本發(fā)明提出了硅基縫隙耦合式T型結(jié)的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器，屬于微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)的技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

隨著信息科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，信號(hào)的檢測(cè)尤其是微波等高頻率信號(hào)的頰側(cè)技術(shù)顯得越來(lái)越重要，為了適應(yīng)當(dāng)今這個(gè)信息時(shí)代，毫米波信號(hào)檢測(cè)技術(shù)也必須與時(shí)俱進(jìn)，不斷發(fā)展。眾所周知，精確確定一個(gè)信號(hào)需要三大參數(shù)：頻率、相位和功率，因此對(duì)這三個(gè)參數(shù)的測(cè)量是一項(xiàng)非常重要的任務(wù)，可以說(shuō)在航空航天、微波通信等領(lǐng)域有著非常好的潛在應(yīng)用價(jià)值，在低頻率階段，人們對(duì)這三個(gè)參數(shù)的測(cè)試結(jié)構(gòu)已經(jīng)研究的頗為深刻了，各種各樣的信號(hào)檢測(cè)器已經(jīng)能很好的滿足人們的需求了，但是在高頻段，尤其是位于毫米波頻段內(nèi)，現(xiàn)有的頻率檢測(cè)器、相位檢測(cè)器和功率檢測(cè)器不僅結(jié)構(gòu)復(fù)雜、體積較大、成本較高，而且很難將它們高效地集成在一起，另外由于處于毫米波頻段，各個(gè)信號(hào)檢測(cè)器都勢(shì)必制作的非常小，這樣就會(huì)引起各種不必要的高頻效應(yīng)。

為了解決上述問(wèn)題，隨著對(duì)共面波導(dǎo)縫隙耦合結(jié)構(gòu)、T型結(jié)功分器、T型結(jié)功合器以及間接式熱電式功率傳感器的深入研究，本發(fā)明在高阻Si襯底上設(shè)計(jì)了一種將毫米波頻率、相位和功率檢測(cè)集成在一起的信號(hào)檢測(cè)儀器，這種利用縫隙耦合結(jié)構(gòu)的信號(hào)檢測(cè)器不僅結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單新穎，而且制作成本較低，在毫米波頻段可以高效的監(jiān)測(cè)信號(hào)的各個(gè)參數(shù)，而且通過(guò)模數(shù)轉(zhuǎn)換和液晶顯示環(huán)節(jié)對(duì)測(cè)得的微波參量進(jìn)行顯示輸出，得到一個(gè)完整的微波信號(hào)檢測(cè)儀器，具有較高的應(yīng)用價(jià)值。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

技術(shù)問(wèn)題：本發(fā)明的目的是提供一種硅基縫隙耦合式T型結(jié)的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器，為了解決傳統(tǒng)信號(hào)檢測(cè)器結(jié)構(gòu)復(fù)雜的難題，本發(fā)明采用了共面波導(dǎo)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，而在功率分配和功率合成方面則采用了T型結(jié)功分器和T型結(jié)功合器結(jié)構(gòu)，在功率檢測(cè)方面采用了間接式熱電式功率傳感器，這三種結(jié)構(gòu)可以有效的集成在一起，從而達(dá)到對(duì)毫米波信號(hào)的頻率、相位和功率的精確測(cè)量，并通過(guò)模數(shù)轉(zhuǎn)換將待測(cè)的參量直接顯示在液晶屏幕上，形成一個(gè)全面的微波信號(hào)檢測(cè)儀器，為毫米波信號(hào)的檢測(cè)打下了堅(jiān)實(shí)牢固的基礎(chǔ)。

技術(shù)方案：本發(fā)明的硅基縫隙耦合式T型結(jié)的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器主要是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換、MCS51單片機(jī)和液晶顯示四大模塊組成，這四個(gè)大模塊又由一些基礎(chǔ)的小模塊和電路構(gòu)成。

