專(zhuān)利名稱(chēng)：校正光源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及校正光源，尤其涉及使用了 LED情況下的校正光源(LED代表Light Emitting Diode，發(fā)光二極管)。
背景技術(shù)：
除了其他的以外，校正光源可用于光或輻射測(cè)量?jī)x表(如頻譜儀、亮度計(jì)或輻射計(jì)等等)的絕對(duì)校正。已知的是，將電流與溫度穩(wěn)定的參考LED用作校正光源。LED可發(fā)射可見(jiàn)、紅外或紫外波長(zhǎng)范圍內(nèi)的輻射。設(shè)置在電路板上的半導(dǎo)體芯片提供LED之輻射的產(chǎn)生?；谟糜诎雽?dǎo)體的材料的不同物理特性，可以設(shè)置所需的波長(zhǎng)。對(duì)校正光源的一個(gè)基本需求是輻射頻譜分布及強(qiáng)度的高穩(wěn)定性。目前只發(fā)現(xiàn)使用一般為約20mA的操作電流的所謂的標(biāo)準(zhǔn)LED。作為校正光源而所要求的LED的穩(wěn)定光功率，可通過(guò)一個(gè)恒定的電功率叫*;恥=前向電壓，而If=前向電流)而達(dá)成。因此，通常在電流饋入If上應(yīng)用一個(gè)穩(wěn)定的電源。作用于半導(dǎo)體芯片上的前向電壓Uf在LED的接點(diǎn)上被測(cè)量。因?yàn)樵诤愣娏鱅f下，LED的前向電壓Uf只隨溫度改變，故可通過(guò)對(duì)部件的溫度進(jìn)行控制而穩(wěn)定前向電壓Uf，并由此而穩(wěn)定所輻射的光功率。LED被驅(qū)動(dòng)時(shí)所處的工作點(diǎn)通常明顯高于環(huán)境溫度，為約40°C。就約40°C的芯片溫度而言，在目前所用的標(biāo)準(zhǔn)LED中，所述部件必須被加熱。為了所述的穩(wěn)定，通常使用加熱電阻、加熱二極管等形式的加熱組件。 經(jīng)由前向電壓Uf的測(cè)量及加熱功率的對(duì)應(yīng)調(diào)整，部件及隨之的LED芯片被保持在一個(gè)恒定溫度上。上述校正光源的一個(gè)缺點(diǎn)在于可借助于所用的標(biāo)準(zhǔn)LED而獲得的光功率較小。為實(shí)現(xiàn)LED 的朗伯輻射特性(Lambertsche Abstrahlcharakteristik)，一個(gè)擴(kuò)散裝置作為一個(gè)蓋位于LED之前。此擴(kuò)散裝置嵌在一個(gè)用于保護(hù)校正光源免受環(huán)境影響的外殼中。然而，環(huán)境溫度亦影響校正光源所輻射的光功率與輻射頻譜(LED顏色)。因此，對(duì)于已知的校正光源，即使配合LED溫度的有效溫度控制，環(huán)境溫度的快速波動(dòng)仍無(wú)法足夠快速地得到補(bǔ)償，這導(dǎo)致校正光源在光照強(qiáng)度上的不為所需的時(shí)間波動(dòng)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的任務(wù)在于提供溫度穩(wěn)定的校正光源。本發(fā)明通過(guò)權(quán)利要求1的對(duì)象來(lái)完成此任務(wù)。從屬權(quán)利要求給出了優(yōu)選實(shí)施方案。


現(xiàn)在將參考附圖通過(guò)描述來(lái)更詳細(xì)地闡明本發(fā)明及其更多的特征及優(yōu)點(diǎn)，其中圖1為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)校正光源的示意圖；圖2示出圖1高功率LED區(qū)域之放大圖；圖3示出用于溫度控制的原理圖；以及
圖4示出高功率LED的一種替代實(shí)施方案的示意圖。
