两个人的电影免费视频_国产精品久久久久久久久成人_97视频在线观看播放_久久这里只有精品777_亚洲熟女少妇二三区_4438x8成人网亚洲av_内谢国产内射夫妻免费视频_人妻精品久久久久中国字幕

血?dú)夥治鰞x的制作方法

文檔序號:6051136閱讀:591來源:國知局
血?dú)夥治鰞x的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種血?dú)夥治鰞x,包括一測試包;位于測試包中的復(fù)數(shù)個(gè)溫度傳感器;一振蕩器;一運(yùn)算放大器;與復(fù)數(shù)個(gè)溫度傳感器的數(shù)目相等的復(fù)數(shù)個(gè)金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管,復(fù)數(shù)個(gè)金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管中的每一個(gè)與復(fù)數(shù)個(gè)溫度傳感器中的一個(gè)對應(yīng),每個(gè)金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管的漏極連接至振蕩器的輸出端,每個(gè)金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管的源極連接至運(yùn)算放大器的反相輸入端,每個(gè)金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管的柵極連接至相對應(yīng)的溫度傳感器的輸出端;一反饋電阻;一整流器;以及連接在整流器的輸出端的直流風(fēng)扇或電阻式加熱器。本實(shí)用新型的血?dú)夥治鰞x能夠使得測試包的溫度保持穩(wěn)定。
【專利說明】血?dú)夥治鰞x
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種醫(yī)用血?dú)夥治鰞x,更具體地,涉及一種溫度可調(diào)節(jié)的血?dú)夥治鰞x。
【背景技術(shù)】
[0002]血?dú)夥治鰞x是利用電極對血液進(jìn)行測量的精密實(shí)驗(yàn)儀器。血?dú)夥治鰞x可以用來檢測血?dú)庵械臍潆x子濃度、二氧化碳分壓和氧分壓,還能檢測鈉離子濃度、鈣離子濃度、鉀離子濃度和氯離子濃度。
[0003]血?dú)夥治鰞x適用于醫(yī)院的臨床檢測,能夠?qū)ρ旱乃釅A平衡、重要離子濃度進(jìn)行監(jiān)測,因此需要及時(shí)并準(zhǔn)確對血?dú)庵械母鱾€(gè)參數(shù)進(jìn)行精確測量。
[0004]在血?dú)鈾z測過程中,當(dāng)環(huán)境溫度或血?dú)鉁囟劝l(fā)生變化時(shí),容易對測試結(jié)果造成很大的影響甚至導(dǎo)致檢測結(jié)果不準(zhǔn)確,因而通常需要使得環(huán)境溫度保持在15-30°C之間。
[0005]美國專利US4469792公開了一種血?dú)夥治鰞x,其中通過與25°C的循環(huán)水浴連接的不銹鋼帶使得無菌瓶的溫度保持在25°C。當(dāng)該血?dú)夥治鰞x的環(huán)境溫度偏離所需要的溫度范圍時(shí),往往需要較長的時(shí)間來恢復(fù)到所需的溫度范圍。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]針對上述現(xiàn)有技術(shù)的問題,本實(shí)用新型提供了一種血?dú)夥治鰞x,所述血?dú)夥治鰞x包括一測試包,還包括:位于所述測試包中的復(fù)數(shù)個(gè)溫度傳感器;一個(gè)振蕩器;一個(gè)運(yùn)算放大器;與所述復(fù)數(shù)個(gè)溫度傳感器的數(shù)目相等的復(fù)數(shù)個(gè)金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管,所述復(fù)數(shù)個(gè)金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管中的每一個(gè)與所述復(fù)數(shù)個(gè)溫度傳感器中的一個(gè)對應(yīng),每個(gè)所述金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管的漏極連接至所述振蕩器的輸出端,每個(gè)所述金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管的源極連接至所述運(yùn)算放大器的反相輸入端,每個(gè)所述金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管的柵極連接至相對應(yīng)的所述溫度傳感器的輸出端;一反饋電阻,所述反饋電阻連接在所述運(yùn)算放大器的反相輸入端和所述運(yùn)算放大器的輸出端之間;一整流器,所述整流器的輸入端連接在所述運(yùn)算放大器的輸出端與零電位點(diǎn)之間;以及連接在所述整流器的輸出端的直流風(fēng)扇或電阻式加熱器。
