用于測量半導(dǎo)體裝置中阿爾法粒子所誘發(fā)軟錯誤的方法及裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及用于測量半導(dǎo)體裝置中阿爾法粒子所誘發(fā)軟錯誤的方法及裝置，該裝置包括探針卡、阿爾法粒子源以及擋板。探針卡包括多個接觸組件，而接觸組件界定測量位置；阿爾法粒子源；以及擋板，配置在該阿爾法粒子源與該測量位置之間，而該擋板可在該開啟位置與該關(guān)閉位置之間移動，其中，當(dāng)該擋板處于該開啟位置時，來自該阿爾粒子源的阿爾法粒子到達該測量位置，且當(dāng)該擋板處于該關(guān)閉位置時，該阿爾粒子遭到阻擋而未到達該測量位置。
【專利說明】用于測量半導(dǎo)體裝置中阿爾法粒子所誘發(fā)軟錯誤的方法及裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]一般而言，本揭示是關(guān)于集成電路的測試領(lǐng)域，并且更特定是指半導(dǎo)體裝置中阿爾法粒子所誘發(fā)軟錯誤的測量。
【背景技術(shù)】
[0002]舉例如存儲器電路、邏輯電路、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGAs)以及微處理器之類集成電路的運作可由來自宇宙福射或放射性衰變的高能粒子負面影響。尤其是，高能粒子福射可誘發(fā)軟錯誤，該軟錯誤為高能粒子所誘發(fā)的非破壞功能性錯誤。高能粒子輻射可在如硅之類半導(dǎo)體材料中產(chǎn)生如電子及/或電洞之類的電荷載子，該電荷載子可改變集成電路中電路組件的邏輯狀態(tài)。例如，以存儲器單元為例，高能粒子的撞擊(impact)可將存儲器單元中所儲存的資料從邏輯O變?yōu)檫壿?、或從邏輯I變?yōu)檫壿婳。
[0003]在集成電路中誘發(fā)軟錯誤的高能粒子尤其包括集成電路靈敏體積附近的如封裝材料及/或焊料凸塊之類材料中放射性雜質(zhì)所射出的阿爾法粒子。另外，軟錯誤可由來自宇軸輻射或來自宇宙輻射之粒子與大氣起反應(yīng)所產(chǎn)生的質(zhì)子、電子、正電子及/或中子之類次級粒子的粒子所造成。
[0004]為了判斷軟錯誤對集成電路運作的影響，可在出現(xiàn)軟錯誤時進行軟錯誤率(SER)的測量。
[0005]測量特殊設(shè)計的集成電路運作時所出現(xiàn)軟錯誤的一種方法是以較長的時間周期而在一般使用條件下測量大量真實的集成電路并直到已累積足夠的軟錯誤以提供具合理信賴度的軟錯誤率估計。此稱為「非加速式軟錯誤率測試」。
[0006]非加速式軟錯誤率測試可具有直接測量一般使用條件下所出現(xiàn)軟錯誤率的優(yōu)點。然而，非加速式軟錯誤率測試可需要監(jiān)測較大量的集成電路(數(shù)百或數(shù)千)同時還需要較長的時間周期(周或月)。因此，非加速式軟錯誤率測試可昂貴并且耗時。
[0007]用于測量軟錯誤率的替代方法是加速式軟錯誤率測試。在加速式軟錯誤率測試中，集成電路是曝露于強度遠高于裝置平常所遭遇輻射環(huán)境水準的特定輻射源。加速式軟錯誤率測試相較于非加速式軟錯誤率測試可容許以更短時間量取得有用的資料。加速式軟錯誤率測試尤其已用于測量阿爾法粒子輻射所造成的軟錯誤。
[0008]阿爾法粒子屬于強離子化。因此，撞擊集成電路中如硅等半導(dǎo)體材料的阿爾法粒子可產(chǎn)生突發(fā)的(bursts of)自由電子電洞對而在集成電路中出現(xiàn)電流尖波。這些電流尖波可大到足以改變某些電路的數(shù)據(jù)狀態(tài)。
[0009]由于阿爾法粒子于物質(zhì)(matter)內(nèi)通常具有較小的穿透深度，在阿爾法粒子所誘發(fā)錯誤率的加速測試中，如集成電路之類受檢測裝置的表面是通常直接曝露于阿爾法粒子源所產(chǎn)生的阿爾法輻射而無任何干涉固態(tài)材料并且有較小氣隙。受檢測裝置可為了阿爾法粒子測試而置于專用封裝內(nèi)，其中該受檢測裝置是固定并且線連接于封裝的井區(qū)或凹洞內(nèi)。[0010]例如含放射阿爾法粒子的放射性同位素的放射源之類的阿爾法粒子源是在檢測下鄰近該裝置設(shè)置。該裝置在檢測下是運作的，并且得以計數(shù)裝置運作時出現(xiàn)的錯誤。例如，在測試含存儲器數(shù)組的集成電路時，可將已知資料型樣存儲在存儲器數(shù)組內(nèi)，而集成電路是曝露于阿爾法粒子源，并且曝露于阿爾法粒子后存儲器數(shù)組內(nèi)出現(xiàn)的所儲存型樣可與已知資料型樣作比較，其中型樣改變是辨識為錯誤。
[0011]供加速測試阿爾法粒子所誘發(fā)軟錯誤的方法是說明于JEDEC標準JESD89A，位處VA22201-3834阿林頓市2500威爾遜大道之JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會2001所出版的「半導(dǎo)體裝置中阿爾法粒子與地面宇宙射線所誘發(fā)軟錯誤的測量及報告」。
[0012]測試如靜態(tài)隨機存取存儲器裝置(SRAM)等集成電路的樣本可需要排程樣本以供專用后端處理，該專用后端處理是經(jīng)進行用于制備樣本供引線接合。這可需要用到專用后端處理中所進行光學(xué)微影制程用的專用屏蔽。具有良好產(chǎn)出的批次(lot)通常是予以辨識并且處理為記錄制程(POR)批次。
[0013]記錄制程批次是「在線」作晶圓級測量以供進行功能測試。選擇良好的受檢測裝置(DUTs)、設(shè)計專用引線接合封裝、并且最后將樣本建構(gòu)成引線接合樣本。對于所選擇的引線接合封裝，插座(socket)是排序的并且借助于自動測試設(shè)備(ATE)的測試用的樣本板件是經(jīng)設(shè)計、排序及檢查過的。這可需要較多的時間資源、人力以及開發(fā)暨遞送成本。特殊裝置的第一硅測試與最終軟錯誤率測試之間的時間延遲范圍可從大約2個月到大約6個月，取決于是否重復(fù)使用或第一次使用自動測試的設(shè)備板件。另外，時間延遲可取決于技術(shù)水準及合格存儲器的復(fù)雜度。
[0014]關(guān)于此較高的付出，在許多情況下，軟錯誤率測試所用軟錯誤率樣本的數(shù)量通常是縮減到最小可能值，例如出自三個不同批次的15個樣本。然而，這可降低進行真實軟錯誤率導(dǎo)向設(shè)計開發(fā)的可能性。
[0015]鑒于上述情形，本揭示提供可克服或至少降低上述某些或所有問題的裝置及方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]下文呈現(xiàn)簡化的
【發(fā)明內(nèi)容】
用以對本發(fā)明的某些態(tài)樣提供基本理解。本
【發(fā)明內(nèi)容】
