混頻器和第二電流模式混頻器 的輸入端連接；
[0006] 第一鏡頻抑制多相濾波器與第一電流模式混頻器的輸出端連接，第二鏡頻抑制多 相濾波器與第二電流模式混頻器的輸出端連接；
[0007] 第一鏡頻抑制多相濾波器和第二鏡頻抑制多相濾波器的輸出端與IQ合成以及低 通濾波器模塊連接。
[0008] 按上述方案，所述低噪聲放大器和混頻器、鏡頻抑制濾波器和IQ合成器采用低 壓1.2V供電，低通濾波器采用1.8V供電。
[0009] 按上述方案，所述電流模式低噪聲放大器采用共源級的輸入，輸出采用電容交叉 耦合結(jié)構(gòu)。
[0010] 本實用新型裝置帶來的有益效果是：針對衛(wèi)星信號功率小、頻率高、干擾多等問 題，本文提出了一種新型的電流模式低噪聲放大器電路拓撲結(jié)構(gòu)，該低噪放采用電容交叉 耦合負反饋技術(shù)實現(xiàn)了噪聲系數(shù)指標的顯著改善。此外該低噪放還具有射頻單端轉(zhuǎn)差分功 能，替代不利于集成的傳統(tǒng)巴倫，使后級電路以全差分的形式，獲得良好的轉(zhuǎn)換增益與共模 噪聲抑制能力，保證芯片具有優(yōu)異的系統(tǒng)信噪比;基于開關(guān)電流鏡技術(shù)，提出了一種高增益 的電流模式混頻電路，該混頻電路復(fù)用了低噪聲放大器的偏置電流，降低了芯片功耗并且 獲得了較高的轉(zhuǎn)換增益;采用I、Q正交結(jié)構(gòu)加三階多相濾波器電路結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了高鏡頻抑 制率的多相濾波器，提高了芯片對鏡像頻率信號的抑制能力。
【附圖說明】
[0011] 圖1是本實用新型一個實施例的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012] 圖2是本實用新型電流模式低噪聲放大器的電路圖；
[0013] 圖3為本實用新型電流模式混頻器的電路圖。
【具體實施方式】
[0014] 為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合實施例，對本 實用新型進行進一步詳細說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本實用新 型，并不用于限定本實用新型。
[0015] -種用于北斗導(dǎo)航的接收射頻前端芯片，電路圖如圖1所示，包括電流模式低噪聲 放大器、第一電流模式混頻器、第二電流模式混頻器、第一鏡頻抑制多相濾波器、第二鏡頻 抑制多相濾波器、IQ合成以及低通濾波器模塊；
[0016] 所述電流模式低噪聲放大器分別與第一電流模式混頻器和第二電流模式混頻器 的輸入端連接；
[0017] 第一鏡頻抑制多相濾波器與第一電流模式混頻器的輸出端連接，第二鏡頻抑制多 相濾波器與第二電流模式混頻器的輸出端連接；
[0018] 第一鏡頻抑制多相濾波器和第二鏡頻抑制多相濾波器的輸出端與IQ合成以及低 通濾波器模塊連接。
[0019] 其中，低噪聲放大器和混頻器、鏡頻抑制濾波器和IQ合成器采用低壓1.2V供 電，低通濾波器采用1.8V供電。
[0020] 具體設(shè)計指標如下表：
Luuw」 囹^萬電沭悮式1即栄戶放入益的一柙共評頭現(xiàn)力式的電蹐囹，米用J共源級的輸 入，保證電路有比較好的輸入匹配和噪聲性能。同時采用電容交叉親合（capacitive cross-coupling)結(jié)構(gòu)，提高了電路的有效跨導(dǎo)，并可有效降低電路的噪聲。輸出級輸出的 電流信號直接送入下一級的電流模式混頻器中，省去了低噪聲放大器的負載電路。
[0023] 圖3為本實用新型采用的電流模式混頻器的一種具體實現(xiàn)方式的電路圖，該電路 的核心模塊是開關(guān)電流鏡。Ml、M2、M7和M8組成兩對電流鏡，可以對電流信號進行放大。
[0024] 本實用新型采用的是電流模式的電路結(jié)構(gòu)，低噪聲放大器與混頻器之間直接用電 流的方式傳輸信號，不需要額外的負載和緩沖電路，而且低噪聲放大器與混頻器之間有一 部分電流是復(fù)用的，所以大大降低了電路的功耗。
【主權(quán)項】
1. 一種用于北斗導(dǎo)航的接收射頻前端芯片，其特征在于，包括電流模式低噪聲放大器、 第一電流模式混頻器、第二電流模式混頻器、第一鏡頻抑制多相濾波器、第二鏡頻抑制多相 濾波器、IQ合成以及低通濾波器模塊； 所述電流模式低噪聲放大器分別與第一電流模式混頻器和第二電流模式混頻器的輸 入端連接； 第一鏡頻抑制多相濾波器與第一電流模式混頻器的輸出端連接，第二鏡頻抑制多相濾 波器與第二電流模式混頻器的輸出端連接； 第一鏡頻抑制多相濾波器和第二鏡頻抑制多相濾波器的輸出端與IQ合成以及低通濾 波器模塊連接。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的接收射頻前端芯片，其特征在于，所述低噪聲放大器和混頻 器、鏡頻抑制多相濾波器和IQ合成器采用低壓1.2V供電，低通濾波器采用1.8V供電。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的接收射頻前端芯片，其特征在于，所述電流模式低噪聲放大器 采用共源級的輸入，輸出采用電容交叉耦合結(jié)構(gòu)。
【文檔編號】G01S19/21GK205539487SQ201620206223
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年3月17日
【發(fā)明人】安慶, 陳西江, 吳浩, 柳濤, 黎華
【申請人】武漢福天通科技有限公司