一種具有多檢測(cè)深度的電容成像探頭的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于電容成像領(lǐng)域，涉及一種成像探頭，特別涉及一種具有多檢測(cè)深度的電容成像探頭。
【背景技術(shù)】
[0002]電容成像技術(shù)是一種新型的無(wú)損檢測(cè)技術(shù)，它利用一對(duì)共面電極板中間形成的準(zhǔn)靜態(tài)邊緣電場(chǎng)對(duì)試塊中的缺陷進(jìn)行檢測(cè)。電容成像技術(shù)是一種非接觸式、非侵入式的無(wú)損檢測(cè)方法，這些特征使得電容成像技術(shù)克服了常規(guī)的渦流檢測(cè)、電位差法、超聲波法的一些局限，并在不同性質(zhì)的材料中都可以應(yīng)用。
[0003]電容成像探頭的設(shè)計(jì)是電容成像技術(shù)的關(guān)鍵，合理的設(shè)計(jì)使得電容成像技術(shù)可以用于檢測(cè)絕緣體表面和內(nèi)部的缺陷以及導(dǎo)體表面的缺陷。值得指出的是，對(duì)于體表面缺陷的檢測(cè)，甚至在導(dǎo)體試塊表面覆蓋有相對(duì)較厚的絕緣層的情況下也能實(shí)現(xiàn)。
[0004]現(xiàn)存的電容成像探頭只有一個(gè)激勵(lì)電極和一個(gè)檢測(cè)電極，只能對(duì)特定深度的缺陷進(jìn)行檢測(cè)，如果要對(duì)不同深度的缺陷進(jìn)行檢測(cè)，就需要多個(gè)電容成像探頭，增加了檢測(cè)的成本，而且使得電容成像裝置比較復(fù)雜；現(xiàn)存的電容成像探頭只能在某一方向如實(shí)地反映缺陷的大小和形狀，而不能全面真實(shí)反映缺陷的大小和形狀，這就使得檢測(cè)結(jié)果與缺陷的真實(shí)狀況相差甚遠(yuǎn)，不利于選擇合適的修復(fù)方案。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本實(shí)用新型旨在解決上述問(wèn)題，提供了一種具有多檢測(cè)深度的電容成像探頭，其采用的技術(shù)方案如下:
[0006]—種具有多檢測(cè)深度的電容成像探頭，包括底部電極、絕緣基體、極間電極1、電極1、極間電極11、電極11、極間電極III和電極III，極間電極I位于電極I的外側(cè)，極間電極II位于電極I和電極II之間，極間電極III位于電極II和電極III之間；極間電極1、電極1、極間電極I1、電極II和極間電極III是圓環(huán)形的，電極III是圓形的；此探頭有二個(gè)工作電極:電極1、電極I1、電極III，且都被蝕刻在絕緣基體的上面；底部電極完全覆蓋住絕緣基體的底面，極間電極1、極間電極II和極間電極III被蝕刻在絕緣基體的上面。
[0007]本實(shí)用新型的有益效果:
[0008]本實(shí)用新型具有12種工作模式，改變了傳統(tǒng)的單一模式，可以對(duì)12種不同深度的缺陷進(jìn)行檢測(cè)，這12種工作模式分別為:
[0009](I)電極I為激勵(lì)電極，電極II為檢測(cè)電極，電極III接地
[0010](2)電極I為激勵(lì)電極，電極III為檢測(cè)電極，電極II接地
[0011](3)電極II為激勵(lì)電極，電極I為檢測(cè)電極，電極III接地
[0012](4)電極II為激勵(lì)電極，電極III為檢測(cè)電極，電極I接地
[0013](5)電極III為激勵(lì)電極，電極I為檢測(cè)電極，電極II接地
[0014](6)電極111為激勵(lì)電極，電極11為檢測(cè)電極，電極I接地
[0015](7)電極I為激勵(lì)電極，電極II和電極III為檢測(cè)電極
[0016](8)電極11為激勵(lì)電極，電極I和電極111為檢測(cè)電極
[0017](9)電極III為激勵(lì)電極，電極I和電極II為檢測(cè)電極
[0018](10)電極I和電極II為激勵(lì)電極，電極III為檢測(cè)電極
[0019](11)電極I和電極III為激勵(lì)電極，電極II為檢測(cè)電極
[0020](12)電極II和電極III為激勵(lì)電極，電極I為檢測(cè)電極
[0021]本實(shí)用新型的電極I和電極II為圓環(huán)形，電極III為圓形，與傳統(tǒng)的電容成像電極形狀相比，這種形狀的電極可以全面真實(shí)反映缺陷的大小和形狀，克服了傳統(tǒng)電容成像電極的弊端。