不是本發(fā)明的徹底概述。其意圖不在于將本發(fā)明的重要或關(guān)鍵要素視為與本
【發(fā)明內(nèi)容】
完全一致或劃定本發(fā)明的范疇。其唯一目的在于以簡化形式呈現(xiàn)某些概念作為下文更詳細說明的
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[0017]本文所揭示的描述性裝置包括探針卡、阿爾法粒子源以及擋板。探針卡，包括界定測量位置的多個接觸組件；阿爾法粒子源；以及擋板，配置于該阿爾法粒子源與該測量位置之間。擋板可在關(guān)閉位置與開啟位置之間移動。來自該阿爾法粒子源的阿爾粒子在該擋板處于該開啟位置時到達該測量位置且該阿爾粒子在該擋板處于該關(guān)閉位置時遭到阻擋而未到達該測量位置。
[0018]本文所揭示的描述性方法包括提供裝置，該裝置包括阿爾法粒子源以及配置于該阿爾法粒子源與照射區(qū)域之間的擋板；安置包括第一半導(dǎo)體裝置的晶圓；定位該晶圓以至于至少一部分的該第一半導(dǎo)體裝置是位于該照射區(qū)域內(nèi)；進行該第一半導(dǎo)體裝置的第一測試，而在該第一測試期間保持該擋板于關(guān)閉位置；進行該半導(dǎo)體裝置的第二測試，而在至少一部分的該第二測試期間保持該擋板于該開啟位置，而該擋板在該擋板處于該開啟位置時容許該阿爾法粒子到達第一半導(dǎo)體裝置，以及其在該擋板處于該關(guān)閉位置時阻擋該阿爾法粒子到達該第一半導(dǎo)體裝置。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]本揭露可參照底下說明配合附圖予以理解，其中相稱的參考組件符號視為相稱的組件，以及其中:
[0020]圖1根據(jù)本揭示的一具體實施例示意性描述一種裝置；
[0021]圖2表示圖1裝置組件的示意性剖面圖；
[0022]圖3a及3b表示圖1裝置組件的示意俯視圖,其中圖3a表示處于開啟位置的裝置的擋板并且圖3b表示處于關(guān)閉位置的擋板；
[0023]圖4表示圖1裝置組件的示意性俯視圖；
[0024]圖5概要描述本揭示具體實施例中可針對軟錯誤而測試的晶圓；以及
[0025]圖6概要描述圖5所示晶圓中的半導(dǎo)體裝置。
[0026]盡管本文所揭露的技術(shù)主題易受各種改進和替代形式所影響，其特定具體實施例仍已借由圖式中的實施例表示并且在本文中詳述。然而，應(yīng)理解的是，本文對特定具體實施例的說明用意不在于限制本發(fā)明于所揭露的特定形式，相反地，用意在于含括落于如權(quán)利要求所界定本發(fā)明精神與范疇內(nèi)的所有改進、等同及替代。
【具體實施方式】
[0027]底下說明的是本發(fā)明的各種描述性具體實施例。為了厘清，未在本說明書中說明實際實行的所有特征。當(dāng)然將了解的是，在任何此實際具體實施例的研制中，必須施作許多實行特定性決策以達成研制者的特定目的，如符合系統(tǒng)相關(guān)與商業(yè)相關(guān)的限制條件，其視實行而不同。再者，將了解的是，此研制計劃可能復(fù)雜且耗時，不過卻屬本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所從事具有本揭露效益的例行事務(wù)。底下將充份詳細地說明具體實施例以使所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠制作并且使用本發(fā)明。要理解的是，其它具體實施例將基于本揭露而顯而易知，并可作出系統(tǒng)、方法(process)或機械的變更而不脫離本揭示的范疇。在底下的說明里，提出許多特定細節(jié)使讀者對本揭示有透徹的理解。然而，明顯可知的是，不使用這些特定細節(jié)也可實踐本揭示的具體實施例。為了避免混淆本揭示，某些廣為人知的電路、系統(tǒng)配置、結(jié)構(gòu)配置及方法的步驟將不作詳細揭示。
[0028]本揭示提供可容許在晶圓級時進行加速式阿爾法粒子軟錯誤率測量而不使用如置于專用封裝內(nèi)并且借由引線接合與其連接的樣本之類專用盒裝式樣本的裝置及方法?？墒褂冒ㄝ^寬開口與承載放射源用容器的探針卡、以及切換放射源開啟與關(guān)閉來供晶圓照射與探針卡的對齊與處理的擋板。
[0029]為了開發(fā)新技術(shù)，通常在晶圓級時測試電路。例如，存儲器電路作用時，可在形成最低后端層之后的制造制程早期測試存儲器裝置。而在完成所有后端層的形成之前，例如形成大約半數(shù)后端層之后，可進行測試。測試可包括晶圓級的存儲器測試。這些測試可獨立于軟錯誤率測試，并且可為了技術(shù)開發(fā)及監(jiān)測制造制程的良率(yield)而進行。
[0030]本揭示的具體實施例在進行上述良率監(jiān)測用的存儲器測試時容許另外在晶圓上進行軟錯誤率測量而不需制備包括有含引線接合屏蔽的較高后端層的樣本。本揭示的具體實施例提供容許在晶圓上直接照射存儲器電路的程序及照射環(huán)境。因此，制造完整的后端、提供專用引線接合屏蔽以供為制備引線接合用樣本而進行的專用光學(xué)微影制程及供軟錯誤率測試的專用封裝、板件和插座可予以省略。因此，可省略如形成引線接合后端之類的處理步驟，以及引線接合屏蔽的設(shè)計。此外，可省略如樣本封裝和專用電路板開發(fā)之類的額外樣本測試的制備，以及可省略軟錯誤率鑒定(qualification)用的額外批次排程。反而，可對任何經(jīng)鑒別為良好的晶圓而于標準和開發(fā)的批次實時地(on the fly)進行非破壞測試，同時僅需要少量額外付出或?qū)嵸|(zhì)不用額外付出。
[0031]完整晶圓的測試是可行的，其可容許研究軟錯誤率與專用晶圓圖案(waferpattern)的相依性,例如出現(xiàn)于晶圓邊緣、晶圓中心及介于邊緣與中心之間(表示成「甜甜圈(donut)」的環(huán)狀區(qū))的不同軟錯誤率。此外，可研究工程要求單(ERF，處理任何預(yù)設(shè)制造制程變更要求的制式制程(formular process),亦即實驗)的相依性以供查找未知軟錯誤率相依性的根本原因。根據(jù)本揭示具體實施例的方法及裝置提供較高的測試裝置處理量(throughput)而可容許測試實驗性存儲器裝置(例如具有不同單元設(shè)計的裝置)以容許對相比于其它設(shè)計出現(xiàn)軟錯誤可能性較低的某些設(shè)計的原因進行研究。
[0032]可在后端完成前借由進行測量而排除較高后端層對所測量軟錯誤率的影響，或者可在進行晶圓級的軟錯誤率測量前借由將較高后端層新增至晶圓而詳細研究較高后端層對所測量軟錯誤率的影響。
[0033]因此，在具體實施例中，可降低軟錯誤率測量的付出以及與軟錯誤率測量相關(guān)的成本而可容許較高的處理量。
