本發(fā)明總體上涉及電化學(xué)傳感器，更具體地說，涉及電化學(xué)傳感器的參比電極。

背景技術(shù)：

1、電化學(xué)傳感器是一類化學(xué)傳感器，其中電極在分析物存在的情況下用作換能器元件。電化學(xué)傳感器可以將與電化學(xué)反應(yīng)(例如電極和分析物之間的反應(yīng))相關(guān)的信息轉(zhuǎn)換為適用的定性或定量信號(hào)。電化學(xué)傳感器可以產(chǎn)生數(shù)字信號(hào)的電子輸出，以供進(jìn)一步分析。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、以下呈現(xiàn)了一個(gè)或多個(gè)方面的簡(jiǎn)化概述，以便提供對(duì)這些方面的基本理解。本概述不是對(duì)所有預(yù)期方面的廣泛概述，既不旨在識(shí)別所有方面的關(guān)鍵或重要元素，也不旨在描述任何或所有方面的范圍。其唯一目的是以簡(jiǎn)化形式呈現(xiàn)一個(gè)或多個(gè)方面的一些概念，作為稍后呈現(xiàn)的更詳細(xì)描述的前奏。

2、本文所述的技術(shù)在一些方面涉及電化學(xué)傳感器中的參比電極，所述參比電極包括：基板，包括限定導(dǎo)電介質(zhì)的流動(dòng)路徑的內(nèi)壁；所述基板中的導(dǎo)電元件，其中所述導(dǎo)電元件暴露于所述流動(dòng)路徑的端部；和閥，耦合到所述流動(dòng)路徑，并配置為控制所述導(dǎo)電介質(zhì)通過所述流動(dòng)路徑流到所述導(dǎo)電元件。

3、在一些方面，本文所述的技術(shù)涉及參比電極，還包括：所述導(dǎo)電介質(zhì)的附加流動(dòng)路徑，所述附加流動(dòng)路徑布置在所述基板中；所述基板中的附加導(dǎo)電元件，其中所述附加導(dǎo)電元件暴露于所述附加流動(dòng)路徑的端部；和附加閥，耦合到所述附加流動(dòng)路徑，并配置為控制所述導(dǎo)電介質(zhì)通過所述附加流動(dòng)路徑向所述附加導(dǎo)電元件的附加流動(dòng)。

4、在一些方面，本文所述的技術(shù)涉及參比電極，其中所述流動(dòng)路徑的一部分與所述附加流動(dòng)路徑的一部分重疊。

5、在一些方面，本文所述的技術(shù)涉及參比電極，其中該閥包括電活性聚合物，被配置為響應(yīng)于電刺激而阻礙導(dǎo)電介質(zhì)的流動(dòng)。

6、在一些方面，本文所述的技術(shù)涉及參比電極，其中所述流動(dòng)路徑包括：所述基板中的阱，所述阱從所述基板的第一表面朝向所述基板的第二表面延伸，其中所述第一表面與所述第二表面相對(duì)；和通道，布置在所述基板中并且位于所述第一表面和所述第二表面之間,其中所述通道的第一端連接到所述阱，所述導(dǎo)電元件暴露于所述通道的第二端，并且所述第一端與所述第二端相對(duì)。

7、在一些方面，本文所述的技術(shù)涉及參比電極，其中所述閥沿著所述通道的壁布置。

8、在一些方面，本文所述的技術(shù)涉及參比電極，還包括：所述基板中的附加導(dǎo)電元件；所述基板中連接到阱的附加通道，其中所述附加導(dǎo)電元件暴露于所述附加通道；和沿所述附加通道布置的附加閥。

9、在一些方面，本文所述的技術(shù)涉及參比電極，其中所述流動(dòng)路徑包括：所述基板中的第一阱，所述第一阱從所述基板的第一表面朝向所述基板的第二表面延伸，其中所述第一表面與所述第二表面相對(duì)；所述基板中的第二阱，所述第二阱從所述第一表面朝向所述第二表面延伸，其中所述導(dǎo)電元件暴露于所述第二阱；和布置在所述第一表面和所述第二表面之間的通道，其中所述通道的第一端連接到所述第一阱，所述通道的第二端連接到所述第二阱，并且所述第一端與所述第二端相對(duì)。

10、在一些方面，本文所述的技術(shù)涉及參比電極，其中所述閥布置在所述通道中。

11、在一些方面，本文所述的技術(shù)涉及參比電極，還包括：所述基板中的第三阱；所述基板中的附加導(dǎo)電元件,其中所述附加導(dǎo)電元件暴露于所述第三阱；連接到所述第一阱和所述第三阱的附加通道；和沿所述附加通道布置的附加閥。

12、在一些方面，本文所述的技術(shù)涉及電化學(xué)傳感器，包括：所述基板中的一個(gè)或多個(gè)工作電極；和參考電極，電耦合到所述一個(gè)或多個(gè)工作電極，所述參比電極包括：基板，包括限定導(dǎo)電介質(zhì)的流動(dòng)路徑的內(nèi)壁,所述基板中的導(dǎo)電元件，其中所述導(dǎo)電元件暴露于所述流動(dòng)路徑的端部,和閥，耦合到所述流動(dòng)路徑，并配置為控制所述導(dǎo)電介質(zhì)通過所述流動(dòng)路徑流到所述導(dǎo)電元件。

