光學(xué)膜的不良檢測裝置及方法
【專利摘要】本發(fā)明提供光學(xué)膜的不良檢測裝置及方法。根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)膜的不良檢測裝置包含：接收部，其由至少一個檢查裝置接收光學(xué)膜卷(roll)的不良信息；不良位置決定部，其基于所述不良信息，決定與所述光學(xué)膜卷對應(yīng)的2維平面上的不良的位置；探索部，其基于所述不良的位置，探索在所述平面上已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域；和不良檢測部，其基于所述被探索的區(qū)域中所含的不良的密集度來檢測密集性不良。
【專利說明】
光學(xué)膜的不良檢測裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及用于檢測在光學(xué)膜的工序過程中產(chǎn)生的不良的技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]—般而言，在光學(xué)膜卷(roll)的工序過程中在一定區(qū)域產(chǎn)生了許多不良的情況下，將該區(qū)域指定為特別管理區(qū)域，由產(chǎn)品檢查員進(jìn)一步進(jìn)行檢查。
[0003]此時，產(chǎn)品檢查員觀看不良檢測圖(2維坐標(biāo)圖)判斷是否為密集性不良。但是，產(chǎn)品檢查員間的熟練度不同，而且不易感知不良檢測圖的X/Y軸的刻度(scale)的變化導(dǎo)致的不良間的密集基準(zhǔn)的差異，因此對于眾多的卷的正確且具有一貫性的密集性不良的確認(rèn)及管理困難。進(jìn)而，由產(chǎn)品檢查員進(jìn)行檢查的情況下，存在檢查操作需要大量的費用及時間的問題。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)1:韓國特開2009-0009314號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]發(fā)明所要解決的課題
[0008]本發(fā)明的目的在于提供用于檢測在光學(xué)膜的工序過程中產(chǎn)生的密集性不良的不良檢測裝置及方法。
[0009]用于解決課題的手段
[0010]1、光學(xué)膜的不良檢測裝置，其包含:
[0011]接收部，其由至少一個檢查裝置接收光學(xué)膜卷(roll)的不良信息；
[0012]不良位置決定部，其基于所述不良信息，決定與所述光學(xué)膜卷對應(yīng)的2維平面上的不良的位置；
[0013]探索部，其基于所述不良的位置，探索所述2維平面上已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域；
[0014]不良檢測部，其基于所述被探索的區(qū)域中所含的不良的密集度檢測密集性不良。
[0015]2、根據(jù)上述項目I所述的光學(xué)膜的不良檢測裝置，其中，所述探索部相對于各個不良的位置設(shè)定包含所述各個不良的位置的一定大小的探索區(qū)域，以所述各個不良的位置為中心依次變更所述探索區(qū)域的位置，探索各探索區(qū)域中所述已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。
[0016]3、根據(jù)上述項目I所述的光學(xué)膜的不良檢測裝置，其中，所述探索部設(shè)定以各個不良的位置為中心坐標(biāo)的一定大小的多個探索區(qū)域，探索各探索區(qū)域中所述已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。
[0017]4、根據(jù)上述項目I所述的光學(xué)膜的不良檢測裝置，其中，所述探索部將所述2維平面分割成一定大小的多個探索區(qū)域，探索被分割的各探索區(qū)域中所述已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。
[0018]5、根據(jù)上述項目I所述的光學(xué)膜的不良檢測裝置，其中，所述探索部在所述2維平面中設(shè)定一定大小的探索區(qū)域，僅依次變更所述探索區(qū)域的位置一定距離，探索各探索區(qū)域中所述已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。
[0019]6、根據(jù)上述項目I所述的光學(xué)膜的不良檢測裝置，其中，所述不良檢測部包含:
[0020]存儲部，其存儲所述被探索的區(qū)域的位置；
[0021]候補區(qū)域決定部，基于所述被探索的區(qū)域的位置，將所述被探索的區(qū)域作為不良候補區(qū)域決定，所述被探索的區(qū)域中重疊或連續(xù)的區(qū)域存在的情況下，統(tǒng)一所述重疊的區(qū)域或連續(xù)的區(qū)域，將被統(tǒng)一的區(qū)域作為所述不良候補區(qū)域決定；
[0022]不良判斷部，其算出所述不良候補區(qū)域中所含的不良的密集度，基于所述被算出的密集度判斷所述不良候補區(qū)域內(nèi)的所述密集性不良的存在有無，所述密集度為已經(jīng)被設(shè)定的值以上的情況下，判斷為所述密集性不良；
[0023]不良檢測信息生成部，其在檢測有所述密集性不良的情況下，生成包含與光學(xué)膜的工序線中的所述密集性不良的產(chǎn)生位置有關(guān)的信息的不良檢測信息。
