配線缺陷檢測方法和配線缺陷檢測裝置、以及半導(dǎo)體基板的制造方法
【專利摘要】在本發(fā)明的一方式的配線缺陷檢測方法中，在預(yù)先設(shè)定的幀數(shù)閾值內(nèi)，缺陷部的溫度上升值超過溫度上升閾值的情況下，能判斷為對應(yīng)的像素有缺陷。本發(fā)明的配線缺陷檢測裝置具備測量半導(dǎo)體基板的溫度并將其圖像化的溫度測量圖像化部。
【專利說明】配線缺陷檢測方法和配線缺陷檢測裝置、以及半導(dǎo)體基板的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及適于形成于液晶面板和太陽能電池面板等半導(dǎo)體基板的配線的缺陷檢測的配線缺陷檢測方法和配線缺陷檢測裝置、以及半導(dǎo)體基板的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]作為半導(dǎo)體基板的一例，例如，液晶面板的制造工藝大致劃分為陣列(TFT)工序、單元(液晶)工序以及模塊工序。其中，在陣列工序中，在透明基板上形成柵極電極、半導(dǎo)體膜、源極/漏極電極、保護(hù)膜以及透明電極后進(jìn)行陣列檢測，檢測有無電極或者配線等配線的短路。
[0003]通常，在陣列檢測中，通過使探測器與配線的端部接觸，測量配線兩端的電阻或者相鄰的配線間的電阻和電容來確定這樣的缺陷。然而，在陣列檢測中，即使能檢測到有無配線部的缺陷，也不容易確定該缺陷的位置。
[0004]例如，作為改善上述問題、確定缺陷的位置的方法，有采用對漏電缺陷基板施加電壓使其發(fā)熱，利用紅外線照相機(jī)拍攝漏電缺陷基板表面溫度的方式來確定缺陷位置的紅外線檢測。
[0005]專利文獻(xiàn)1涉及利用紅外線圖像檢測基板的短路缺陷的紅外線檢測，通過使用施加電壓前后的基板的紅外線圖像的差分圖像，能檢測出發(fā)熱的配線并確定缺陷位置。
[0006]另外在專利文獻(xiàn)2中也公開了采用紅外線照相機(jī)的故障診斷方法。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)1:日本公開專利公報(bào)“特開平06-207914號公報(bào)(
【公開日】:1994年7月26 日)，，
[0010]專利文獻(xiàn)2:日本公開專利公報(bào)“特開平04-348266號公報(bào)(
【公開日】:1992年12月3 日)，，

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]發(fā)明要解決的問題
[0012]然而，當(dāng)使用專利文獻(xiàn)1和2的技術(shù)時(shí)，在沒有獲得足夠的溫度變化的低發(fā)熱缺陷的情況下，有可能即使比較缺陷部(發(fā)熱的配線部)和背景部(不發(fā)熱的配線部和基板上的配線部以外的部分)的紅外線圖像的差分圖像也不會產(chǎn)生明確的對比度的差。該情況下，進(jìn)行該差分圖像的2值化的結(jié)果是不能使缺陷部和背景部充分地分離，確定缺陷部是困難的。
[0013]本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供通過對到半導(dǎo)體基板(漏電缺陷基板)的發(fā)熱為止的時(shí)間(幀數(shù))和溫度上升值設(shè)定閾值，能與缺陷部的發(fā)熱量(紅外線圖像的強(qiáng)度)無關(guān)地高精度地檢測基板上的缺陷部的方法和裝置、以及基板的制造方法。[0014]用于解決問題的方案
[0015]因此，為了解決上述問題，本發(fā)明的配線缺陷檢測方法的特征在于，包含:
[0016]電壓施加工序，對形成于半導(dǎo)體基板的配線施加規(guī)定的電壓；
[0017]測量工序，使用紅外線照相機(jī)在一定時(shí)間連續(xù)地測量在上述電壓施加工序中施加了電壓的半導(dǎo)體基板的至少一部分區(qū)域的溫度；
[0018]判斷工序，判斷從在上述測量工序中測量出的溫度值減去施加該電壓前的該半導(dǎo)體基板的溫度值而導(dǎo)出的溫度上升值是否在閾值以上；以及
[0019]缺陷判斷工序，在上述判斷工序中判斷為閾值以上的情況下判斷為形成于上述區(qū)域的上述配線中有短路缺陷，在上述判斷工序中判斷為不到該閾值的情況下判斷為該配線中沒有短路缺陷。
[0020]根據(jù)上述構(gòu)成，即使由于缺陷是低發(fā)熱的，因此溫度變化不足，在使用紅外線圖像的差分圖像的缺陷檢測方法中難以判斷是否有缺陷的情況下，也能不使用依靠視覺的紅外線圖像而使用溫度上升值等數(shù)值數(shù)據(jù)來判斷，從而高精度地檢測缺陷。換句話說，能與缺陷的發(fā)熱量(紅外線圖像的強(qiáng)度)無關(guān)地高精度地檢測伴隨著半導(dǎo)體基板上的短路的缺陷。
[0021]另外，為了解決上述問題，本發(fā)明的配線缺陷檢測裝置的特征在于，具備:
[0022]電壓施加單元，其對形成于半導(dǎo)體基板的配線施加規(guī)定的電壓；
[0023]紅外線照相機(jī)，其測量上述半導(dǎo)體基板的溫度；
[0024]測量單元，其使上述紅外線照相機(jī)在一定時(shí)間連續(xù)地測量上述半導(dǎo)體基板的溫度；
[0025]判斷單元，其從由上述測量單元得到的溫度值減去施加該電壓前的該半導(dǎo)體基板的溫度值而導(dǎo)出溫度上升值，判斷導(dǎo)出的溫度上升值是否在閾值以上；以及
[0026]缺陷判斷單元，其在上述判斷單元判斷為上述閾值以上的情況下判斷為上述配線中有短路缺陷，在上述判斷單元判斷為不到該閾值的情況下判斷為沒有該短路缺陷，
[0027]將上述測量單元、上述判斷單元以及上述缺陷判斷單元設(shè)置在控制部。
[0028]根據(jù)上述構(gòu)成，即使由于缺陷是低發(fā)熱的，因此溫度變化不足，在使用紅外線圖像的差分圖像的缺陷檢測方法中難以判斷是否有缺陷的情況下，也能不使用依靠視覺的紅外線圖像而使用溫度上升值等數(shù)值數(shù)據(jù)來判斷，從而高精度地檢測缺陷。換句話說，能與缺陷部的發(fā)熱量(紅外線圖像的強(qiáng)度)無關(guān)地高精度地檢測缺陷。
[0029]另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的制造方法的特征在于，包含:
[0030]半導(dǎo)體基板形成工序，在基板上形成柵極電極、源極電極以及漏極電極中的至少1種、與其連接的配線以及半導(dǎo)體膜，從而形成形成有該配線的半導(dǎo)體基板；
[0031]電壓施加工序，其對形成于上述半導(dǎo)體基板的上述配線施加規(guī)定的電壓；
[0032]測量工序，使用紅外線照相機(jī)在一定時(shí)間連續(xù)地測量在上述電壓施加工序中施加了電壓的半導(dǎo)體基板的至少一部分區(qū)域的溫度；
