專利名稱：集成電路溫度檢測電路及其校準(zhǔn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)，特別涉及一種集成電路溫度檢測電路及其校準(zhǔn)方法。
背景技術(shù)：
為了保證集成電路工作在安全溫度下，需要檢測集成電路內(nèi)的溫度，當(dāng)集成電路 內(nèi)的溫度超出安全溫度范圍時(shí)給出報(bào)警信號。為此，通常需要在集成電路內(nèi)設(shè)置溫度檢測 電路，原理如圖1所示，包括一正溫度系數(shù)電流源，一電阻串R2，一負(fù)溫度系數(shù)電壓電路，二 比較器，所述正溫度系數(shù)電流源接一電阻串R2，在所述電阻串上設(shè)有安全高溫電阻串抽頭 和安全低溫電阻串抽頭，所述二比較器一個(gè)作為低溫比較器，一個(gè)作為高溫比較器，所述高 溫比較器正輸入端接所述負(fù)溫度系數(shù)電壓電路輸出端，負(fù)輸入端接安全高溫電阻串抽頭， 所述低溫比較器負(fù)輸入端接所述負(fù)溫度系數(shù)電壓電路輸出端，正輸入端接安全低溫電阻串 抽頭；在設(shè)計(jì)狀態(tài)下，當(dāng)集成電路內(nèi)的溫度為安全高溫時(shí)，安全高溫電阻串抽頭上的電壓 Vptath等于所述負(fù)溫度系數(shù)電壓電路輸出端的電壓Vbe，當(dāng)集成電路內(nèi)的溫度低于安全高 溫時(shí)，安全高溫電阻串抽頭上的電壓Vptath低于所述負(fù)溫度系數(shù)電壓電路輸出端的電壓 Vbe，當(dāng)集成電路內(nèi)的溫度高于安全高溫時(shí)，安全高溫電阻串抽頭上的電壓Vptath高于所 述負(fù)溫度系數(shù)電壓電路輸出端的電壓Vbe，此時(shí)所述高溫比較器輸出高溫報(bào)警信號，當(dāng)集成 電路內(nèi)的溫度為安全低溫時(shí)，安全低溫電阻串抽頭上的電壓Vptatl等于所述負(fù)溫度系數(shù) 電壓電路輸出端的電壓Vbe，當(dāng)集成電路內(nèi)的溫度高于安全低溫時(shí)，安全低溫電阻串抽頭上 的電壓Vptatl高于所述負(fù)溫度系數(shù)電壓電路輸出端的電壓Vbe，當(dāng)集成電路內(nèi)的溫度低于 安全低溫時(shí)，安全低溫電阻串抽頭上的電壓Vptatl低于所述負(fù)溫度系數(shù)電壓電路輸出端 的電壓Vbe，此時(shí)所述低溫比較器輸出低溫報(bào)警信號。但由于受到工藝偏差的影響，不可避免的會帶來溫度檢測電路檢測溫度的偏移誤 差，不能精確的檢測溫度，需要對其進(jìn)行校準(zhǔn)，為此，在所述電阻串R2同地之間串接一微調(diào) 電阻r，所述集成電路溫度檢測電路能通過改變外接微調(diào)控制信號微調(diào)(trimming)值，改 變所述微調(diào)電阻r的阻值，以進(jìn)行校準(zhǔn)。校準(zhǔn)的方法是在安全高壓溫度及安全低壓溫度下， 通過改變外接微調(diào)控制信號微調(diào)(trimming)值，檢查所述二比較器輸出是否有邏輯電平 變化，從而確定一合適的微調(diào)(trimming)值，對所述微調(diào)電阻r的阻值進(jìn)行微調(diào)，實(shí)現(xiàn)溫 度檢測電路的校準(zhǔn)。但這樣的校準(zhǔn)有兩個(gè)問題一是要檢測的溫度往往是低達(dá)-40°C的安 全低壓溫度或者高達(dá)120°C安全高壓溫度等，要在機(jī)臺上測試這樣的溫度會帶來很大困難， 甚至不可能測試，二是如果有多個(gè)檢測溫度，必須在每一個(gè)溫度下進(jìn)行測試，帶來很大工作 量，增加了測試成本。