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一種用于癌細(xì)胞篩查的熒光光譜測量集成電路的制作方法

文檔序號:11515831閱讀:215來源:國知局
一種用于癌細(xì)胞篩查的熒光光譜測量集成電路的制造方法與工藝

本發(fā)明涉及實現(xiàn)的一種用于癌細(xì)胞篩查的熒光光譜測量集成電路,以掩埋cmos雙pn結(jié)光電二極管(bdj)為光傳感單元,將微弱的熒光信號轉(zhuǎn)換成容易測量的電信號,提取出有用的光譜信息。本發(fā)明輸出端無需模數(shù)轉(zhuǎn)換接口而可直接與單片機等處理器相連,可與光傳感單元bdj單片集成,實現(xiàn)癌細(xì)胞熒光光譜測量系統(tǒng)的微型化和智能化。



背景技術(shù):

掩埋cmos雙pn結(jié)光電二極管,由兩個垂直堆疊的不同深度的二極管構(gòu)成。這種器件的層疊式結(jié)構(gòu)使得以硅材料作為濾光片時,光在硅晶體中的透射深度與波長有強烈的依賴關(guān)系,入射光功率和波長不同時,pn結(jié)輸出的光電流也不相同。兩個pn結(jié)的光電流比值與波長成良好的線性關(guān)系,而輸出電流大小與入射光功率成比例。

生物組織熒光可分為內(nèi)源熒光和外源熒光兩種。內(nèi)源熒光是指當(dāng)生物組織受到激光照射時,本身存在著的光敏物質(zhì)或熒光團發(fā)出的熒光;外源熒光是指用能發(fā)光的熒光物質(zhì)標(biāo)記待研究生物組織樣本,在激光照射下發(fā)出的熒光。因此用于癌細(xì)胞篩查的光誘導(dǎo)熒光技術(shù)也有兩種:一種根據(jù)癌細(xì)胞組織本身經(jīng)光源激發(fā)后形成的內(nèi)源熒光光譜進行篩查;由于一些熒光藥物與癌細(xì)胞組織有較強的親和力,另一種技術(shù)則是根據(jù)這些熒光藥物在激光照射下發(fā)出的熒光光譜進行篩查。正常組織的熒光光譜與癌細(xì)胞組織的熒光光譜存在特征差異,部分癌細(xì)胞組織熒光主峰位置明顯偏離正常組織,也有部分癌細(xì)胞組織熒光主峰值明顯多于正常組織,或峰值強度與正常組織不同,因此根據(jù)生物組織熒光光譜特性,可以實現(xiàn)癌細(xì)胞的篩查。

目前用于癌細(xì)胞篩查的熒光光譜測量的儀器雖然已經(jīng)廣泛投入使用,但是精度高、體積小、功耗低、價格適中的熒光光譜測量儀器有待于開發(fā)。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本發(fā)明要克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺點,將光譜檢測技術(shù)與微電子集成技術(shù)相結(jié)合,提供一種用于癌細(xì)胞篩查的熒光光譜測量集成電路,并且與光電傳感單元bdj單片集成,有利于實現(xiàn)熒光光譜測量系統(tǒng)的微型化。該檢測電路將兩pn結(jié)的光電流模擬量經(jīng)處理后轉(zhuǎn)換成相應(yīng)頻率的方波信號,可直接輸入單片機等數(shù)字信號處理器,無需通過數(shù)模轉(zhuǎn)換接口再與處理器相連接。

本發(fā)明所述的一種用于癌細(xì)胞篩查的熒光光譜測量集成電路,由bdj光電流提取放大電路1、光電流流向選擇電路2、電流-電壓轉(zhuǎn)換電路3、復(fù)位控制電路4、電壓-頻率轉(zhuǎn)換電路5、整形反饋電路6、占空比調(diào)節(jié)電路7共七個模塊組成。