[0033]判斷工序，判斷從在上述測量工序中測量出的溫度值減去施加該電壓前的該半導(dǎo)體基板的溫度值而導(dǎo)出的溫度上升值是否在閾值以上；以及
[0034]缺陷判斷工序，在上述判斷工序中判斷為閾值以上的情況下判斷為形成于上述區(qū)域的上述配線中有短路缺陷，在上述判斷工序中判斷為不到該閾值的情況下判斷為該配線中沒有短路缺陷。[0035]發(fā)明效果
[0036]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的配線缺陷檢測方法和配線缺陷檢測裝置，即使由于缺陷是低發(fā)熱的，因此溫度變化不足，在使用紅外線圖像的差分圖像的缺陷檢測方法中難以判斷是否有缺陷的情況下，也能不使用依靠視覺的紅外線圖像而使用溫度上升值等數(shù)值數(shù)據(jù)來判斷，從而高精度地檢測基板上的缺陷部。換句話說，能與缺陷部的發(fā)熱量(紅外線圖像的強(qiáng)度)無關(guān)地高精度地檢測半導(dǎo)體基板上的缺陷部。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0037]圖1是示出本發(fā)明的實(shí)施方式的配線缺陷檢測裝置的構(gòu)成的框圖和示出具有液晶面板的母基板的構(gòu)成的立體圖。
[0038]圖2是示出本發(fā)明的實(shí)施方式的配線缺陷檢測裝置的構(gòu)成的立體圖。
[0039]圖3是本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶面板和探測器的俯視圖。
[0040]圖4是示出本發(fā)明的實(shí)施方式的配線缺陷檢測方法的流程圖。
[0041]圖5是示出本發(fā)明的實(shí)施方式的像素部的缺陷的示意圖。
[0042]圖6是制作算出本發(fā)明的實(shí)施方式的溫度上升閾值時(shí)的背景圖像的方法的概略圖。
[0043]圖7是示出本發(fā)明的實(shí)施方式的缺陷部的溫度變化曲線的圖。
[0044]圖8是示出本發(fā)明的實(shí)施方式的背景部的溫度變化曲線的圖。
[0045]圖9是示出本發(fā)明的實(shí)施方式中使用的短路路徑的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0046]參照圖1?圖8說明本發(fā)明的配線缺陷檢測裝置和配線缺陷檢測方法的一實(shí)施方式。
[0047]( 1)配線缺陷檢測裝置的構(gòu)成
[0048]圖1的(a)是示出本實(shí)施方式的配線缺陷檢測裝置100的構(gòu)成的框圖，圖1的(b)是使用配線缺陷檢測裝置100檢測配線缺陷的對象即母基板1 (半導(dǎo)體基板)的立體圖。
[0049]配線缺陷檢測裝置100能在形成于圖1的(b)中示出的母基板1上的多個液晶面板2 (半導(dǎo)體基板)中檢測配線等的缺陷。因此，如圖1的(a)所示，配線缺陷檢測裝置100具備用于與液晶面板2導(dǎo)通的探測器3和使探測器3在各液晶面板2上移動的探測器移動單元4。另外配線缺陷檢測裝置100具備用于獲取紅外線圖像的紅外線照相機(jī)5和使紅外線照相機(jī)5在液晶面板2上移動的照相機(jī)移動單元6。配線缺陷檢測裝置100還具備控制探測器移動單元4和照相機(jī)移動單元6的控制部7 (測量單元、判斷單元、缺陷判斷單元)。
[0050]上述探測器3連接著用于測量液晶面板2的配線間的電阻的電阻測量部8和用于在液晶面板2的配線間施加電壓的電壓施加部9 (電壓施加單元)。該電阻測量部8和電壓施加部9由控制部7控制。
[0051]上述控制部7與存儲配線間的電阻值和圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲部10連接。
[0052]圖2是示出本實(shí)施方式的配線缺陷檢測裝置100的構(gòu)成的立體圖。如圖2所示，配線缺陷檢測裝置100構(gòu)成為:在基臺上設(shè)置有對準(zhǔn)臺11，在對準(zhǔn)臺11上能載置母基板1。與探測器移動單元4和照相機(jī)移動單元6的XY坐標(biāo)軸平行地調(diào)整載置母基板1的對準(zhǔn)臺11的位置。此時(shí)，使用設(shè)置在對準(zhǔn)臺11的上方的、用于確認(rèn)母基板1的位置的光學(xué)照相機(jī)12來調(diào)整對準(zhǔn)臺11的位置。
[0053]上述探測器移動單元4能滑動地設(shè)置在配置于對準(zhǔn)臺11的外側(cè)的導(dǎo)軌13a上。另夕卜，在探測器移動單元4的主體側(cè)還設(shè)置有導(dǎo)軌13b和13c，安裝部14a設(shè)置為能沿著該導(dǎo)軌13在XYZ的各坐標(biāo)方向上移動。在該安裝部14a上搭載有與液晶面板2對應(yīng)的探測器3。
[0054]上述照相機(jī)移動單元6能滑動地設(shè)置在配置于探測器移動單元4的外側(cè)的導(dǎo)軌13d上。另外，在照相機(jī)移動單元6的主體上還設(shè)置有導(dǎo)軌13e和13f，3個部位的安裝部14b、14c以及14d能分別沿著該導(dǎo)軌13在XYZ的各坐標(biāo)方向上移動。
[0055]在本實(shí)施方式中，配線缺陷檢測裝置100中所具備的紅外線照相機(jī)5有2種。一種是宏觀測量用的紅外線照相機(jī)5a，另一種是微觀測量用的紅外線照相機(jī)5b。
[0056]宏觀測量用的紅外線照相機(jī)5a搭載于配線缺陷檢測裝置100的安裝部14c，微觀測量用的紅外線照相機(jī)5b搭載于安裝部14b，另外，光學(xué)照相機(jī)16搭載于安裝部14d。
[0057]宏觀測量用的紅外線照相機(jī)5a是能實(shí)現(xiàn)視場大到520 X 405mm程度的宏觀測量的紅外線照相機(jī)。為了擴(kuò)大視場，宏觀測量用的紅外線照相機(jī)5a例如由4臺紅外線照相機(jī)組合而構(gòu)成。即，每1臺宏觀測量用的紅外線照相機(jī)的視場為母基板1的大概1/4。
[0058]另外，微觀測量用的紅外線照相機(jī)5b是實(shí)現(xiàn)進(jìn)行視場小到32X24mm程度的高分辨率的拍攝的微觀測量的紅外線照相機(jī)。
[0059]此外，在照相機(jī)移動單元6上，能通過追加安裝部而搭載用于修正缺陷部位的激光照射裝置。通過搭載激光照射裝置，能在確定缺陷部的位置后通過對缺陷部照射激光而連續(xù)地進(jìn)行缺陷修正。
[0060]探測器移動單元4和照相機(jī)移動單元6分別設(shè)置在各自的導(dǎo)軌13a和13d上。因此，能使其在對準(zhǔn)臺11的上方在X坐標(biāo)方向上互不干擾地移動。由此，能在使探測器3與液晶面板2接觸的狀態(tài)下使紅外線照相機(jī)5a、5b和光學(xué)照相機(jī)16在液晶面板2上移動。