[0024]7、根據(jù)上述項目6所述的光學(xué)膜的不良檢測裝置，其中，所述候補區(qū)域決定部對于所述被探索的區(qū)域或所述被統(tǒng)一的區(qū)域的各自決定全部含有各區(qū)域中所含的不良的最小區(qū)域作為所述不良候補區(qū)域。
[0025]8、根據(jù)上述項目6所述的光學(xué)膜的不良檢測裝置，其中，所述密集度包含所述不良候補區(qū)域的每單位面積的不良的數(shù)、及在所述不良候補區(qū)域內(nèi)各個不良所占的面積的合計中的至少一個。
[0026]9、根據(jù)上述項目7所述的光學(xué)膜的不良檢測裝置，其中，所述密集度包含所述最小區(qū)域的面積。
[0027]10、光學(xué)膜的不良檢測方法，其包括:
[0028]由至少一個檢查裝置接收光學(xué)膜卷(roll)的不良信息的階段；
[0029]基于所述不良信息，決定與所述光學(xué)膜卷對應(yīng)的2維平面上的不良的位置的階段；
[0030]基于所述不良的位置，探索在所述平面上已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域的階段；
[0031]基于所述被探索的區(qū)域中所含的不良的密集度檢測密集性不良的階段。
[0032]11、根據(jù)上述項目10所述的光學(xué)膜的不良檢測方法，其中，所述探索的階段相對于所述2維平面中的各個不良的位置，設(shè)定含有所述各個不良的位置的一定大小的探索區(qū)域，以所述各個不良的位置為中心依次變更所述探索區(qū)域的位置，探索各探索區(qū)域中所述已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。
[0033]12、根據(jù)上述項目10所述的光學(xué)膜的不良檢測方法，其中，所述探索的階段設(shè)定以各個不良的位置為中心坐標(biāo)的一定大小的多個探索區(qū)域，探索各探索區(qū)域中所述已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。
[0034]13、根據(jù)上述項目10所述的光學(xué)膜的不良檢測方法，其中，所述探索的階段將所述2維平面分割成一定大小的多個探索區(qū)域，探索被分割的各探索區(qū)域中所述已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。
[0035]14、根據(jù)上述項目10所述的光學(xué)膜的不良檢測方法，其中，所述探索的階段在所述平面中設(shè)定一定大小的探索區(qū)域，依次變更所述探索區(qū)域的位置，探索各探索區(qū)域中所述已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。
[0036]15、根據(jù)上述項目10所述的光學(xué)膜的不良檢測方法，其中，所述檢測的階段包括:
[0037]存儲所述被探索的區(qū)域的位置的階段；
[0038]基于所述被探索的區(qū)域的位置，將所述被探索的區(qū)域作為不良候補區(qū)域決定，所述被探索的區(qū)域中重疊或連續(xù)的區(qū)域存在的情況下，將所述重疊的區(qū)域或連續(xù)的區(qū)域統(tǒng)一，將被統(tǒng)一的區(qū)域作為所述不良候補區(qū)域決定的階段；
[0039]算出所述不良候補區(qū)域中所含的不良的密集度的階段；
[0040]基于所述被算出的密集度判斷所述不良候補區(qū)域內(nèi)的所述密集性不良的存在有無，所述密集度為已經(jīng)被設(shè)定的值以上的情況下，判斷為所述密集性不良的階段；
[0041]檢測有所述密集性不良的情況下，生成包含與光學(xué)膜的工序線中的所述密集性不良的產(chǎn)生位置有關(guān)的信息的不良檢測信息的階段。
[0042]16、根據(jù)上述項目15所述的光學(xué)膜的不良檢測方法，其中，決定所述不良候補區(qū)域的階段對于所述被探索的區(qū)域或所述被統(tǒng)一的區(qū)域的各自決定全部包含各區(qū)域中所含的不良的最小區(qū)域作為所述不良候補區(qū)域。
[0043]17、根據(jù)上述項目15所述的光學(xué)膜的不良檢測方法，其中，所述密集度包含所述不良候補區(qū)域的每單位面積的不良的數(shù)、及在所述不良候補區(qū)域內(nèi)各個不良所占的面積的合計中的至少一個。
[0044]18、根據(jù)上述項目16所述的光學(xué)膜的不良檢測方法，其中，所述密集度包含所述最小區(qū)域的面積。
[0045]發(fā)明的效果
[0046]根據(jù)本發(fā)明，通過自動地判斷光學(xué)膜中所含的密集性不良的產(chǎn)生有無，可以與光學(xué)膜的生產(chǎn)量無關(guān)而根據(jù)一系列的基準(zhǔn)管理光學(xué)膜的品質(zhì)，同時通過縮短密集性不良的檢測時間，可以提高生產(chǎn)率。
[0047]另外，根據(jù)本發(fā)明，通過可以迅速地把握光學(xué)膜中的密集性不良的產(chǎn)生有無而通知，可以進(jìn)行對于密集性不良的產(chǎn)生的迅速的措置，可以減少光學(xué)膜的生產(chǎn)損失(Loss)。
【附圖說明】
[0048]圖1是本發(fā)明的一實施方式涉及的光學(xué)膜的不良檢測裝置的構(gòu)成圖。
[0049]圖2是本發(fā)明的一實施方式涉及的不良檢測部的詳細(xì)構(gòu)成圖。
[0050]圖3是用于說明探索存在不良的區(qū)域的過程的例示圖。
[0051]圖4是用于說明探索存在不良的區(qū)域的過程的例示圖。
[0052]圖5是用于說明探索存在不良的區(qū)域的過程的例示圖。