所述bdj光電流提取放大電路1中,輸出端1b連光電流流向選擇電路2的第一輸入端21a,輸入端1a連接到光電流流向選擇電路2的輸出端2b。

bdj光電流提取放大電路1由pmos管p1、p2、p3、p4,nmos管n1、n2、n3、n4、n5、n6和以及掩埋cmos雙pn結(jié)光電二極管組成;所述pmos管p1源極接電源vdd,柵漏短接,漏極連所述pmos管p2源極,柵極與所述pmos管p3柵極相連,所述pmos管p2柵漏短接,漏極與所述nmos管n3漏極相連,所述pmos管p3源極與電源vdd相連,漏極與所述pmos管p4源極相連,所述pmos管p4柵極與所述pmos管p2柵極相連,漏極作為該bdj光電流提取放大電路1的輸出端1b,所述淺pn結(jié)光電二極管d1和所述深pn結(jié)光電二極管d2陰極相連并與電源vdd相連,陽極相連并與所述nmos管n1漏極相連,所述nmos管n1柵漏相連并與所述nmos管n3柵極相連,源極與所述nmos管n2漏極相連,所述nmos管n2柵漏相連并與所述nmos管n4柵極相連,源極接地,所述nmos管n3源極與所述nmos管n4漏極相連,所述nmos管n4源極接地,所述nmos管n5柵極與所述nmos管n3柵極相連,漏極作為該bdj光電流提取放大電路1的輸入端1a,源極與所述nmos管n6漏極相連,所述nmos管n6柵極與所述nmos管n4柵極相連,源極接地。

所述光電流流向選擇電路2中,第一輸入端21a與bdj光電流提取放大電路1中的輸出端1b相連,第二輸入端22a與整形反饋電路6的輸出端6b相連,輸入/輸出雙向端2a/b與所述電流-電壓線性轉(zhuǎn)換電路3中的輸入/輸出雙向端3a/b相連。

光電流流向選擇電路2由nmos管n7、n8、n9和pmos管p5、p6、p7組成;所述nmos管n7柵極與所述pmos管p6柵極、所述pmos管p7柵極、所述nmos管n9柵極相連,并引出端口作為本光電流流向選擇電路2的第二輸入端22a,所述nmos管n7漏極與所述pmos管p5源極相連,源極與所述pmos管p5漏極相連,所述pmos管p6源極與所述nmos管n8漏極相連并與所述pmos管p5漏極相連,并且引出端口作為該光電流流向選擇電路2的輸入/輸出雙向端2a/b,所述pmos管p6漏極與所述nmos管n8源極相連,并作為該光電流流向選擇電路2的輸出端,所述nmos管n8柵極與所述pmos管p5柵極、所述pmos管p7漏極、所述nmos管n9漏極相連,所述pmos管p7源極與電源vdd相連,漏極與所述nmos管n9漏極相連,所述nmos管n9源極接地。

所述電流-電壓轉(zhuǎn)換電路3中,輸入端3a與所述復(fù)位控制電路4的第一輸出端41b相連,輸出端3b與所述復(fù)位控制電路4的輸入端4a相連,輸入/輸出雙向端3a/b與所述光電流流向選擇電路2的輸入/輸出雙向端2a/b相連。

電流-電壓轉(zhuǎn)換電路3由pmos管p8、p9、p10、p10、p11,nmos管n10、n11、n12、n13以及電容c1組成;所述pmos管p8源極接電源vdd,柵極接所述pmos管p10柵極,漏極接所述pmos管p9源極,所述pmos管p9柵極接所述pmos管p11柵極,漏極接所述nmos管n10漏極,并作為該電流-電壓轉(zhuǎn)換電路3的輸出端3b,所述pmos管p10柵漏相連,源極接電源vdd,漏極與所述pmos管p11源極相連,所述pmos管p11柵漏相連,漏極與所述nmos管n12漏極相連,所述nmos管n10柵極接所述nmos管n12柵極,源極接所述nmos管n11漏極,所述nmos管n11源極接地,柵極作為該電流-電壓轉(zhuǎn)換電路3的輸入/輸出雙向端3a/b,所述nmos管n12柵漏短接,源極接所述nmos管n13漏極,所述nmos管n13柵漏短接,源極接地,所述電容c1一端接所述pmos管p9漏極,另一端接所述nmos管n11柵極,并引出端口作為該電流-電壓轉(zhuǎn)換電路3的輸入端3a。

所述復(fù)位控制電路4的第一輸入端4a與電流-電壓轉(zhuǎn)換電路3的輸出端3b相連,第一輸出端41b與所述電流-電壓轉(zhuǎn)換電路3的輸入端3a相連,第二輸出端42b與所述電壓-頻率轉(zhuǎn)換電路5的輸入端5a相連,第二輸入端res輸入復(fù)位信號。