[0034]在根據(jù)本揭示具體實施例的裝置中，若有需要，可為了容許阿爾法粒子通達受檢測的集成電路及為了阻擋阿爾法粒子而提供擋板。所以，不一定要為了于不存在阿爾法粒子照射的情況下進行測量或部分測量而移除阿爾法粒子源。因此，可在許多測量期間相對于在晶圓上半導(dǎo)體裝置提供測量位置而于實質(zhì)固定的位置保持阿爾法粒子源。這可有助于提升軟錯誤率測量的精確度，并且可降低錯誤變異。由于進行軟錯誤率測試的方法成本降低，可進行與軟錯誤相關(guān)的相關(guān)時間故障(FIT)率的監(jiān)測。此外，存儲器用的標準監(jiān)測測試程序可重復(fù)使用并適用于進行軟錯誤率測量，其可容許降低測試開發(fā)的時間與成本，并且可容許比較軟錯誤率測量的結(jié)果與標準監(jiān)測測試的結(jié)果。在下文中，將參照圖標說明本揭示的進一步具體實施例。
[0035]圖1為根據(jù)一具體實施例所表示的裝置100的示意圖。為了簡單起見，已省略裝置100的某些組件。更詳細描述裝置100的零件的圖2、3a、3b及4表示已在圖1中省略的裝置100組件。
[0036]裝置100包括探針卡109。探針卡109包括界定測量位置102的多個接觸組件101。裝置100還包括阿爾法粒子源103及擋板104。擋板104是配置于阿爾法粒子源103與測量位置102之間。如將于下文更詳細所述，擋板104可在關(guān)閉位置與開啟位置之間移動。當(dāng)擋板104處于開啟位置時，來自阿爾法粒子源103的阿爾法粒子可到達測量位置102。而當(dāng)擋板104處于關(guān)閉位置時，來自阿爾法粒子源103的阿爾法粒子遭到阻擋而未到達測量位置 102。
[0037]裝置100還包括晶圓持固器105。晶圓持固器105可容納半導(dǎo)體晶圓106。如將于下文更詳細說明的是，晶圓106可包括一或多個半導(dǎo)體裝置，例如，存儲器電路、邏輯電路、現(xiàn)場可編程門陣列及/或微處理器。晶圓持固器105可持固晶圓106而使該些半導(dǎo)體裝置的其中之一處于測量位置102。接觸組件101是經(jīng)調(diào)適(adapt)而對測量位置102處所設(shè)置的該些半導(dǎo)體裝置的其中之一提供電性連接。
[0038]裝置100還包括自動測試設(shè)備107以及測試頭108。探針卡109可附接于測試頭108。測試頭108可依與晶圓持固器105上所提供晶圓106的表面實質(zhì)垂質(zhì)的垂直方向移動(在圖1之圖式平面中呈垂直)，其中接觸組件101與晶圓106上的該些半導(dǎo)體裝置的其中之一之間的接觸可借由朝晶圓106降低探針卡109而提供。
[0039]晶圓持固器105可設(shè)置于探針110中及/或探針110處。探針110可經(jīng)調(diào)適而依照與晶圓持固器105上所提供晶圓106的表面平行的水平方向來移動晶圓持固器105 (在圖1的圖式平面中呈水平并且垂直于圖1的圖式平面)，以供相對于探針卡109來定位晶圓106。
[0040]在其它具體實施例中，測試頭108及附接于測試頭108的探針卡109可保持于固定位置，并且探針I(yè)io可經(jīng)調(diào)適而依垂直方向移動晶圓持固器105且還經(jīng)調(diào)適而依水平方向移動晶圓持固器105。
[0041]圖2表示探針卡109的示意剖面圖。探針卡109包括電路板206。電路板206可為印刷電路板，并且可包括在接觸組件101與自動測試設(shè)備107之間提供電性連接的導(dǎo)電線。在具體實施例中，電路板206可包括電性連接至經(jīng)由探頭108延伸并將電路板206電性連接至自動測試設(shè)備107的纜線(cable)的接觸針腳(contact pins)。除了導(dǎo)電線，電路板206還可包括含有如電容器、電阻器、繼電器及/或晶體管之類的電路組件的電路。此類電路組件可用于操控并且控制信號，該信號是在自動測試設(shè)備107與借由接觸組件101提供接觸的晶圓106上的該些半導(dǎo)體裝置的其中之一之間通過。電路板206的進一步特征可相應(yīng)于電路板的特征，該特征是用于在制造制程期間及/或之后用于半導(dǎo)體裝置功能性測試的探針卡。探針卡109還包括接觸組件101對其附接的接觸組件持固器207。表示接觸組件持固器207及接觸組件101細節(jié)的接觸組件持固器207的示意俯視圖是示于圖4中。
[0042]接觸組件持固器207可為包含例如陶瓷材料等電絕緣材料的環(huán)狀組件?？捎诮佑|組件持固器207的底側(cè)處提供接觸組件101，該底側(cè)面向晶圓持固器105上所提供晶圓106?？梢远鄠€針體(402至419)的形式提供接觸組件101(請參閱圖4)。針體可例如借由粘膠(glue)附接于接觸組件持固器207的底側(cè)。在具體實施例中，粘膠可包括環(huán)氧樹脂。針體402至419各具有尖端(tip)，該尖端是配置于位于測量位置102的照射區(qū)域421的周邊處。照射區(qū)域421可具有矩形形狀，如圖4所示，其可相應(yīng)于晶圓106上所形成半導(dǎo)體裝置的形狀或部分半導(dǎo)體裝置的形狀。針體402至419的尖端的位置可相應(yīng)于晶圓106上所提供半導(dǎo)體裝置的接觸墊的配置，以致針體402至419中的每一個在半導(dǎo)體裝置位于測量位置102處并借由探針卡109接觸時都可對該些接觸墊的其中之一提供電性連接。
[0043]接觸組件持固器207可包括照射區(qū)域421上方提供的開口 420。針體402至419可由開口 420的邊緣朝遠離照射區(qū)域421延伸。因此，來自阿爾法粒子源103且沿著垂直方向移動的阿爾法粒子(在圖1及2的圖標中呈垂直并垂直于圖3a、3b及4之圖式平面)可到達照射區(qū)域421，并且沿著垂直方向移動的阿爾法粒子僅少量由針體402至419所吸收。
[0044]如下文將更詳細說明的是，來自阿爾法粒子源103而以相對于垂直方向為傾斜之方向移動的某些阿爾法粒子可由針體402至419所吸收。因此，相較于照射區(qū)域421周邊附近的部分半導(dǎo)體裝置，照射區(qū)域421中心處配置的部分半導(dǎo)體裝置可以稍大強度的阿爾法輻射予以照射。
[0045]在具體實施例中，針體402至419的尖端是如圖2概要所示地可向下彎折?？山栌蓪?dǎo)線(wire)將針體402至419電性連接至電路板206上的導(dǎo)電線，每一條導(dǎo)線都連接于針體402至409的其中之一與電路板206上多個導(dǎo)電線的其中之一之間。