[0053]圖6是用于說明探索存在不良的區(qū)域的過程的例示圖。
[0054]圖7是用于說明不良候補區(qū)域的設(shè)定的例示圖。
[0055]圖8是用于說明不良候補區(qū)域的設(shè)定的例不圖。
[0056]圖9是用于說明不良候補區(qū)域的設(shè)定的例不圖。
[0057]圖10是用于說明不良候補區(qū)域的設(shè)定的例示圖。
[0058]圖11是用于說明不良候補區(qū)域的設(shè)定的例示圖。
[0059]圖12是本發(fā)明的一實施方式涉及的光學(xué)膜的不良檢測方法的流程圖。
[0060]圖13是表示本發(fā)明的一實施方式涉及的密集性不良的檢測過程的流程圖。
【具體實施方式】
[0061]以下參照附圖，對本發(fā)明的具體的實施方式進(jìn)行說明。以下的詳細(xì)的說明是為了幫助與本說明書中記述的方法、裝置、和/或系統(tǒng)有關(guān)的包括的理解而提供。但是，這些只不過是例示，本發(fā)明并不限于這些。
[0062]在說明本發(fā)明的實施方式時，在對于關(guān)聯(lián)的公知技術(shù)的具體的說明被判斷為有可能使本發(fā)明的要點不明確的情況下，省略其詳細(xì)的說明。另外，后述的用語為考慮本發(fā)明中的功能而定義的用語，可以因使用者、運用者的意圖或慣例等而不同。因此，其定義應(yīng)該基于貫穿本說明書全部的內(nèi)容而進(jìn)行。詳細(xì)的說明中所使用的用語僅用于記述本發(fā)明的實施方式，決不是限制性的。只要不明確地以不同的意思使用，單數(shù)形式的表達(dá)包含復(fù)數(shù)形式的意思。本說明中，“包含”或“具備”這樣的表達(dá)用于是指任何的特性、數(shù)字、階段、動作、要素、這些的一部分或組合，除記述的內(nèi)容以外，不應(yīng)排除一個或其以上的其它的特性、數(shù)字、階段、動作、要素、這些的一部分或組合的存在或可能性而解釋。
[0063]圖1是本發(fā)明的一實施方式涉及的光學(xué)膜的不良檢測裝置的構(gòu)成圖。
[0064]參照圖1時，本發(fā)明的一實施方式涉及的光學(xué)膜的不良檢測裝置100包含接收部110、不良位置決定部120、探索部130及不良檢測部140。
[0065]接收部110由至少I個檢查裝置接收光學(xué)膜卷(roll)的不良信息。此時，各檢查裝置是指配置于光學(xué)膜的工序線上的不同的位置、用于檢測光學(xué)膜的工序過程中產(chǎn)生的不良、生成與所檢測的不良有關(guān)的不良信息的裝置。
[0066]例如，檢查裝置可以包含在光學(xué)膜的工序線中配置于光學(xué)膜的上面的照相機組件，也可以以使用該照相機組件拍攝光學(xué)膜、由拍攝的圖像檢測不良的方式構(gòu)成。另外，因此，可以以光學(xué)膜為基準(zhǔn)，在照相機組件位于的面的相反面具備光源，照相機組件可以以拍攝從光源放出而透過了光學(xué)膜的光的方式構(gòu)成。該情況下，在光學(xué)膜中存在不良的情況下，由于該部分的光的透過度變低，因此可以容易地檢測不良。
[0067]予以說明，由檢查裝置所生成的不良信息可以包含所檢測的不良的位置、大小、明亮度、拍攝有所檢測的不良的圖像、檢查開始時刻及結(jié)束時刻等。
[0068]不良位置決定部120基于由檢查裝置接收的不良信息，決定與光學(xué)膜卷對應(yīng)的2維平面上的不良的位置。
[0069]例如，不良位置決定部120可以構(gòu)成與光學(xué)膜卷的長度及寬度對應(yīng)的2維平面，使由各檢查裝置接收的不良信息統(tǒng)一而決定該2維平面中的不良的位置。此時，2維平面中的不良的位置可以基于由各檢查裝置接收的不良信息中所含的不良位置而決定。另外，光學(xué)膜卷的長度及寬度可以使用預(yù)先被設(shè)定的值。
[0070]探索部130基于由不良位置決定部120所決定的不良的位置，探索在2維平面上已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。
[0071]例如，探索部130通過設(shè)定一定大小的探索區(qū)域，一邊在2維平面上巡視被設(shè)定的探索區(qū)域，一邊計數(shù)探索區(qū)域內(nèi)所含的不良的數(shù)，從而可以探索已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。對此，參照圖3?6而具體地進(jìn)行說明。
[0072]圖3?6中，用虛線表示的區(qū)域表示探索區(qū)域，用圓表示的部分表示不良的位置。予以說明，圖3?6中表示探索區(qū)域為四邊形的形狀，但并不限定于此。例如，探索區(qū)域可以為圓形，可以根據(jù)用戶的選擇以適當(dāng)?shù)男螤钸M(jìn)行變形。另外，探索區(qū)域的尺寸例如可以考慮計算負(fù)荷、計算的正確性等而由用戶設(shè)定。
[0073]根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，探索部130可以對于2維平面中所含的各個不良的位置設(shè)定含有各個不良的位置的一定大小的探索區(qū)域。而且，探索部130可以以各個不良的位置為中心而變更探索區(qū)域的位置，探索各探索區(qū)域中已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。
[0074]具體地，參照圖3，探索部130可以設(shè)定含有2維平面300上所含的多個不良中特定的不良310的探索區(qū)域321。而且，探索部130可以計數(shù)被設(shè)定的探索區(qū)域321內(nèi)的不良的數(shù)，判斷不良的數(shù)是否為已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上。
