發(fā)光二極體的量測裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種發(fā)光二極體的量測裝置用于量測多個覆晶式發(fā)光二極體，覆晶式發(fā)光二極體之間皆具有一間隙，發(fā)光二極體的量測裝置包含晶片膜、光檢測裝置與遮光元件，晶片膜承載覆晶式發(fā)光二極體，光檢測裝置設(shè)置于晶片膜相對覆晶式發(fā)光二極體的一側(cè)，光檢測裝置具有收光口，遮光元件設(shè)置于收光口，遮光元件具有透光區(qū)與遮光區(qū)，遮光區(qū)環(huán)繞透光區(qū)，透光區(qū)的面積可涵蓋單一覆晶式發(fā)光二極體與間隙的部分范圍。
【專利說明】發(fā)光二極體的量測裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種發(fā)光二極體的量測裝置，特別是有關(guān)于一種量測覆晶式發(fā)光二極體的發(fā)光二極體的量測裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極體為由半導(dǎo)體材料制成的發(fā)光元件。因具有壽命長、安全性高、低功率、體積小、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，因此發(fā)光二極體逐漸成為照明燈具的主流趨勢。
[0003]發(fā)光二極體需經(jīng)過測試后才能進(jìn)行實際應(yīng)用。其測試流程為將載有發(fā)光二極體晶片的晶圓展開后承載于量測裝置上，接著以探針接觸電極使發(fā)光二極體發(fā)光，而后利用光檢測器量測其光強(qiáng)度。
[0004]一般而言，光檢測器必須將待量測的發(fā)光二極體罩住，以收集到待量測的發(fā)光二極體的完整光強(qiáng)度。然而對于覆晶式發(fā)光二極體而言，因其發(fā)光面與電極不在同一平面，因此無法適用于現(xiàn)今水平式與垂直式發(fā)光二極體的量測系統(tǒng)，必須另外設(shè)計專用于覆晶式發(fā)光二極體的量測設(shè)備。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種發(fā)光二極體的量測裝置，用于量測多個覆晶式發(fā)光二極體。覆晶式發(fā)光二極體之間皆具有一間隙。發(fā)光二極體的量測裝置包含晶片膜、光檢測裝置與遮光元件。晶片膜承載覆晶式發(fā)光二極體。光檢測裝置設(shè)置于晶片膜相對覆晶式發(fā)光二極體的一側(cè)。光檢測裝置具有收光口。遮光元件設(shè)置于收光口。遮光元件具有透光區(qū)與遮光區(qū)，遮光區(qū)環(huán)繞透光區(qū)。透光區(qū)的面積可涵蓋單一覆晶式發(fā)光二極體與間隙的部分范圍。
[0006]在一或多個實施方式中，遮光元件為板材，且透光區(qū)為開口。
[0007]在一或多個實施方式中，開口的內(nèi)壁越靠近光檢測裝置其口徑越大。
[0008]在一或多個實施方式中，遮光元件更包含反射層，形成于開口的內(nèi)壁。
[0009]在一或多個實施方式中，遮光元件包含透明載體與遮光層。遮光層形成于透明載體相對光檢測裝置的表面。遮光層僅位于遮光區(qū)中。
[0010]在一或多個實施方式中，光檢測裝置為積分球。
[0011 ] 在一或多個實施方式中，光檢測裝置包含反射腔與光偵測器。反射腔具有收光口，光偵測器設(shè)置于反射腔中。
[0012]在一或多個實施方式中，光檢測裝置包含反射腔與太陽能板。反射腔具有收光口，太陽能板設(shè)置于反射腔中。
[0013]在一或多個實施方式中，量測裝置更包含探針組，設(shè)置于覆晶式發(fā)光二極體相對光檢測裝置的一側(cè)。
[0014]在一或多個實施方式中，當(dāng)探針組接觸覆晶式發(fā)光二極體時，遮光元件支撐晶片膜使探針組與覆晶式發(fā)光二極體電性連接。
[0015]本實施方式的發(fā)光二極體的量測裝置能夠快速且精確地量測每一覆晶式發(fā)光二極體。僅有待量測的覆晶式發(fā)光二極體所發(fā)出的光能夠通過透光區(qū)而進(jìn)入光檢測裝置，至于周遭的覆晶式發(fā)光二極體所發(fā)出的光則會被遮光元件的遮光區(qū)擋住。如此一來，光檢測裝置即能夠準(zhǔn)確地量到單顆覆晶式發(fā)光二極體的光強(qiáng)度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1為本發(fā)明一實施方式的發(fā)光二極體的量測裝置的側(cè)視圖。
[0017]圖2A為圖1的區(qū)域P的一實施方式的局部放大圖。
[0018]圖2B為圖1的區(qū)域P的另一實施方式的局部放大圖。