[0046]如圖2的剖面圖所示，探針卡109可進一步包括包含有部件209、210及211的環(huán)狀結(jié)構(gòu)208。部件209可連接于接觸組件持固器207與電路板206之間。電路板206的內(nèi)緣可置于環(huán)狀結(jié)構(gòu)208的部件209與部件210之間，以至于電路板206是固定于環(huán)狀結(jié)構(gòu)208。部件211可環(huán)形圍繞部件210，并且可包括可容置螺釘?shù)穆菘?02、303、304及305(請參閱第圖3a及3b，其中環(huán)狀結(jié)構(gòu)208的部件210及211是示于俯視圖中)，其中兩個螺釘在圖2中是以參考組件符號213及214標示。
[0047]螺釘213及214可在環(huán)狀結(jié)構(gòu)208的部件211與阿爾法粒子源103所連接的阿爾法粒子源持固器212之間提供連接，下文將作說明。
[0048]環(huán)狀結(jié)構(gòu)208的部件209、210及211可借由粘合或可借由螺釘或壓入固定形式柄狀物(handle)來機械固定而互相連接且連接至電路板206。
[0049]阿爾法粒子源103可包括放射阿爾法粒子的放射性材料202。在具體實施例中，放射性材料202可包括镅241 (241Am),并且可具有大約IOkBq (千貝可勒爾)或以上的活性，尤其是范圍由大約IOkBq至大約IOOMBq (百萬貝可勒爾)的活性,例如大約3.7MBq的活性。在其它具體實施例中，可使用其它放射阿爾法粒子輻射的放射性材料，例如，釷2 3 2 (232Th)。
[0050]阿爾法粒子源202可進一步包括容器201。在具體實施例中，可在容器201之側(cè)部的凹處處提供放射性材料202，而該凹處是面向晶圓持固器105中所提供晶圓106 (位于圖2中容器201的底部)。阿爾法粒子源103可附接于阿爾法粒子源持固器212。探針卡109可包括可例如以螺釘204及螺母205形式提供，以供調(diào)整阿爾法粒子源103位置的調(diào)整器203。調(diào)整器203可用于修正阿爾法粒子源103與測量位置102 (進行半導(dǎo)體裝置軟錯誤率測量時用以放置晶圓106上的半導(dǎo)體裝置處)之間的距離。
[0051]放射阿爾法粒子的阿爾法粒子源103中的放射性材料202與半導(dǎo)體裝置之間的距離可對半導(dǎo)體裝置所接收阿爾法輻射的強度，以及對半導(dǎo)體裝置所接收阿爾法粒子的角分布造成影響。在具體實施例中，放射性材料202與測量位置102之間的距離范圍可由大約5厘米(mm)到大約14厘米,例如大約7.4厘米。
[0052]面向測量位置102的放射性材料202或曝露在阿爾法粒子源103底側(cè)處的放射性材料202的至少其一部分提供阿爾法粒子源103的放射區(qū)?？山栌裳刂溆谄叫杏诰A持固器105中所提供晶圓106表面的平面中的任何方向之放射區(qū)的最小擴展而提供阿爾法粒子源103放射區(qū)的直徑(垂直于圖2的圖式平面以及平行于圖第3a及3b的圖式平面)。在某些具體實施例中，阿爾法粒子源103的放射區(qū)可近似圓形。在此等具體實施例中，阿爾法粒子源103放射區(qū)的直徑相當(dāng)于圓形放射區(qū)的直徑。
[0053]阿爾法粒子源103放射區(qū)的直徑可大于沿著落于平行于晶圓持固器105中所提供晶圓106表面之平面中之任何方向的照射區(qū)域421的最大擴展。這可有助于取得位于測量位置102的半導(dǎo)體裝置處且由阿爾法粒子來自多個角度的照射。在如圖4所示其中照射區(qū)域421具有近似矩形形狀的具體實施例中，照射區(qū)域421 (沿著落于平行于晶圓持固器105中所提供晶圓106表面的平面中的任何方向)的最大擴展相應(yīng)于照射區(qū)域的對角長度。在具體實施例中，阿爾法粒子源103的放射區(qū)可具有從大約0.5公分(cm)到大約2公分的直徑范圍(例如大約1.10公分的直徑)的實質(zhì)圓形形狀。沿著落于平行于晶圓持固器105中所提供晶圓106表面的平面中的任何方向的照射區(qū)域421的最大擴展(在如圖4所示矩形照射區(qū)域421情況下的矩形對角長度)，其范圍可從大約0.4公分到大約1.5公分，例如大約0.95公分。
[0054]已如上所述，阿爾法粒子源103與測量位置102之間提供的擋板104可在關(guān)閉位置與開啟位置之間移動。圖3a及3b表示探針卡109經(jīng)移除阿爾法粒子源持固器212及阿爾法粒子源103后的示意俯視圖。圖3a表示探針卡109在擋板104處于開啟位置時的俯視圖，以及圖第3b表示探針卡109在擋板104處于關(guān)閉位置時的示意俯視圖。
[0055]擋板104可包括具有中心開口 313的環(huán)狀結(jié)構(gòu)312。另外，擋板104可包括多個擋片306至311。擋片306至311的形狀可實質(zhì)等同。在圖3b中，各擋片307至311的一部分是由相鄰擋片覆蓋。就圖3角度最靠近觀視者的擋片306顯示出當(dāng)擋板104處于關(guān)閉位置時關(guān)閉擋板104中心開口 313的各擋片306至311的一部分的形狀。當(dāng)擋板104如圖3a所示處于開啟位置時，擋片306至311是在擋板104的環(huán)狀結(jié)構(gòu)312內(nèi)部，例如在介于環(huán)狀結(jié)構(gòu)312的頂板與底板之間的空間內(nèi)。
[0056]另外，擋板104可包括機械性組件(圖未示)(用于在環(huán)狀結(jié)構(gòu)312內(nèi)部的位置與其中每一個擋片306至311的至少一部分是提供于擋板104中心開口 313中及/或前的位置之間移動擋片306至311)，以至于擋板104的中心開口 313是借由多個擋片306至311來關(guān)閉。
[0057]用于移動擋片306至311的機械性組件可相應(yīng)于攝影照相機中所用葉式快門中所使用的機械性組件。擋片306至311可具有較小厚度，此厚度為擋片306至311依垂直于晶圓持固器105中所提供晶圓106表面的垂直方向的延伸。因此，可提供質(zhì)量較小的擋片306至311，而可容許擋片306至311較快速移動。由于阿爾法粒子源103所放射的阿爾法粒子在舉例如可形成擋片306至311的金屬等材料中可具有較小的穿透深度，擋片306至311的較小厚度可足以在擋板104處于關(guān)閉位置時阻擋來自阿爾法粒子源103的阿爾法粒子免于到達測量位置102。
[0058]擋板104可再包括致動器301，該致動器301是當(dāng)擋板104于關(guān)閉位置與開啟位置之間移動時用于移動擋片306至311。致動器301可包括電磁鐵以及永久磁鐵?？山栌蓪﹄姶盆F施加電流而在電磁鐵與永久磁鐵之間產(chǎn)生機械力。在其它具體實施例中，致動器可包括一對電磁鐵。在此等具體實施例中，可借由對兩電磁鐵施加電流而提供機械力。在具體實施例中，致動器301可包括音圈致動器。