[0007]本實(shí)用新型的血?dú)夥治鰞x能夠獲取測試包的多個(gè)溫度信號并由此確定運(yùn)算放大器的輸出電壓,根據(jù)整流器輸出端的電壓實(shí)現(xiàn)線性、無級調(diào)節(jié)直流風(fēng)扇的轉(zhuǎn)速,從而精確、穩(wěn)定對測試包進(jìn)行散熱;或電阻式加熱器根據(jù)整流器輸出端的電壓精確、穩(wěn)定對測試包進(jìn)行加熱。
[0008]優(yōu)選的,所述運(yùn)算放大器的同相輸入端連接至所述零電位點(diǎn)。同相輸入端接地使得運(yùn)算放大器形成反相比例運(yùn)算放大器,在運(yùn)算放大器的輸出端得到交流電,便于持續(xù)穩(wěn)定調(diào)節(jié)測試包的溫度。
[0009]優(yōu)選的,所述測試包包括一參考電極、一血?dú)庠噭┌?、一血液樣品收集器、一分光光度?jì)和一電極陣列;所述復(fù)數(shù)個(gè)溫度傳感器包括:設(shè)置在所述參考電極處的第一溫度傳感器;設(shè)置在所述血?dú)庠噭┌幍牡诙囟葌鞲衅?、第三溫度傳感器和第四溫度傳感器;設(shè)置在所述分光光度計(jì)處的第五溫度傳感器;以及設(shè)置在所述電極陣列處的第六溫度傳感器。溫度傳感器對測試包中的不同溫度敏感區(qū)域進(jìn)行測量能夠精確控制測試包的整體溫度,從而使得對血?dú)獾膮?shù)的測量更加準(zhǔn)確。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]以下附圖僅旨在于對本實(shí)用新型做示意性說明和解釋,并不限定本實(shí)用新型的范圍。其中,
[0011]圖1是根據(jù)本實(shí)用新型第一個(gè)實(shí)施例的血?dú)夥治鰞x的結(jié)構(gòu)示意圖;和
[0012]圖2是根據(jù)本實(shí)用新型第二個(gè)實(shí)施例的血?dú)夥治鰞x的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]主要裝置符號說明
[0014]I振蕩器
[0015]3運(yùn)算放大器
[0016]4振蕩器的輸出端
[0017]5整流器
[0018]6運(yùn)算放大器的反相輸入端
[0019]7直流風(fēng)扇
[0020]V電阻式加熱器
[0021]8運(yùn)算放大器的輸出端
[0022]9反饋電阻
[0023]21?26 N溝道增強(qiáng)型金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管
[0024]31?36 溫度傳感器
[0025]31’?36’溫度傳感器
[0026]40 測試包
[0027]41 參考電極
[0028]42 血?dú)庠噭┌?br> [0029]43 血液樣品收集器
[0030]45 分光光度計(jì)
[0031]46 電極陣列
[0032]100血?dú)夥治鰞x
[0033]100’血?dú)夥治鰞x
【具體實(shí)施方式】
[0034]為了對本實(shí)用新型的技術(shù)特征、目的和效果有更加清楚的理解,現(xiàn)對照【專利附圖】
附圖
【附圖說明】本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】。
[0035]圖1是根據(jù)本實(shí)用新型第一個(gè)實(shí)施例的血?dú)夥治鰞x的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示,血?dú)夥治鰞x100包括測試包40、振蕩器1、運(yùn)算放大器3、反饋電阻9、整流器5、直流風(fēng)扇7、6個(gè)NMOS (N溝道增強(qiáng)型金屬-氧化物-半導(dǎo)體)晶體管21、22、23、24、25和26,以及6個(gè)溫度傳感器31、32、33、34、35和36。圖1中并未示出蠕動(dòng)泵、廢液收集室、管路系統(tǒng)、模數(shù)轉(zhuǎn)換等裝置,但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該清楚如何設(shè)置。