[0061]圖3 (a)是形成于母基板1的多個液晶面板2中的1個液晶面板2的俯視圖。如圖3 (a)所示，在各液晶面板2上形成有:在掃描線和信號線交叉的各交點(diǎn)形成有TFT的像素部17 ;以及分別驅(qū)動掃描線和信號線的驅(qū)動電路部18。在液晶面板2的邊緣部設(shè)置有端子部19a?19d，端子部19a?19d與像素部17或者驅(qū)動電路部18的配線連接。
[0062]此外該液晶面板2是通過在透明基板上形成柵極電極、半導(dǎo)體膜、源極電極、漏極電極、保護(hù)膜以及透明電極而制作的。下面舉一個例子來說明該液晶面板2的具體制造方法。
[0063]首先，在透明整個基板上通過濺射法按順序形成例如鈦膜、鋁膜以及鈦膜等金屬膜，之后，通過光刻法進(jìn)行圖案化，形成例如4000 A程度的厚度的柵極配線、柵極電極以及電容配線。
[0064]接著，在形成有柵極配線、柵極電極以及電容配線的整個基板上，通過例如等離子體CVD (Chemical Vapor Deposition:化學(xué)氣相沉積)法形成氮化娃膜等，形成厚度為
4000A程度的柵極絕緣膜。
[0065]而且，在形成有柵極絕緣膜的整個基板上，通過等離子體CVD法連續(xù)形成本征非晶硅膜和摻雜有磷的n+非晶硅膜。之后，通過光刻法在柵極電極上將該硅膜圖案化成島狀，形成厚度為2000 A程度的本征非晶硅層和厚度為500 A程度的n+非晶硅層層疊而成的半導(dǎo)體膜。
[0066]并且，在形成有上述半導(dǎo)體膜的整個基板上，在通過濺射法形成鋁膜和鈦膜等后，通過光刻法進(jìn)行圖案化，形成厚度分別為2000 A程度的源極配線、源極電極、導(dǎo)電膜、漏極電極。
[0067]接著，通過將源極電極和漏極電極作為掩模蝕刻上述半導(dǎo)體膜的n+非晶硅層，進(jìn)行圖案化，形成溝道部，從而形成TFT。
[0068]而且，在形成有TFT的整個基板上，通過旋涂法例如涂敷丙烯類感光性樹脂，經(jīng)由光掩模對該涂敷的感光性樹脂進(jìn)行曝光。之后，通過對上述曝光的感光性樹脂進(jìn)行顯影，在漏極電極上形成厚度為2 μ m?3 μ m程度的層間絕緣膜。接著，按各像素在層間絕緣膜中形成接觸孔。
[0069]接著，在層間絕緣膜上的整個基板上，通過濺射法形成ΙΤ0膜，之后，通過光刻法進(jìn)行圖案化，形成厚度為丨000 A程度的透明電極。
[0070]如上所述，能形成液晶面板2 (半導(dǎo)體基板)。
[0071]此外，以上的制造方法的一例能適用于母基板1 (半導(dǎo)體基板)，使用大型的透明基板，在形成多個(例如圖1 (b)中為8個)液晶面板的區(qū)域應(yīng)用上述各過程形成柵極電極等，在形成透明電極后，實(shí)施以下說明的配線缺陷檢查方法，對檢測到缺陷的產(chǎn)品進(jìn)行缺陷的修復(fù)，根據(jù)需要再次實(shí)施配線缺陷檢查方法而制造沒有缺陷的合格品，將沒有檢測到缺陷的產(chǎn)品在該時(shí)點(diǎn)作為合格品。并且，例如，作為后續(xù)工序，能使各液晶面板從母基板分離作為1個液晶面板而完成制造。缺陷修復(fù)不限于例如照射激光來切斷短路部分的方法。
[0072]圖3 (b)是用于與設(shè)置于液晶面板2的端子部19a?19d導(dǎo)通的探測器3 (電壓施加單元)的俯視圖。探測器3形成為與圖3 (a)中示出的液晶面板2的大小大致相同的大小的框狀的形狀，具備與設(shè)置于液晶面板2的端子部19a?19d對應(yīng)的多個探針21a?21d。
[0073]在多個探針21a?21d中，每次能將一根探針21經(jīng)由轉(zhuǎn)換繼電器(未圖示)單獨(dú)地與圖1的(a)中示出的電阻測量部8和電壓施加部9連接。因此，探測器3能與連接到端子部19a?19d的多條配線選擇性地連接，或者將多條配線集中在一起連接。
[0074]另外，探測器3形成為與液晶面板2大致相同的大小的框的形狀。因此，當(dāng)使端子部19a?19d和探針21a?21d的位置一致時(shí)，能使用光學(xué)照相機(jī)16從探測器3的框的內(nèi)側(cè)確認(rèn)該位置。
[0075]如上所述，本實(shí)施方式的配線缺陷檢測裝置100具備探測器3和與探測器3連接的電阻測量部8，通過使探測器3與液晶面板2導(dǎo)通，能測量后述的各配線的電阻值和相鄰配線間的電阻值等。
[0076]另外，本實(shí)施方式的配線缺陷檢測裝置100具備探測器3、與探測器3連接的電壓施加部9以及紅外線照相機(jī)5。并且，在經(jīng)由探測器3將電壓施加到液晶面板2的配線或者配線間前后，使用紅外線照相機(jī)5測量液晶面板2的溫度。
[0077]具體地說，在施加電壓前后使用紅外線照相機(jī)5以動態(tài)圖像拍攝液晶面板2。拍攝得到的動態(tài)圖像保存在數(shù)據(jù)存儲部10中。
[0078]在控制部7中對保存在數(shù)據(jù)存儲部10中的動態(tài)圖像進(jìn)行數(shù)據(jù)處理，算出每個像素的溫度值。該溫度值也保存在數(shù)據(jù)存儲部10中。
[0079]而且控制部7從保存在數(shù)據(jù)存儲部10中的施加電壓前的圖像和施加電壓后的圖像算出其差分圖像，按每個圖像化的數(shù)據(jù)的像素算出基于電壓施加產(chǎn)生的發(fā)熱的溫度上升值。由此，將該“圖像化的數(shù)據(jù)的像素”表現(xiàn)為“數(shù)據(jù)像素”。在算出的溫度上升值在預(yù)先設(shè)定的時(shí)間(幀數(shù))閾值內(nèi)超過預(yù)先設(shè)定的溫度上升閾值的情況下，判斷為在對應(yīng)的數(shù)據(jù)像素中包含缺陷。也就是說，確定為是缺陷部。關(guān)于該預(yù)先設(shè)定的時(shí)間(幀數(shù))閾值和預(yù)先設(shè)定的溫度上升閾值將后述。
[0080]以下，詳述使用具備這種構(gòu)成的本實(shí)施方式的配線缺陷檢測裝置100進(jìn)行的缺陷檢測。
[0081]特別是，在本實(shí)施方式的配線缺陷檢測裝置100中，能將1臺裝置兼用于電阻檢查和紅外線檢測。
[0082](2)配線缺陷檢測方法
[0083]圖4是使用本實(shí)施方式的配線缺陷檢測裝置100的配線缺陷檢測方法的流程圖。
[0084]在本實(shí)施方式的配線缺陷檢測方法中，通過步驟S1?步驟S21的步驟按順序?qū)π纬捎趫D1的(b)中示出的母基板1的多個液晶面板2實(shí)施配線缺陷檢測。
[0085]本實(shí)施方式的配線缺陷檢測方法包含:
[0086](i)電壓施加工序，對形成于液晶面板2的配線施加規(guī)定的電壓；
[0087](ii)測量工序，使用紅外線照相機(jī)5在一定時(shí)間連續(xù)地測量在電壓施加工序中施加了電壓的液晶面板2的至少一部分區(qū)域的溫度；