[0022]本實(shí)用新型存在著底部電極、極間電極1、極間電極II和極間電極III，可以有效屏蔽外部噪聲信號(hào)，減小雜散電容對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，從而提高電容成像裝置的成像性能。
【附圖說(shuō)明】
[0023]圖1:本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2:本實(shí)用新型的半剖視圖；
[0025]附圖序號(hào)說(shuō)明:1、底部電極2、絕緣基體3、極間電極14、電極15、極間電極116、電極Π7、極間電極1118、電極III。
【具體實(shí)施方式】
[0026]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明:
[0027]—種具有多檢測(cè)深度的電容成像探頭如圖1和圖2所示，包括底部電極(I)、絕緣基體⑵、極間電極I (3)、電極I (4)、極間電極II (5)、電極II (6)、極間電極III (7)和電極III⑶；底部電極⑴完全覆蓋住絕緣基體⑵的底面，極間電極I⑶、電極I⑷、極間電極II (5)、電極II (6)、極間電極III (7)和電極III⑶被蝕刻在絕緣基體(2)的上面；極間電極1(3)位于電極1(4)的外側(cè)，極間電極11(5)位于電極1(4)和電極11(6)之間，極間電極III (7)位于電極II (6)和電極III (8)之間。
[0028]以上所述，僅為本發(fā)明的一種實(shí)施例，并非刻意用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種具有多檢測(cè)深度的電容成像探頭，其結(jié)構(gòu)包括:底部電極(I)、絕緣基體(2)、極間電極I⑶、電極I⑷、極間電極11 (5)、電極11 (6)、極間電極III (7)和電極III (8);其特征是:極間電極1(3)位于電極1(4)的外側(cè)，極間電極11(5)位于電極1(4)和電極11(6)之間，極間電極III (7)位于電極II (6)和電極III (8)之間，極間電極I (3)、電極I⑷、極間電極II (5)、電極II (6)和極間電極111(7)是圓環(huán)形的，電極III (8)是圓形的。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有多檢測(cè)深度的電容成像探頭，其特征在于:此探頭有三個(gè)工作電極:電極I⑷、電極II (6)和電極III⑶，且都被蝕刻在絕緣基體⑵的上面。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有多檢測(cè)深度的電容成像探頭，其特征在于:底部電極(I)完全覆蓋住絕緣基體⑵的底面，極間電極I⑶、極間電極II (5)和極間電極III (7)被蝕刻在絕緣基體(2)的上面。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種具有多檢測(cè)深度的電容成像探頭，其結(jié)構(gòu)包括底部電極、絕緣基體、極間電極I、電極I、極間電極II、電極II、極間電極III和電極III；通過(guò)對(duì)電極I、電極II和電極III的組合，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)12種不同深度缺陷的檢測(cè)，改變了傳統(tǒng)的單一模式；電極I和電極II是圓環(huán)形的，電極III是圓形的，這種形狀的電極能全面真實(shí)反映缺陷的形狀和大??；底部電極、極間電極I、極間電極II和極間電極III被蝕刻在絕緣基板上，可以有效屏蔽外部噪聲信號(hào)，減小雜散電容對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，從而提高電容成像裝置的成像性能。
【IPC分類】G01N27/24
【公開(kāi)號(hào)】CN204758521
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520538922
【發(fā)明人】李振, 陳國(guó)明, 殷曉康
【申請(qǐng)人】中國(guó)石油大學(xué)(華東)
【公開(kāi)日】2015年11月11日
【申請(qǐng)日】2015年7月23日