[0019]圖3為本發(fā)明另一實施方式的發(fā)光二極體的量測裝置的側(cè)視圖。
[0020]圖4為本發(fā)明再一實施方式的量測裝置的側(cè)視圖。
[0021]其中:
[0022]100:晶片膜320:反射層
[0023]200:光檢測裝置330:透明載體
[0024]202:收光口332:表面
[0025]205:光度計 340:遮光層
[0026]210:反射腔400:探針組
[0027]220:光偵測器900:覆晶式發(fā)光二極體
[0028]300:遮光元件910:間隙
[0029]302:透光區(qū)H:橫向
[0030]304:遮光區(qū)P:區(qū)域
[0031]310:板材V:縱向
[0032]312:開口W1、W2、W3:寬度
[0033]313:內(nèi)壁

【具體實施方式】
[0034]以下將以圖式揭露本發(fā)明的多個實施方式，為明確說明起見，許多實務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明部分實施方式中，這些實務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習(xí)知慣用的結(jié)構(gòu)與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。
[0035]請一并參照圖1與圖2A，其中圖1為本發(fā)明一實施方式的發(fā)光二極體的量測裝置的側(cè)視圖，圖2A為圖1的區(qū)域P的一實施方式的局部放大圖。如圖所示，發(fā)光二極體的量測裝置用于量測多個覆晶式發(fā)光二極體900。覆晶式發(fā)光二極體900之間皆具有一間隙910。發(fā)光二極體的量測裝置包含晶片膜100、光檢測裝置200與遮光元件300。晶片膜100承載覆晶式發(fā)光二極體900。光檢測裝置200設(shè)置于晶片膜100相對覆晶式發(fā)光二極體900的一側(cè)。光檢測裝置200具有收光口 202。遮光元件300設(shè)置于收光口 202。遮光元件300具有透光區(qū)302與遮光區(qū)304，遮光區(qū)304環(huán)繞透光區(qū)302。透光區(qū)302的面積可涵蓋單一覆晶式發(fā)光二極體900與間隙910的部分范圍。其中覆晶式發(fā)光二極體900能夠以透明膠帶或透明膠體(未繪示)固定于晶片膜100上。
[0036]簡言之，本實施方式的發(fā)光二極體的量測裝置能夠快速且精確地量測每一覆晶式發(fā)光二極體900。詳細(xì)而言，在進(jìn)行單顆覆晶式發(fā)光二極體900的量測時，覆晶式發(fā)光二極體900會朝晶片膜100發(fā)光，其中晶片膜100例如為透明材質(zhì)，讓光束得以穿透。然而如圖1所繪示，其發(fā)出的部分光束可能會激發(fā)周遭的覆晶式發(fā)光二極體900，使得其他覆晶式發(fā)光二極體900亦發(fā)光。不過在本實施方式中，透光區(qū)302的面積涵蓋單一覆晶式發(fā)光二極體900與間隙910的部分范圍(舉例而言，以圖2A來看，若覆晶式發(fā)光二極體900具有寬度W1，而間隙910具有寬度W2 = 0.2W1，則透光區(qū)302的寬度W3可取1.1W1，然而本發(fā)明不以此為限)，換言之，僅有待量測的覆晶式發(fā)光二極體900所發(fā)出的光能夠通過透光區(qū)302而進(jìn)入光檢測裝置200，至于周遭的覆晶式發(fā)光二極體900所發(fā)出的光則會被遮光元件300的遮光區(qū)304擋住，而無法進(jìn)入光檢測裝置200。如此一來，光檢測裝置200即能夠準(zhǔn)確地量到單顆覆晶式發(fā)光二極體900的光強(qiáng)度。另一方面，只要將晶片膜100橫向H(即圖1的覆晶式發(fā)光二極體900的排列方向)移動，或是將光檢測裝置200橫向H移動，即可量測下一顆覆晶式發(fā)光二極體900，不必再分別罩住每顆覆晶式發(fā)光二極體900 (其需要覆晶式發(fā)光二極體900與光檢測裝置200之間相對縱向V移動，或者需要依序?qū)⒚款w覆晶式發(fā)光二極體900移開)，因此能夠大幅縮短量測的時間。
[0037]在本實施方式中，量測裝置更包含探針組400，設(shè)置于覆晶式發(fā)光二極體900相對光檢測裝置200的一側(cè)。探針組400能夠縱向V移動以接觸覆晶式發(fā)光二極體900。透過探針組400，可對覆晶式發(fā)光二極體900提供測試電源。當(dāng)被提供測試電源時，覆晶式發(fā)光二極體900即朝向晶片膜100發(fā)光。光束依序穿透晶片膜100與遮光元件300的透光區(qū)302而被光檢測裝置200所收集。