其中傳感器部分是由頻率檢測(cè)模塊、相位檢測(cè)模塊和功率檢測(cè)模塊這三個(gè)小模塊構(gòu)成，它們制作在高阻Si襯底上，是由共面波導(dǎo)傳輸線、四個(gè)尺寸相同的縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、兩個(gè)尺寸相同的單刀雙擲開(kāi)關(guān)、一個(gè)T型結(jié)功分器、三個(gè)T型結(jié)功合器以及六個(gè)間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，具體結(jié)構(gòu)的連接關(guān)系如下：第一端口是信號(hào)輸入端，一號(hào)縫隙耦合結(jié)構(gòu)和二號(hào)縫隙耦合結(jié)構(gòu)位于共面波導(dǎo)傳輸線上側(cè)地線，三號(hào)縫隙耦合結(jié)構(gòu)和四號(hào)縫隙耦合結(jié)構(gòu)則位于共面波導(dǎo)傳輸線下側(cè)地線，這兩對(duì)縫隙關(guān)于中心信號(hào)線對(duì)稱，它們之間由一個(gè)移相器隔開(kāi)，首先來(lái)看頻率檢測(cè)模塊，一號(hào)縫隙耦合結(jié)構(gòu)連接到第二端口，第二端口與一號(hào)單刀雙擲開(kāi)關(guān)的輸入端相連，一號(hào)單刀雙擲開(kāi)關(guān)的輸出端分別連接到一號(hào)T型結(jié)功合器和一號(hào)間接式熱電式功率傳感器，同樣的，二號(hào)縫隙耦合結(jié)連接到第三端口，第三端口與二號(hào)單刀雙擲開(kāi)關(guān)的輸入端相連，二號(hào)單刀雙擲開(kāi)關(guān)的輸出端分別連接到一號(hào)T型結(jié)功合器和二號(hào)間接式熱電式功率傳感器，而一號(hào)T型結(jié)功合器的輸出端連接到三號(hào)間接式熱電式功率傳感器；再看相位檢測(cè)模塊，三號(hào)縫隙耦合結(jié)構(gòu)與第四端口相連，第四端口連接到二號(hào)T型結(jié)功合器，四號(hào)縫隙耦合結(jié)構(gòu)與第五端口相連，第五端口連接到三號(hào)T型結(jié)功合器，參考信號(hào)通過(guò)四號(hào)T型結(jié)功分器的輸入端輸入，四號(hào)T型結(jié)功分器的輸出端分別連接到二號(hào)T型結(jié)功合器和三號(hào)T型結(jié)功合器，然后，二號(hào)T型結(jié)功合器的輸出端連接四號(hào)間接式熱電式功率傳感器，三號(hào)T型結(jié)功合器的輸出端連接五號(hào)間接式熱電式功率傳感器，最后是功率檢測(cè)模塊，在第六端口處連接著六號(hào)間接式熱電式功率傳感器。

首先，對(duì)于毫米波的頻率檢測(cè)模塊，它主要是由兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)、一段移相器、兩個(gè)單刀雙擲開(kāi)關(guān)、一個(gè)T型結(jié)功合器以及一個(gè)間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，毫米波信號(hào)首先經(jīng)過(guò)第一個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)耦合出小部分的信號(hào)P₁(對(duì)應(yīng)電壓為V₁)，然后經(jīng)過(guò)一段移相器之后再由另一個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)耦合出部分的信號(hào)P₂(對(duì)應(yīng)電壓為V₂)，這樣兩個(gè)耦合信號(hào)之間就產(chǎn)生了一定的相位差實(shí)際上這段移相器就是一段共面波導(dǎo)傳輸線，它的長(zhǎng)度設(shè)置為以中心頻率f₀為35GHz處波長(zhǎng)的1/4，此時(shí)相位差就是90°，但是當(dāng)頻率f變化時(shí)，相位差是頻率f的函數(shù)：

其中f為毫米波信號(hào)的頻率，c為光速，ε_er為傳輸線的相對(duì)介電常數(shù)，ΔL為移相器的長(zhǎng)度。因此只要測(cè)出的值，就能得到頻率f的大小，于是將兩個(gè)耦合信號(hào)P₁、P₂經(jīng)過(guò)T型結(jié)功合器進(jìn)行合成，再用間接式熱電式功率傳感器去檢測(cè)合成信號(hào)功率P_s的大小，合成信號(hào)的功率P_s(對(duì)應(yīng)電壓為V_s)是關(guān)于相位差的三角函數(shù)關(guān)系：

