過電流偵測電路的制作方法
【專利摘要】一種過電流偵測電路，包括一放大電路及一比較電路，所述比較電路包括一比較器，所述放大電路連接一位于一回路中的檢測電阻的兩端，所述放大電路用于放大所述檢測電阻的兩端的一輸出電壓并將所述輸出電壓輸送給所述比較器的反向輸入端，所述比較器的正向輸入端用于接收一設(shè)置電壓，所述比較器用于在所述設(shè)置電壓小于所述輸出電壓時(shí)輸出一控制電壓。所述過電流偵測電路用于偵測流經(jīng)所述檢測電阻的電流。
【專利說明】過電流偵測電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種偵測電路，特別是一種過電流偵測電路。

【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)在的電子設(shè)備中，一般都有過電流偵測系統(tǒng)，并且在偵測到有有電流時(shí)啟動(dòng)一 保護(hù)IC來實(shí)現(xiàn)過電流時(shí)對(duì)電子設(shè)備的保護(hù)，其工作原理一般是通過檢測電路中的電流或 電壓，將檢測到的電流值與設(shè)定值（即過電流保護(hù)闊值）進(jìn)行比較，如果檢測到的電流值大 于預(yù)設(shè)值，則發(fā)出控制信號(hào)使開關(guān)斷開，達(dá)到對(duì)電路的保護(hù)?，F(xiàn)行的一種過流保護(hù)偵測中， 通過檢測流經(jīng)一連接于一器件的檢測電阻的電壓，并通過放大電路將所述檢測電阻的電壓 放大后傳送至一嵌入式控制器使所述嵌入式控制器判斷是否產(chǎn)生過電流并在產(chǎn)生過電流 時(shí)做相應(yīng)的處理，所述嵌入式控制器在判斷及處理的過程中耗時(shí)而無法達(dá)到有效的反應(yīng)及 保護(hù)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 鑒于W上內(nèi)容，有必要提供一種有效的過電流偵測電路。
[0004] 一種過電流偵測電路，包括一放大電路及一比較電路，所述比較電路包括一比較 器，所述放大電路連接一位于一回路中的檢測電阻的兩端，所述放大電路用于放大所述檢 測電阻的兩端的一輸出電壓并將所述輸出電壓輸送給所述比較器的反向輸入端，所述比較 器的正向輸入端用于接收一設(shè)置電壓，所述比較器用于在所述設(shè)置電壓小于所述輸出電壓 時(shí)輸出一控制電壓。
[0005] -實(shí)施例中，所述放大電路包括一放大器，所述放大器的正向輸入端分別通過一 第一電阻連接所述檢測電阻的一端及通過一第二電阻接地，所述放大器的反向輸入端通過 一第H電阻連接所述檢測電阻的另一端，所述放大器的輸出端通過一第四電阻連接所述比 較器的反向輸入端。
[0006] 一實(shí)施例中，所述第一電阻的電阻值等于所述第H電阻的電阻值，所述第二電阻 的電阻值等于所述第四電阻的電阻值。
[0007] -實(shí)施例中，所述比較器的正向輸入端連接相互串聯(lián)的兩個(gè)電阻的公共端，所述 的相互串聯(lián)的兩個(gè)電阻分別連接于所述公共端與地之間及所述公共端與一第一供電單元 之間。
[0008] -實(shí)施例中，所述第一供電單元為一直流電源。
[0009] -實(shí)施例中，所述比較器的正向輸入端還通過一晶體管連接一電源適配器，所述 電源適配器用于連接一交流電源，所述電源適配器連接所述晶體管的導(dǎo)通端，所述晶體管 的第一連接端連接所述比較器的正向輸入端，所述晶體管的第二連接端通過一電阻接地。
[0010] 一實(shí)施例中，所述晶體管為一 N溝道增強(qiáng)型MOS陽T，所述晶體管的導(dǎo)通端為所述 晶體管的柵極，所述晶體管的第一連接端為所述晶體管的漏極，所述晶體管的第二連接端 為所述晶體管的源極。
[0011] 一實(shí)施例中，所述放大器的輸出端通過一第五電阻連接所述比較器的反向輸入 玉山 乂而。