[0088](iii)判斷工序，判斷從在測量工序中測量出的溫度值減去施加電壓前的液晶面板2的溫度值而導(dǎo)出的溫度上升值是否在閾值以上；以及
[0089](iv)缺陷判斷工序，在上述判斷工序中判斷為閾值以上的情況下判斷為形成于上述區(qū)域的上述配線中有短路缺陷，在上述判斷工序中判斷為不到該閾值的情況下判斷為該配線中沒有短路缺陷。
[0090]以下，說明步驟S1?步驟S21的各步驟。
[0091]在步驟S1中，母基板1載置于圖2中示出的配線缺陷檢測裝置100的對準(zhǔn)臺11，以與XY坐標(biāo)軸平行的方式調(diào)整基板的位置。
[0092]在步驟S2中，利用圖2中示出的探測器移動單元4使探測器3在步驟S1中被調(diào)整了位置的母基板1的作為檢測對象的液晶面板2的上部移動，探針21a?21d與液晶面板2的端子部19a?19d接觸。
[0093]在步驟S3中，接著步驟S2，與各種缺陷的檢測模式對應(yīng)，選擇用于電阻檢查的配線或者配線間，進(jìn)行導(dǎo)通的探針21的切換。
[0094]在此，使用圖5 (a)?(c)說明各種缺陷的檢測模式。在圖5 (a)?(c)中，作為一例，示意性地示出在像素部17中產(chǎn)生的缺陷部23 (配線短路部)的位置。
[0095]圖5 (a)示出了例如在如掃描線和信號線那樣，配線X和配線Y上下地交叉的液晶面板中，在該交叉部分配線X和配線Y短路的缺陷部23。通過將導(dǎo)通的探針21切換到圖3中示出的21a和21d的組或者21b和21c的組，關(guān)于配線XI?X10和配線Y1?Y10以1對1地測量配線間的電阻值，能確定有無缺陷部23。
[0096]圖5 (b)示出了例如在掃描線和輔助電容線這樣的相鄰的配線X的配線間短路的缺陷部23。對于這樣的缺陷部23，通過將導(dǎo)通的探針21切換到第奇數(shù)條21b和第偶數(shù)條21d的組，測量配線XI?X10的相鄰的配線間的電阻值，能確定有缺陷部23的配線。
[0097]圖5 (c)示出了例如在信號線和輔助電容線這樣的相鄰的配線Y的配線間短路的缺陷部23。對于這樣的缺陷部23，通過將導(dǎo)通的探針21切換到第奇數(shù)條21a和第偶數(shù)條21c的組，測量配線Y1?Y10的相鄰的配線間的電阻值，能確定有缺陷部23的配線。
[0098]在步驟S4中，將在步驟S3中切換的探針21導(dǎo)通，測量并獲取被選擇的配線或者配線間的電阻值。獲取的電阻值存儲到數(shù)據(jù)存儲部10中。
[0099]在步驟S5中，比較在步驟S4中獲取的電阻值和預(yù)先存儲在數(shù)據(jù)存儲部10中的、沒有缺陷的面板(基準(zhǔn)面板)的配線或者配線間的電阻值。在此，在步驟S4中獲取的電阻值和預(yù)先存儲在數(shù)據(jù)存儲部10中的沒有缺陷的面板的配線或者配線間的電阻值相同的情況下，進(jìn)入步驟S20。在步驟S4中獲取的電阻值和沒有缺陷的面板的配線或者配線間的電阻值相同的情況下，能確定在該檢測模式下沒有缺陷。
[0100]另一方面，在步驟S5中，在步驟S4中獲取的電阻值和預(yù)先存儲在數(shù)據(jù)存儲部10中的沒有缺陷的面板的配線或者配線間的電阻值不相同的情況下，進(jìn)入步驟S6。在步驟S4中獲取的電阻值和預(yù)先存儲在數(shù)據(jù)存儲部10中的沒有缺陷的面板的配線或者配線間的電阻值不相同的情況下，能確定在該檢測模式下在配線或者配線間有可能存在缺陷。在有可能存在缺陷的情況下，需要進(jìn)行紅外線檢測。
[0101]例如，如圖5 (a)所示，在配線X和配線Y交叉的部位產(chǎn)生缺陷部23的情況下，通過配線間的電阻檢查，檢測到配線X4和配線Y4間有異常，因此能確定缺陷部23的位置。因此，在圖5 (a)中示出的缺陷部23的情況下，不一定需要通過紅外線檢測確定其位置(步驟S6)。也就是說，如果按配線X和配線Y的全部組合的每個進(jìn)行電阻檢查，也能確定位置，因此不需要紅外線檢測。但是，由于組合的數(shù)目龐大而需要很長時(shí)間。例如，在全高清用液晶面板的情況下，配線X為1080條，配線Y為1920條，因此全部組合大約為207萬。按每個這樣的組合進(jìn)行電阻檢查時(shí)，作業(yè)要花費(fèi)很長時(shí)間，大幅度降低檢測處理能力，這是不現(xiàn)實(shí)的。因此，通過將配線X和配線Y的全部組合歸結(jié)為幾個組合進(jìn)行電阻檢查，能削減電阻檢查次數(shù)。例如，如果在歸結(jié)為一個的配線X和歸結(jié)為一個的配線Y之間進(jìn)行電阻檢查,該電阻檢查次數(shù)僅為1次。然而，通過電阻檢查能檢測配線間的短路，但是不能確定位置。因此，需要通過紅外線檢測確定缺陷部23的位置。
[0102]另一方面，如圖5 (b)或者圖5 (c)那樣，在相鄰的配線間產(chǎn)生缺陷部23的情況下，能確定在一對配線，例如，配線X3和配線X4之間有缺陷部。但是，由于不能在該配線的長度方向確定缺陷部23的位置，因此需要通過紅外線檢測確定缺陷部23的位置。
[0103]由于相鄰的配線間的電阻檢查是龐大的數(shù)目，因此需要很長時(shí)間。例如，在全高清用液晶面板的情況下，相鄰的配線X間的電阻檢查次數(shù)為1079，相鄰的配線Y間的電阻檢查次數(shù)為1919。在圖5 (b)的情況這樣的相鄰的配線X間的電阻檢查的情況下，如果在全部的第奇數(shù)條X和全部的第偶數(shù)條X之間進(jìn)行電阻檢查，該電阻檢查次數(shù)僅為1次。在圖5 (c)的情況這樣的相鄰的配線Y間的電阻檢查的情況下，如果在全部的第奇數(shù)條Y和全部的第偶數(shù)條Y之間進(jìn)行電阻檢查，該電阻檢查次數(shù)僅為1次。然而，通過電阻檢查能檢測配線間的短路，但是不能確定位置。因此，需要通過紅外線檢測確定缺陷部23的位置。
[0104]因此，在步驟S6 (電壓施加工序)中，基于在步驟S4中存儲在數(shù)據(jù)存儲部10中的電阻值來設(shè)定在對液晶面板2的紅外線檢測中施加到配線的電壓值。
[0105]具體地說，在步驟S6 (電壓施加工序)中，將與在步驟S4中獲取的電阻值的平方根成比例的施加電壓V (伏特)施加到上述液晶面板2。即，在步驟S6中，將施加電壓V (伏特)設(shè)定為以下的式(1):
[0106][數(shù)1]
[0107]
V=lC(R)......(1)
[0108]其中，k:常數(shù)，R:電阻值(歐姆)
[0109]在此，每單位時(shí)間的發(fā)熱量J (焦耳)表示為以下的式(2):
[0110][數(shù)2]
[0111]J=ff X T=f f=V X I=I2 X r=v2/R......(2)
[0112]其中，W:消耗電力(瓦特)，T:時(shí)間(秒)，1:電流(安培)
[0113]因此根據(jù)上述式(1)和(2)，每單位時(shí)間的發(fā)熱量J表示為以下的式(3):