由于耦合信號(hào)P₁、P₂的大小未知，因此這里采用了兩個(gè)單刀雙擲開(kāi)關(guān)將兩個(gè)耦合出來(lái)的小信號(hào)率先進(jìn)行功率檢測(cè)，得到其功率大小，然后再通過(guò)T型結(jié)功合器進(jìn)行功率合成，于是由公式(2)就能計(jì)算出頻率f的大小。注意這里的相位差只是兩個(gè)耦合小信號(hào)之間的相位差，并不是原毫米波信號(hào)的相位Φ，還需要通過(guò)相位檢測(cè)模塊來(lái)精確確定原毫米波信號(hào)的相位Φ。

對(duì)于毫米波的相位檢測(cè)模塊，同樣地也是由兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)耦合出部分小信號(hào)P₃和P₄，由于縫隙尺寸相同，所以它們的功率大小等于之前測(cè)得的耦合小信號(hào)P₁和P₂，它們的初始相位都為Φ，在經(jīng)過(guò)移相器之后，第二個(gè)縫隙耦合信號(hào)與第一個(gè)縫隙耦合信號(hào)之間有了相位差從附圖中圖2可以看到，參考信號(hào)P_c(對(duì)應(yīng)電壓為V_c)經(jīng)過(guò)T型結(jié)功分器分解成左右兩路一模一樣的信號(hào)，左邊一路信號(hào)與第一個(gè)縫隙耦合信號(hào)進(jìn)行功率合成，得到合成功率P_L(對(duì)應(yīng)電壓為V_L)，它是關(guān)于相位Φ的三角函數(shù)關(guān)系；而右邊一路信號(hào)與第二個(gè)縫隙耦合信號(hào)進(jìn)行功率合成，得到合成功率P_R(對(duì)應(yīng)電壓為V_R)，它是關(guān)于相位的三角函數(shù)關(guān)系：

其中P₃＝P₁、P₄＝P₂，結(jié)合這兩個(gè)關(guān)系式，不僅可以得到相位Φ的大小，還可以得到相位的超前或滯后關(guān)系，實(shí)現(xiàn)了-180°～+180°的相位檢測(cè)。

最后的毫米波功率檢測(cè)模塊是用間接式的熱電式功率檢測(cè)器來(lái)檢測(cè)原毫米波信號(hào)的功率大小的，它主要是由共面波導(dǎo)傳輸線、終端電阻和熱電堆所構(gòu)成，而熱電堆主要是由兩種不同的半導(dǎo)體臂級(jí)聯(lián)所組成，這樣終端電阻吸收能量后發(fā)出的熱量就會(huì)被熱電堆的熱端吸收，熱電堆的熱端和冷端會(huì)因此產(chǎn)生溫差，根據(jù)seebeck效應(yīng)就能得到熱電勢(shì)的值，需要注意的是為了熱電堆更好的吸收熱能，在終端電阻和熱電堆下方會(huì)將襯底減薄，這樣熱能就不會(huì)從襯底耗散掉，從而提高了熱電轉(zhuǎn)換效率。原毫米波信號(hào)的功率大小P可以由下式表達(dá)：

由于間接式熱電式功率檢測(cè)器輸出的是模擬電壓，并不是功率大小，因此公式(1)、(2)、(3)中出現(xiàn)的功率P₁、P₂、P₃、P₄、P_L、P_R、P_C、P_S都需要經(jīng)過(guò)公式(4)將電壓V₁、V₂、V₃、V₄、V_L、V_R、V_C、V_S進(jìn)行計(jì)算才能得到。

第二個(gè)大模塊是模數(shù)轉(zhuǎn)換部分，它的主要作用是將傳感器三個(gè)小模塊中輸出的功率直接轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)，這個(gè)部分主要是由STM32微處理器及由AD620芯片組成的外圍電路所構(gòu)成，則根據(jù)公式(1)、(2)、(3)、(4)，可以反推出相應(yīng)的頻率f、相位Φ和功率P的大?。?/p>

然后是MCS51單片機(jī)部分，它的主要作用就是對(duì)各個(gè)電壓值進(jìn)行公式計(jì)算得到需要的頻率f、相位Φ和功率P的數(shù)值。

最后就是液晶顯示部分，它的主要作用就是將得到的數(shù)字信號(hào)直接進(jìn)行顯示輸出，得出待測(cè)信號(hào)的頻率f、相位Φ和功率P的讀數(shù)。