具體實(shí)施例方式圖1示出根據(jù)本發(fā)明的校正光源2的示意圖，該校正光源2具有一個(gè)外殼4。外殼4由彼此旋緊的一個(gè)前部和一個(gè)后部空心圓柱殼體部分6和8共同組成。術(shù)語(yǔ)“前部” 與“后部”的命定與輻射源產(chǎn)生的光束從殼體4中出來(lái)的光束方向相關(guān)。光束系指，例如， 通過(guò)一個(gè)對(duì)應(yīng)光學(xué)及/或機(jī)械光束導(dǎo)引器所導(dǎo)向的在紅外、可見(jiàn)與紫外區(qū)域的輻射。前部殼體部份6的正面通過(guò)一個(gè)含有一個(gè)中央開(kāi)口 12的圓形表面10閉合。一個(gè)剛性出口撐持組件14突出穿過(guò)開(kāi)口 12，該剛性出口撐持組件具有優(yōu)選為封閉的、圓筒型的側(cè)壁(以及如果必要，可以有反射內(nèi)壁)以及一個(gè)前部光線(xiàn)出口 15，前部光線(xiàn)出口用作輻射源所產(chǎn)生的光束的出口。撐持組件14的后方的敞開(kāi)的末端被裝配在一個(gè)用于固定一個(gè)高功率LED 18 的裝配板22上，并將LED 18納于其中。在圖1示出的實(shí)施例中，一個(gè)擴(kuò)散裝置16處于光線(xiàn)出口 15中。擴(kuò)散裝置16為一個(gè)體積散射器(相對(duì)于表面散射器而言)，該體積散射器使光線(xiàn)盡可能地向外在所有空間方向上均質(zhì)地且優(yōu)選還以朗伯輻射特性進(jìn)行輻射。校正規(guī)則預(yù)先給出擴(kuò)散裝置16的輻射表面。在另一個(gè)未示出的實(shí)施例中，光線(xiàn)出口 15也可以是敞開(kāi)的，或是由其他對(duì)光束透明的物質(zhì)(例如，針對(duì)在可見(jiàn)波長(zhǎng)范圍中的光束，使用玻璃片)覆蓋。擴(kuò)散裝置16、敞開(kāi)的孔洞(或是其正面的內(nèi)緣)或其他透明物質(zhì)為離開(kāi)的光束(確切地說(shuō)，離高功率LED 18—段固定距離)限定出一個(gè)確切的光圈，并因而影響校正光源的輻射特性?？稍诎雽?dǎo)體輻射源 18與光線(xiàn)出口 15之間的輻射路徑中置放更多光學(xué)組件。所謂的高功率或高電流(High-Power或High-Current) LED 18為具有較高的供應(yīng)功率(在至少350毫安(mA)的工作電流及例如為1毫米(mm)的芯片邊長(zhǎng)下，該供應(yīng)功率典型地為至少1瓦特(Watt))的一個(gè)半導(dǎo)體輻射源，相較于僅能產(chǎn)生幾十毫流明的傳統(tǒng)LED， 其可產(chǎn)生數(shù)流明的光通量。高功率LED 18優(yōu)選用于下述目的提供足夠的光功率使能夠?qū)崿F(xiàn)光或輻射測(cè)量?jī)x表的校正。不過(guò)，所提供的電能，特別是在高功率LED下，只有一部分電能被轉(zhuǎn)換成光，其余電能必須以熱能排出。高功率LED下的明顯較高的功率密度使得部件的主動(dòng)或被動(dòng)冷卻成為必要。此外，LED的穩(wěn)定不能再通過(guò)更多熱能的輸入而實(shí)現(xiàn)。外殼4與撐持組件14由具有極低導(dǎo)熱系數(shù)的材料(例如合適的塑料)制成。擴(kuò)散裝置16可由一種燒結(jié)石英玻璃制成，其例如接合于撐持組件14的塑料材料中。取代擴(kuò)散裝置16，或是除了擴(kuò)散裝置16以外，可有未示于圖中的由玻璃、石英或其他光學(xué)透明材料所制成的一個(gè)光學(xué)透明窗坐落于光線(xiàn)出口 15中。在所示的實(shí)施形式中，帶有擴(kuò)散裝置16 的撐持組件14通過(guò)開(kāi)口 12從圓形表面10稍微向外突出，或者是，其亦可齊平地封住圓形表面10。在撐持組件14的圓柱形外壁與開(kāi)口 12的圓形內(nèi)緣之間為一個(gè)較小的環(huán)狀間隙 13，其容許外殼4之熱擴(kuò)散，而不使所述內(nèi)緣與撐持組件14有所接觸?？衫缫匀犴g的硅封墊來(lái)密封環(huán)狀間隙13，以封閉外殼4之內(nèi)部空間使其不受外界影響。其他方面，撐持組件 14未與該外殼4有任何機(jī)械式耦接，以避免受熱控制的長(zhǎng)度變化的傳遞。