[0075]接著，探索部130可以以不良310的位置為中心使探索區(qū)域321在X軸方向上僅移動一定距離，在移動后的位置計數(shù)探索區(qū)域322內(nèi)的不良數(shù)，判斷不良的數(shù)是否為已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上。
[0076]接著，探索部130可以以不良310的位置為中心使探索區(qū)域322在X軸方向上進(jìn)一步僅移動一定距離，在移動后的位置計數(shù)探索區(qū)域323內(nèi)的不良數(shù)，判斷不良的數(shù)是否為已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上。
[0077]接著，探索部130可以以不良310的位置為中心使探索區(qū)域323在Y軸方向上僅移動一定距離，在移動后的位置計數(shù)探索區(qū)域324內(nèi)的不良數(shù)，判斷不良的數(shù)是否為已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上。
[0078]這樣，探索部130可以以特定的不良310為中心，使探索區(qū)域在X軸及Y軸方向上依次僅移動一定距離，在各自的位置計數(shù)探索區(qū)域內(nèi)的不良數(shù)，探索包含已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良的區(qū)域。
[0079]予以說明，在圖示的例子中，探索區(qū)域的移動距離可以由用戶預(yù)先設(shè)定。
[0080]另外，探索部130可以對于2維平面300中所含的各個不良以同樣的方式設(shè)定探索區(qū)域，一邊使被設(shè)定的探索區(qū)域移動，一邊判斷在各自的位置探索區(qū)域內(nèi)所含的不良的數(shù)是否為已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上。
[0081]另一方面，根據(jù)本發(fā)明的其它實施方式，探索部130可以在2維平面中設(shè)定以各個不良的位置為中心坐標(biāo)的一定大小的探索區(qū)域，探索各探索區(qū)域中已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。
[0082]作為具體的例子，參照圖4，探索部130可以對于2維平面400上所含的各個不良設(shè)定以各不良為中心坐標(biāo)的一定大小的探索區(qū)域410、420、430、440、450。而且，探索部130可以對于各個探索區(qū)域410、420、430、440、450計數(shù)不良的數(shù)，探索包含已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良的區(qū)域。
[0083]另一方面，根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步其它的實施方式，探索部130可以將2維平面分割成一定大小的多個探索區(qū)域，探索被分割的各探索區(qū)域中已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。
[0084]作為具體的例子，參照圖5，探索部130可以將2維平面500分割成一定大小的探索區(qū)域510、520、530、540。而且，探索部130可以計數(shù)各個探索區(qū)域510、520、530、540中所含的不良的數(shù)，判斷是否包含已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良。
[0085]另一方面，根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步其它的實施方式，探索部130可以在2維平面中設(shè)定一定大小的探索區(qū)域，在2維平面內(nèi)依次變更探索區(qū)域的位置，探索各探索區(qū)域中已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。
[0086]作為具體的例子，參照圖6，探索部130可以在2維平面600上的特定的位置設(shè)定一定大小的探索區(qū)域610。而且，探索部130可以在被設(shè)定的探索區(qū)域610內(nèi)計數(shù)不良的數(shù)，判斷不良的數(shù)是否為已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上。
[0087]接著，探索部130可以使探索區(qū)域610在Y軸方向上依次僅移動一定距離，在各個位置計數(shù)探索區(qū)域620、630、640、650內(nèi)的不良數(shù)，判斷不良的數(shù)是否為已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上。
[0088]予以說明，不能在Y軸方向上使探索區(qū)域移動其以上的情況下，探索部130可以使探索區(qū)域在X軸方向上僅移動一定距離之后，計數(shù)探索區(qū)域660內(nèi)的不良的數(shù)，判斷不良的數(shù)是否為已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上。