復(fù)位控制電路4由nmos管n14、n15和pmos管p12、p13組成;所述nmos管n14漏極與所述pmos管p12源極相連,并引出端口作為該復(fù)位控制電路4的第一輸出端41b,所述nmos管n14源極與所述pmos管p12漏極相連,并引出端口作為該復(fù)位控制電路4的第一輸入端4a,同時引出端口作為該復(fù)位控制電路4的第二輸出端42b,所述nmos管n14柵極作為該復(fù)位控制電路4的第二輸入端res,所述pmos管p12柵極與所述pmos管p13漏極相連,所述pmos管p13源極與電源vdd相連,柵極與所述nmos管n15柵極相連并與所述nmos管n14柵極相連,所述pmos管p13漏極與所述nmos管n15漏極相連,所述nmos管n15源極接地。

所述電壓頻率轉(zhuǎn)換電路5的輸入端5a與所述復(fù)位控制電路4的第二輸出端42b相連,輸出端5b與所述整形反饋電路6的輸入端6a端相連。

電壓-頻率轉(zhuǎn)換電路5由pmos管p14、p15、p16和nmos管n16、n17、n18組成;所述pmos管p14源極接電源vdd,柵極與所述pmos管p15柵極、所述nmos管n16柵極、所述nmos管n17柵極相連,并引出端口作為該電壓-頻率轉(zhuǎn)換電路5的輸入端5a,漏極與所述pmos管p15源極相連,所述pmos管p15漏極與所述nmos管n16漏極相連,所述nmos管n16源極與所述nmos管n17漏極相連,所述nmos管n17源極接地,所述pmos管p16源極與所述pmos管p14漏極相連,漏極接地,柵極與所述nmos管n18柵極相連,并與所述pmos管p15漏極以及所述nmos管n16漏極相連,所述nmos管n18源極與所述nmos管n16源極以及所述nmos管n17漏極相連,漏極與電源vdd相連,所述nmos管n18柵極作為電壓-頻率轉(zhuǎn)換電路5的輸出端5b。

所述整形反饋電路6的輸入端6a與所述電壓-頻率轉(zhuǎn)換電路5的輸出端5b相連,輸出端6b與所述占空比調(diào)節(jié)電路7的輸入端7a相連。

整形反饋電路6由pmos管p17和nmos管n19組成;所述pmos管p17源極接電源vdd,柵極與所述nmos管n19柵極相連并作為該整形反饋電路6輸入端6a,漏極與所述nmos管n19漏極相連并作為該整形反饋電路6輸出端,所述nmos管n19源極接地。

所述占空比調(diào)節(jié)電路7的輸入端7a與所述整形反饋電路6的輸出端6b相連,輸出端為整個熒光光譜測量集成電路的輸出端。

占空比調(diào)節(jié)電路7由pmos管p18、p19、p20、p21、p22、p23和nmos管n20、n21、n22、n23、n24、n25以及電容c2、c3組成;所述pmos管p18源極接電源vdd,柵極與所述nmos管n20柵極相連,且與所述nmos管n23柵極和所述pmos管p19柵極相連并引出端口作為該占空比調(diào)節(jié)電路7的輸入端7a,所述pmos管p18漏極與所述nmos管n20漏極相連,所述nmos管n20源極接地,所述pmos管p19源極與所述nmos管n21漏極相連,且與所述pmos管p23漏極以及所述nmos管n25漏極相連,所述pmos管p19漏極與所述nmos管n21源極、所述pmos管p20柵極、所述nmos管n22柵極相連,所述nmos管n21柵極與所述pmos管p18漏極、所述pmos管p21柵極相連,所述電容c2一端連所述pmos管p19漏極,另一端接地,所述pmos管p20源極接電源vdd,漏極與所述nmos管n22漏極相連,且與所述nmos管n23漏極和所述pmos管p21源極相連,所述nmos管n22源極接地,所述nmos管n23源極與所述pmos管p21漏極相連,且與所述pmos管p22柵極和所述nmos管n24柵極相連,所述電容c3一端接所述pmos管p21漏極,另一端接地,所述pmos管p22源極接電源vdd,漏極與所述nmos管n24漏極相連并引出輸出端output,所述nmos管n24源極接地,所述pmos管p23源極接電源vdd,漏極與所述nmos管n25漏極相連,柵極與所述nmos管n25柵極相連并與輸出端output相連,所述nmos管n25源極接地。