撐持組件14由此穿過(guò)外殼4而不受力，或可朝向外殼4自由移動(dòng)。環(huán)狀間隙13界定出介于外殼4與撐持組件14之間的一個(gè)距離，其以一種隔熱氣墊填滿(mǎn)(或許，可亦以另一種隔熱材料填滿(mǎn)環(huán)狀間隙中的空白空間，只要確保無(wú)機(jī)械式耦接及隨之而來(lái)的自由可移動(dòng)性時(shí)，從外殼4作用在撐持組件14上的力便微不足道)。此距離至少如此確定，即，使例如通過(guò)環(huán)境溫度波動(dòng)所控制的外殼4的長(zhǎng)度變化不作用至撐持組件14上，且由此使撐持組件14連同其上所耦接的高功率LED 18與外殼4保持機(jī)械式的自由關(guān)系。這樣的無(wú)任何機(jī)械式耦接也即確保了，光線(xiàn)出口 15被定位在距離半導(dǎo)體輻射源 18—段固定距離處，并因而與之后所輻射之光束的距離亦為固定的。因此，從光線(xiàn)出口 15 到半導(dǎo)體輻射源18的距離即確定了用于從開(kāi)口 15輻射出的光束的開(kāi)口角度，并因而確定從開(kāi)口 15輻射出的光束。當(dāng)然，撐持組件14間接地懸于外殼4上，如下文中將詳細(xì)說(shuō)明的。因此，這樣無(wú)任何機(jī)械式耦接即考慮避免直接機(jī)械式耦接，并因而避免在這兩個(gè)組件之間的相關(guān)的直接的力傳遞，特別是在溫度變化的時(shí)候。在圖2的放大圖中，精確示出高功率LED 18的結(jié)構(gòu)與托架。LED芯片20設(shè)于一個(gè)特定的導(dǎo)熱電路板22 (例如金屬核心導(dǎo)體或陶瓷電路板)，上。可于LED芯片20上放置一個(gè)透鏡體對(duì)，其捆束在擴(kuò)散裝置16或光線(xiàn)出口 15方向中所產(chǎn)生的光線(xiàn)。接線(xiàn)^MfLED 芯片20與電路板22電氣式地連接，圖中未示出的連接導(dǎo)線(xiàn)從該電路板通向同樣未示于圖中的校正光源2的電接口。撐持組件14直接通過(guò)粘接將其下端與電路板22之頂端連接。 或者是，其可與電路板22間接連接，其中，其下端之內(nèi)緣側(cè)面固接在透鏡體M或LED芯片 20，或以其他方式，如間接地，固接在電路板22上。其主要用于，將從透鏡體M (或當(dāng)芯片體M不存在時(shí)，將LED芯片20)至光線(xiàn)出口 15或擴(kuò)散裝置16的距離維持固定，因?yàn)榇司嚯x會(huì)影響校正光源2的光通量或光強(qiáng)度。因?yàn)楦吖β蔐ED 18的電流密度比一般LED高20到50倍，所以接線(xiàn)沈的傳輸電阻可改變。因此，在某些情況，通常用作高功率LED 18的功率供給的，在高功率LED 18的電氣式接點(diǎn)上所測(cè)量的前向電壓并不適于作為用來(lái)穩(wěn)定高功率LED 18的控制變量。溫度被用作控制變量，如下文將要詳細(xì)說(shuō)明的，并被穩(wěn)定在一個(gè)常值上。因此，在恒定的供應(yīng)電流下，LED芯片20的ρ/η結(jié)的前向電壓降亦為恒定，且高功率LED 18的電和光功率(輻射出的光強(qiáng)度與輻射頻譜)被穩(wěn)定。前向電壓Uf為溫度與電流If的一個(gè)函數(shù)。在恒定電流下，對(duì)于前向電壓，一個(gè)典型的溫度系數(shù)為約-1. 5至-2. 5mV/K。因此，在較高溫度與恒定電流If下，前向電壓較低。故隨著LED芯片20的芯片溫度升高，所輻射的光功率降低。此外，其輻射頻譜(顏色)亦改變。所述溫度穩(wěn)定亦作為高功率LED 18的熱保護(hù)。在數(shù)瓦特(例如，在2A的最大工作電流下為5W)的電功率下，高功率LED 18既產(chǎn)生高的照明效率，也產(chǎn)生高升的損耗功率， 這導(dǎo)致LED芯片20的強(qiáng)熱化。為了避免LED芯片20的壽命減短或甚至是毀滅，這些損耗功率必須被排除。