[0012] 一實(shí)施例中，所述比較器的反向輸入端通過一電容接地。
[0013] 一實(shí)施例中，所述比較器的輸出端連接所述系統(tǒng)模塊。
[0014] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，所述過電流偵測電路中，所述放大電路放大所述檢測電阻的兩 端的電壓差將所述輸出電壓輸送給所述比較器的反向輸入端，所述比較器通過比較所述設(shè) 置電壓小于所述輸出電壓后而輸出一控制電壓，所述過電流偵測電路用于偵測流經(jīng)所述檢 測電阻的電流。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015] 圖1是本發(fā)明過電流偵測電路的一較佳實(shí)施方式的原理圖。
[0016] 圖2是本發(fā)明過電流偵測電路的一較佳實(shí)施方式的電路連接圖。
[0017] 主要元件符號(hào)說明

【權(quán)利要求】
1. 一種過電流偵測電路，包括一放大電路及一比較電路，所述比較電路包括一比較器， 所述放大電路連接一位于一回路中的檢測電阻的兩端，所述放大電路用于放大所述檢測電 阻的兩端的一輸出電壓并將所述輸出電壓輸送給所述比較器的反向輸入端，所述比較器的 正向輸入端用于接收一設(shè)置電壓，所述比較器用于在所述設(shè)置電壓小于所述輸出電壓時(shí)輸 出一控制電壓。
2. 如權(quán)利要求1所述的過電流偵測電路，其特征在于：所述放大電路包括一放大器，所 述放大器的正向輸入端分別通過一第一電阻連接所述檢測電阻的一端及通過一第二電阻 接地，所述放大器的反向輸入端通過一第三電阻連接所述檢測電阻的另一端，所述放大器 的輸出端通過一第四電阻連接所述比較器的反向輸入端。
3. 如權(quán)利要求2所述的過電流偵測電路，其特征在于：所述第一電阻的電阻值等于所 述第三電阻的電阻值，所述第二電阻的電阻值等于所述第四電阻的電阻值。
4. 如權(quán)利要求1所述的過電流偵測電路，其特征在于：所述比較器的正向輸入端連接 相互串聯(lián)的兩個(gè)電阻的公共端，所述的相互串聯(lián)的兩個(gè)電阻分別連接于所述公共端與地之 間及所述公共端與一第一供電單元之間。
5. 如權(quán)利要求4所述的過電流偵測電路，其特征在于：所述第一供電單元為一直流電 源。
6. 如權(quán)利要求1所述的過電流偵測電路，其特征在于：所述比較器的正向輸入端還通 過一晶體管連接一電源適配器，所述電源適配器用于連接一交流電源，所述電源適配器連 接所述晶體管的導(dǎo)通端，所述晶體管的第一連接端連接所述比較器的正向輸入端，所述晶 體管的第二連接端通過一電阻接地。
7. 如權(quán)利要求6所述的過電流偵測電路，其特征在于：所述晶體管為一 N溝道增強(qiáng)型 MOSFET，所述晶體管的導(dǎo)通端為所述晶體管的柵極，所述晶體管的第一連接端為所述晶體 管的漏極，所述晶體管的第二連接端為所述晶體管的源極。
8. 如權(quán)利要求2所述的過電流偵測電路，其特征在于：所述放大器的輸出端通過一第 五電阻連接所述比較器的反向輸入端。
9. 如權(quán)利要求1所述的過電流偵測電路，其特征在于：所述比較器的反向輸入端通過 一電容接地。
10. 如權(quán)利要求1所述的過電流偵測電路，其特征在于：所述比較器的輸出端連接所述 系統(tǒng)模塊。
【文檔編號(hào)】G01R19/165GK104237612SQ201310233607
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年6月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月14日
【發(fā)明者】曾祥賓, 李民偉 申請人:鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司