本發(fā)明的優(yōu)點是:本發(fā)明提出的一種用于癌細(xì)胞篩查的熒光光譜測量集成電路,將探測到的微弱熒光信號轉(zhuǎn)換成一定頻率的方波輸出,輸出頻率與熒光強度成強烈依賴關(guān)系,因此可以從輸出信號中提取出熒光頻譜信息,具有誤差小、檢測范圍寬等優(yōu)點;本發(fā)明實現(xiàn)了從模擬量到數(shù)字量的間接轉(zhuǎn)換,輸出方波信號可直接輸入單片機等數(shù)字處理系統(tǒng),不需要經(jīng)模數(shù)轉(zhuǎn)換單元處理后再輸入相應(yīng)處理器,因此可避免模數(shù)轉(zhuǎn)換中因轉(zhuǎn)換精度限制存在的誤差。

附圖說明

圖1是本發(fā)明結(jié)構(gòu)的單元框圖

圖2是本發(fā)明設(shè)計的原理圖

圖3是圖2的s1部的局部放大圖

圖4是圖2的s2部的局部放大圖

圖5是圖2的s3部的局部放大圖

具體實施方式

下面結(jié)合附圖進一步說明本發(fā)明。

本發(fā)明所述的一種用于癌細(xì)胞篩查的熒光光譜測量集成電路,由bdj光電流提取放大電路1、光電流流向選擇電路2、電流-電壓轉(zhuǎn)換電路3、復(fù)位控制電路4、電壓-頻率轉(zhuǎn)換電路5、整形反饋電路6、占空比調(diào)節(jié)電路7共七個模塊組成。

所述bdj光電流提取放大電路1中,淺pn結(jié)光電二極管d1和深pn結(jié)光電二極管d2處于反偏壓狀態(tài),光電流從d1、d2共陽極流出,所述pmos管p1、p2、p3、p4構(gòu)成cascode結(jié)構(gòu)的電流鏡,所述nmos管n1、n2、n3、n4與nmos管n1、n2、n5、n6也構(gòu)成cascode結(jié)構(gòu)的電流鏡,具有高輸出電流精度,大輸出電阻的優(yōu)點,通過該單元可將所述光電流精確鏡像輸出并放大,且輸出光電流與熒光光強成強烈依賴關(guān)系,該電路單元可以從輸出端1b輸出某一大小的電流,也可以從輸入端1a輸入某一大小的電流,電流大小與bdj所產(chǎn)生的光電流大小成比例,而具體電流流向由所述光電流流向選擇電路2控制;

所述光電流流向選擇電路2由第二輸入端22a控制,所述pmos管p5和nmos管n7共同構(gòu)成第一傳輸門,所述pmos管p6和nmos管n8構(gòu)成第二傳輸門,當(dāng)?shù)诙斎攵?2a輸入高電平時,第一傳輸門導(dǎo)通,第二傳輸門截止,光電流可以從第一輸入端21a輸入并從輸入/輸出雙向端2a/b輸出,當(dāng)?shù)诙斎攵?2a處于低電平時,第一傳輸門截止,第二傳輸門導(dǎo)通,電流可以從輸入/輸出雙向端2a/b輸入并從輸出端2b輸出;

所述電流-電壓轉(zhuǎn)換電路3具有靈敏度高、抗干擾性強的優(yōu)點,其中,所述pmos管p8、p9和所述nmos管n10、n11構(gòu)成共源共柵放大電路,所述pmos管p10、p11和所述nmos管n12、n13為所述共源共柵放大電路提供偏置,電壓轉(zhuǎn)換由反饋電容c1完成,電容根據(jù)輸入/輸出雙向端3a/b的電流狀態(tài)完成相應(yīng)的積分運算,由于高增益的共源共柵放大電路的存在,使得積分電容可以很小,減小了電路面積,而輸入端3a控制電容是否處于復(fù)位狀態(tài),當(dāng)輸入端3a與輸出端3b電位相同時,該電路單元復(fù)位,電容兩端電壓突變,不允許電容作積分運算,輸出端3b電壓降到最低,當(dāng)輸入端3a與輸出端3b電位不同時,該電路單元正常工作,允許電容作積分運算;