[0036]測試包40包括參考電極41、血?dú)庠噭┌?2、血液樣品收集器43、分光光度計(jì)45和電極陣列46。本實(shí)用新型的測試包40的構(gòu)造和功能與現(xiàn)有技術(shù)中的測試包的構(gòu)造和功能相同或基本相同,即測試包40能夠測量血?dú)庵械乃釅A度、氧分壓、二氧化碳分壓,還能檢測血?dú)庵械拟c離子濃度、鈣離子濃度、鉀離子濃度和氯離子濃度。測試包40的具體構(gòu)造可以是現(xiàn)有技術(shù)中的任何形式,在此不再贅述。
[0037]6個(gè)溫度傳感器31、32、33、34、35和36都位于測試包40中,分別用于檢測測試包40中不同溫度敏感區(qū)域的溫度。其中,溫度傳感器31設(shè)置在參考電極41處,用于測量參考電極41的溫度;溫度傳感器32、33和34設(shè)置在血?dú)庠噭┌?2處,用于測量血?dú)庠噭┌?2的溫度;溫度傳感器35設(shè)置在分光光度計(jì)45處,用于檢測分光光度計(jì)45的溫度;溫度傳感器36設(shè)置在電極陣列46處,用于檢測電極陣列46的溫度;溫度傳感器31、32、33、34、35、36分別將檢測的溫度信號轉(zhuǎn)換為相對應(yīng)的電壓信號,例如溫度傳感器31、32、33、34、35、36的輸出端分別得到電壓Ves1、VGS2, Vgs3> VGS4, Vgs5, Vgs60此處陳述的“溫度傳感器31設(shè)置在參考電極41處”應(yīng)當(dāng)理解為溫度傳感器31位于參考電極41的周圍或附近,還可以直接與參考電極41相接觸?!皽囟葌鞲衅?2、33和34設(shè)置在血?dú)庠噭┌?2處”應(yīng)該理解為溫度傳感器32、33和34分別位于血?dú)庠噭┌?2的周圍、附近或直接與其相接觸?!皽囟葌鞲衅?5設(shè)置在分光光度計(jì)45處”應(yīng)該理解為溫度傳感器35位于分光光度計(jì)45的周圍、附近或直接與其相接觸?!皽囟葌鞲衅?6設(shè)置在電極陣列46處”應(yīng)該理解為溫度傳感器36位于電極陣列46的周圍、附近或直接與其相接觸。
[0038]振蕩器I具有輸出端4,其用于輸出一交流電壓。NMOS晶體管的結(jié)構(gòu)對稱,源極和漏極可以互換,在此,我們定義NMOS晶體管21?26的漏極都連接在振蕩器I的輸出端4上,且源極都連接在運(yùn)算放大器3的反相輸入端6上,NMOS晶體管21的柵極連接在溫度傳感器31的輸出端,NMOS晶體管22的柵極連接在溫度傳感器32的輸出端,NMOS晶體管23的柵極連接在溫度傳感器33的輸出端,NMOS晶體管24的柵極連接在溫度傳感器34的輸出端,NMOS晶體管25的柵極連接在溫度傳感器35的輸出端,NMOS晶體管26的柵極連接在溫度傳感器36的輸出端,因此電壓Ves1、Ves2、Vgs3> Ves4、Ves5、Vgs6即分別為NMOS晶體管21、22、23、24、25、26的柵-源電壓。運(yùn)算放大器3的同相輸入端與零電位點(diǎn)連接,反饋電阻9連接在運(yùn)算放大器3的反相輸入端6和運(yùn)算放大器3的輸出端8之間。整流器5的輸入端具有兩個(gè)端子,其中一個(gè)端子與運(yùn)算放大器3的輸出端8相連接,且另一個(gè)端子與零電位點(diǎn)連接。整流器5可以現(xiàn)有技術(shù)中的全橋整流電路或半橋整流電路來實(shí)現(xiàn),將運(yùn)算放大器3的輸出端8的交流電整流為直流電。整流器5的輸出端與直流風(fēng)扇7的輸入端連接,即整流器5的輸出端上的直流電給直流風(fēng)扇7進(jìn)行供電,直流風(fēng)扇7根據(jù)該直流電對待測血?dú)獾沫h(huán)境或測試包40進(jìn)行降溫。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可知,零電位點(diǎn)只是一個(gè)相對電勢為零的地方,并不限定是大地,當(dāng)然,零點(diǎn)位點(diǎn)也可以指大地。