[0059]可將致動器301連接到用于移動擋片306至311的機械裝置。因此，可借由控制施加于致動器301的電流，尤其是借由將施加至致動器301的電流切換為開及關(guān)，而在關(guān)閉位置與開啟位置之間移動擋件104。
[0060]本揭示不局限于其中可借由施加電流至致動器301而操作致動器301的具體實施例。在其它具體實施例中，致動器301可包括氣動式操作致動器，以至于可借由對氣動式致動器供應(yīng)舉例如空氣等氣體的流體而在開啟位置與關(guān)閉位置之間移動擋板104。在進一步具體實施例中，可省略致動器301并且作業(yè)員可手動操作擋板104。
[0061]此外，本揭示不局限于其中擋板104包括多個擋片306至311的具體實施例。在其它具體實施例中，可使用單一擋片。此外，在其中使用多個擋片的具體實施例中，擋片的數(shù)量可有別于6，如圖3b所示。一般而言，擋片的數(shù)量可為一個或多個。
[0062]圖5表示晶圓106的示意俯視圖，其是可放置于裝置100的晶圓持固器105中以供借由裝置100進行軟錯誤率測試及隨選性地進一步測試。晶圓106包括碟狀基板504。基板504可為舉例如硅等半導(dǎo)體材料構(gòu)成的塊體半導(dǎo)體基板。在其它具體實施例中，基板504可為包括一層例如硅等半導(dǎo)體材料的絕緣體上半導(dǎo)體的基板，而該層是置于支撐基板上方，該基板也可包括如硅之類的半導(dǎo)體材料并借由一層例如為二氧化硅的電性絕緣材料來將該層與該基板分離。
[0063]可在基板504上形成多個半導(dǎo)體裝置501。在圖5中，參照組件符號502及503將示例性第一半導(dǎo)體裝置502及示例性第二半導(dǎo)體裝置503從多個半導(dǎo)體裝置501中指出。
[0064]多個半導(dǎo)體裝置501各可包括集成電路，其中多個半導(dǎo)體裝置501中的每一個的配置都可實質(zhì)等同。在具體實施例中，多個半導(dǎo)體裝置501各可包括存儲器電路，例如，靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)電路或動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)電路。在具體實施例中，多個半導(dǎo)體裝置510各可包括經(jīng)設(shè)計圍繞或在電路外部并具有環(huán)狀的墊件布局的集成電路。在具體實施例中，多個半導(dǎo)體裝置501各可包括不同于存儲器電路的半導(dǎo)體裝置，例如邏輯電路、現(xiàn)場可編程門陣列或微處理器。圖6表示一個具體實施例中晶圓106上所形成第一半導(dǎo)體裝置502的示意放大圖，其中半導(dǎo)體裝置502包括存儲器裝置601。存儲器裝置601可包括多個存儲器組622，其中參考組件符號620、621分別表示出自多個存儲器組622的描述性第一存儲器組及描述性第二存儲器組。第一存儲器組620是經(jīng)配置而相對靠近半導(dǎo)體裝置502的周邊，而存儲器組621則經(jīng)配置而相對靠近半導(dǎo)體裝置502的中心。
[0065]在具體實施例中，多個存儲器組622可包括96個存儲器組，各具有256k比特的儲存容量。多個存儲器組622中的每一個存儲器組都可包括多個存儲器單元。在具體實施例中，存儲器單元各可為SRAM存儲器單元，其中每個存儲器單元都各儲存一個比特信息?？蓪⒍鄠€存儲器組622中每一個存儲器組的存儲器單元配置成多個行與列，其中每一行的存儲器單元是連接于相關(guān)列有關(guān)的共享字符線，并且每一列中的存儲器單元是連接于相關(guān)列有關(guān)的共享成對的比特線。
[0066]半導(dǎo)體裝置502進一步包括配置于半導(dǎo)體裝置502周邊的多個接觸墊602至619。接觸墊602至619的配置與探針卡109針體402至419尖端的配置是彼此實質(zhì)相應(yīng)。因此，當(dāng)半導(dǎo)體裝置502位于裝置100的測量位置102時，接觸墊602至619各可與探針卡109多個針體402至419中相關(guān)的其中之一的尖端接觸。
[0067]另外，半導(dǎo)體裝置502可包括電性連接至接觸墊602至619的控制電路(圖未示)，以及包括用于將資料寫至多個存儲器組622存儲器儲器單元及用于自多個存儲器組622讀取資料的多個存儲器組622。晶圓106上的多個半導(dǎo)體裝置501中，例如半導(dǎo)體裝置503的其它半導(dǎo)體裝置可具有與半導(dǎo)體裝置502相應(yīng)的配置。
[0068]當(dāng)晶圓106切割成晶粒并且封裝晶粒時，晶圓106上所形成的多個半導(dǎo)體裝置501不一定包括在半導(dǎo)體裝置中提供有每一個特征的實質(zhì)完整半導(dǎo)體裝置。在具體實施例中，多個半導(dǎo)體裝置501各可包括存儲器單元、控制電路(用于將資料寫至存儲器單元并且用于自存儲器單元讀取資料)及完整半導(dǎo)體裝置中所提供的后端層的僅一部分(尤其是包括位線和字符線的后端層)。包括位線和字符線的后端層可為最低后端層。在借由裝置100測試晶圓106之后,可在晶圓106上形成另外的后端層。之后，可將晶圓106切割成晶粒，并且可封裝半導(dǎo)體裝置。
[0069]在其它具體實施例中，多個半導(dǎo)體裝置501可包括借由裝置100測試晶圓106時在完整半導(dǎo)體裝置中所提供的所有后端層。在此等具體實施例中，可在借由裝置100測試晶圓106后將晶圓106切割成晶粒。
[0070]在下文中，將說明用于測試晶圓上所形成的一或多個半導(dǎo)體裝置，例如用于測試晶圓106上所形成的第一半導(dǎo)體裝置502與第二半導(dǎo)體裝置503的方法及晶圓106上多個半導(dǎo)體裝置501中隨所選地的進一步半導(dǎo)體裝置?？蓪醢?04移入關(guān)閉位置以使擋板104阻擋來自阿爾法粒子源103的阿爾法粒子?？稍诰A持固器105上安置晶圓106。之后，可操作探針110及/或測試頭108以將晶圓持固器105及將安置于其上的晶圓106定位，如此可使晶圓106上所形成的例如為半導(dǎo)體裝置502的半導(dǎo)體裝置的其中之一位于測量位置102。當(dāng)半導(dǎo)體裝502處于測量位置102時，可借由在針體402至419的尖端與半導(dǎo)體裝置的接觸墊602至619之間提供接觸而建構(gòu)介于接觸組件101與半導(dǎo)體裝置502之間的電性接觸。
[0071]之后，可進行半導(dǎo)體裝置502的第一測試。為此，自動測試設(shè)備107可借由將電信號經(jīng)由電路板206施加于針體402至419而將電信號施加于半導(dǎo)體裝置502的接觸墊602至619。另外，自動測試設(shè)備107可經(jīng)由針體402至419及電路板206而從半導(dǎo)體裝置502接收信號。在第一測試期間，可將擋板104維持在關(guān)閉位置。因此，半導(dǎo)體裝置502在第一測試期間實質(zhì)未遭到來自阿爾粒子源103的阿爾法粒子照射。