[0114][數(shù)3]
[0115]
J= V?/R=[ kxv..._(R)]2,/R= k?=1'll:定......(3)
[0116]即，基于式(1)，通過將與電阻值的平方根成比例的施加電壓V (伏特)施加到液晶面板2，能使每單位時(shí)間的發(fā)熱量恒定。
[0117]因此，由于基板的種類或者基板上的缺陷部23的產(chǎn)生位置等的短路原因，包含缺陷部23的短路路徑的電阻值大大地改變，但是如果進(jìn)行本實(shí)施方式的步驟S6，那么能使每單位時(shí)間的發(fā)熱量恒定。
[0118]在步驟S7 (測量工序)中，將以在步驟S6中設(shè)定的電壓值為基礎(chǔ)的電壓施加到液晶面板2前，使用紅外線照相機(jī)5讀入不發(fā)熱的液晶面板2的動態(tài)圖像。詳細(xì)而言，使用紅外線照相機(jī)5測量不發(fā)熱的液晶面板2的溫度，圖1中示出的控制部7將記錄測量到的溫度值數(shù)據(jù)的圖像數(shù)據(jù)讀入計(jì)算機(jī)存儲器，存儲到數(shù)據(jù)存儲部10中。
[0119]在步驟S8 (電壓施加工序，測量工序)中，首先將以在步驟S6中設(shè)定的電壓值為基礎(chǔ)的電壓施加到液晶面板2。并且，使用紅外線照相機(jī)5讀入由于施加電壓而發(fā)熱的液晶面板2的動態(tài)圖像。詳細(xì)而言，使用紅外線照相機(jī)5測量發(fā)熱的液晶面板2的溫度值，圖1中示出的控制部7將記錄測量的溫度值數(shù)據(jù)的圖像數(shù)據(jù)讀入計(jì)算機(jī)存儲器，存儲到數(shù)據(jù)存儲部10中。在此，通過控制部7控制電壓施加部9來進(jìn)行施加電壓的調(diào)整。
[0120]在步驟S9 (判斷工序)中，控制部7根據(jù)在步驟S7中讀入的電壓施加前的動態(tài)圖像算出溫度上升閾值。在此，參照圖6說明本實(shí)施方式的溫度上升閾值的算出方法。
[0121]如圖6所示，通過在電壓施加前的不發(fā)熱的液晶面板2的動態(tài)圖像(9幀份)的相鄰幀間對該動態(tài)圖像進(jìn)行差分并累計(jì)平均來制作背景圖像(附有符號(不是絕對值))，使用該背景圖像的直方圖的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差，將上述溫度上升閾值設(shè)定為以下的式(4):
[0122][數(shù)4]
[0123]溫度上升閾值=平均值+nX標(biāo)準(zhǔn)偏差……(4)[0124]其中，η是用戶指定的整數(shù)值
[0125]例如，將η設(shè)定得較大時(shí)，根據(jù)式(4)，溫度上升閾值較大，因此能削減背景噪聲。在本實(shí)施方式中，將η設(shè)定為4，算出溫度上升閾值，溫度上升閾值大約設(shè)定為0.1 (ΛΚ)。
[0126]然而，本發(fā)明不限于在式(4)中η = 4。
[0127]在步驟S10 (判斷工序)中，控制部7算出每個在步驟S7中讀入的電壓施加前的不發(fā)熱的液晶面板2的動態(tài)圖像的數(shù)據(jù)像素的基準(zhǔn)溫度值。在此，基準(zhǔn)溫度值是指與根據(jù)圖6中示出的方法制作的背景圖像對應(yīng)的溫度值。
[0128]在步驟S11 (判斷工序)中，控制部7算出每個由于施加在步驟S8中讀入的電壓而發(fā)熱的液晶面板2的動態(tài)圖像的數(shù)據(jù)像素的溫度上升值。在此，溫度上升值可從以下的式(5)
[0129][數(shù)5]
[0130]溫度上升值=施加電壓后的溫度-基準(zhǔn)溫度值……(5)
[0131]算出。
[0132]在步驟S12 (缺陷判斷工序)中，判斷在對液晶面板2施加電壓后的時(shí)間即幀數(shù)是否達(dá)到幀數(shù)閾值。在此，在判斷為對液晶面板2施加電壓后的幀數(shù)達(dá)到幀數(shù)閾值的情況下，進(jìn)入步驟S15，獲取此時(shí)的幀數(shù)。相反地，在判斷為對液晶面板2施加電壓后的幀數(shù)沒有達(dá)到幀數(shù)閾值的情況下，進(jìn)入下一步驟S13，對幀數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)。
[0133]在步驟S13 (缺陷判斷工序)中，對在施加電壓后從利用紅外線照相機(jī)5開始液晶面板2的溫度測量起的幀數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)。
[0134]在步驟S14 (缺陷判斷工序)中，判斷溫度上升值是否超過預(yù)先設(shè)定的溫度上升閾值。在此，在判斷為溫度上升值大于溫度上升閾值的情況下，進(jìn)入步驟S15，獲取此時(shí)的幀數(shù)。相反地，在判斷為溫度上升值在溫度上升閾值以下的情況下，返回步驟S12，再次判斷對液晶面板2施加電壓后的幀數(shù)是否達(dá)到幀數(shù)閾值。
[0135]在步驟S15 (缺陷判斷工序)中，獲取在步驟S13中計(jì)數(shù)的幀數(shù)。
[0136]在步驟S16 (缺陷判斷工序)中，判斷在步驟S15中獲取的幀數(shù)是否不到預(yù)先設(shè)定的幀數(shù)閾值。在此，在步驟S15中獲取的幀數(shù)不到預(yù)先設(shè)定的幀數(shù)閾值的情況下，進(jìn)入下一步驟S17 (缺陷判斷工序)，判斷為在對應(yīng)的數(shù)據(jù)像素中包含缺陷。也就是說，確定為是缺陷部。相反地，在步驟S15中獲取的幀數(shù)在預(yù)先設(shè)定的幀數(shù)閾值以上的情況下，進(jìn)入步驟S18(缺陷判斷工序)，判斷為在對應(yīng)的數(shù)據(jù)像素中不包含缺陷。也就是說，確定為是背景部。
[0137]此外，在是幀數(shù)閾值，但是例如對液晶面板2施加電壓后的時(shí)間的閾值設(shè)定為3秒的情況下，當(dāng)幀速率為25幀/秒時(shí)，幀數(shù)閾值為75幀。本實(shí)施方式的幀數(shù)閾值設(shè)定為該75幀。
[0138]然而，本發(fā)明不限于閾值為“3秒”，幀數(shù)閾值為“75”。
[0139]即，閾值能設(shè)為將上述直方圖的平均值加上標(biāo)準(zhǔn)偏差的整數(shù)倍的值而能得到的值。另外，閾值優(yōu)選為將上述直方圖的平均值加上標(biāo)準(zhǔn)偏差的2倍以上4倍以下的值而能得到的值。在低于2倍的情況下，不僅是缺陷，背景噪聲也被過度檢測，因此有缺陷和背景難以分離的趨勢，在超過4倍的情況下，有缺陷被背景埋沒而缺陷部的檢測變得困難的趨勢。