13、在一些方面，本文所述的技術(shù)涉及電化學(xué)傳感器，還包括：所述導(dǎo)電介質(zhì)的附加流動(dòng)路徑，所述附加流動(dòng)路徑布置在所述基板中；所述基板中的附加導(dǎo)電元件，其中所述附加導(dǎo)電元件暴露于所述附加流動(dòng)路徑的端部；和附加閥，耦合到所述附加流動(dòng)路徑，并配置為控制所述導(dǎo)電介質(zhì)通過所述附加流動(dòng)路徑向所述附加導(dǎo)電元件的附加流動(dòng)。

14、在一些方面，本文所述的技術(shù)涉及電化學(xué)傳感器，其中該閥包括電活性聚合物，被配置為響應(yīng)于電刺激而阻礙導(dǎo)電介質(zhì)的流動(dòng)。

15、在一些方面，本文所述的技術(shù)涉及電化學(xué)傳感器，還包括一個(gè)或多個(gè)對(duì)電極。

16、在一些方面，本文所述的技術(shù)涉及電化學(xué)傳感器，其中所述流動(dòng)路徑包括：所述基板中的第一阱，所述第一阱從所述基板的第一表面朝向所述基板的第二表面延伸，其中所述第一表面與所述第二表面相對(duì)；所述基板中的第二阱，所述第二阱從所述第一表面朝向所述第二表面延伸，其中所述導(dǎo)電元件暴露于所述第二阱；和布置在所述第一表面和所述第二表面之間的通道，其中所述通道的第一端連接到所述第一阱，所述通道的第二端連接到第二阱，所述第一端與所述第二端相對(duì)，并且所述閥布置在所述通道上。

17、本文所述的技術(shù)在一些方面涉及電化學(xué)傳感器中的參比電極，所述參比電極包括：第一層包括：第一流動(dòng)路徑，被配置為促進(jìn)導(dǎo)電介質(zhì)在所述第一層中的第一流動(dòng),第一導(dǎo)電元件，暴露于所述第一流動(dòng)路徑，以及第一閥，耦合到第一流動(dòng)路徑并配置為控制所述第一層中的導(dǎo)電介質(zhì)的第一流動(dòng)；和位于第一層之上的第二層，第二層包括：第二流動(dòng)路徑，被配置為促進(jìn)所述導(dǎo)電介質(zhì)在所述第二層中的第二流動(dòng)，第二導(dǎo)電元件，暴露于所述第二流動(dòng)路徑，以及第二閥，耦合到所述第二流動(dòng)路徑，并配置為控制所述第二層中的導(dǎo)電介質(zhì)的第二流動(dòng)。

18、在一些方面，本文所述的技術(shù)涉及參比電極，還包括位于第一層和第二層之間的第三層，其中第三層包括連接到第一流路和第二流路的第三流路。

19、在一些方面，本文所述的技術(shù)涉及參比電極，其中所述第三層還包括耦合到所述第三流路的一個(gè)或多個(gè)第三閥，并且所述一個(gè)或多個(gè)第三閥被配置為控制所述導(dǎo)電介質(zhì)從所述第一層到所述第三層的流動(dòng)。

20、在一些方面，本文所述的技術(shù)涉及參比電極，其中所述第一流動(dòng)路徑包括：從所述第一層的第一表面朝向所述第一層的第二表面延伸的阱，其中所述第一表面與所述第二表面相對(duì)；和布置在所述第一表面和所述第二表面之間的通道，其中所述通道的第一端連接到所述阱，第一導(dǎo)電元件暴露于所述通道的第二端，所述第一端與所述第二端相對(duì)，并且所述第一閥沿著所述通道布置。

21、在一些方面，本文所述的技術(shù)涉及參比電極，其中所述第一流動(dòng)路徑包括：第一阱，從所述第一層的第一表面朝向所述第一層的第二表面延伸，其中所述第一表面與所述第二表面相對(duì)；第二阱，從所述第一表面朝向所述第二表面延伸，其中所述第一導(dǎo)電元件暴露于所述第二阱；和布置在所述第一表面和所述第二表面之間的通道，其中所述通道的第一端連接到所述第一阱，所述通道的第二端連接到所述第二阱，并且所述第一端與所述第二端相對(duì),并且所述第一閥沿所述通道布置。

22、為了實(shí)現(xiàn)上述和相關(guān)目的，一個(gè)或多個(gè)方面包括以下在權(quán)利要求中充分描述和特別指出的特征。以下描述和附圖詳細(xì)闡述了一個(gè)或多個(gè)方面的某些說明性特征。然而，這些特征僅指示了可以采用各個(gè)方面的原理的各種方式中的少數(shù)幾種，并且本描述旨在包括所有這些方面及其等效物。