高功率芯片老化驗證裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種高功率芯片老化驗證裝置，包括一測試插座，所述測試插座連接所述芯片的測試端，所述芯片上連接有一溫度控制裝置，所述溫度控制裝置包括一控制單元以及連接所述控制單元的加熱器和散熱器，所述控制單元連接所述芯片本實用新型的高功率芯片老化驗證裝置通過在芯片上連接一溫度控制裝置，對芯片的溫度進(jìn)行監(jiān)控，當(dāng)芯片溫度低于設(shè)定溫度時，加熱器工作，風(fēng)扇不工作，起到單獨加熱的作用；當(dāng)芯片溫度高于設(shè)定溫度時，加熱器停止工作，風(fēng)扇工作，起到單獨散熱作用。從而使得具有功耗差異的芯片能夠在統(tǒng)一的溫度條件下進(jìn)行老化，得出準(zhǔn)確的結(jié)果。
【專利說明】
高功率芯片老化驗證裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種芯片老化驗證技術(shù)，尤其是一種高功率芯片老化驗證裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]目前的芯片老化驗證技術(shù)(High Temperature Operating Life,簡稱HT0L)是讓芯片(Integrated Circuit,簡稱IC)在統(tǒng)一溫度的試驗箱中，如圖1所示，利用測試插座21的測試端210測試芯片22的測試端220，并且在測試過程中通過老化測試機(jī)給IC提供溫度，在特定模式下運行，所有IC都處在同一溫度下，而且機(jī)臺不能單獨控制每顆IC的溫度。但是高功率IC在28nm或者更高的制程下，同一批IC個體差異非常大，用原先的老化技術(shù)進(jìn)行驗證時，IC的PN結(jié)溫度差異也非常大，導(dǎo)致無法得出準(zhǔn)確的試驗結(jié)果。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種通過單獨控制每顆芯片的溫度，讓有功耗差異的芯片能夠在統(tǒng)一的溫度條件下進(jìn)行老化，得出準(zhǔn)確測試結(jié)果的高功率芯片老化驗證裝置。
[0004]為實現(xiàn)上述技術(shù)效果，本實用新型公開了一種高功率芯片老化驗證裝置，包括一測試插座，所述測試插座連接所述芯片的測試端，所述芯片上連接有一溫度控制裝置，所述溫度控制裝置包括一控制單元以及連接所述控制單元的加熱器和散熱器，所述控制單元連接所述芯片。
[0005]本實用新型進(jìn)一步的改進(jìn)在于，所述散熱器為一風(fēng)扇。
[0006]本實用新型進(jìn)一步的改進(jìn)在于，所述加熱器設(shè)于所述芯片上，所述散熱器設(shè)于所述加熱器上，所述加熱器上形成有復(fù)數(shù)通道，所述通道的第一端連接至所述芯片，所述通道的第二端連接至所述散熱器。
[0007]本實用新型由于采用了以上技術(shù)方案，使其具有以下有益效果是:通過在芯片上連接一溫度控制裝置，對芯片的溫度進(jìn)行監(jiān)控，當(dāng)芯片溫度低于設(shè)定溫度時，加熱器工作，風(fēng)扇不工作，起到單獨加熱的作用；當(dāng)芯片溫度高于設(shè)定溫度時，加熱器停止工作，風(fēng)扇工作，起到單獨散熱作用。從而使得具有功耗差異的芯片能夠在統(tǒng)一的溫度條件下進(jìn)行老化，得出準(zhǔn)確的結(jié)果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是現(xiàn)有的芯片老化測試機(jī)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]圖2是本實用新型高功率芯片老化驗證裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖3是本實用新型高功率芯片老化驗證裝置中溫度控制裝置的工作原理示意圖。

【具體實施方式】
[0011]下面結(jié)合附圖以及【具體實施方式】對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0012]首先參閱圖2所示，本實用新型的一種高功率芯片老化驗證裝置I包括一測試插座11，該測試插座11連接芯片12的測試端120，利用該測試插座11對芯片12進(jìn)行老化測試。
[0013]結(jié)合圖3所示，芯片12上連接有一溫度控制裝置13，溫度控制裝置13進(jìn)一步包括一控制單元131以及連接該控制單元131的加熱器132和散熱器風(fēng)扇133，控制單元131連接芯片12。
[0014]作為本實用新型的較佳實施方式，加熱器132設(shè)于芯片12上,啟動加熱器132,直接對芯片12進(jìn)行加熱；散熱器風(fēng)扇133置于加熱器132上，并且在加熱器132上形成復(fù)數(shù)通道14，通道14的第一端連接至芯片12，第二端連接至散熱器風(fēng)扇133，散熱器風(fēng)扇133運轉(zhuǎn)時產(chǎn)生的冷卻風(fēng)通過通道14送至芯片12上，對芯片12進(jìn)行冷卻散熱。
[0015]在使用本實用新型高功率芯片老化驗證裝置I時，當(dāng)控制單元131檢測到芯片12溫度低于設(shè)定溫度時，驅(qū)動加熱器132工作，散熱器風(fēng)扇133不工作，起到對芯片12單獨加熱的作用；當(dāng)控制單元131檢測到芯片12溫度高于設(shè)定溫度時，加熱器132停止工作，驅(qū)動散熱器風(fēng)扇133工作，起到對芯片12單獨散熱作用。通過該溫度控制裝置13對芯片12的溫度進(jìn)行實時監(jiān)控管理，從而使得具有功耗差異的芯片12能夠在統(tǒng)一的溫度條件下進(jìn)行老化，確保測試插座11得出準(zhǔn)確的結(jié)果。
[0016]以上結(jié)合附圖實施例對本實用新型進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域中普通技術(shù)人員可根據(jù)上述說明對本實用新型做出種種變化例。因而，實施例中的某些細(xì)節(jié)不應(yīng)構(gòu)成對本實用新型的限定，本實用新型將以所附權(quán)利要求書界定的范圍作為本實用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種高功率芯片老化驗證裝置，包括一測試插座，所述測試插座連接所述芯片的測試端，其特征在于:所述芯片上連接有一溫度控制裝置，所述溫度控制裝置包括一控制單元以及連接所述控制單元的加熱器和散熱器，所述控制單元連接所述芯片。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于:所述散熱器為一風(fēng)扇。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于:所述加熱器設(shè)于所述芯片上，所述散熱器設(shè)于所述加熱器上，所述加熱器上形成有復(fù)數(shù)通道，所述通道的第一端連接至所述芯片，所述通道的第二端連接至所述散熱器。
【文檔編號】G01R31/28GK204241639SQ201320738895
【公開日】2015年4月1日 申請日期:2013年11月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月20日
【發(fā)明者】黃小玲 申請人:宜碩科技(上海)有限公司