[0038]另外，當(dāng)探針組400接觸覆晶式發(fā)光二極體900時，遮光元件300會支撐晶片膜100，使探針組400與覆晶式發(fā)光二極體900電性連接。也就是說，遮光元件300不但有遮光的作用，更有支撐晶片膜100與覆晶式發(fā)光二極體900的效果，使得探針組400能夠提供足夠的下壓力(目前所需的下壓力為3?5g)以與覆晶式發(fā)光二極體900電性連接，而覆晶式發(fā)光二極體900也就不需要以真空吸附的方式固定于晶片膜100。
[0039]詳細(xì)而言，當(dāng)進(jìn)行單顆覆晶式發(fā)光二極體900的量測時，探針組400與光檢測裝置200會分別移至待測的覆晶式發(fā)光二極體900的上、下方，接著探針組400沿著縱向V移動以接觸且下壓覆晶式發(fā)光二極體900。因遮光元件300支撐住晶片膜100與覆晶式發(fā)光二極體900，因此探針組400與覆晶式發(fā)光二極體900之間能夠具有良好的電性連接。探針組400所提供的電源讓覆晶式發(fā)光二極體900向晶片膜100發(fā)光，僅待量測的覆晶式發(fā)光二極體900所發(fā)出的光束能夠通過遮光元件300的透光區(qū)302，因此被光檢測裝置200所量測，而周遭的覆晶式發(fā)光二極體900所發(fā)出的光則被遮光區(qū)304擋住。接下來，只需將晶片膜100或光檢測裝置200橫向H移動，待探針組400驅(qū)動下一顆覆晶式發(fā)光二極體900后，光檢測裝置200即可量測該顆覆晶式發(fā)光二極體900，因此能夠大幅縮短量測的時間。
[0040]在本實施方式中，遮光元件300為板材310，且透光區(qū)302為開口 312，亦即待量測的覆晶式發(fā)光二極體900所發(fā)出的光能夠通過開口 312，而周遭的覆晶式發(fā)光二極體900則會被板材310所擋住，且板材310亦具有足夠的硬度以支撐晶片膜100。板材310的材質(zhì)例如為金屬板，然而本發(fā)明不以此為限。
[0041]在本實施方式中，光檢測裝置200為積分球。當(dāng)待量測的覆晶式發(fā)光二極體900所發(fā)出的光自遮光元件300的透光區(qū)302進(jìn)入積分球后，會在積分球中經(jīng)過充分的反射與散射，接著被積分球中的光度計(photo meter) 205所偵測。其中積分球的內(nèi)表面可涂布材質(zhì)為硫酸鋇的反射層，此為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，因此不再贅述。
[0042]接著請參照圖2B，其為圖1的區(qū)域P的另一實施方式的局部放大圖。本實施方式與圖2A的實施方式的不同處在于遮光元件300的結(jié)構(gòu)。在本實施方式中，遮光元件300的開口 312的內(nèi)壁313越靠近光檢測裝置200其口徑越大，換言之，開口 312的內(nèi)壁313越靠近晶片膜100其口徑越小。如此的設(shè)置能夠增加收集光束的效率。具體而言，當(dāng)光束自開口 312通過遮光元件300后，大角度入射的光束會打至內(nèi)壁313，而內(nèi)壁313能夠?qū)⒐馐瓷渲凉鈾z測裝置200的內(nèi)部。
[0043]而在一或多個實施方式中，遮光元件300可選擇性地更包含反射層320，形成于開口 312的內(nèi)壁313，且更可形成于遮光元件300面向光檢測裝置200的一面。反射層320能夠增加內(nèi)壁313的反射率，以增加量測的準(zhǔn)確性。反射層320的材質(zhì)例如為硫酸鋇，其可利用涂布的方式形成于內(nèi)壁313上，然而本發(fā)明不以此為限。
[0044]接著請參照圖3，其為本發(fā)明另一實施方式的發(fā)光二極體的量測裝置的側(cè)視圖。本實施方式與圖1的實施方式的不同處在于遮光兀件300的種類。在本實施方式中，遮光兀件300包含透明載體330與遮光層340。遮光層340形成于透明載體330相對光檢測裝置200的表面332。遮光層340僅位于遮光區(qū)304中，而被遮光層340暴露出的部分透明載體330則形成透光區(qū)302。透明載體330允許覆晶式發(fā)光二極體900所發(fā)出的光通過，而遮光層340能夠阻擋周遭的覆晶式發(fā)光二極體900所發(fā)出的光。透明載體330的材質(zhì)例如為玻璃，而遮光層340的材質(zhì)例如為黑色油墨，可以涂布方式形成于透明載體330的表面332，然而本發(fā)明并不以上述的材質(zhì)為限。另外，因透明載體330(例如為玻璃)具有足夠的硬度，因此當(dāng)進(jìn)行量測時，探針組400能夠提供足夠的下壓力以與覆晶式發(fā)光二極體900電性連接。