[0140]另外，在25fps的情況下，優(yōu)選幀數(shù)閾值為75幀以上、250幀以下的一定時(shí)間。在低于75幀的情況下，缺陷部`的溫度上升不足，缺陷和背景難以分離，當(dāng)超過250幀時(shí)，計(jì)算負(fù)荷變大(處理花費(fèi)時(shí)間)，因此作業(yè)時(shí)間變長。
[0141]在此，參照附圖沿著各步驟說明有無缺陷。
[0142]首先，參照示出缺陷部的溫度變化曲線的圖7。根據(jù)圖中的曲線可知，超過作為溫度上升閾值的0.1 ( ΔΚ)是在幀數(shù)大致為4的時(shí)候(S14和S15)。本實(shí)施方式的幀數(shù)閾值如上所述為75幀，因此可知比4大(S16)。因此，能判斷為在該數(shù)據(jù)像素中包含缺陷。也就是說，能確定為是缺陷部(S17)。
[0143]接著，參照示出背景部的溫度曲線變化的圖8。根據(jù)圖中的曲線可知，在哪個幀數(shù)都不超過溫度上升閾值的狀態(tài)下曲線達(dá)到幀數(shù)閾值(S14、S12以及S15)。也就是說，該情況下的幀數(shù)不會比幀數(shù)閾值“75”小(S16)。因此，能判斷為在該數(shù)據(jù)像素中不包含缺陷。也就是說，能確定為是背景部(S18)。
[0144]這樣，利用控制部10判斷各數(shù)據(jù)像素中有無缺陷。
[0145]在步驟S19中，判斷對于檢測中的液晶面板2的全部數(shù)據(jù)像素檢測是否結(jié)束。在此，在對于檢測中的液晶面板2的全部數(shù)據(jù)像素檢測沒有結(jié)束的情況下，返回步驟S11，對成為下一檢測對象的數(shù)據(jù)像素開始檢測，判斷有無缺陷。相反地，在對于檢測中的液晶面板2的全部數(shù)據(jù)像素檢測結(jié)束的情況下，進(jìn)入下一步驟S20。
[0146]在步驟S20中，判斷對于檢測中的液晶面板2在全部檢測模式下檢測是否結(jié)束。在此，在對于檢測中的液晶面板2在全部檢測模式下檢測沒有結(jié)束的情況下，返回步驟S3，以與下一檢測模式對應(yīng)的方式切換探測器3的連接，反復(fù)進(jìn)行缺陷檢測。相反地，在對于檢測中的液晶面板2在全部檢測模式下檢測結(jié)束的情況下，進(jìn)入下一步驟S21。
[0147]此外，作為上述檢測模式，示出了與圖5中所示那樣的缺陷部23的種類對應(yīng)的檢測方法(電壓的施加方法)。即，與圖5 (a)的配線X和配線Y的短路缺陷對應(yīng)的檢測方法，與圖5 (b)的配線X間的短路缺陷對應(yīng)的檢測方法，以及與圖5 (c)的配線Y間的短路缺陷對應(yīng)的檢測方法這3個檢測模式。
[0148]在步驟S21中，對于檢測中的母基板1，判斷全部液晶面板2的缺陷檢測是否結(jié)束。在此，在全部液晶面板2的缺陷檢測沒有結(jié)束的情況下，返回步驟S2，將探測器移動到作為下一檢測對象的液晶面板2，反復(fù)進(jìn)行缺陷檢測。相反地，在全部液晶面板2的缺陷檢測結(jié)束的情況下，結(jié)束配線缺陷檢測。
[0149](3)本實(shí)施方式的作用效果
[0150]根據(jù)本實(shí)施方式，在對液晶面板2施加電壓后，按液晶面板2的每個數(shù)據(jù)像素測量相對于時(shí)間的溫度值。并且，通過減去按每個數(shù)據(jù)像素預(yù)先算出的基準(zhǔn)溫度值，算出每個數(shù)據(jù)像素的溫度上升值。而且，通過對測量的時(shí)間(幀數(shù))和溫度上升值設(shè)定閾值，判斷為在該設(shè)定的時(shí)間閾值(幀數(shù)閾值)內(nèi)超過溫度上升閾值的數(shù)據(jù)像素中包含缺陷。也就是說，確定為是缺陷部。
[0151]另外，如果使用本實(shí)施方式的配線缺陷檢測方法和配線缺陷檢測裝置，即使由于缺陷是低發(fā)熱的，因此溫度變化不足，在使用紅外線圖像的差分圖像的缺陷檢測方法中難以判斷是否有缺陷的情況下，不使用依靠視覺的紅外線圖像而使用溫度上升值等數(shù)值數(shù)據(jù)來判斷，從而高精度地檢測基板上的缺陷部23。換句話說，能與缺陷部23的發(fā)熱量(紅外線圖像的強(qiáng)度)無關(guān)地高精度地檢測半導(dǎo)體基板上的缺陷部23。
[0152](4)變形例[0153]在本變形例中，使用與上述實(shí)施方式的裝置相同的裝置，施加電壓V (伏特)與實(shí)施方式不同，做以下設(shè)定。
[0154]在上述實(shí)施方式中，在步驟S6中，將與在步驟S4中獲取的電阻值的平方根成比例的施加電壓V (伏特)施加到液晶面板2。與此相對，在本變形例中，將與在步驟S4中獲取的電阻值成比例的施加電壓V (伏特)施加到液晶面板2 (圖1的(b)和圖2)。
[0155]具體地說，在本實(shí)施方式的步驟S6中，將施加電壓V (伏特)設(shè)定為以下的式(6):
[0156][數(shù)6]
[0157]V=mXR......(6)
[0158]其中，m:常數(shù)，R:電阻值(歐姆)
[0159]在此，電流I (安培)設(shè)為下式(7):
[0160][數(shù)7]
[0161]I=V/R= (mX R) /R=m......(7)
[0162]也就是說，通過適當(dāng)?shù)剡x定施加電壓，能使電流恒定。
[0163]在此，形成于基板的配線的電阻值R為下式(8):
[0164][數(shù)8]
[0165]R=p XL/A......(8)
[0166]其中，P:電阻率，L:配線長度(米)，A:截面積(平方米)
[0167]電阻率p和截面積A為根據(jù)配線的種類和位置而決定的常數(shù)。因此，每單位長度的配線的電阻值R/ L =P /A也是常數(shù)。即，按每個配線的種類和位置賦予的編號設(shè)為i時(shí)，配線i的每單位長度的電阻值r (i)表示為下式(9):
[0168][數(shù)9]
[0169]r(i) = p (i)/A(i) =恒定......(9)
[0170]其中，p⑴:配線i的電阻率，A⑴:配線i的截面積
[0171]因此，配線i的每單位長度的配線i的發(fā)熱量根據(jù)上述式(2)、(7)以及(9)設(shè)為下式(10):
[0172][數(shù)10]
[0173]W(i)=I2Xr (i)=m2Xr (i) =恒定......(10)
[0174]其中，W(i):配線i的發(fā)熱量
[0175]在此，圖9是用于說明短路路徑的圖，是薄膜晶體管基板的電的配線圖的一例。圖9的薄膜晶體管基板是在玻璃基板上掃描線(配線)31?35和信號線(配線)41?45配置成格子狀，在各交點(diǎn)連接有未圖示的薄膜晶體管和透明像素電極，整體形成5X5像素的基板。將該薄膜晶體管基板和未圖示的共用電極基板平行配置，其間封入液晶而成的裝置為液晶面板。另外，如圖9所示，利用共用線30將掃描線的各引出線31p?35p的頂端部共同連接到薄膜晶體管基板而防止靜電破壞。關(guān)于信號線也同樣。在圖9中示出的薄膜晶體管基板中，在掃描線33和信號線43之間，形成有短路部位50。在這樣的薄膜晶體管基板中，當(dāng)考慮短路路徑分為引出線33p —掃描線33 —短路部位50 —信號線43 —引出線43p的情況時(shí)，能使每單位長度的掃描線33和信號線43的發(fā)熱量分別恒定。
