一種平行四邊形led芯片的測試方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件測試，具體涉及一種用于平行四邊形LED芯片的測試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的LED半導(dǎo)體芯片大多數(shù)為矩形，由于其出射角度大于23.5°，小于66.5°時(shí)，芯片的光將僅局限在芯片的內(nèi)部來回反射，光子不能逃逸出芯片外部，造成芯片的出光損失。目前用于提高LED芯片出光效率的方法有對(duì)LED芯片的出光表面進(jìn)行圖形化、對(duì)LED芯片的出光側(cè)壁進(jìn)行圖形化、LED芯片外形異形化(如平行四邊形)等，這些技術(shù)可以一定程度地提高LED芯片的發(fā)光效率，但是，其中平行四邊形LED芯片之設(shè)計(jì)雖能提升外量子效率，由于芯片排布為非直角坐標(biāo)系，在后續(xù)的光電特性測試過程中必須先將芯片逐一抓取并重新排布為直角坐標(biāo)系，否則無法將光電特性測試數(shù)據(jù)與芯片坐標(biāo)位置一一對(duì)應(yīng)，亦或所選用的測試系統(tǒng)完全無法識(shí)別芯片，造成困擾。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種LED芯片的測試方法，解決現(xiàn)有平行四邊形LED芯片測試過程繁瑣，無法直接將光電特性測試數(shù)據(jù)與芯片坐標(biāo)位置一一對(duì)應(yīng)的問題，從而大幅提升測試效率。
[0004]為解決以上技術(shù)之難題，本發(fā)明提供一種平行四邊形LED芯片的測試方法。本發(fā)明的技術(shù)方案為:一種平行四邊形LED芯片的測試方法，其特征在于:所述平行四邊形LED芯片包括若干個(gè)待測芯片單元，采用至少包括兩組探針模塊的測試機(jī)對(duì)所述待測芯片單元進(jìn)行光電特性測試，其探針模塊同時(shí)測試至少兩個(gè)相鄰的芯片單元，從而使得測試機(jī)在直角坐標(biāo)系中進(jìn)行逐行或/和逐列測試時(shí)，所述芯片單元的光電特性參數(shù)與芯片單元的中心點(diǎn)坐標(biāo)位置逐一對(duì)應(yīng)。
[0005]進(jìn)一步地，所述芯片單元內(nèi)角為45°或135°。
[0006]進(jìn)一步地，所述芯片單元內(nèi)角為60°或120°。
[0007]進(jìn)一步地，所述芯片單元為菱形。
[0008]進(jìn)一步地，所述探針模塊的組數(shù)與其同時(shí)測試的芯片單元個(gè)數(shù)相同。
[0009]進(jìn)一步地，所述探針模塊的組數(shù)為2組或3組或4組或4組以上。
[0010]進(jìn)一步地，所述芯片單元的個(gè)數(shù)為2個(gè)或3個(gè)或4個(gè)或4個(gè)以上。
[0011]進(jìn)一步地，所述相鄰的芯片單元分布為同列或者同行或者其組合。
[0012]本發(fā)明的有益效果至少包括:通過增加一組或多組探針模塊，用于對(duì)具有特定內(nèi)角的平行四邊形LED芯片進(jìn)行光電特性測試，其探針模塊同時(shí)測試至少兩個(gè)相鄰的芯片單元，從而使得測試機(jī)在直角坐標(biāo)系中進(jìn)行逐行或/和逐列測試時(shí)，所述芯片單元的光電特性參數(shù)與芯片單元的中心點(diǎn)坐標(biāo)位置逐一對(duì)應(yīng)，達(dá)到兩倍甚至更多倍測試速度的效果；通過簡化生產(chǎn)流程，避免了測試數(shù)據(jù)與坐標(biāo)位置無法逐一對(duì)應(yīng)或者測試系統(tǒng)無法正確找到芯片的問題，從而解決生產(chǎn)困難。
【附圖說明】
[0013]圖1為現(xiàn)有的平行四邊形LED芯片測試示意圖。
[0014]圖2為本發(fā)明實(shí)施例1的平行四邊形LED芯片測試示意圖。
[0015]圖3為本發(fā)明實(shí)施例2的平行四邊形LED芯片測試示意圖。
[0016]圖4為本發(fā)明實(shí)施例3的平行四邊形LED芯片測試示意圖。