[0072]第一測試可為半導(dǎo)體裝置502的功能缺陷測試。第一測試可針對功能缺陷而具有相應(yīng)于半導(dǎo)體裝置的一般測試的特征，該測試是可在制造制程期間或在晶圓106切割成晶粒之前的晶圓106上的半導(dǎo)體裝置制造制程完成之后擇一執(zhí)行。
[0073]尤其是，在其中半導(dǎo)體裝置502包括以上參照圖6所述的存儲器裝置601的具體實施例中，可將資料寫至存儲器裝置601并可自存儲器裝置601讀取資料。接著，自存儲器裝置601讀取的資料可與寫至記憶裝置601的資料作比較，以供判斷資料是否正確地存儲于存儲器裝置內(nèi)。在第一測試之后，若已在第一測試判斷存儲器裝置601運作正確并且正確地將資料寫至存儲器裝置601，則可進行第二測試。為了進行第二測試，自動測試設(shè)備107可借由透過電路板206將電信號施加于針體402至419而將電信號施加于半導(dǎo)體裝置502的接觸墊602至619。
[0074]第二測試可包括半導(dǎo)體裝置502中由阿爾法粒子照射半導(dǎo)體裝置502所造成軟錯誤的測量。對于阿爾法粒子照射所造成的軟錯誤的測試可為加速式測試，其中裝置100的擋板104在至少一部分測試期間是保持在開啟位置。因此，來自阿爾法粒子源103的阿爾法粒子可到達置于裝置100測量位置102的半導(dǎo)體裝置502。
[0075]對于來自阿爾法粒子源103的阿爾法粒子照射所造成軟錯誤的半導(dǎo)體裝置502的測試可包括一或多個測量執(zhí)行(runs)。
[0076]可在一或多個測量執(zhí)行期間使存儲器裝置601曝露于來自阿爾法粒子源103的阿爾法粒子。這可借由在一或多個測量執(zhí)行之前將擋板104移進開啟位置，例如借由控制施加于致動器301的電流，以及將擋板104保持在開啟位置并保持與一或多個測量的執(zhí)行同樣長的時間來完成。
[0077]在每一個測量執(zhí)行中，可將預(yù)定的資料型樣儲存在存儲器裝置601內(nèi)。在某些具體實施例中，資料型樣可為邏輯的西洋棋盤型樣，其中邏輯O和邏輯I是由位置及比特交替儲存在存儲器裝置601的存儲器單元中?？蛇x擇地，可使用實體棋盤型樣，其中邏輯O和邏輯I是以邏輯I儲存于每一個與存有邏輯O的存儲器單元最靠近的相鄰存儲器單元內(nèi)以及邏輯O儲存于每一個與存有邏輯I之存儲器單元最靠近之相鄰存儲器單元內(nèi)的方式存儲在存儲器裝置601的存儲器單元內(nèi)。在使具有預(yù)定資料型樣儲存于其中的存儲器裝置601曝露于來自阿爾法粒子源103的阿爾法粒子之后，可讀取儲存在存儲器裝置601內(nèi)的資料，并且可將讀取的資料與預(yù)定資料型樣作比較。可借由比較讀取自存儲器裝置601的資料與預(yù)定資料型樣而判斷預(yù)定資料型樣與讀取自存儲器裝置601的資料之間的差異，并且可將差異儲存為偵測到的軟錯誤。軟錯誤的判斷可包括不同類型軟錯誤的辨識。經(jīng)由比較預(yù)定資料型樣與讀取自存儲器裝置601的資料所辨識的軟錯誤可包括單一比特事件，其中讀取自存儲器裝置601的資料比特有別于存儲于其內(nèi)的資料比特，但與此存儲器單元相鄰的存儲器單元內(nèi)所存儲的資料比特等同于存儲于其內(nèi)的預(yù)定資料型樣的資料比特。另外，軟錯誤可包括多比特的事件，其中許多相鄰存儲器單元包括與存儲其內(nèi)的預(yù)定資料型樣的資料比特有別的資料比特。
[0078]在進行上述多個測試執(zhí)行之后，可計算并且報告如特殊類型錯誤出現(xiàn)頻率之類的來自測試執(zhí)行的統(tǒng)計資料。另外，測試執(zhí)行中所判斷的軟錯誤率可外推至真實使用狀況。在進行如上所述半導(dǎo)體裝置502的第一測試及第二測試之后，可將擋板104移進關(guān)閉位置，并且可操作探針110及/或測試頭108以將晶圓持固器105及將安置于其上的晶圓106定位，如此可使晶圓106上所形成的例如為半導(dǎo)體裝置503的半導(dǎo)體裝置的其中之一位于測量位置102
[0079]接著，可進行半導(dǎo)體裝置503的測試，其中自動測試設(shè)備107借由透過電路板206將電信號施加于針體402至419而將電信號施加于半導(dǎo)體裝置503的接觸墊并且經(jīng)由針體402至419及電路板206而自半導(dǎo)體裝置503接收信號。
[0080]半導(dǎo)體裝置503的測試可包括第一測試，其中裝置100的擋板104是保持在關(guān)閉位置。半導(dǎo)體裝置503之第一測試的特征可相應(yīng)于上述半導(dǎo)體502的第一測試的特征。尤其是，半導(dǎo)體裝置503的第一測試可包括半導(dǎo)體裝置503的功能錯誤測試。
[0081]之后，可進行半導(dǎo)體503的第二測試。在半導(dǎo)體裝置503至少一部分第二測試期間，可將擋板104保持在開啟位置，以至于半導(dǎo)體裝置503在至少一部分第二測試是曝露于來自阿爾法粒子源103的阿爾法粒子輻射。半導(dǎo)體裝置503的第二測試的特征可相應(yīng)于上述半導(dǎo)體裝置502之第二測試的特征。尤其是，半導(dǎo)體裝置503的第二測試可包括半導(dǎo)體裝置503的軟錯誤測試。
[0082]在某些具體實施例中，可對晶圓106上多個半導(dǎo)體裝置501中的每一個半導(dǎo)體裝置進行上述第一測試和第二測試。或者，可僅對一部分半導(dǎo)體裝置501進行上述第一和第
二測試。
[0083]在具體實施例中，可使用晶圓106上多個半導(dǎo)體裝置501中所出現(xiàn)軟錯誤率相關(guān)的資料以供研究晶圓106上相關(guān)半導(dǎo)導(dǎo)體裝置位置上半導(dǎo)體裝置中所出現(xiàn)軟錯誤率的相依性。例如，可針對位在靠近晶圓106邊緣的晶圓106「邊緣」區(qū)中、位于靠近晶圓106中心的晶圓106「中心」區(qū)及介于邊緣區(qū)與中心區(qū)之間的「甜甜圈」區(qū)中的該些半導(dǎo)體裝置之間的軟錯誤率的差異來分析有關(guān)軟錯誤率的資料。在具體實施例中，可進行裝置100的校準。裝置100的校準可包括阿爾法粒子源103的活性測量。為此，可例如借由伽瑪(gamma)光譜儀測量阿爾法粒子源103中放射性材料202所放射伽瑪輻射的強度。當(dāng)放射性材料202的放射性原子核衰減并且放射伽瑪輻射時，衰減過程中所形成的子核可處于激發(fā)狀態(tài)并且可隨后進入基態(tài)(ground state)。這樣做時，子核可放射伽瑪輻射。因此，阿爾法粒子源103所放射知碼輻射的強度可代表阿爾法粒子源103的活性。有別于阿爾法粒子輻射，伽瑪輻射在放射性材料202本身及/或在阿爾法粒子源103 (如容器201)等其它組件中遭吸收的程度較小，以至于可借由伽瑪光譜儀對阿爾法粒子源103的活性取得較精確的測量。