有益效果：在本發(fā)明中，為了將頻率檢測(cè)、相位檢測(cè)和功率檢測(cè)集成在一起，采用了簡(jiǎn)單新穎的縫隙耦合結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)能將小部分的毫米波信號(hào)耦合出來(lái)，并利用這部分耦合信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)頻率和相位檢測(cè)，而大部分的信號(hào)能夠繼續(xù)在共面波導(dǎo)上傳播并進(jìn)行功率檢測(cè)，其中功分器和功合器采用的是T型結(jié)功分器和T型結(jié)功合器結(jié)構(gòu)，功率檢測(cè)器則采用了間接式熱電式功率傳感器，這些結(jié)構(gòu)能非常有效的集成在一起，大大的提高了信號(hào)檢測(cè)的效率。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的硅基縫隙耦合式T型結(jié)的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器的總框圖

圖2為本發(fā)明的硅基縫隙耦合式T型結(jié)的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器中傳感器的俯視圖

圖3為本發(fā)明的硅基縫隙耦合式T型結(jié)的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器中傳感器的單刀雙擲開(kāi)關(guān)的俯視圖

圖4為本發(fā)明的硅基縫隙耦合式T型結(jié)的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器中傳感器的單刀雙擲開(kāi)關(guān)AA’方向的剖面圖

圖5為本發(fā)明的硅基縫隙耦合式T型結(jié)的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器中傳感器的T型結(jié)功分器和T型結(jié)功合器的俯視圖

圖6為本發(fā)明的硅基縫隙耦合式T型結(jié)的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器中傳感器的間接式熱電式功率傳感器的俯視圖

圖7為本發(fā)明的硅基縫隙耦合式T型結(jié)的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器中傳感器的間接式熱電式功率傳感器的剖面圖

圖8為本發(fā)明的硅基縫隙耦合式T型結(jié)的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器中模數(shù)轉(zhuǎn)換的電路圖

圖中包括：高阻Si襯底1，SiO₂層2，共面波導(dǎo)傳輸線3，一號(hào)縫隙耦合結(jié)構(gòu)4-1，二號(hào)縫隙耦合結(jié)構(gòu)4-2，三號(hào)縫隙耦合結(jié)構(gòu)4-3，四號(hào)縫隙耦合結(jié)構(gòu)4-4，移相器5，頻率檢測(cè)模塊6，相位檢測(cè)模塊7，功率檢測(cè)模塊8，終端電阻9，P型半導(dǎo)體臂10，N型半導(dǎo)體臂11，歐姆接觸12，熱電堆13，輸出電極14，扇形缺陷結(jié)構(gòu)15，空氣橋16，襯底膜結(jié)構(gòu)17，熱端18，冷端19，一號(hào)單刀雙擲開(kāi)關(guān)20，二號(hào)單刀雙擲開(kāi)關(guān)21，錨區(qū)22，Si₃N₄介質(zhì)層23，開(kāi)關(guān)下拉電極板24，開(kāi)關(guān)梁25，第一端口1-1，第二端口1-2，第三端口1-3，第四端口1-4，第五端口1-5，第六端口1-6。

具體實(shí)施方案

本發(fā)明的硅基縫隙耦合式T型結(jié)的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器中傳感器部分是基于高阻Si襯底1制作的，是由共面波導(dǎo)傳輸線3、一號(hào)縫隙耦合結(jié)構(gòu)4-1、二號(hào)縫隙耦合結(jié)構(gòu)4-2、三號(hào)縫隙耦合結(jié)構(gòu)4-3、四號(hào)縫隙耦合結(jié)構(gòu)4-4、移相器5、一號(hào)單刀雙擲開(kāi)關(guān)20、二號(hào)單刀雙擲開(kāi)關(guān)21、一個(gè)T型結(jié)功分器、三個(gè)T型結(jié)功合器以及六個(gè)間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成。

T型結(jié)功分器和T型結(jié)功合器的結(jié)構(gòu)是相同的，主要由共面波導(dǎo)傳輸線3、兩個(gè)扇形缺陷結(jié)構(gòu)15和三個(gè)空氣橋17構(gòu)成，扇形缺陷結(jié)構(gòu)15是位于兩個(gè)輸入端口處的扇形形狀的缺陷地結(jié)構(gòu)，而空氣橋17是位于中心信號(hào)線上方的梁結(jié)構(gòu)。