[0017]圖5為本發(fā)明實(shí)施例4的平行四邊形LED芯片測試示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述，在進(jìn)一步介紹本發(fā)明之前，應(yīng)當(dāng)理解，由于可以對(duì)特定的實(shí)施例進(jìn)行改造，因此，本發(fā)明并不限于下述的特定實(shí)施例。還應(yīng)當(dāng)理解，由于本發(fā)明的范圍只由所附權(quán)利要求限定，因此所采用的實(shí)施例只是介紹性的，而不是限制性的。除非另有說明，否則這里所用的所有技術(shù)和科學(xué)用語與本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所普遍理解的意義相同。
[0019]如圖1所示，傳統(tǒng)的平行四邊形LED芯片點(diǎn)測方式在測試過程中，當(dāng)測試機(jī)測試至下一行的時(shí)候，會(huì)產(chǎn)生坐標(biāo)偏差，導(dǎo)致LED芯片之光電特性參數(shù)與芯片位置無法逐一對(duì)應(yīng)，甚至造成無法測試的問題，其原因是現(xiàn)有之測試機(jī)的系統(tǒng)均為雙電極之直角坐標(biāo)系。
[0020]實(shí)施例1
如圖2所示，本實(shí)施例提供一種平行四邊形LED芯片的4針點(diǎn)測方式，即采用2組探針模塊的測試機(jī)對(duì)2個(gè)待測芯片單元進(jìn)行光電特性測試，其探針模塊同時(shí)測試2個(gè)相鄰的同列芯片單元，所述芯片單元的內(nèi)角為60°和120°。芯片的測試順序和方向如箭頭所示，先從左向右，再從上向下，在測試到下兩行芯粒(陰影斜線)的時(shí)候，正好形成直角坐標(biāo)系，即當(dāng)前點(diǎn)測的兩顆芯粒與下方斜線之兩顆芯粒為正交平移，上下相鄰的待測芯片單元的中心點(diǎn)橫坐標(biāo)保持一致。此時(shí)，芯片的光電特性參數(shù)與芯片單元的中心點(diǎn)坐標(biāo)位置可以逐一對(duì)應(yīng)，達(dá)到全面測試(或全點(diǎn)全測)，獲取所有光電特性參數(shù)，同時(shí)將測試時(shí)間縮短一半。
[0021]實(shí)施例2
如圖3所示，本實(shí)施例提供一種平行四邊形LED芯片的6針點(diǎn)測方式，即采用3組探針模塊的測試機(jī)對(duì)3個(gè)待測芯片單元進(jìn)行光電特性測試，其探針模塊同時(shí)測試3個(gè)相鄰的同行芯片單元(探針模塊接觸電極位置，圖中未示出)，所述芯片單元的內(nèi)角為45°和135度。。芯片的測試順序和方向如箭頭所示，先沿X軸從左向右，再沿Y軸從上向下，在測試到下行芯粒的時(shí)候，正好形成直角坐標(biāo)系，即當(dāng)前點(diǎn)測的兩顆芯粒與下方斜線之兩顆芯粒為正交平移，上下相鄰的待測芯片單元(位于虛線框內(nèi))的中心點(diǎn)橫坐標(biāo)保持一致。此時(shí)，芯片的光電特性參數(shù)與芯片單元的中心點(diǎn)坐標(biāo)位置可以逐一對(duì)應(yīng)，達(dá)到全面測試(或全點(diǎn)全測)，獲取所有光電特性參數(shù)，同時(shí)將測試時(shí)間縮短至1/3。
[0022]實(shí)施例3
如圖4所示，與實(shí)施例2不同的是，本實(shí)施例提供一種平行四邊形LED芯片的8針點(diǎn)測方式，即采用4組探針模塊的測試機(jī)對(duì)4個(gè)待測芯片單元進(jìn)行光電特性測試，其探針模塊同時(shí)測試4個(gè)相鄰的芯片單元(位于虛線框內(nèi))，所述待測芯片單元呈2X2行列組合，測試時(shí)間縮短至1/4。
[0023]實(shí)施例4
如圖5所示，與實(shí)施例2不同的是，本實(shí)施例提供一種平行四邊形LED芯片的12針點(diǎn)測方式，即采用6組探針模塊的測試機(jī)對(duì)6個(gè)待測芯片單元進(jìn)行光電特性測試，其探針模塊同時(shí)測試6個(gè)相鄰的芯片單元(位于虛線框內(nèi))，所述待測芯片單元為菱形，呈3X2行列組合，測試時(shí)間大幅縮短至1/6。