所述復(fù)位控制電路4是整個熒光光譜測量集成電路能否正常工作的關(guān)鍵電路,電路正常工作之前都需要進行一次復(fù)位,所述nmos管n14和pmos管p12構(gòu)成一個傳輸門,復(fù)位信號由第二輸入端res輸入,當(dāng)?shù)诙斎攵藃es為高電平時,傳輸門導(dǎo)通,第一輸出端41b電位和輸入端4a的電位幾乎相同,由于第一輸出端41b和輸入端4a分別與所述電流-電壓轉(zhuǎn)換電路3的輸入端3a和輸出端3b相連,使得輸入端3a與輸出端3b電位相同,電流-電壓轉(zhuǎn)換電路3進入復(fù)位狀態(tài),輸入端4a輸入最低的電壓,并從第二輸出端42b輸出;

所述電壓-頻率轉(zhuǎn)換電路5用于根據(jù)輸入電壓的大小變化轉(zhuǎn)換成一定頻率的方波輸出,該電路由兩個閾值電壓,較高的閾值電壓為vh,較低的閾值電壓為vl,電路處于復(fù)位狀態(tài)時,輸入端5a輸入的電壓小于閾值電壓vl,輸出端5b始終輸出高電平,當(dāng)電路不處于復(fù)位狀態(tài)時,若輸入端5a輸入的電壓處于逐漸上升狀態(tài),只有當(dāng)電壓超過閾值電壓vh時,輸出端5b才會輸出低電平,否則一直處于高電平,若輸入端5a輸入的電壓處于逐漸下降狀態(tài),只有當(dāng)電壓低于閾值電壓vl時,輸出端5b才會輸出高電平,否則一直處于低電平;當(dāng)輸入端5a的電壓周期性變化時,輸出端5b即可輸出一定頻率的方波,頻率與輸入端5a的電壓變化周期成依賴關(guān)系;

所述整形反饋電路6完成波形的整形并為光電流流向選擇電路2提供反饋信號,該電路單元首先將輸入端6a輸入的電壓反相,并增加電壓幅值,使輸入的高電平為0,高電平為電源電壓vdd,波形變化更陡峭,其次把輸出端6b輸出的電壓反饋至光電流流向選擇電路2的第二輸入端22a;

所述占空比調(diào)節(jié)電路7將整形反饋電路6的輸出信號作為時鐘信號,實現(xiàn)占空比調(diào)節(jié),所述pmos管p18和所述nmos管n20構(gòu)成第一反相器,用于將時鐘信號反相,所述pmos管p19、p20、p21、p22和所述nmos管n21、n22、n23、n24構(gòu)成d觸發(fā)器,該d觸發(fā)器的信號輸入端口為所述pmos管p19源極和所述nmos管n21漏極,信號輸出端口為output端口,所述pmos管p23和所述nmos管n25構(gòu)成第二反相器,用于將d觸發(fā)器的輸出信號反相后作為該d觸發(fā)器的輸入信號,因此,d觸發(fā)器和第二反相器組合構(gòu)成t’觸發(fā)器,在時鐘信號上升沿到來之際,將輸出信號電平翻轉(zhuǎn),雖然時鐘信號占空比可能不是50%,但是由于在光照強度不改變的前提下,時鐘周期不會改變,因此該占空比調(diào)節(jié)電路7的輸出占空比為50%,即實現(xiàn)了占空比調(diào)節(jié);

本電路最終實現(xiàn)了將微弱熒光信號轉(zhuǎn)換成光電流,并進而轉(zhuǎn)換成相應(yīng)頻率的方波輸出,輸出頻率大小與熒光強度成強烈依賴關(guān)系。通過對癌細(xì)胞組織不同熒光波長下的光強度測量,可以實現(xiàn)熒光光譜測量,為癌細(xì)胞篩查提供依據(jù)。

本說明書實施例所述的內(nèi)容僅僅是對發(fā)明構(gòu)思的實現(xiàn)形式的列舉,本發(fā)明的保護范圍不應(yīng)該視為僅限于實施例所陳述的具體形式,本發(fā)明的保護范圍也及于本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思所能想到的等同技術(shù)手段。

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