[0089]接著，探索部130可以使探索區(qū)域660再次在X軸方向上依次僅移動一定距離，在各自的位置計數(shù)探索區(qū)域內(nèi)的不良的數(shù)，判斷不良的數(shù)是否為已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上。
[0090]通過這樣的方式，探索部130可以一邊使用探索區(qū)域巡視2維平面600的全區(qū)域，一邊在各個位置計數(shù)探索區(qū)域內(nèi)的不良的數(shù)，探索已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。
[0091]予以說明，在圖6所圖示的例子中，探索區(qū)域的移動方向及移動距離可以由用戶預(yù)先設(shè)定。
[0092]不良檢測部140可以基于由探索部130被探索的區(qū)域中所含的不良的密集度檢測密集性不良。在此，密集性不良是指在一定區(qū)域內(nèi)多個不良密集。
[0093]具體地，不良檢測部140可以基于由探索部130被探索的區(qū)域設(shè)定I個以上的不良候補區(qū)域。另外，不良檢測部140可以算出被設(shè)定的各不良候補區(qū)域中所含的不良的密集度而檢測密集性不良。
[0094]圖2是本發(fā)明的一實施方式涉及的不良檢測部140的詳細(xì)構(gòu)成圖。
[0095]參照圖2，本發(fā)明的一實施方式涉及的不良檢測部140包含:存儲部141、候補區(qū)域決定部142、不良判斷部143及不良檢測信息生成部144。
[0096]存儲部141可以存儲由探索部130被探索的已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域的位置。具體地，存儲部141可以存儲由探索部130被探索的區(qū)域的2維平面上的位置。根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，存儲部141可以以由與2維平面對應(yīng)的2維排列構(gòu)成的圖像緩沖的形態(tài)實現(xiàn)，可以使用2維排列存儲由探索部120被探索的區(qū)域的位置。
[0097]候補區(qū)域決定部142可以基于存儲于存儲部141的被探索的區(qū)域的位置決定I個以上的不良候補區(qū)域。
[0098]例如，候補區(qū)域決定部142可以將存儲于存儲部141的各個的被探索的區(qū)域作為不良候補區(qū)域決定。
[0099]此時，根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，在被存儲于存儲部141的被探索的區(qū)域中重疊或連續(xù)的區(qū)域存在的情況下，候補區(qū)域決定部142可以將重疊或連續(xù)的區(qū)域進(jìn)行統(tǒng)一，將被統(tǒng)一的區(qū)域作為不良候補區(qū)域決定。此時，為了重疊或連續(xù)的區(qū)域的統(tǒng)一，可以使用BlobLab e I i ng算法這樣的標(biāo)記(Lab e I i ng)算法。
[0100]作為具體的例子，參照圖7，在與光學(xué)膜卷對應(yīng)的2維平面710上由探索部120被探索的區(qū)域711、712、713可以分別存儲于以2維排列構(gòu)成的存儲部141的存儲區(qū)域720的對應(yīng)的位置 721、722、723。
[0101]此時，候補區(qū)域決定部142可以將作為由探索部130被探索的區(qū)域的721、722及723的區(qū)域分別作為不良候補區(qū)域決定。
[0102]作為其它例，圖7中，由于721的區(qū)域和722的區(qū)域為連續(xù)的區(qū)域，因此，候補區(qū)域決定部142可以將721的區(qū)域和722的區(qū)域如圖8所示的例子那樣在I個區(qū)域724中統(tǒng)一，將被統(tǒng)一的區(qū)域的724和723的區(qū)域分別作為不良候補區(qū)域決定。
[0103]作為其它例，參照圖9，在與光學(xué)膜卷對應(yīng)的2維平面910上由探索部120被探索的區(qū)域911、912、913可以分別存儲于以2維排列構(gòu)成的存儲部141的存儲區(qū)域920的對應(yīng)的位置921、922、923。
[0104]此時，候補區(qū)域決定部142可以將作為由探索部130被探索的區(qū)域的921、922及923的區(qū)域分別作為不良候補區(qū)域決定。
[0105]作為其它例，由于被存儲于存儲部141的、被探索的區(qū)域中921的區(qū)域和922的區(qū)域為重疊的區(qū)域，因此，候補區(qū)域決定部142可以將921的區(qū)域和922的區(qū)域如圖10所示的例子那樣在I個區(qū)域924中統(tǒng)一，將被統(tǒng)一的區(qū)域的924和923的區(qū)域分別作為不良候補區(qū)域決定。
[0106]另一方面，根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，候補區(qū)域決定部142可以分別對于由探索部130被探索的區(qū)域或被統(tǒng)一的區(qū)域，將全部含有各區(qū)域中所含的不良的最小區(qū)域作為不良候補區(qū)域決定。
[0107]作為具體的例子，參照圖10及圖11，候補區(qū)域決定部142可以分別對于被統(tǒng)一的區(qū)域924和未被統(tǒng)一的區(qū)域923設(shè)定全部含有各區(qū)域中所含的不良的最小區(qū)域925、926，將被設(shè)定的最小區(qū)域925、926分別作為不良候補區(qū)域決定。