采用間接式熱電式功率傳感器來(lái)實(shí)現(xiàn)熱電轉(zhuǎn)換，它主要由共面波導(dǎo)傳輸線3、兩個(gè)終端電阻9以及熱電堆13所構(gòu)成，而熱電堆13又是由P型半導(dǎo)體臂10和N型半導(dǎo)體臂11通過(guò)歐姆接觸12級(jí)聯(lián)組成，其中共面波導(dǎo)傳輸線3與兩個(gè)終端電阻9相連，而熱電堆13與終端電阻9之間有一段間隔；終端電阻吸收能量后發(fā)出的熱量就會(huì)被熱電堆的熱端吸收，熱電堆的熱端和冷端會(huì)因此產(chǎn)生溫差，根據(jù)seebeck效應(yīng)就能得到熱電勢(shì)的值，需要注意的是為了熱電堆更好的吸收熱能，在終端電阻和熱電堆下方會(huì)將襯底減薄，這樣熱能就不會(huì)從襯底耗散掉，從而提高了熱電轉(zhuǎn)換效率。

具體結(jié)構(gòu)方案如下：第一端口1-1是信號(hào)輸入端，一號(hào)縫隙耦合結(jié)構(gòu)4-1和二號(hào)縫隙耦合結(jié)構(gòu)4-2位于共面波導(dǎo)傳輸線3上側(cè)地線，三號(hào)縫隙耦合結(jié)構(gòu)4-3和四號(hào)縫隙耦合結(jié)構(gòu)4-4則位于共面波導(dǎo)傳輸線3下側(cè)地線，這兩對(duì)縫隙關(guān)于中心信號(hào)線對(duì)稱，它們之間由一個(gè)移相器5隔開(kāi)，首先來(lái)看頻率檢測(cè)模塊6，一號(hào)縫隙耦合結(jié)構(gòu)4-1連接到第二端口1-2，第二端口1-2與一號(hào)單刀雙擲開(kāi)關(guān)20的輸入端相連，一號(hào)單刀雙擲開(kāi)關(guān)20的輸出端分別連接到一號(hào)T型結(jié)功合器和一號(hào)間接式熱電式功率傳感器，同樣的，二號(hào)縫隙耦合結(jié)構(gòu)4-2連接到第三端口1-3，第三端口1-3與二號(hào)單刀雙擲開(kāi)關(guān)21的輸入端相連，二號(hào)單刀雙擲開(kāi)關(guān)21的輸出端分別連接到一號(hào)T型結(jié)功合器和二號(hào)間接式熱電式功率傳感器，而一號(hào)T型結(jié)功合器的輸出端連接到三號(hào)間接式熱電式功率傳感器；再看相位檢測(cè)模塊7，三號(hào)縫隙耦合結(jié)構(gòu)4-3與第四端口1-4相連，第四端口1-4連接到二號(hào)T型結(jié)功合器，四號(hào)縫隙耦合結(jié)構(gòu)4-4與第五端口1-5相連，第五端口1-5連接到三號(hào)T型結(jié)功合器，參考信號(hào)通過(guò)四號(hào)T型結(jié)功分器的輸入端輸入，四號(hào)T型結(jié)功分器的輸出端分別連接到二號(hào)T型結(jié)功合器和三號(hào)T型結(jié)功合器，然后，二號(hào)T型結(jié)功合器的輸出端連接四號(hào)間接式熱電式功率傳感器，三號(hào)T型結(jié)功合器的輸出端連接五號(hào)間接式熱電式功率傳感器，最后是功率檢測(cè)模塊8，在第六端口1-6處連接著六號(hào)間接式熱電式功率傳感器。在每個(gè)間接式熱電式功率傳感器之后都連接著模數(shù)轉(zhuǎn)換模塊，然后將這些模數(shù)轉(zhuǎn)換得到的數(shù)字信號(hào)都接入MCS51單片機(jī)進(jìn)行公式計(jì)算，最后通過(guò)液晶顯示屏顯示輸出頻率、相位和功率的數(shù)值大小。

本發(fā)明的硅基縫隙耦合式T型結(jié)的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器中傳感器的制備方法為：