一常見集成電路溫度檢測電路如圖2所示，圖2中的集成電路溫度檢測電路，包括 MOS管比例電流鏡、運(yùn)算放大器Al、第一 PNP管Q1、第二 PNP管Q2、第三PNP管Q3、第一電阻 R1、電阻串R2、微調(diào)電阻r、二比較器，所述MOS比例電流鏡包括PMOS第一 MOS管MP1、PM0S 第二 MOS 管 MP2、PM0S 第三 MOS 管 MP3、PMOS 第四 MOS 管 MP4，其中第一 MOS 管 MPl、第二 MOS 管MP2、第三MOS管MP3、第四MOS管MP4的寬長比例為1 1 k l，k為比例常數(shù)，它們的源極都接電壓源，它們的柵極都連在一起接所述運(yùn)算放大器輸出端，第一MOS管MPl的漏 極接所述運(yùn)算放大器Al正輸入端及第一電阻Rl的一端，第一電阻Rl的另一端接第一 PNP 管Ql的發(fā)射極，第二 MOS管MP2的漏極接所述運(yùn)算放大器Al負(fù)輸入端及第二 PNP管Q2的 發(fā)射極，第一 PNP管Ql及第二 PNP管Q2的基極、集電極接地，PMOS第三MOS管MP3的漏極 接所述電阻串R2 —端，所述電阻串R2另一端接所述微調(diào)電阻r 一端，所述微調(diào)電阻r另一 端接地，所述PMOS第三MOS管MP3的漏極輸出正溫度系數(shù)電流，PMOS第四MOS管MP4漏極 接第三PNP管Q3發(fā)射極，第三PNP管Q3的基極及集電極接地，所述第三PNP管Q3的發(fā)射 極輸出約0. 7V的負(fù)溫度系數(shù)電壓Vbe。所述集成電路溫度檢測電路，能外接微調(diào)控制信號， 改變微調(diào)控制信號微調(diào)值能改變所述微調(diào)電阻r的阻值。所述電阻串R2上設(shè)有安全高溫 電阻串抽頭和安全低溫電阻串抽頭，所述二比較器一個(gè)作為低溫比較器，一個(gè)作為高溫比 較器，所述高溫比較器負(fù)輸入端接所述電阻串R2的安全高溫電阻串抽頭，正輸入端接所述 第三PNP管Q3的發(fā)射極，所述低溫比較器正輸入端接所述電阻串R2的安全低溫電阻串抽 頭，負(fù)輸入端接所述第三PNP管Q3的發(fā)射極。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種集成電路溫度檢測電路及其校準(zhǔn)方法，其校 準(zhǔn)方便。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的一種集成電路溫度檢測電路，包括一正溫度系數(shù) 電流源，一電阻串，一微調(diào)電阻，一負(fù)溫度系數(shù)電壓電路，一選擇開關(guān)電路，低溫比較器和高 溫比較器；所述正溫度系數(shù)電流源接所述電阻串一端，所述電阻串另一端接所述微調(diào)電阻一 端，所述微調(diào)電阻另一端接地，在所述電阻串上設(shè)有安全高溫電阻串抽頭、安全低溫電阻串 抽頭、校準(zhǔn)高溫電阻串抽頭、校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭，安全高溫電阻串抽頭到所述微調(diào)電阻端 的阻值小于校準(zhǔn)高溫電阻串抽頭到所述微調(diào)電阻端的阻值小于校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭到所 述微調(diào)電阻端的阻值小于安全低溫電阻串抽頭到所述微調(diào)電阻端的阻值，所述安全高溫電 阻串抽頭、校準(zhǔn)高溫電阻串抽頭經(jīng)所述選擇開關(guān)電路接所述高溫比較器負(fù)輸入端，所述安 全低溫電阻串抽頭、校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭經(jīng)所述選擇開關(guān)電路接所述低溫比較器正輸入 端，所述負(fù)溫度系數(shù)電壓電路輸出端接所述高溫比較器正輸入端及低溫比較器負(fù)輸入端；所述集成電路溫度檢測電路，能外接微調(diào)控制信號，改變外接的微調(diào)控制信號微 調(diào)值能改變所述微調(diào)電阻的阻值，所述集成電路溫度檢測電路，能外接選擇開關(guān)控制信號，能通過外接的選擇開關(guān) 控制信號控制所述選擇開關(guān)電路連接所述高溫比較器負(fù)輸入端和校準(zhǔn)高溫電阻串抽頭并 連接所述低溫比較器正輸入端和校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭，或者控制所述選擇開關(guān)電路連接所 述高溫比較器負(fù)輸入端和安全高溫電阻串抽頭并連接所述低溫比較器正輸入端和安全低 溫電阻串抽頭。