[0108]予以說明，在圖11所示的例子中，顯示最小區(qū)域為四邊形的形狀，但并不限定于此，最小區(qū)域的形狀例如可以為圓形等各種形狀。
[0109]不良判斷部143可以基于各個不良候補區(qū)域中所含的不良的密集度檢測密集性不良。
[0110]例如，不良判斷部143可以算出不良候補區(qū)域中所含的不良的密集度，在算出的密集度為已經(jīng)被設(shè)定的值以上的情況下，判斷為密集性不良。此時，密集度例如可以作為在不良候補區(qū)域內(nèi)各個不良所占的面積的合計進(jìn)行計算。
[0111]作為其它例，不良候補區(qū)域作為圖11所示的最小區(qū)域925、926被決定的情況下，密集度可以作為該最小區(qū)域的面積進(jìn)行計算。
[0112]進(jìn)而，作為其它例，密集度可以作為不良候補區(qū)域的每單位面積的不良的數(shù)進(jìn)行計算。此時，每單位面積的不良的數(shù)可以作為用不良候補區(qū)域中所含的不良的數(shù)除以不良候補區(qū)域的面積所得的值進(jìn)行計算。
[0113]檢測有密集性不良的情況下，不良檢測信息生成部144可以生成與所檢測的密集性不良有關(guān)的不良檢測信息。此時，不良檢測信息例如可以含有與光學(xué)膜的工序線中的密集性不良的產(chǎn)生位置有關(guān)的信息，光學(xué)膜的工序線中的密集性不良的產(chǎn)生位置可以基于在光學(xué)膜上所檢測的密集性不良的產(chǎn)生位置而算出。例如，不良檢測信息生成部144可以以光學(xué)膜的工序線中的光學(xué)膜的輸送方向為基準(zhǔn)，基于從光學(xué)膜的開始位置至光學(xué)膜中所檢測的密集性不良的產(chǎn)生位置的距離判斷光學(xué)膜的工序線中的密集性不良的產(chǎn)生位置。
[0114]另一方面，根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，不良檢測信息生成部144可以通過將所生成的不良檢測信息傳送到例如工序管理系統(tǒng)的管理者的終端、工序線的操作者的終端、或工序線上的警報裝置而進(jìn)行對于密集性不良的產(chǎn)生的迅速的措置。
[0115]圖12是本發(fā)明的一實施方式涉及的光學(xué)膜的不良檢測方法的流程圖。
[0116]參照圖12，光學(xué)膜的不良檢測裝置100由至少I個檢查裝置接收光學(xué)膜卷(roll)的不良信息(1210)。
[0117]其后，光學(xué)膜的不良檢測裝置100基于所接收的不良信息決定與光學(xué)膜卷對應(yīng)的2維平面上的不良的位置(1220)。
[0118]其后，光學(xué)膜的不良檢測裝置100基于所決定的不良的位置探索在2維平面上已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域(1230)。
[0119]例如，光學(xué)膜的不良檢測裝置100可以對于2維平面中的各個不良的位置設(shè)定含有各個不良的位置的一定大小的探索區(qū)域，以各個不良的位置為中心依次變更探索區(qū)域的位置，探索各探索區(qū)域中已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。
[0120]作為其它例，光學(xué)膜的不良檢測裝置100可以設(shè)定以2維平面中所含的各不良的位置為中心坐標(biāo)的一定大小的多個探索區(qū)域，探索各探索區(qū)域中已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。
[0121]進(jìn)而，作為其它例，光學(xué)膜的不良檢測裝置100可以將2維平面分割成一定大小的多個探索區(qū)域，探索被分割的各探索區(qū)域中所述已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。
[0122]進(jìn)而，作為其它例，光學(xué)膜的不良檢測裝置100可以在2維平面中設(shè)定一定大小的探索區(qū)域，依次變更所述探索區(qū)域的位置，探索各探索區(qū)域中已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。
[0123]其后，光學(xué)膜的不良檢測裝置100基于被探索的區(qū)域中所含的不良的密集度檢測密集性不良(1240)。
[0124]其后，光學(xué)膜的不良檢測裝置100生成與所檢測的密集性不良有關(guān)的不良檢測信息(1250)。此時，不良檢測信息例如可以含有光學(xué)膜的工序線中的密集性不良的產(chǎn)生位置的信息。
[0125]其后，光學(xué)膜的不良檢測裝置100將所生成的不良檢測信息傳送至例如工序管理系統(tǒng)的管理者的終端、工序線的操作者的終端、或工序線上的警報裝置(1260)。
[0126]圖13是表示本發(fā)明的一實施方式涉及的密集性不良的檢測過程的流程圖。
[0127]參照圖13，光學(xué)膜的不良檢測裝置100存儲在圖12的探索階段(1230)中被探索的區(qū)域的位置(1310)。此時，光學(xué)膜的不良檢測裝置100可以使用2維排列存儲被探索的區(qū)域的位置信息。
[0128]其后，光學(xué)膜的不良檢測裝置100基于被探索的區(qū)域的位置決定不良候補區(qū)域(1320)。
[0129]例如，光學(xué)膜的不良檢測裝置100可以將被探索的區(qū)域的各個作為不良候補區(qū)域決定。