[0084]為了測量阿爾法粒子源103的活性，阿爾法粒子源103可自裝置100移除并引入伽瑪光譜儀附近?？捎砂柗Ｗ釉?03所放射伽瑪輻射的強度計算阿爾法粒子源103的活性。
[0085]所測量阿爾法粒子源103的活性可有關(guān)于放射到完全立體角(solid angle)內(nèi)的阿爾法輻射的強度?？稍谖挥跍y量位置102的照射區(qū)域421中接收放射至完全立體角內(nèi)的一部分阿爾法輻射?？墒褂靡阎椒ㄟM行測量位置102處的阿爾法粒子強度的計算。例如，計算可利用如JEDEC標準JESD89A中所述的幾何因子，其揭示是引用含括于本文內(nèi)。
[0086]在某些具體實施例中，裝置100的校準可進一步包括可由針體402至419吸收阿爾法粒子所造成照射區(qū)域421中所取得阿爾法粒子輻射非均勻性強度的校正。尤其是，針體402至419可吸收撞擊半導(dǎo)體裝置502中經(jīng)由斜角而較靠近照射區(qū)域421周邊的部位的阿爾法粒子。本案發(fā)明人已進行其中含以上參照圖6所述多個存儲器組622的半導(dǎo)體裝置502中所取得軟錯誤的數(shù)量是已測量的實驗。所發(fā)現(xiàn)的是，靠近照射區(qū)域421周邊(舉例如存儲器組620之類)的存儲器組中是比靠近照射區(qū)域中心(舉例如存儲器組621之類)的存儲器組中取得更顯著少量的軟錯誤。位于照射區(qū)域421周邊的存儲器組中所取得軟錯誤的數(shù)量可比多個存儲器組622中所取得軟錯誤的平均數(shù)量小約10個百分比，以及靠近照射區(qū)域421中心的存儲器組中所取得軟錯誤的數(shù)量可比平均軟錯誤的數(shù)量大約6個百分比。在具體實施例中，可將由將每一個多個存儲器622中所取得軟錯誤的數(shù)量除以對相關(guān)存儲器組位置而定的校準因素而把針體402至419對阿爾法粒子的吸收列入考慮。為了決定校準因子，可判斷存儲器裝置特定位置處存儲器組中所測量軟錯誤的數(shù)量與存儲器裝置的多個存儲器組中所取得軟錯誤的平均數(shù)量之間的比率?？舍槍υS多等同的存儲器裝置判斷此比率，并且可借由對等同的存儲器裝置的數(shù)量將此比率取平均而取得校準因子。在其它具體實施例中，由于如上所述針體402至419吸收阿爾法粒子所造成軟錯誤的分布不均勻性是較小的，故可忽略針體402至419對阿爾法粒子的吸收。相較于其中研究單獨半導(dǎo)體裝置的軟錯誤率測試方法，上述其中研究晶圓的方法可容許較大的處理量。因此，在例如存儲器裝置等半導(dǎo)體裝置的開發(fā)過程中，可對軟錯誤率測試不同的存儲器的單元設(shè)計，并且可辨識其中阿爾法粒子照射所造成軟錯誤的可能性較低的存儲器單元設(shè)計。這可容許較快速的最佳化半導(dǎo)體裝置設(shè)計以供取得較低的因阿爾法粒子輻射所造成軟錯誤的可能性。
[0087]此外，如上所述，可在測試半導(dǎo)體裝置功能錯誤的同時，進行半導(dǎo)體裝置軟錯誤的測試。這可容許在制造制程期間原位地進行半導(dǎo)體裝置的軟錯誤率測試。[0088]此外，由于裝置100中擋板104的使用，在半導(dǎo)體裝置未曝露于阿爾法粒子輻射的測試與半導(dǎo)體裝置曝露于阿爾法粒子輻射的測試的該些測試之間，阿爾法粒子源103 I，并不需要移動。因此，可在阿爾法粒子源103精確處于相同位置時進行許多不同測量，這可容許改進測試精確度并且降低錯誤變異。
[0089]在具體實施例中，一旦晶圓106上的多個半導(dǎo)體裝501的至少部分作用，即可在例如晶圓106上半導(dǎo)體裝置后端的僅一部分形成后的制造制程中較早期地進行以上所述半導(dǎo)體晶圓106的許多測試。在進行上述測試之后，可借由包括沉積一或多個材料層于晶圓106上及以如光學(xué)微影之類的圖案化制程在內(nèi)的已知制造制程完成多個半導(dǎo)體裝置501的后端，并且可重復(fù)多個半導(dǎo)體裝置501的測試。之后，可將后端完成前所取得多個半導(dǎo)體裝置501的軟錯誤率與后端完成后所取得多個半導(dǎo)體裝置501的軟錯誤率比較。這可容許判斷由阿爾法粒子所造成的在軟錯誤率上的較高后端層的影響?？山栌裳b置100的自動測試設(shè)備自動進行上述方法。為此，自動測試設(shè)備107可包括類似于習(xí)知測試設(shè)備的組件而供用于尤其可包括處理器、存儲器及連接于探針卡109的電路板206的接口電路的半導(dǎo)體裝置。存儲器可存儲用于進行上述可由處理器執(zhí)行的方法的程序。自動測試設(shè)備也可經(jīng)調(diào)適以控制擋板104的致動器301而用于在開啟位置與關(guān)閉位置之間移動擋板104。更特定來說，可調(diào)適自動測試設(shè)備107以將用于操作致動器301的電信號供應(yīng)給致動器301。為此，可例如經(jīng)由電路板206上的導(dǎo)電線將接口電路連接至致動器301。
[0090]以上所揭露的特定具體實施例僅屬說明性質(zhì)，正如本發(fā)明可以本領(lǐng)域技術(shù)人員所明顯知道的不同但等效的方式予以改進并且實踐而具有本文的指導(dǎo)效益。例如，前述制程步驟可用不同順序?qū)嵤?。另外，除了作為底下?quán)利要求中所述，對于本文所示構(gòu)造或設(shè)計的細節(jié)是并無限制用意。因此，得以證實以上所揭露特定具體實施例是可改變或改進，并且所有此等變化都視為在本發(fā)明的范疇及精神內(nèi)。因此，本文所謀求的保護是如底下權(quán)利要求中所闡述。
【權(quán)利要求】
1.一種裝置，其包含: 探針卡，包含多個接觸組件，而該接觸組件界定測量位置； 阿爾法粒子源；以及 擋板，配置于該阿爾法粒子源與該測量位置之間，且該擋板可在關(guān)閉位置與開啟位置之間移動，其中，當(dāng)該擋板處于該開啟位置時，來自該阿爾法粒子源的阿爾法粒子到達該測量位置，且當(dāng)該擋板處于該關(guān)閉位置時，該阿爾法粒子遭到阻擋而未到達該測量位置。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，還包括晶圓持固器，接受包括有半導(dǎo)體裝置的晶圓并且將該半導(dǎo)體裝置持固于該測量位置，其中，多個接觸組件在該半導(dǎo)體裝置位于該測量位置時對該半導(dǎo)體裝置提供電性連接。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，該擋板包含在該開啟位置與該關(guān)閉位置之間移動該擋板的致動器。