[0045]然而光檢測裝置200的種類并不以積分球為限。接著請參照圖4，其為本發(fā)明再一實施方式的量測裝置的側(cè)視圖。本實施方式與圖1的實施方式的不同處在于光檢測裝置200的種類。在本實施方式中，光檢測裝置200可包含反射腔210與光偵測器(photodetector) 220ο反射腔210具有收光口 202，而光偵測器220設(shè)置于反射腔210中。光束可自遮光元件300的透光區(qū)302進(jìn)入反射腔210，而反射腔210能夠?qū)⒐馐瓷渲凉鈧蓽y器220,藉此測量其光強(qiáng)度。在一或多個實施方式中,光偵測器220例如為光電二極體(photod1de)，然而本發(fā)明不以此為限。另外，反射腔210的外表面可涂布黑色材料，以降低環(huán)境光的干擾，而反射腔210的內(nèi)表面可涂布反射層(如硫酸鋇)，以增加反射率。
[0046]在其他的實施方式中，光偵測器220可替換為太陽能板(solar cell)，亦可達(dá)到量測光強(qiáng)度的功效。
[0047]綜上所述，上述實施方式的發(fā)光二極體的量測裝置能夠快速且精確地量測每一覆晶式發(fā)光二極體。僅有待量測的覆晶式發(fā)光二極體所發(fā)出的光能夠通過遮光元件的透光區(qū)而進(jìn)入光檢測裝置，至于周遭的覆晶式發(fā)光二極體所發(fā)出的光則會被遮光元件的遮光區(qū)擋住。如此一來，光檢測裝置即能夠準(zhǔn)確地量到單顆覆晶式發(fā)光二極體的光強(qiáng)度。另一方面，光檢測裝置只要橫向移動即可量測下一顆覆晶式發(fā)光二極體，因此能夠大幅縮短量測的時間。
[0048]雖然本發(fā)明已以實施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極體的量測裝置，用于量測多個覆晶式發(fā)光二極體，其特征在于:該些覆晶式發(fā)光二極體之間皆具有一間隙，該發(fā)光二極體的量測裝置包含: 一晶片膜，承載該些覆晶式發(fā)光二極體； 一光檢測裝置，設(shè)置于該晶片膜相對該些覆晶式發(fā)光二極體的一側(cè)，該光檢測裝置具有一收光口 ；以及 一遮光元件，設(shè)置于該收光口，該遮光元件具有一透光區(qū)與一遮光區(qū)，該遮光區(qū)環(huán)繞該透光區(qū)，其中該透光區(qū)的面積可涵蓋單一覆晶式發(fā)光二極體與該間隙的部分范圍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體的量測裝置，其特征在于:其中該遮光元件為一板材，且該透光區(qū)為一開口。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極體的量測裝置，其特征在于:其中該開口的內(nèi)壁越靠近該光檢測裝置其口徑越大。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極體的量測裝置，其特征在于:其中該遮光元件更包含一反射層，形成于該開口的內(nèi)壁。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體的量測裝置，其特征在于:其中該遮光元件包含: 一透明載體；以及 一遮光層，形成于該透明載體相對該光檢測裝置的表面，其中該遮光層僅位于該遮光區(qū)中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體的量測裝置，其特征在于:其中該光檢測裝置為一積分球。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體的量測裝置，其特征在于:其中該光檢測裝置包含: 一反射腔，具有該收光口 ；以及 一光偵測器，設(shè)置于該反射腔中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體的量測裝置，其特征在于:其中該光檢測裝置包含: 一反射腔，具有該收光口 ；以及 一太陽能板，設(shè)置于該反射腔中。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體的量測裝置，其特征在于:更包含: 一探針組，設(shè)置于該些覆晶式發(fā)光二極體相對該光檢測裝置的一側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極體的量測裝置，其特征在于:其中當(dāng)該探針組接觸該些覆晶式發(fā)光二極體時，該遮光元件支撐該晶片膜使該探針組與該些覆晶式發(fā)光二極體電性連接。
【文檔編號】G01M11/02GK104075879SQ201410250400
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年6月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月6日
【發(fā)明者】張晉源, 曾家彬, 翁思淵, 王遵義, 張?zhí)淼? 申請人:致茂電子(蘇州)有限公司