集成電路霍爾效應(yīng)測試裝置及其測試平臺的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型大體上涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及集成電路霍爾效應(yīng)（HallEffect)測試裝置及其測試平臺。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，現(xiàn)有技術(shù)中還沒有為集成電路設(shè)計專業(yè)的霍爾效應(yīng)測試平臺。然而，霍爾效應(yīng)作為一種電磁效應(yīng)，其會通過磁效應(yīng)對測試導(dǎo)體中的電子產(chǎn)生磁場力的作用并在測試導(dǎo)體兩端產(chǎn)生霍爾電壓，從而對測試導(dǎo)體的各項參數(shù)產(chǎn)生一定影響。對于半導(dǎo)體來說，這種磁效應(yīng)帶來的影響尤為顯著。
[0003]因而，業(yè)內(nèi)需要設(shè)計一種測試平臺來檢測半導(dǎo)體中的霍爾效應(yīng)。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型的目的之一在于提供集成電路霍爾效應(yīng)測試平臺，填補行業(yè)內(nèi)集成電路霍爾效應(yīng)測試的空白，滿足不同客戶的需求。
[0005]根據(jù)本實用新型一實施例的集成電路霍爾效應(yīng)測試平臺包括:測試機臺、測試底板以及霍爾效應(yīng)測試裝置。測試機臺包括基板?；魻栃?yīng)測試裝置設(shè)置在測試底板中?；魻栃?yīng)測試裝置包括:屏蔽殼體，定義一測試區(qū)；磁場線圈，經(jīng)配置產(chǎn)生磁場;磁場線圈設(shè)置于測試區(qū)內(nèi)；以及測試座，經(jīng)配置以承載待測試集成電路。測試座設(shè)置于測試區(qū)內(nèi)且為磁場線圈所環(huán)繞。
[0006]根據(jù)本實用新型的另一實施例，測試區(qū)外側(cè)IOOmm之內(nèi)的范圍為磁場屏蔽區(qū)。測試區(qū)外側(cè)與測試機臺的基板的間隔距離至少大于100mm。測試座包含襯底和導(dǎo)電觸片，該導(dǎo)電觸片設(shè)置于襯底之上。
[0007]根據(jù)本實用新型的另一實施例，集成電路霍爾效應(yīng)測試平臺還包括一支撐架體，該支撐架體配置于測試底板與測試機臺的基板之間且用于支撐該測試底板。根據(jù)本實用新型的另一實施例，集成電路霍爾效應(yīng)測試平臺進(jìn)一步包括多個導(dǎo)桿，該多個導(dǎo)桿用于將待測試集成電路推送或推離測試區(qū)。
[0008]本實用新型的又一實施例還提供了適用于上述集成電路霍爾效應(yīng)測試平臺的集成電路霍爾效應(yīng)測試裝置。本實用新型實施例在半導(dǎo)體集成電路常規(guī)測試平臺中設(shè)計了用于測試集成電路霍爾效應(yīng)的測試平臺，增加了半導(dǎo)體集成電路的測試項目，提升了集成電路測試機臺的能力。
【附圖說明】
[0009]圖I是根據(jù)本實用新型一實施例的處于測試底板中的集成電路霍爾效應(yīng)測試裝置的前視立體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖2是根據(jù)本實用新型一實施例的處于測試底板中的集成電路霍爾效應(yīng)測試裝置的后視立體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖3是根據(jù)本實用新型一實施例的測試中的集成電路霍爾效應(yīng)測試裝置的側(cè)向透視示意圖。
[0012]圖4是根據(jù)本實用新型一實施例的集成電路霍爾效應(yīng)測試平臺示意圖。
【具體實施方式】
[0013]為更好的理解本實用新型的精神，以下結(jié)合本實用新型的部分優(yōu)選實施例對其作進(jìn)一步說明。
[0014]圖I是根據(jù)本實用新型一實施例的處于測試底板中11的集成電路霍爾效應(yīng)測試裝置10的前視立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是根據(jù)本實用新型一實施例的處于測試底板11中的集成電路霍爾效應(yīng)測試裝置10的后視立體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]如圖I和2所示，測試底板11內(nèi)部設(shè)置有集成電路霍爾效應(yīng)測試裝置10，且該測試底板11由非導(dǎo)磁材料構(gòu)成。集成電路霍爾效應(yīng)測試裝置10包括:屏蔽殼體12、磁場線圈14、測試座16。其中，測試座16包含導(dǎo)電觸片20。測試座16用于承載待測試集成電路18，并通過其導(dǎo)電觸片20與待測試集成電路18的引腳22電連接。屏蔽殼體12可由塑料或鋁等非導(dǎo)磁材料構(gòu)成，且在該屏蔽殼體12內(nèi)部定義一測試區(qū)24。將用于產(chǎn)生磁場的磁場線圈14設(shè)置于該測試區(qū)24內(nèi)。磁場線圈14以繞線方式纏繞于屏蔽殼體12內(nèi)側(cè)。測試座16為磁場線圈14所環(huán)繞，測試座16的形狀可設(shè)計為使其可為磁場線圈14所環(huán)繞的任一形狀。
[0016]磁場線圈14進(jìn)一步連接電源線26以與外部電源(未示出）連接，以在測試區(qū)24內(nèi)產(chǎn)生所需磁場。磁場線圈14的繞線圈數(shù)以及繞線的直徑根據(jù)實際測試的需求決定。例如(但不限于），磁場線圈14的繞線圈數(shù)可為2圈或4圈等，繞線的直徑可為Imm等。
[0017]圖3是根據(jù)本實用新型一實施例的測試中的霍爾效應(yīng)測試裝置10的側(cè)向透視示意圖。
[0018]在圖3中，測試座16為磁場線圈14所環(huán)繞。待測試集成電路18位于磁場線圈14內(nèi)部且與測試座16的導(dǎo)電觸片20連接。當(dāng)磁場線圈14通過其電源連接線接通電源時，其產(chǎn)生的磁場穿過連接于測試座16的導(dǎo)電觸片20的待測試集成電路18，借此模擬磁場環(huán)境對于待測試集成電路18的影響。
[0019]圖4是根據(jù)本實用新型一實施例的集成電路霍爾效應(yīng)測試平臺示意圖。
[0020]如圖4所示，根據(jù)本實用新型一實施例的霍爾效應(yīng)測試平臺40，其包括氣缸推送桿42、測試機臺44、待測試集成電路推送部件46、導(dǎo)桿47-49、支撐架體50、測試底板11以及集成電路霍爾效應(yīng)測試裝置10。其中，測試機臺44包括基板52。集成電路霍爾效應(yīng)測試裝置10位于測試底板11內(nèi)（參見圖1-2)。且該集成電路霍爾效應(yīng)測試裝置10包括:屏蔽殼體12、磁場線圈14以及測試座16。集成電路霍爾效應(yīng)測試裝置10的屏蔽殼體12可由非導(dǎo)磁材料構(gòu)成。支撐架體50設(shè)置于測試底板11與測試機臺44的基板52之間且用于支撐測試底板11。導(dǎo)桿47-49用于將待測試集成電路18推送或推離測試區(qū)24。其中導(dǎo)桿47和48固定于測試底板11和測試機臺44之間，導(dǎo)桿49貫穿測試機臺44并可以自由上下伸縮。支撐架體50和導(dǎo)桿47和48的高度可靈活配置，以滿足測試平臺的需要。待測試集成電路推送部件46用于裝載待測試集成電路18，并通過導(dǎo)桿47-49將其推送或推離測試區(qū)24。該待測試集成電路推送部件