4.如權(quán)利要求3所述的裝置，還包括自動測試設(shè)備，操作該擋板之該致動器并且連接于該多個接觸組件，其中該自動測試設(shè)備在該半導(dǎo)體裝置處于該測量位置時自動進行該半導(dǎo)體裝置的一或多項測試并且在該一或多項測試至少其中之一的至少一部分期間中操作該致動器而將該擋板保持于該開啟位置。
5.如權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，該一或多項測試包含在該半導(dǎo)體裝置中測量阿爾法射線所誘發(fā)軟的錯誤，以及該自動測試設(shè)備在至少一部分的阿爾法射線所誘發(fā)軟錯誤的該測量期間操作該致動器而將該擋板保持于該開啟位置。
6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，該一或多項測試還包括針對功能缺陷的該半導(dǎo)體裝置的測試，以及該自動測試設(shè)備在針對功能缺陷的該半導(dǎo)體裝置的該測試期間操作該致動器而將該擋板保持于該關(guān)閉位置。
7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，該阿爾法粒子源包含放射該阿爾法粒子的放射性材料。
8.如權(quán)利要求7所述的裝置，還包括調(diào)整器，修正該阿爾法粒子源與該測量位置之間距離。
9.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，各該多個接觸組件包括配置在位于該測量位置處的照射區(qū)域周邊處并具有尖端的針體，并且各該針體遠離該照射區(qū)域延伸。
10.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，該擋板包含葉式快門。
11.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，該阿爾法粒子源包括放射阿爾法粒子的放射性材料，其中該裝置還包括修正該阿爾法粒子源與該測量位置之間距離的調(diào)整器，其中各該多個接觸組件包括配置在位于該測量位置處的照射區(qū)域周邊處并具有尖端的針體，并且各該針體遠離該照射區(qū)域延伸，且其中該擋板包括葉式快門。
12.—種方法,其包含: 提供包含阿爾法粒子源及該阿爾法粒子源與照射區(qū)域之間配置有擋板的裝置； 安置包含第一半導(dǎo)體裝置的晶圓； 定位該晶圓以至于該第一半導(dǎo)體裝置的至少一部分是位于該照射區(qū)域； 進行該第一半導(dǎo)體裝置的第一測試，其中該擋板在該第一測試期間是保持于關(guān)閉位置；以及 進行該第一半導(dǎo)體裝置的第二測試，其中該擋板在該第二測試的至少一部分期間是保持于開啟位置； 其中該擋板在該擋板處于該開啟位置時容許阿爾法粒子到達該第一半導(dǎo)體裝置并且在該擋板處于該關(guān)閉位置時阻擋阿爾法粒子到達該第一半導(dǎo)體裝置。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，該第一測試包含該第一半導(dǎo)體裝置功能缺陷的測試。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，該第二測試包含該第一半導(dǎo)體裝置中阿爾法射線所誘發(fā)軟錯誤的測量。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括以多個接觸組件的其中之一接觸該第一半導(dǎo)體裝置中各多個接觸區(qū)，其中該第一與所述第二測試包含: 經(jīng)由該多個接觸組件將電輸入信號施加至該第一半導(dǎo)體裝置并且經(jīng)由該多個接觸組件自該第一半導(dǎo)體裝置接收電輸出信號。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，該晶圓還包括第二半導(dǎo)體裝置以及其中所述方法還包括: 定位該晶圓以至于該第二半導(dǎo)體裝置的至少一部分是位于該照射區(qū)域中； 進行該第二半導(dǎo)體裝置的第一測試，其中該擋板在該第一測試期間是保持于該關(guān)閉位置；以及 進行該第二半導(dǎo)體裝置的第二測試，其中該擋板在該第二測試的至少一部分期間是保持于該開啟位置。
17.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，該阿爾法粒子源同時包含放射阿爾法粒子及伽瑪輻射的放射性材料，以及其中該方法還包括: 測量該放射性材料所放射該伽瑪輻射的強度；以及 以該伽瑪輻射測量強度為基礎(chǔ)來判斷該擋板處于該開啟位置時于該照射區(qū)域中所取得阿爾法粒子的強度。
18.如權(quán)利要求12所述的方法，其還包括調(diào)整該阿爾法粒子源與該半導(dǎo)體裝置之間的距離。
19.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，該擋板包含在該開啟位置與該關(guān)閉位置之間移動該擋板的致動器，以及其中所述方法包含操作該致動器以在該第一測試期間保持該擋板于該關(guān)閉位置并且在該第二測試期間保持該擋板于該開啟位置。
20.如權(quán)利要求12所述的方法，其還包括在進行該第一與該第二測試后于該晶圓上形成至少一材料層。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，一或多個后端層是形成于該晶圓上，各后端層都包含形成于一層電性絕緣材料中的多個導(dǎo)電線。
22.如權(quán)利要求 12所述的方法，其特征在于，該晶圓還包括多個第二半導(dǎo)體裝置，以及其中對于各該第二半導(dǎo)體裝置，該晶圓是經(jīng)定位以至于至少一部分相關(guān)第二半導(dǎo)體裝置是位于該照射區(qū)域中，進行所述相關(guān)第二半導(dǎo)體裝置的該第一測試，其中該擋板在該第一測試期間是保持于該關(guān)閉位置，以及進行所述相關(guān)第二半導(dǎo)體裝置的該第二測試，其中該擋板在至少一部分的該第二測試期間是保持于該開啟位置。
【文檔編號】G01R31/26GK103941173SQ201310511487
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2013年10月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月22日
【發(fā)明者】F·施賴特爾, E·帕夫拉特 申請人:格羅方德半導(dǎo)體公司