在設(shè)計(jì)狀態(tài)下，當(dāng)集成電路內(nèi)的溫度為安全高溫時(shí)，安全高溫電阻串抽頭上的電 壓等于所述負(fù)溫度系數(shù)電壓電路輸出端的電壓，當(dāng)集成電路內(nèi)的溫度為安全低溫時(shí)，安全 低溫電阻串抽頭上的電壓等于所述負(fù)溫度系數(shù)電壓電路輸出端的電壓，當(dāng)集成電路內(nèi)的溫 度為校準(zhǔn)高溫時(shí)，校準(zhǔn)高溫電阻串抽頭上的電壓等于所述負(fù)溫度系數(shù)電壓電路輸出端的電壓，當(dāng)集成電路內(nèi)的溫度為校準(zhǔn)低溫時(shí)，校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭上的電壓等于所述負(fù)溫度系 數(shù)電壓電路輸出端的電壓。本發(fā)明還提供了一種所述集成電路溫度檢測電路的校準(zhǔn)方法，通過外界的選擇開 關(guān)控制信號控制校準(zhǔn)高溫電阻串抽頭同高溫比較器負(fù)輸入端連接、控制校準(zhǔn)低溫電阻串抽 頭同低溫比較器正輸入端連接；在校準(zhǔn)高溫下通過改變外接的微調(diào)控制信號的微調(diào)值使所 述高溫比較器輸出高溫報(bào)警信號，從而確定一校準(zhǔn)高溫微調(diào)值；在校準(zhǔn)低溫下通過改變外 接的微調(diào)控制信號的微調(diào)值使所述低溫比較器輸出低溫報(bào)警信號，從而確定一校準(zhǔn)低溫微 調(diào)值，將所述校準(zhǔn)低溫微調(diào)值和校準(zhǔn)高溫微調(diào)值進(jìn)行平均，作為對所述微調(diào)電阻的微調(diào)值， 對所述微調(diào)電阻的阻值進(jìn)行微調(diào)，實(shí)現(xiàn)對集成電路溫度檢測電路的校準(zhǔn)。校準(zhǔn)高溫低于安全高溫，校準(zhǔn)低溫高于安全低溫，校準(zhǔn)高溫高于校準(zhǔn)低溫。本發(fā)明的集成電路溫度檢測電路，在接正溫度系數(shù)電流源的電阻串上設(shè)置有安全 高溫電阻串抽頭、安全低溫電阻串抽頭、校準(zhǔn)高溫電阻串抽頭、校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭，并設(shè) 置選擇開關(guān)電路，當(dāng)需要對集成電路溫度檢測電路進(jìn)行校正時(shí)，通過外界的選擇開關(guān)控制 信號控制校準(zhǔn)高溫電阻串抽頭同高溫比較器負(fù)輸入端連接、控制校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭同低 溫比較器正輸入端連接，在校準(zhǔn)高溫下通過改變外接的微調(diào)控制信號的微調(diào)值使所述高溫 比較器輸出高溫報(bào)警信號，從而確定一校準(zhǔn)高溫微調(diào)(trimming)值；在校準(zhǔn)低溫下通過改 變外接的微調(diào)控制信號的微調(diào)值使所述低溫比較器輸出低溫報(bào)警信號，從而確定一校準(zhǔn)低 溫微調(diào)(trimming)值，將所述校準(zhǔn)低溫微調(diào)(trimming)值和校準(zhǔn)高溫微調(diào)(trimming)值 進(jìn)行平均，作為對所述微調(diào)電阻r的微調(diào)值，對所述微調(diào)電阻r的阻值進(jìn)行微調(diào)，實(shí)現(xiàn)對集 成電路溫度檢測電路的校準(zhǔn)。由于溫度檢測電路的線性度，在特定的測試溫度校準(zhǔn)后，需要 檢測的溫度也隨之校準(zhǔn)，本發(fā)明的集成電路溫度檢測電路，由于校準(zhǔn)低溫和校準(zhǔn)高溫接近 于機(jī)臺測試溫度，從而能方便地對集成電路溫度檢測電路實(shí)現(xiàn)校準(zhǔn)。