[0130]作為其它例，光學(xué)膜的不良檢測裝置100在被探索的區(qū)域中存在重疊或連續(xù)的區(qū)域的情況下，可以將重疊的區(qū)域或連續(xù)的區(qū)域統(tǒng)一，將被統(tǒng)一的區(qū)域作為不良候補區(qū)域決定。
[0131]進(jìn)而，作為其它例，光學(xué)膜的不良檢測裝置100可以對于被探索的區(qū)域或被統(tǒng)一的區(qū)域的各自將全部含有各區(qū)域中所含的不良的最小區(qū)域作為不良候補區(qū)域決定。
[0132]其后，光學(xué)膜的不良檢測裝置100算出不良候補區(qū)域中所含的不良的密集度(1330)。
[0133]在此，密集度例如可以作為在不良候補區(qū)域內(nèi)各個不良所占的面積的合計、或不良候補區(qū)域的每單位面積的不良的數(shù)進(jìn)行計算。
[0134]作為其它例，不良候補區(qū)域作為圖11所示的最小區(qū)域925、926被決定的情況下，密集度可以作為該最小區(qū)域的面積進(jìn)行計算。
[0135]其后，光學(xué)膜的不良檢測裝置100基于所算出的密集度判斷不良候補區(qū)域內(nèi)的密集性不良的存在有無(1340)。
[0136]例如，光學(xué)膜的不良檢測裝置100在所算出的密集度為已經(jīng)被設(shè)定的值以上的情況下，可以判斷為密集性不良。
[0137]圖12及圖13的流程圖中，將所述方法分成多個階段而示出，但至少一部分的階段可以改變順序而執(zhí)行，或與其它階段組合而執(zhí)行，或省略，或分成細(xì)的階段而執(zhí)行，或附加未圖示的一個以上的階段而執(zhí)行。
[0138]另一方面，本發(fā)明的實施方式可以包含含有用于用計算機執(zhí)行本說明書中記述的方法的程序的計算機可讀取的記錄介質(zhì)。所述計算機可讀取的記錄介質(zhì)可以單獨地或組合含有程序命令、區(qū)域數(shù)據(jù)文件、區(qū)域數(shù)據(jù)構(gòu)造等。所述介質(zhì)可以為為了本發(fā)明特別地設(shè)計而構(gòu)成的介質(zhì)、或在計算機軟件的領(lǐng)域中通?？墒褂玫慕橘|(zhì)。在計算機可讀取的記錄介質(zhì)的例子中，包含硬盤、軟盤及磁帶等磁介質(zhì)、CD-R0M、DVD等光記錄介質(zhì)、軟盤等磁-光介質(zhì)、和R0M、RAM、閃存等的以存儲程序命令而執(zhí)行的方式特別地構(gòu)成的硬件裝置。作為程序命令的例子，可以不僅包含利用編譯器所制作的機械語編碼，而且包含可以使用翻譯機等、利用計算機執(zhí)行的高級語言編碼。
[0139]以上，對本發(fā)明的幾個實施方式進(jìn)行了說明，但這些實施方式作為例子出示，并不打算限定發(fā)明的范圍。這些新的實施方式可以以其它各種方式實施，可以在不脫離發(fā)明的要點的范圍內(nèi)進(jìn)行各種省略、置換、變更。這些實施方式、其變形包含在發(fā)明的范圍、要點中，同時包含在專利權(quán)利要求中所記載的發(fā)明和其均等范圍中。
[0140]附圖標(biāo)記的說明
[0141]100:光學(xué)膜的不良檢測裝置
[0142]110:接收部
[0143]120:不良位置決定部
[0144]130:探索部
[0145]140:不良檢測部
[0146]141:存儲部
[0147]142:候補區(qū)域決定部
[0148]143:不良判斷部
[0149]144:不良檢測信息生成部
【主權(quán)項】
1.光學(xué)膜的不良檢測裝置，其包含: 接收部，其由至少一個檢查裝置接收光學(xué)膜卷(roll)的不良信息； 不良位置決定部，其基于所述不良信息，決定與所述光學(xué)膜卷對應(yīng)的2維平面上的不良的位置； 探索部，其基于所述不良的位置，探索所述2維平面上已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域;和 不良檢測部，其基于所述被探索的區(qū)域中所含的不良的密集度來檢測密集性不良。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)膜的不良檢測裝置，其中，所述探索部相對于各個不良的位置設(shè)定包含所述各個不良的位置的一定大小的探索區(qū)域，以所述各個不良的位置為中心依次變更所述探索區(qū)域的位置，探索各探索區(qū)域中所述已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)膜的不良檢測裝置，其中，所述探索部設(shè)定以各個不良的位置為中心坐標(biāo)的一定大小的多個探索區(qū)域，探索各探索區(qū)域中所述已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)膜的不良檢測裝置，其中，所述探索部將所述2維平面分割成一定大小的多個探索區(qū)域，探索被分割的各探索區(qū)域中所述已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)膜的不良檢測裝置，其中，所述探索部在所述2維平面中設(shè)定一定大小的探索區(qū)域，僅依次變更所述探索區(qū)域的位置一定距離，探索各探索區(qū)域中所述已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)膜的不良檢測裝置，其中，所述不良檢測部包含: 存儲部，其存儲所述被探索的區(qū)域的位置； 候補區(qū)域決定部，其基于所述被探索的區(qū)域的位置，將所述被探索的區(qū)域作為不良候補區(qū)域決定，所述被探索的區(qū)域中重疊或連續(xù)的區(qū)域存在的情況下，統(tǒng)一所述重疊的區(qū)域或連續(xù)的區(qū)域，將被統(tǒng)一的區(qū)域作為所述不良候補區(qū)域決定； 不良判斷部，其算出所述不良候補區(qū)域中所含的不良的密集度，基于所述被算出的密集度來判斷所述不良候補區(qū)域內(nèi)的所述密集性不良的存在有無，所述密集度為已經(jīng)被設(shè)定的值以上的情況下，判斷為所述密集性不良；和 不良檢測信息生成部，其在檢測有所述密集性不良的情況下，生成包含與光學(xué)膜的工序線中的所述密集性不良的產(chǎn)生位置有關(guān)的信息的不良檢測信息。