LED芯片20的熱緩和通過(guò)一個(gè)由銅-鋯(Kupfer-Zirkonium)制成的(或由其他導(dǎo)熱性好的材料所制成的)導(dǎo)熱性好的第一擋塊(Stempel)28實(shí)現(xiàn)，其前端固附于電路板 22的底側(cè)，而其后端固附于一個(gè)珀耳帖組件(PeltierelementMO的冷側(cè)邊。第一擋塊觀的高導(dǎo)熱性及配合其使用的珀耳帖組件30 (以例如數(shù)十瓦特的冷卻/加熱功率)使LED芯片20的所需溫度能在介于+5°C和+85°C之間的范圍內(nèi)快速調(diào)整，優(yōu)選的是，此范圍高于露點(diǎn)以避免露滴，尤其優(yōu)選的是，例如介于+25°C與+35°C之間，以及更為優(yōu)選的是，約+30°C。 在第一擋塊觀中，在電路板22的遠(yuǎn)離其承載面的下方嵌有一個(gè)溫度傳感器32，其位于銑削于第一擋塊觀內(nèi)的一個(gè)腔室中?；蛘呤?，溫度傳感器32可設(shè)在電路板22上方而直接與LED芯片20相鄰。其應(yīng)盡可能地接近LED芯片20旁而設(shè)置，以使其測(cè)量溫度與LED芯片 20的測(cè)量溫度一致。珀耳帖組件30的熱側(cè)邊固附于由銅-鋯制成的(或由其他導(dǎo)熱性好的材料所制成的)第二擋塊34的前端，其后端與具有加大的熱交換上表面的一個(gè)冷卻體36旋緊。第二擋塊34的后端藉由一個(gè)隔熱撐持裝置38而保持在前部殼體部分6的殼體內(nèi)壁上。因此， 由擴(kuò)散裝置16、撐持組件14、電路板22、LED芯片20、第一擋塊觀、珀耳帖組件30與第二擋塊34所構(gòu)成的整個(gè)配置僅通過(guò)這個(gè)撐持裝置38而與外殼4連接，并且因此，從環(huán)境溫度至此配置的熱傳導(dǎo)被強(qiáng)力地抑制。冷卻體36將其熱遞交給處于后部殼體部分8中的環(huán)境空氣上，其熱量由殼體部分 8的后部開(kāi)口端的一個(gè)通風(fēng)裝置40排散到外面的空氣。以這樣的措施，LED芯片20的損耗功率將有效地被轉(zhuǎn)移。第一擋塊觀的尺寸如此確定一方面使珀耳帖組件30的熱側(cè)邊要離LED芯片20 夠遠(yuǎn)，以使那兒所產(chǎn)生之熱能(相當(dāng)于數(shù)瓦特的所排出的損耗功率)保持在遠(yuǎn)離LED芯片之處，其另一方面又要離LED芯片20夠近，以使熱交換得以快速完成(優(yōu)選的是在毫秒范圍內(nèi))。為了溫度調(diào)節(jié)，如在圖3中示意性示出的，溫度傳感器32的測(cè)量信號(hào)會(huì)被饋給一個(gè)(PID)調(diào)節(jié)器42，其將測(cè)量的溫度與一個(gè)預(yù)先設(shè)定的溫度值(參考值)做比較。調(diào)節(jié)器 42依據(jù)比較結(jié)果來(lái)升高或降低饋給珀耳帖組件30的電功率。為此，溫度傳感器32就如珀耳帖組件30地，通過(guò)圖中未示出的連接線(xiàn)路與調(diào)節(jié)器42電氣式連接。調(diào)節(jié)器42的調(diào)節(jié)器參數(shù)被選擇為，例如，確保ο. ore的調(diào)整精度。通過(guò)將高功率LED 18收納在低導(dǎo)熱性的塑料殼體4中，會(huì)緩沖環(huán)境的溫度變化， 從而能達(dá)到足夠的調(diào)節(jié)精度及調(diào)節(jié)速度。若沒(méi)有這樣的收納，則從LED芯片20直至珀耳帖組件30的冷卻路徑會(huì)太過(guò)緩慢，無(wú)法夠快地抵消干擾。由于光線(xiàn)出口 15 (或擴(kuò)散裝置16) 未與外殼4有任何機(jī)械式耦接和熱耦接及其在LED芯片20上的強(qiáng)健支撐，外殼受溫度影響的長(zhǎng)度變化并不作用至光線(xiàn)出口(或擴(kuò)散裝置16)到高功率LED 18的距離上，且因而并不作用至從校正光源2出來(lái)的光束。這些措施實(shí)現(xiàn)了光束在從20°C到30°C的環(huán)境溫度中低于0. 的所需穩(wěn)定性。