1)準(zhǔn)備高阻Si襯底1(4000Ω·cm)，厚度為400um；

2)熱氧化生長(zhǎng)一層SiO₂層2，厚度為1.2um；

3)淀積一層多晶硅，P型離子注入(摻雜濃度為10¹⁵cm^-2)，以達(dá)到制作終端電阻9的要求。

4)利用掩模版1對(duì)要制作熱電堆P型半導(dǎo)體臂10的地方再次進(jìn)行P型離子注入，達(dá)到P型半導(dǎo)體臂10的電阻率要求；

5)利用掩模版2對(duì)要制作熱電堆N型半導(dǎo)體臂11的地方進(jìn)行N型離子注入，達(dá)到N型半導(dǎo)體臂11的電阻率要求；

6)涂覆光刻膠，對(duì)多晶硅層進(jìn)行光刻，最終形成終端電阻9和熱電堆13的P型半導(dǎo)體臂10和N型半導(dǎo)體臂11；

7)在熱電堆的P型半導(dǎo)體臂10和N型半導(dǎo)體臂11連接處制作歐姆接觸12；

8)在襯底上涂覆光刻膠，去除傳輸線、輸出電極14和開(kāi)關(guān)下拉電極板23處的光刻膠，蒸發(fā)一層種子層Ti，厚度為然后制備第一層金，厚度為0.3um，通過(guò)剝離工藝去除保留的光刻膠，連帶去除在光刻膠上面的金屬層，初步形成傳輸線、輸出電極14和開(kāi)關(guān)下拉電極板23；

9)在前面步驟處理得到的Si襯底1上，通過(guò)PECVD生成一層厚的Si₃N₄介質(zhì)層，光刻Si₃N₄介質(zhì)層，僅保留空氣橋16和開(kāi)關(guān)梁24下方的Si₃N₄介質(zhì)層；

10)淀積一層1.6μm厚的聚酰亞胺犧牲層，要求填滿所有凹坑；光刻聚酰亞胺犧牲層，僅保留空氣橋16和開(kāi)關(guān)梁24下方的聚酰亞胺犧牲層；

11)涂覆光刻膠，去除預(yù)備制作傳輸線、輸出電極14以及空氣橋16和開(kāi)關(guān)梁24的光刻膠，蒸發(fā)一層種子層Ti，厚度為制備第二層金，厚度為2um，最后，去除保留的光刻膠，形成傳輸線、輸出電極14、空氣橋16和開(kāi)關(guān)梁24；

12)在襯底的背面涂覆光刻膠，去除預(yù)備在襯底背面形成薄膜結(jié)構(gòu)17地方的光刻膠，在終端負(fù)載電阻9和熱電堆13熱端下方刻蝕減薄Si襯底，形成襯底膜結(jié)構(gòu)17，保留約為40μm厚的膜結(jié)構(gòu)；

13)釋放聚酰亞胺犧牲層，以去除空氣橋16和開(kāi)關(guān)梁24下方的聚酰亞胺犧牲層；最后，在去離子水中浸泡5分鐘，無(wú)水乙醇脫水，常溫下?lián)]發(fā)，晾干。

本發(fā)明的不同之處在于：

本發(fā)明采用了新穎的縫隙耦合結(jié)構(gòu)，這種縫隙耦合結(jié)構(gòu)能夠?qū)⒃诠裁娌▽?dǎo)中傳播的電磁場(chǎng)能量耦合出一部分，從而利用這耦合出的部分小信號(hào)來(lái)檢測(cè)原毫米波信號(hào)的頻率和相位大??；功率分配器和功率合成器都采用T型結(jié)功分器和T型結(jié)功合器的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)功率的平分或合成；至于功率檢測(cè)器，則采用間接式熱電式功率傳感器來(lái)實(shí)現(xiàn)熱電轉(zhuǎn)換，從而測(cè)得功率的大小。這些結(jié)構(gòu)不僅簡(jiǎn)化了電路版圖，降低了制作成本，而且大大提高了毫米波信號(hào)的檢測(cè)效率，實(shí)現(xiàn)了毫米波信號(hào)的頻率、相位以及功率實(shí)現(xiàn)一體化檢測(cè)，同時(shí)由于耦合出的信號(hào)能量和原信號(hào)相比非常小，因此幾乎對(duì)原毫米波信號(hào)影響不大。此外同時(shí)將模擬輸出信號(hào)經(jīng)過(guò)轉(zhuǎn)換直接輸出在液晶屏幕上，構(gòu)成了一個(gè)完整的微波信號(hào)檢測(cè)儀器。

滿足以上條件的結(jié)構(gòu)即視為本發(fā)明的硅基縫隙耦合式T型結(jié)的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器。