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光學(xué)膜的不良檢測裝置，其中，所述候補區(qū)域決定部相對于所述被探索的區(qū)域或所述被統(tǒng)一的區(qū)域的各自決定全部包含各區(qū)域中所含的不良的最小區(qū)域作為所述不良候補區(qū)域。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光學(xué)膜的不良檢測裝置，其中，所述密集度包含所述不良候補區(qū)域的每單位面積的不良的數(shù)、及在所述不良候補區(qū)域內(nèi)各個不良所占的面積的合計中的至少一個。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光學(xué)膜的不良檢測裝置，其中，所述密集度包含所述最小區(qū)域的面積。10.光學(xué)膜的不良檢測方法，其包括: 由至少一個檢查裝置接收光學(xué)膜卷(roll)的不良信息的階段； 基于所述不良信息，決定與所述光學(xué)膜卷對應(yīng)的2維平面上的不良的位置的階段； 基于所述不良的位置，探索在所述平面上已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域的階段;和 基于所述被探索的區(qū)域中所含的不良的密集度來檢測密集性不良的階段。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光學(xué)膜的不良檢測方法，其中，所述探索的階段相對于所述2維平面中的各個不良的位置設(shè)定包含所述各個不良的位置的一定大小的探索區(qū)域，以所述各個不良的位置為中心依次變更所述探索區(qū)域的位置，探索各探索區(qū)域中所述已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光學(xué)膜的不良檢測方法，其中，所述探索的階段設(shè)定以各不良的位置為中心坐標(biāo)的一定大小的多個探索區(qū)域，探索各探索區(qū)域中所述已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光學(xué)膜的不良檢測方法，其中，所述探索的階段將所述2維平面分割成一定大小的多個探索區(qū)域，探索被分割的各探索區(qū)域中所述已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光學(xué)膜的不良檢測方法，其中，所述探索的階段在所述平面中設(shè)定一定大小的探索區(qū)域，依次變更所述探索區(qū)域的位置，探索各探索區(qū)域中所述已經(jīng)被設(shè)定的數(shù)以上的不良存在的區(qū)域。15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光學(xué)膜的不良檢測方法，其中，所述檢測的階段包括: 存儲所述被探索的區(qū)域的位置的階段； 基于所述被探索的區(qū)域的位置，將所述被探索的區(qū)域作為不良候補區(qū)域決定，所述被探索的區(qū)域中重疊或連續(xù)的區(qū)域存在的情況下，將所述重疊的區(qū)域或連續(xù)的區(qū)域統(tǒng)一，將被統(tǒng)一的區(qū)域作為所述不良候補區(qū)域決定的階段； 算出所述不良候補區(qū)域中所含的不良的密集度的階段； 基于所述被算出的密集度判斷所述不良候補區(qū)域內(nèi)的所述密集性不良的存在有無，所述密集度為已經(jīng)被設(shè)定的值以上的情況下，判斷為所述密集性不良的階段;和 檢測有所述密集性不良的情況下，生成包含與光學(xué)膜的工序線中的所述密集性不良的產(chǎn)生位置有關(guān)的信息的不良檢測信息的階段。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)膜的不良檢測方法，其中，決定所述不良候補區(qū)域的階段相對于所述被探索的區(qū)域或所述被統(tǒng)一的區(qū)域的各自決定全部包含各區(qū)域中所含的不良的最小區(qū)域作為所述不良候補區(qū)域。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)膜的不良檢測方法，其中，所述密集度包含所述不良候補區(qū)域的每單位面積的不良的數(shù)、及在所述不良候補區(qū)域內(nèi)各個不良所占的面積的合計中的至少一個。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的光學(xué)膜的不良檢測方法，其中，所述密集度包含所述最小區(qū)域的面積。
【文檔編號】G01N21/88GK105911062SQ201610098872
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年2月23日
【發(fā)明人】金種佑, 樸真用
【申請人】東友精細(xì)化工有限公司