[0176]因此，與短路部位的電阻的大小無關(guān)，能通過預(yù)先適當(dāng)?shù)卦O(shè)定常數(shù)m，利用紅外線圖像穩(wěn)定地識別掃描線33和信號線43。[0177]并且，通過進(jìn)一步解析該識別的配線部分，確定掃描線33和信號線43短路的部分，能確定短路部位。假設(shè)在短路部位的電阻值高的情況下，短路部位的發(fā)熱量變大，因此能根據(jù)紅外線圖像容易地確定短路部位。
[0178]另外，要想基于配線的電阻值設(shè)定電壓，只要控制部7每次執(zhí)行計(jì)算上述式(1)至式(6)的處理即可。或者，只要將電阻值和電壓的關(guān)系預(yù)先做成表格并將其存儲，控制部7每次參照該表格根據(jù)電阻值確定電壓即可。
[0179]如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式的配線缺陷檢測方法和配線缺陷檢測裝置，與實(shí)施方式同樣，能利用紅外線圖像識別缺陷。
[0180]此外，本發(fā)明不限于上述各實(shí)施方式。本領(lǐng)域技術(shù)人員在權(quán)利要求示出的范圍內(nèi)能對本發(fā)明做各種變更。即，在權(quán)利要求示出的范圍內(nèi)，如果將適當(dāng)變更的技術(shù)的單元組合，可得到新的實(shí)施方式。即，說明書中的具體的實(shí)施方式畢竟是表示本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，不應(yīng)狹義地解釋為僅限于這樣的具體例，在本發(fā)明的精神和所記載的權(quán)利要求范圍內(nèi)，能做各種變更而實(shí)施。
[0181](本發(fā)明的總結(jié))
[0182]本發(fā)明的配線缺陷檢測方法的特征在于，包含:
[0183]電壓施加工序，對形成于半導(dǎo)體基板的配線施加規(guī)定的電壓；
[0184]測量工序，使用紅外線照相機(jī)在一定時(shí)間連續(xù)地測量在上述電壓施加工序中施加了電壓的半導(dǎo)體基板的至少一部分區(qū)域的溫度；
[0185]判斷工序，判斷從在上述測量工序中測量出的溫度值減去施加該電壓前的該半導(dǎo)體基板的溫度值而導(dǎo)出的溫度上升值是否在閾值以上；以及
[0186]缺陷判斷工序，在上述判斷工序中判斷為閾值以上的情況下判斷為形成于上述區(qū)域的上述配線中有短路缺陷，在上述判斷工序中判斷為不到該閾值的情況下判斷為該配線中沒有短路缺陷。
[0187]根據(jù)上述構(gòu)成，即使由于缺陷是低發(fā)熱的，因此溫度變化不足，在使用紅外線圖像的差分圖像的缺陷檢測方法中難以判斷是否有缺陷的情況下，也能不使用依靠視覺的紅外線圖像而使用溫度上升值等數(shù)值數(shù)據(jù)來判斷，從而高精度地檢測缺陷。換句話說，能與缺陷的發(fā)熱量(紅外線圖像的強(qiáng)度)無關(guān)地高精度地檢測伴隨著半導(dǎo)體基板上的短路的缺陷。
[0188]另外，優(yōu)選本發(fā)明的配線缺陷檢測方法除了上述構(gòu)成以外，
[0189]在上述判斷工序中使用的上述閾值是使用通過在相鄰幀間對動態(tài)圖像進(jìn)行差分并累計(jì)平均而制作的背景圖像的直方圖的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差，將該平均值加上該標(biāo)準(zhǔn)偏差的整數(shù)倍的值而得到的，上述相鄰幀是利用紅外線照相機(jī)在一定時(shí)間連續(xù)地拍攝施加上述電壓前的上述半導(dǎo)體基板而得到的上述動態(tài)圖像的相鄰幀。
[0190]由此，通過適當(dāng)?shù)卦O(shè)定上述整數(shù)能得到適當(dāng)?shù)纳鲜鲩撝?，能適當(dāng)?shù)叵鳒p背景噪聲，因此也能高精度地檢測缺陷。
[0191]另外，優(yōu)選本發(fā)明的配線缺陷檢測方法除了上述構(gòu)成以外，
[0192]在上述電壓施加工序中，測量上述配線的電阻值，施加基于測量出的電阻值確定的電壓，使該配線發(fā)熱。
[0193]根據(jù)上述構(gòu)成，將基于通過電阻檢查事前獲取的電阻值而確定的電壓施加到半導(dǎo)體基板(漏電缺陷基板)，由此施加電壓不會過高而燒斷包含短路缺陷的配線。[0194]更具體地說，上述閾值能將上述平均值加上上述標(biāo)準(zhǔn)偏差的2倍以上4倍以下的值而得到。
[0195]由此，通過以上述方式設(shè)定上述整數(shù)能獲得最適合的上述溫度上升閾值，能最適當(dāng)?shù)叵鳒p背景噪聲，因此也能高精度地檢測缺陷。
[0196]另外，更具體地說，在25fps (frames per second:每秒巾貞數(shù))的情況下，上述一定時(shí)間能為75幀以上、250幀以下。
[0197]由此，通過以上述方式設(shè)定上述幀數(shù)閾值，能使半導(dǎo)體基板上的背景部和缺陷部最適當(dāng)?shù)胤蛛x，也能高精度地檢測缺陷。
[0198]另外，本發(fā)明的配線缺陷檢測裝置的特征在于，具備:
[0199]電壓施加單元，其對形成于半導(dǎo)體基板的配線施加規(guī)定的電壓；
[0200]紅外線照相機(jī)，其測量上述半導(dǎo)體基板的溫度；
[0201]測量單元，其使上述紅外線照相機(jī)在一定時(shí)間連續(xù)地測量上述半導(dǎo)體基板的溫度；
[0202]判斷單元，其從由上述測量單元得到的溫度值減去施加該電壓前的該半導(dǎo)體基板的溫度值而導(dǎo)出溫度上升值，判斷導(dǎo)出的溫度上升值是否在閾值以上；以及
[0203]缺陷判斷單元，其在上述判斷單元判斷為上述閾值以上的情況下判斷為上述配線中有短路缺陷，在上述判斷單元判斷為不到該閾值的情況下判斷為沒有該短路缺陷，
[0204]將上述測量單元、上述判斷單元以及上述缺陷判斷單元設(shè)置在控制部。
[0205]根據(jù)上述構(gòu)成，即使由于缺陷是低發(fā)熱的，因此溫度變化不足，在使用紅外線圖像的差分圖像的缺陷檢測方法中難以判斷是否有缺陷的情況下，也能不使用依靠視覺的紅外線圖像而使用溫度上升值等數(shù)值數(shù)據(jù)來判斷，從而高精度地檢測缺陷。換句話說，能與缺陷部的發(fā)熱量(紅外線圖像的強(qiáng)度)無關(guān)地高精度地檢測缺陷。
[0206]另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體基板的制造方法的特征在于，包含:
[0207]半導(dǎo)體基板形成工序，在基板上形成柵極電極、源極電極以及漏極電極中的至少1種、與其連接的配線以及半導(dǎo)體膜，從而形成形成有該配線的半導(dǎo)體基板；
[0208]電壓施加工序，其對形成于上述半導(dǎo)體基板的上述配線施加規(guī)定的電壓；
[0209]測量工序，使用紅外線照相機(jī)在一定時(shí)間連續(xù)地測量在上述電壓施加工序中施加了電壓的半導(dǎo)體基板的至少一部分區(qū)域的溫度；
[0210]判斷工序，判斷從在上述測量工序中測量出的溫度值減去施加該電壓前的該半導(dǎo)體基板的溫度值而導(dǎo)出的溫度上升值是否在閾值以上；以及
[0211]缺陷判斷工序，在上述判斷工序中判斷為閾值以上的情況下判斷為形成于上述區(qū)域的上述配線中有短路缺陷，在上述判斷工序中判斷為不到該閾值的情況下判斷為該配線中沒有短路缺陷。
[0212]工業(yè)h的可利用件
[0213]本發(fā)明能用于液晶面板等具有配線的半導(dǎo)體基板的配線狀態(tài)的檢測。
[0214]附圖標(biāo)記說明
[0215]1 母基板(半導(dǎo)體基板)
[0216]2 液晶面板(半導(dǎo)體基板)
[0217]3 探測器(電壓施加單元)[0218]4 探測器移動單元
[0219]5、5a、5b 紅外線照相機(jī)
[0220]6 照相機(jī)移動單元
[0221]7 控制部(測量單元、判斷單元、缺陷判斷單元)
[0222]8 電阻測量部
[0223]9 電壓施加部(電壓施加單元)
[0224]10數(shù)據(jù)存儲部
[0225]11 對準(zhǔn)臺
[0226]12、16光學(xué)照相機(jī)
[0227]13a、13b、13c、13d、13e、13f 導(dǎo)軌
[0228]14a、14b、14d、14d 安裝部
[0229]17像素部
[0230]18驅(qū)動電路部
[0231]19a、19b、19c、19d 端子部
[0232]21a、21b、21c、21d 探測器部
[0233]23缺陷部(配線短路部)
[0234]30、40a、40b 共用線
[0235]31、32、33、34、35 掃描線
[0236]31p、32p、33p、34p、35p 掃描線引出線
[0237]41、42、43、44、45 信號線
[0238]41p、42p、43p、44p、45p 信號線引出線
[0239]50短路部位
[0240]100配線缺陷檢測裝置
【權(quán)利要求】
1.一種配線缺陷檢測方法，其特征在于，包含:電壓施加工序，對形成于半導(dǎo)體基板的配線施加規(guī)定的電壓；測量工序，使用紅外線照相機(jī)在一定時(shí)間連續(xù)地測量在上述電壓施加工序中施加了電壓的半導(dǎo)體基板的至少一部分區(qū)域的溫度；判斷工序，判斷從在上述測量工序中測量出的溫度值減去施加該電壓前的該半導(dǎo)體基板的溫度值而導(dǎo)出的溫度上升值是否在閾值以上；以及缺陷判斷工序，在上述判斷工序中判斷為閾值以上的情況下判斷為形成于上述區(qū)域的上述配線中有短路缺陷，在上述判斷工序中判斷為不到該閾值的情況下判斷為該配線中沒有短路缺陷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線缺陷檢測方法，其特征在于，在上述判斷工序中使用的上述閾值是使用通過在相鄰幀間對動態(tài)圖像進(jìn)行差分并累計(jì)平均而制作的背景圖像的直方圖的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差，將該平均值加上該標(biāo)準(zhǔn)偏差的整數(shù)倍的值而得到的，上述相鄰幀是利用紅外線照相機(jī)在一定時(shí)間連續(xù)地拍攝施加上述電壓前的上述半導(dǎo)體基板而得到的上述動態(tài)圖像的相鄰幀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的配線缺陷檢測方法，其特征在于，在上述電壓施加工序中，測量上述配線的電阻值，施加基于測量出的電阻值確定的電壓，使該配線發(fā)熱。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的配線缺陷檢測方法，其特征在于，上述閾值是將上述平均值加上上述標(biāo)準(zhǔn)偏差的2倍以上4倍以下的值而得到的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~3中的任一項(xiàng)所述的配線缺陷檢測方法，其特征在于，在25fps的情況下，上述一定時(shí)間為75幀以上、250幀以下。
6.一種配線缺陷檢測裝置，其特征在于，具備:電壓施加單元，其對形成于半導(dǎo)體基板的配線施加規(guī)定的電壓；紅外線照相機(jī)，其測量上述半導(dǎo)體基板的溫度；測量單元，其使上述紅外線照相機(jī)在一定時(shí)間連續(xù)地測量上述半導(dǎo)體基板的溫度；判斷單元，其從由上述測量單元得到的溫度值減去施加該電壓前的該半導(dǎo)體基板的溫度值而導(dǎo)出溫度上升值，判斷導(dǎo)出的溫度上升值是否在閾值以上；以及缺陷判斷單元，其在上述判斷單元判斷為上述閾值以上的情況下判斷為上述配線中有短路缺陷，在上述判斷單元判斷為不到該閾值的情況下判斷為沒有該短路缺陷，將上述測量單元、上述判斷單元以及上述缺陷判斷單元設(shè)置在控制部。
7.一種半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于，包含:半導(dǎo)體基板形成工序，在基板上形成柵極電極、源極電極以及漏極電極中的至少1種、與其連接的配線以及半導(dǎo)體膜，從而形成形成有該配線的半導(dǎo)體基板；電壓施加工序，其對形成于上述半導(dǎo)體基板的上述配線施加規(guī)定的電壓；測量工序，使用紅外線照相機(jī)在一定時(shí)間連續(xù)地測量在上述電壓施加工序中施加了電壓的半導(dǎo)體基板的至少一部分區(qū)域的溫度；判斷工序，判斷從在上述測量工序中測量出的溫度值減去施加該電壓前的該半導(dǎo)體基板的溫度值而導(dǎo)出的溫度上升值是否在閾值以上；以及缺陷判斷工序，在上述判斷工序中判斷為閾值以上的情況下判斷為形成于上述區(qū)域的上述配線中有短路缺陷， 在上述判斷工序中判斷為不到該閾值的情況下判斷為該配線中沒有短路缺陷。
【文檔編號】G01N25/72GK103733055SQ201280039453
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2012年8月30日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月31日
【發(fā)明者】狩田裕史 申請人:夏普株式會社