[0039]在本實(shí)施例中,根據(jù)NMOS晶體管的特征曲線可知,當(dāng)溫度傳感器所檢測的溫度值增加時(shí),溫度傳感器的輸出端輸出幅值增加的正電壓,即施加在對應(yīng)的NMOS晶體管的柵-源電壓增加,從而導(dǎo)致NMOS晶體管中的漏-源電流增加(即NMOS晶體管的源-漏之間的電阻減小),在其他溫度傳感器的輸出端的輸出電壓不變的情況下,將導(dǎo)致運(yùn)算放大器3的輸出端8的電壓幅值增加,經(jīng)過整流器5整流后得到的直流電的幅值也增加,最終使得直流風(fēng)扇7的運(yùn)轉(zhuǎn)速度增加,加快測試包40的散熱。反之,當(dāng)溫度傳感器所檢測的溫度值降低時(shí),溫度傳感器的輸出端輸出幅值減小的正電壓,即施加在對應(yīng)的NMOS晶體管的柵-源電壓減小,從而導(dǎo)致NMOS晶體管中的漏-源電流減小(即NMOS晶體管的源-漏之間的電阻增加),在其他溫度傳感器的輸出端的輸出電壓不變的情況下,將導(dǎo)致運(yùn)算放大器3的輸出端8的電壓幅值減小,經(jīng)過整流器5整流后得到的直流電的幅值也減小,最終使得直流風(fēng)扇7的運(yùn)轉(zhuǎn)速度降低,減慢測試包40的散熱。本實(shí)施例的直流風(fēng)扇7能根據(jù)整流器5輸出端的電壓實(shí)現(xiàn)線性、無級調(diào)節(jié)風(fēng)扇的轉(zhuǎn)速。
[0040]在本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中,還可以采用多個(gè)P溝道增強(qiáng)型MOS晶體管代替圖1中的N溝道增強(qiáng)型MOS晶體管,根據(jù)P溝道增強(qiáng)型MOS晶體管的特性曲線,在此情況,溫度傳感器輸出端應(yīng)輸出的電壓使得對應(yīng)晶體管的柵電壓小于源電壓。并且檢測的溫度越高時(shí),對應(yīng)晶體管的柵源電壓的幅值越大,檢測的溫度越低時(shí),對應(yīng)晶體管的柵源電壓的幅值越小。
[0041]在本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中,還可以采用多個(gè)N溝道耗盡型MOS晶體管代替圖1中的N溝道增強(qiáng)型MOS晶體管,根據(jù)N溝道耗盡型MOS晶體管的特性曲線,在此情況,當(dāng)檢測的溫度越高時(shí),溫度傳感器輸出的電壓使得對應(yīng)晶體管的柵源電壓越大于零且幅值越大,檢測的溫度越低時(shí),輸出的電壓使得對應(yīng)晶體管的柵源電壓越小于零且幅值越大。
[0042]在本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中,還可以采用多個(gè)P溝道耗盡型MOS晶體管代替圖1中的N溝道增強(qiáng)型MOS晶體管,根據(jù)P溝道耗盡型MOS晶體管的特性曲線,在此情況,當(dāng)檢測的溫度越高時(shí),溫度傳感器輸出的電壓使得對應(yīng)晶體管的柵源電壓越小于零且幅值越大,檢測的溫度越低時(shí),輸出的電壓使得對應(yīng)晶體管的柵源電壓越大于零且幅值越大。
[0043]圖2是根據(jù)本實(shí)用新型第二個(gè)實(shí)施例的血?dú)夥治鰞x的結(jié)構(gòu)示意圖。其中類似的附圖標(biāo)記表示類似的部件,圖2中的血?dú)夥治鰞x100’與圖1中的分析儀100基本相同,區(qū)別在于,圖2中采用電阻式加熱器7’代替了圖1中的直流電風(fēng)扇7,以及圖2采用6個(gè)溫度傳感器31’、32’、33’、34’、35’和36,分別代替了圖1中的6個(gè)溫度傳感器31、32、33、34、35和36。本實(shí)施例中的電阻式加熱器7’利于需要持續(xù)對測試包40加熱的環(huán)境中使用。在本實(shí)施例中,當(dāng)溫度傳感器31’、32’、33’、34’、35’和36’中的一個(gè)或多個(gè)檢測的溫度值降低時(shí),該溫度傳感器的輸出端輸出幅值增加的正電壓,即施加在對應(yīng)的NMOS晶體管的柵-源電壓增加,從而導(dǎo)致NMOS晶體管中的漏-源電流增加(即NMOS晶體管的源-漏之間的電阻減小),在其他溫度傳感器的輸出端的輸出電壓不變的情況下,將導(dǎo)致運(yùn)算放大器3的輸出端8的電壓幅值增加,經(jīng)過整流器5整流后得到的直流電的幅值也增加,最終加快電阻式加熱器V對測試包40的加熱。反之,當(dāng)其中一個(gè)或多個(gè)溫度傳感器所檢測的溫度值增加時(shí),該溫度傳感器的輸出端輸出幅值減小的正電壓,即施加在對應(yīng)的NMOS晶體管的柵-源電壓減小,從而導(dǎo)致NMOS晶體管中的漏-源電流減小(即NMOS晶體管的源-漏之間的電阻增加),在其他溫度傳感器的輸出端的輸出電壓不變的情況下,將導(dǎo)致運(yùn)算放大器3的輸出端8的電壓幅值減小,經(jīng)過整流器5整流后得到的直流電的幅值也減小,最終減慢了對測試包40的加熱。