[0024]需要說明的是，上述實(shí)施例示出的是至少包括兩組探針模塊的測試機(jī)在直角坐標(biāo)系中進(jìn)行逐行測試時(shí)，所述芯片單元的光電特性參數(shù)與芯片單元的中心點(diǎn)橫坐標(biāo)位置逐一對(duì)應(yīng)，而本發(fā)明給出的測試方法同樣適用于測試機(jī)在直角坐標(biāo)系中進(jìn)行逐列測試的情況，使得芯片單元的光電特性參數(shù)與芯片單元的中心點(diǎn)縱坐標(biāo)位置逐一對(duì)應(yīng)，即本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)在直角坐標(biāo)系中僅沿X軸、Y軸移動(dòng)便可實(shí)現(xiàn)平行四邊形LED芯片的坐標(biāo)與測試數(shù)據(jù)逐一對(duì)應(yīng)。
[0025]應(yīng)當(dāng)理解的是，上述具體實(shí)施方案為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，本發(fā)明的范圍不限于該實(shí)施例，凡依本發(fā)明所做的任何變更，皆屬本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種平行四邊形LED芯片的測試方法，其特征在于:所述平行四邊形LED芯片包括若干個(gè)待測芯片單元，采用至少包括兩組探針模塊的測試機(jī)對(duì)所述待測芯片單元進(jìn)行光電特性測試，其探針模塊同時(shí)測試至少兩個(gè)相鄰的芯片單元，從而使得測試機(jī)在直角坐標(biāo)系中進(jìn)行逐行或/和逐列測試時(shí)，所述芯片單元的光電特性參數(shù)與芯片單元的中心點(diǎn)坐標(biāo)位置逐一對(duì)應(yīng)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種平行四邊形LED芯片的測試方法，其特征在于:所述芯片單元內(nèi)角為45°或135°。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種平行四邊形LED芯片的測試方法，其特征在于:所述芯片單元內(nèi)角為60°或120°。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種平行四邊形LED芯片的測試方法，其特征在于:所述芯片單元為菱形。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種平行四邊形LED芯片的測試方法，其特征在于:所述探針模塊的組數(shù)與其同時(shí)測試的芯片單元個(gè)數(shù)相同。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種平行四邊形LED芯片的測試方法，其特征在于:所述探針模塊的組數(shù)為2組或3組或4組或4組以上。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種平行四邊形LED芯片的測試方法，其特征在于:所述芯片單元的個(gè)數(shù)為2個(gè)或3個(gè)或4個(gè)或4個(gè)以上。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種平行四邊形LED芯片的測試方法，其特征在于:所述相鄰的芯片單元分布為同列或者同行或者其組合。
【專利摘要】一種平行四邊形LED半導(dǎo)體芯片的測試方法，其特征在于：所用平行四邊形LED芯片的內(nèi)角為特定角度，測試機(jī)擁有兩組或多組測試針，即為多組測試模組，可同時(shí)測試特定的兩排或多排芯片，避免了測試數(shù)據(jù)無法逐一對(duì)應(yīng)或者測試系統(tǒng)無法正確找到芯片的問題。
【IPC分類】G01R31/26
【公開號(hào)】CN104965163
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510399895
【發(fā)明人】林瀟雄, 邱樹添, 林素慧, 彭康偉, 許圣賢
【申請(qǐng)人】廈門市三安光電科技有限公司
【公開日】2015年10月7日
【申請(qǐng)日】2015年7月9日