下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。圖1是集成電路內(nèi)溫度檢測電路原理圖；圖2是一常見集成電路溫度檢測電路圖；圖3是本發(fā)明的集成電路溫度檢測電路原理圖；圖4是本發(fā)明的集成電路溫度檢測電路一實(shí)施方式示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的集成電路溫度檢測電路，如圖3所示，在集成電路內(nèi)設(shè)置溫度檢測電路， 包括一正溫度系數(shù)電流源，一電阻串R2，一微調(diào)電阻r，一負(fù)溫度系數(shù)電壓電路，一選擇開 關(guān)電路，低溫比較器和高溫比較器二比較器，所述正溫度系數(shù)電流源接所述電阻串R2 — 端，所述電阻串R2另一端接所述微調(diào)電阻r 一端，所述微調(diào)電阻r另一端接地，在所述電阻 串R2上設(shè)有安全高溫電阻串抽頭、安全低溫電阻串抽頭、校準(zhǔn)高溫電阻串抽頭、校準(zhǔn)低溫 電阻串抽頭，安全高溫電阻串抽頭到所述微調(diào)電阻r端的阻值小于校準(zhǔn)高溫電阻串抽頭到 所述微調(diào)電阻r端的阻值小于校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭到所述微調(diào)電阻r端的阻值小于安全低 溫電阻串抽頭到所述微調(diào)電阻r端的阻值，所述安全高溫電阻串抽頭、校準(zhǔn)高溫電阻串抽頭經(jīng)選擇開關(guān)電路接所述高溫比較器負(fù)輸入端，所述安全低溫電阻串抽頭、校準(zhǔn)低溫電阻 串抽頭經(jīng)選擇開關(guān)電路接所述低溫比較器正輸入端，所述負(fù)溫度系數(shù)電壓電路輸出端接所 述高溫比較器正輸入端及低溫比較器負(fù)輸入端；所述集成電路溫度檢測電路，能外接微調(diào)控制信號，改變外接的微調(diào)控制信號微 調(diào)值能改變所述微調(diào)電阻r的阻值；能外接選擇開關(guān)控制信號，當(dāng)需要對集成電路溫度檢 測電路校準(zhǔn)時(shí)，通過外接的選擇開關(guān)控制信號控制選擇開關(guān)電路連接所述高溫比較器負(fù)輸 入端和校準(zhǔn)高溫電阻串抽頭并連接所述低溫比較器正輸入端和校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭，當(dāng)需 要對集成電路進(jìn)行溫度檢測時(shí)，通過外接的選擇開關(guān)控制信號控制選擇開關(guān)電路連接所述 高溫比較器負(fù)輸入端和安全高溫電阻串抽頭并連接所述低溫比較器正輸入端和安全低溫 電阻串抽頭。在設(shè)計(jì)狀態(tài)下，當(dāng)集成電路內(nèi)的溫度為安全高溫時(shí)，安全高溫電阻串抽頭上的電 壓Vptath等于所述負(fù)溫度系數(shù)電壓電路輸出端的電壓Vbe，安全高溫電阻串抽頭上的電壓 Vptath低于所述負(fù)溫度系數(shù)電壓電路輸出端的電壓Vbe，當(dāng)集成電路內(nèi)的溫度高于安全高 溫時(shí)，安全高溫電阻串抽頭上的電壓Vptath高于所述負(fù)溫度系數(shù)電壓電路輸出端的電壓 Vbe，此時(shí)所述高溫比較器輸出高溫報(bào)警信號，當(dāng)集成電路內(nèi)的溫度為安全低溫時(shí)，安全低 溫電阻串抽頭上的電壓Vptatl等于所述負(fù)溫度系數(shù)電壓電路輸出端的電壓Vbe，當(dāng)集成電 路內(nèi)的溫度高于安全低溫時(shí)，安全低溫電阻串抽頭上的電壓Vptatl高于所述負(fù)溫度系數(shù) 電壓電路輸出端的電壓Vbe，當(dāng)集成電路內(nèi)的溫度低于安全低溫時(shí)，安全低溫電阻串抽頭上 的電壓Vptatl低于所述負(fù)溫度系數(shù)電壓電路輸出端的電壓Vbe，此時(shí)所述低溫比較器輸出 低溫報(bào)警信號。在設(shè)計(jì)狀態(tài)下，當(dāng)集成電路內(nèi)的溫度為校準(zhǔn)高溫時(shí)，校準(zhǔn)高溫電阻串抽頭上的電 壓Vtesth等于所述負(fù)溫度系數(shù)電壓電路輸出端的電壓Vbe，當(dāng)集成電路內(nèi)的溫度為校準(zhǔn)低 溫時(shí)，校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭上的電壓Vtestl等于所述負(fù)溫度系數(shù)電壓電路輸出端的電壓 Vbe0校準(zhǔn)高溫低于安全高溫，校準(zhǔn)低溫高于安全低溫，校準(zhǔn)高溫高于校準(zhǔn)低溫，通常校準(zhǔn)高 溫略高于機(jī)臺測試溫度，校準(zhǔn)低溫略低于機(jī)臺測試溫度。