撐持組件14被如此懸在外殼4上，S卩，使這兩個(gè)組件之間的力流通過(guò)電路板22，第一擋塊觀、珀耳帖組件30、第二擋塊34與冷卻體36，而實(shí)現(xiàn)。如此穩(wěn)定的一個(gè)光源可作為各種光測(cè)量或輻射測(cè)量值的轉(zhuǎn)換標(biāo)準(zhǔn)。典型的值為基于CIE127 2007的總光束或總輻射功率及平均LED密度。圖4示出高功率LED 18的一個(gè)替代實(shí)施方案，高功率LED處于設(shè)在電路板22上的由三個(gè)不同顏色的高功率LED組件44及溫度傳感器32所組成的芯片陣列46的形式，借助所述的三個(gè)不同顏色的高功率LED組件44，可經(jīng)由混色而調(diào)成任何顏色。替代于高功率LED 18，亦可使用標(biāo)準(zhǔn)或高亮度LED。珀耳帖組件30可然后將LED 溫度加熱成高于環(huán)境溫度的一個(gè)恒定值，例如40°C。替代于珀耳帖組件30，LED亦可直接經(jīng)由其接線(xiàn)而被加熱，所述接線(xiàn)可以作為電阻來(lái)提供?；蛘呤牵嗫刹话才胖鲃?dòng)的溫度穩(wěn)定。 在這種情況中，當(dāng)達(dá)到前向電壓Uf時(shí)，溫度在某段時(shí)間后便自行獨(dú)立地穩(wěn)定于一個(gè)溫度值。 于是所消耗的電功率及所送出的光功率與損耗功率隨之亦為穩(wěn)定的。除了所述的穩(wěn)定電流供應(yīng)之外，也可由可變電流來(lái)驅(qū)動(dòng)LED。那么，此電流調(diào)制導(dǎo)致溫度波動(dòng)。因此，可饋給LED
7周期性地開(kāi)啟與關(guān)閉的一個(gè)高脈沖電流。如同半導(dǎo)體輻射源，也可使用OLED(有機(jī)發(fā)光二極管)或半導(dǎo)體激光。 申請(qǐng)人:保留對(duì)在恒定電流饋給下的具有高功率LED 18的校正光源的溫度穩(wěn)定這一概念自身的保護(hù)，無(wú)關(guān)乎光線(xiàn)出口 15未與外殼2耦接。
權(quán)利要求
1.一種校正光源，其具有具有一個(gè)開(kāi)口(12)的一個(gè)殼體0)，容納在該殼體O)內(nèi)一個(gè)支撐裝置02)，由該支撐裝置0 所支撐的一個(gè)半導(dǎo)體輻射源(18)，用以產(chǎn)生光束，具有設(shè)置在該開(kāi)口(12)的區(qū)域中的一個(gè)光線(xiàn)出口(15)的一個(gè)出口撐持組件(14)，由該半導(dǎo)體輻射源(18)所產(chǎn)生的光束通過(guò)該光線(xiàn)出口從該殼體向外輻射，其中未與該殼體( 有任何機(jī)械式耦接的該出口撐持組件(14)是固設(shè)于該半導(dǎo)體輻射源(18)的該支撐裝置0 上。
2.如權(quán)利要求1所述的校正光源，其中在該光線(xiàn)出口(15)中設(shè)有一個(gè)擴(kuò)散裝置(12)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的校正光源，其中該半導(dǎo)體輻射源(18)包含一個(gè)高功率LED。
4.如前述權(quán)利要求之一所述的校正光源，其還具有與該支撐裝置0 連接并容納在該殼體(2)內(nèi)的一個(gè)主動(dòng)冷卻裝置(30)，用以冷卻該半導(dǎo)體輻射源(18)。
5.如權(quán)利要求4所述的校正光源，其還具有容納在該殼體( 內(nèi)的一第一導(dǎo)熱連接組件( )，其將該冷卻裝置(30)之該冷側(cè)邊與該半導(dǎo)體輻射源(18)的該支撐裝置0 連接，且將該半導(dǎo)體輻射源(18)的熱導(dǎo)向該冷卻裝置(30)，其中該第一連接組件08)的尺寸被設(shè)置為，使得一方面，該冷卻裝置(30)的熱側(cè)邊離該半導(dǎo)體輻射源(18)夠遠(yuǎn)而使在該處產(chǎn)生的熱遠(yuǎn)離該半導(dǎo)體輻射源(18)，另一方面，又離該半導(dǎo)體輻射源(18)夠近，以使在冷卻裝置(30)與半導(dǎo)體輻射源(18)間的熱交換得以快速完成。
