專利名稱：SiC砂子檢測方法
技術領域：
本發(fā)明涉及硅晶切片所用輔料檢測的領域，尤其是一種SiC砂子檢測方法。
背景技術：
目前對SiC微粉主要是粒度方面的參數(shù)，如D50值，可以衡量SiC砂子微粉的粒徑 來表征SiC砂子切割能力，但是目前的粒度分布只表征了粒徑的大小，沒有對粒度的微分 分布的多少進行規(guī)定，而在多線切割領域，砂子的質(zhì)量好壞直接決定了產(chǎn)品的質(zhì)量。因此， 對粒度的微分分布進行表征，可以控制SiC砂子的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術問題是為了控制SiC砂子的質(zhì)量，本發(fā)明提供一種SiC砂子 檢測方法。本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是一種SiC砂子檢測方法，將SiC砂 子粒度劃分為3個區(qū)域小顆粒區(qū)域粒徑范圍為1 5. 53um，可切割顆粒區(qū)域粒徑范圍為 8. 21 12. 18um，大顆粒區(qū)域粒徑范圍為23. 52 34um，規(guī)定小顆粒含量彡3. 00%，可切割 顆粒含量> 55%，大顆粒含量0. 35%。本發(fā)明的一種更進一步的方案，將SiC砂子粒度劃分為3個區(qū)域所述的小顆粒區(qū) 域粒徑范圍為1 4. 25um，所述的可切割顆粒區(qū)域粒徑范圍為7. 20 10. 68um，所述的大 顆粒區(qū)域粒徑范圍為20. 62 30um，規(guī)定小顆粒含量< 3. 00%，可切割顆粒含量> 55%，大 顆粒含量0. 35%。本發(fā)明的有益效果是，本發(fā)明SiC砂子檢測方法，對粒度微分分布進行表征，控制 了 SiC砂子的質(zhì)量，由砂子引起的合格率波動值由8%降低至2%，從多線切割原理上，增加 可切割顆粒的含量，減少小顆粒和大顆粒的含量。
具體實施例方式實施例1將SiC砂子粒度劃分為3個區(qū)域小顆粒區(qū)域粒徑范圍為1 5. 53um，可切割顆 粒區(qū)域粒徑范圍為8. 21 12. 18um，大顆粒區(qū)域粒徑范圍為23. 52 34um，規(guī)定小顆粒含 量< 3. 00%，可切割顆粒含量> 55%，大顆粒含量0. 35%。由砂子引起的合格率波動值由8%降低至2%。實施例2將SiC砂子粒度劃分為3個區(qū)域小顆粒區(qū)域粒徑范圍為1 4. 25um，可切割顆 粒區(qū)域粒徑范圍為7. 20 10. 68um，大顆粒區(qū)域粒徑范圍為20. 62 30um，規(guī)定小顆粒含 量< 3. 00%，可切割顆粒含量> 55%，大顆粒含量0. 35%。由砂子引起的合格率波動值由8%降低至2%。以上述依據(jù)本發(fā)明的理想實施例為啟示，通過上述的說明內(nèi)容，相關工作人員完
3全可以在不偏離本項發(fā)明技術思想的范圍內(nèi)，進行多樣的變更以及修改。本項發(fā)明的技術 性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權利要求范圍來確定其技術性范圍。
權利要求
一種SiC砂子檢測方法，其特征是將SiC砂子粒度劃分為3個區(qū)域小顆粒區(qū)域粒徑范圍為1～5.53um，可切割顆粒區(qū)域粒徑范圍為8.21～12.18um，大顆粒區(qū)域粒徑范圍為23.52～34um，規(guī)定小顆粒含量≤3.00％，可切割顆粒含量≥55％，大顆粒含量0.35％。
2.根據(jù)權利要求1所述的SiC砂子檢測方法，其特征是將SiC砂子粒度劃分為3個區(qū) 域所述的小顆粒區(qū)域粒徑范圍為1 4. 25um，所述的可切割顆粒區(qū)域粒徑范圍為7. 20 10. 68um，所述的大顆粒區(qū)域粒徑范圍為20. 62 30um，規(guī)定小顆粒含量< 3. 00%，可切割 顆粒含量> 55%，大顆粒含量0. 35%。
全文摘要
本發(fā)明涉及硅晶切片所用輔料檢測的領域，尤其是一種SiC砂子檢測方法。將SiC砂子粒度劃分為3個區(qū)域小顆粒區(qū)域粒徑范圍為1～5.53um，可切割顆粒區(qū)域粒徑范圍為8.21～12.18um，大顆粒區(qū)域粒徑范圍為23.52～34um，規(guī)定小顆粒含量≤3.00％，可切割顆粒含量≥55％，大顆粒含量0.35％。本發(fā)明SiC砂子檢測方法，對微分分布進行表征，控制了SiC砂子的質(zhì)量，由砂子引起的合格率波動值由8％降低至2％。
文檔編號G01N15/02GK101975731SQ20101023817
公開日2011年2月16日 申請日期2010年7月28日 優(yōu)先權日2010年7月28日
發(fā)明者張華 申請人:常州天合光能有限公司