[0044]在本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中,還可以采用多個(gè)P溝道增強(qiáng)型MOS晶體管代替圖2中的N溝道增強(qiáng)型MOS晶體管,根據(jù)P溝道增強(qiáng)型MOS晶體管的特性曲線,在此情況,溫度傳感器輸出端應(yīng)輸出的電壓使得對應(yīng)晶體管的柵電壓小于源電壓。并且檢測的溫度越低時(shí),對應(yīng)晶體管的柵源電壓的幅值越大,檢測的溫度越高時(shí),對應(yīng)晶體管的柵源電壓的幅值越小。
[0045]在本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中,還可以采用多個(gè)N溝道耗盡型MOS晶體管代替圖2中的N溝道增強(qiáng)型MOS晶體管,根據(jù)N溝道耗盡型MOS晶體管的特性曲線,在此情況,當(dāng)檢測的溫度越低時(shí),溫度傳感器輸出的電壓使得對應(yīng)晶體管的柵源電壓越大于零且幅值越大,檢測的溫度越高時(shí),輸出的電壓使得對應(yīng)晶體管的柵源電壓越小于零且幅值越大。
[0046]在本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中,還可以采用多個(gè)P溝道耗盡型MOS晶體管代替圖2中的N溝道增強(qiáng)型MOS晶體管,根據(jù)P溝道耗盡型MOS晶體管的特性曲線,在此情況,當(dāng)檢測的溫度越低時(shí),溫度傳感器輸出的電壓使得對應(yīng)晶體管的柵源電壓越小于零且幅值越大,檢測的溫度越高時(shí),輸出的電壓使得對應(yīng)晶體管的柵源電壓越大于零且幅值越大。
[0047]本領(lǐng)域的技術(shù)人員可知,可以采用現(xiàn)有技術(shù)中能夠輸出上述實(shí)施例中所需的柵源電壓的溫度傳感器。
[0048]本實(shí)用新型的實(shí)施例中采用多個(gè)溫度傳感器,可以對測試包中的不同溫度敏感地方進(jìn)行溫度測量,每一個(gè)溫度信號將使得相對應(yīng)的MOS晶體管中產(chǎn)生相對應(yīng)的漏-源電流,多個(gè)漏-源電流的疊加確定運(yùn)算放大器3的輸出電壓,從而使得運(yùn)算放大器3輸出的電壓反應(yīng)測試包40的整體溫度,避免了測試包40中某一個(gè)溫度敏感區(qū)的溫度過高或過低造成溫度測量的不準(zhǔn)確性,進(jìn)而避免了對溫度的控制不準(zhǔn)確性。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)知道,本實(shí)用新型并不限于是采用6個(gè)溫度傳感器,在其他的實(shí)施例中,可以采用至少2個(gè)(即復(fù)數(shù)個(gè))溫度傳感器。
[0049]本實(shí)用新型中的一個(gè)實(shí)施例中,振蕩器I輸出的交流電使得每一個(gè)NMOS晶體管21、22、23、24、25、26工作在可變電阻區(qū)(即線性區(qū)),從而實(shí)現(xiàn)運(yùn)算放大器3的輸出電壓連續(xù)可調(diào),對溫度的控制更加精確。例如振蕩器I可以輸出最大值在0.1V?0.2V之間的一正弦交流電。
[0050]在本實(shí)用新型的上述實(shí)施例中,運(yùn)算放大器3的同相輸入端接地使得運(yùn)算放大器3形成反相比例運(yùn)算放大器,在運(yùn)算放大器3的輸出端得到交流電,便于持續(xù)穩(wěn)定調(diào)節(jié)測試包40的溫度。在本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中,運(yùn)算放大器3的同相輸入端也可以不接地,根據(jù)需要可以在其同相輸入端施加一正電壓從而調(diào)節(jié)運(yùn)算放大器3的輸出端的電壓。