6.如權(quán)利要求5所述的校正光源，其還具有容納在該殼體( 內(nèi)的一個(gè)第二導(dǎo)熱連接組件(34)，其與該冷卻裝置(30)的該熱側(cè)邊連接，連接在該第二連接組件(34)的遠(yuǎn)離該冷卻裝置(30)的端部上的一個(gè)冷卻體(36)，其具有加大的一個(gè)熱交換表面，用以將熱排散至環(huán)境空氣上，以及一個(gè)通風(fēng)裝置(40)，用以將暖化的環(huán)境空氣從該冷卻體(36)導(dǎo)開(kāi)。
7.如權(quán)利要求6所述的校正光源，其中該第二連接組件(34)藉由一個(gè)隔熱撐持裝置 (38)被支撐在該殼體(2)上。
8.如前述權(quán)利要求之一所述的校正光源，其中該殼體(2)與該出口撐持組件(14)由一種隔熱好的材料制成。
9.如前述權(quán)利要求之一所述的校正光源，其還具有一個(gè)緊靠近該半導(dǎo)體輻射源(18)設(shè)置的(3 溫度傳感器，用以測(cè)量該半導(dǎo)體輻射源 (18)的溫度，以及一個(gè)溫度調(diào)節(jié)裝置(42)，用以依據(jù)該溫度傳感器(3 所測(cè)量的溫度而調(diào)節(jié)該主動(dòng)冷卻裝置(30)的功率。
10.如權(quán)利要求9所述的校正光源，其還具有一個(gè)恒定電流源，用以向該半導(dǎo)體輻射源(18)提供恒定電流，其中該溫度調(diào)節(jié)裝置 (42)被設(shè)定為，使溫度恒定地保持在一個(gè)固定的預(yù)設(shè)值上。
11.如前述權(quán)利要求之一所述的校正光源，其中該半導(dǎo)體輻射源(18)包含多個(gè)高功率LED(44)，其與該溫度傳感器(32)共同設(shè)置于一個(gè)芯片陣列06)上。
12.如權(quán)利要求4-11所述的校正光源，其中該主動(dòng)冷卻裝置(30)包含一個(gè)珀耳帖組件。
13.如前述權(quán)利要求之一所述的校正光源，其中該出口撐持組件(14)為一個(gè)具有封閉的側(cè)壁與敞開(kāi)的光線(xiàn)出口(15)的空心體。
14.如權(quán)利要求13所述的校正光源，其中在該出口撐持組件(14)的所述側(cè)壁與該開(kāi)口 (12)的內(nèi)緣之間設(shè)置一個(gè)間隙，其優(yōu)選為是密封的。
15.如前述權(quán)利要求之一所述的校正光源，其中在該光線(xiàn)出口(15)中設(shè)有由玻璃、石英或其他光學(xué)透明材料所制成的一個(gè)光學(xué)透明的窗口。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種校正光源，其具有以下部件具有一個(gè)開(kāi)口(12)的一個(gè)殼體(2)；容納在該殼體(2)內(nèi)一個(gè)支撐裝置(22)；由該支撐裝置(22)所支撐的一個(gè)半導(dǎo)體輻射源(18)，用以產(chǎn)生光束；具有設(shè)置在該開(kāi)口(12)的區(qū)域中的一個(gè)光線(xiàn)出口(15)的一個(gè)出口撐持組件(14)，由該半導(dǎo)體輻射源(18)所產(chǎn)生的光束通過(guò)該光線(xiàn)出口從該殼體(2)向外輻射；其中未與該殼體(2)有任何機(jī)械式耦接的該出口撐持組件(14)是固設(shè)于該半導(dǎo)體輻射源(18)的該支撐裝置(22)上。
文檔編號(hào)G01J5/52GK102449446SQ201080023241
公開(kāi)日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2010年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月26日
發(fā)明者德特勒夫·漢納克, 托馬斯·內(nèi)格勒, 西蒙·施圖爾姆 申請(qǐng)人:儀器系統(tǒng)光學(xué)測(cè)量科技有限公司