[0051]以上所述僅為本實(shí)用新型示意性的【具體實(shí)施方式】,并非用以限定本實(shí)用新型的范圍。任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員,在不脫離本實(shí)用新型的構(gòu)思和原則的前提下所作的等同變化、修改與結(jié)合,均應(yīng)屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種血?dú)夥治鰞x(100 ;100’),包括一測試包(40),其特征在于還包括: 位于所述測試包(40)中的復(fù)數(shù)個(gè)溫度傳感器(31,32,33,34,35,36 ;31’,32’,33’,34,,35,,36,); 一振蕩器⑴; 一運(yùn)算放大器(3); 與所述復(fù)數(shù)個(gè)溫度傳感器(31,32,33,34,35,36 ;31’,32’,33’,34’,35’,36’ )的數(shù)目相等的復(fù)數(shù)個(gè)金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管(21,22,23,24,25,26),所述復(fù)數(shù)個(gè)金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管(21,22,23,24,25,26)與所述復(fù)數(shù)個(gè)溫度傳感器(31,32,33,34,35,36 ;31’,32’,33’,34’,35’,36’)——對應(yīng),每個(gè)所述金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管(21,22,23,24,25,26)的漏極連接至所述振蕩器(I)的輸出端(4),每個(gè)所述金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管(21,22,23,24,25,26)的源極連接至所述運(yùn)算放大器(3)的反相輸入端(6),每個(gè)所述金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管(21,22,23,24,25,26)的柵極連接至相對應(yīng)的所述溫度傳感器(31,32,33,34,35,36 ;31’,32’,33’,34’,35’,36’ )的輸出端; 一反饋電阻(9),連接在所述運(yùn)算放大器(3)的反相輸入端(6)和所述運(yùn)算放大器(3)的輸出端⑶之間; 一整流器(5),所述整流器(5)的輸入端連接在所述運(yùn)算放大器(3)的輸出端(8)與零電位點(diǎn)之間;以及 連接在所述整流器(5)的輸出端的直流風(fēng)扇(7)或電阻式加熱器(7’)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的血?dú)夥治鰞x,其特征在于,所述運(yùn)算放大器(3)的同相輸入端連接至所述零電位點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的血?dú)夥治鰞x,其特征在于, 所述測試包(40)包括一參考電極(41)、一血?dú)庠噭┌?42)、一血液樣品收集器(43)、一分光光度計(jì)(45)和一電極陣列(46); 所述復(fù)數(shù)個(gè)溫度傳感器是:設(shè)置在所述參考電極(41)處的第一溫度傳感器(31 ;31’);設(shè)置在所述血?dú)庠噭┌?42)處的第二溫度傳感器(32 ;32’)、第三溫度傳感器(33 ;33’)和第四溫度傳感器(34 ;34’ );設(shè)置在所述分光光度計(jì)(45)處的第五溫度傳感器(35 ;35’ );以及設(shè)置在所述電極陣列(46)處的第六溫度傳感器(36 ;36’)。
【文檔編號】G01N33/48GK203745469SQ201420151383
【公開日】2014年7月30日 申請日期:2014年3月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月31日
【發(fā)明者】葉韻 申請人:西門子(中國)有限公司
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點(diǎn)贊!
1
儋州市| 德兴市| 德江县| 文山县| 霍城县| 韩城市| 客服| 周至县| 灵武市| 新和县| 视频| 米脂县| 广灵县| 旅游| 西安市| 兰考县| 普陀区| 昆山市| 齐齐哈尔市| 新宁县| 池州市| 友谊县| 馆陶县| 比如县| 舞钢市| 长子县| 牟定县| 奉化市| 手游| 宿松县| 文安县| 绵阳市| 五台县| 鄂州市| 铜山县| 苏尼特左旗| 遂宁市| 沾化县| 什邡市| 秭归县| 科技|