一教佳實(shí)施例，集成電路的安全高 溫為120°C，安全低溫為_40°C，機(jī)臺測試溫度為55°C，校準(zhǔn)高溫取62°C，校準(zhǔn)低溫取48°C。當(dāng)需要對集成電路進(jìn)行溫度檢測時(shí)，通過外接的選擇開關(guān)控制信號控制選擇開關(guān) 電路連接所述高溫比較器負(fù)輸入端和安全高溫電阻串抽頭并連接所述低溫比較器正輸入 端和安全低溫電阻串抽頭。如此，對集成電路進(jìn)行溫度檢測時(shí)，當(dāng)集成電路內(nèi)的溫度高于安 全高溫時(shí)，所述安全高溫電阻串抽頭上的電壓Vptath高于所述負(fù)溫度系數(shù)電壓電路輸出 端的電壓Vbe，所述高溫比較器輸出高溫報(bào)警信號，當(dāng)集成電路內(nèi)的溫度低于安全低溫時(shí)， 所述安全低溫電阻串抽頭上的電壓Vptath低于所述負(fù)溫度系數(shù)電壓電路輸出端的電壓 Vbe，所述低溫比較器輸出低溫報(bào)警信號。當(dāng)需要對集成電路溫度檢測電路校準(zhǔn)時(shí)，通過外接的選擇開關(guān)控制信號控制選 擇開關(guān)電路連接所述高溫比較器負(fù)輸入端和校準(zhǔn)高溫電阻串抽頭并連接所述低溫比較器 正輸入端和校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭；在校準(zhǔn)高溫下，改變外接微調(diào)控制信號微調(diào)(trimming) 值，當(dāng)所述高溫比較器輸出高溫告警信號時(shí)，確定一校準(zhǔn)高溫微調(diào)(trimming)值；在校準(zhǔn) 低溫下，當(dāng)所述低溫比較器輸出低溫告警信號時(shí)，確定一校準(zhǔn)低溫微調(diào)(trimming)值；將 所述校準(zhǔn)低溫微調(diào)(trimming)值和校準(zhǔn)高溫微調(diào)(trimming)值進(jìn)行平均，作為對所述微調(diào)電阻r的微調(diào)值，對所述微調(diào)電阻r的阻值進(jìn)行微調(diào)，實(shí)現(xiàn)對集成電路溫度檢測電路的校 準(zhǔn)。本發(fā)明的集成電路溫度檢測電路，一實(shí)施例如圖4所示，圖4中的集成電路溫度檢 測電路，包括MOS管比例電流鏡、一運(yùn)算放大器Al、第一 PNP管Ql、第二 PNP管Q2、第三PNP 管Q3、第一電阻R1、一電阻串R2、一微調(diào)電阻r、一選擇開關(guān)電路、二比較器，所述MOS比例 電流鏡包括PMOS第一 MOS管MPl、PMOS第二 MOS管MP2、PMOS第三MOS管MP3、PMOS第四 MOS管MP4，其中第一 MOS管MPl、第二 MOS管MP2、第三MOS管MP3、第四MOS管MP4的寬長 比例為1 1 k l，k為比例常數(shù)，它們的源極都接電壓源，它們的柵極都連在一起接所 述運(yùn)算放大器輸出端，第一MOS管MPl的漏極接所述運(yùn)算放大器Al正輸入端及第一電阻Rl 的一端，第一電阻Rl的另一端接第一 PNP管Ql的發(fā)射極，第二 MOS管MP2的漏極接所述運(yùn) 算放大器Al負(fù)輸入端及第二 PNP管Q2的發(fā)射極，第一 PNP管Ql及第二 PNP管Q2的基極、 集電極接地，PMOS第三MOS管MP3的漏極接所述電阻串R2 —端，所述電阻串R2另一端接所 述微調(diào)電阻r 一端，所述微調(diào)電阻r另一端接地，所述PMOS第三MOS管MP3的漏極輸出正 溫度系數(shù)電流，PMOS第四MOS管MP4漏極接第三PNP管Q3發(fā)射極，第三PNP管Q3的基極 及集電極接地，所述第三PNP管Q3的發(fā)射極輸出約0. 7V的負(fù)溫度系數(shù)電壓Vbe。所述集成 電路溫度檢測電路，能外接微調(diào)控制信號，改變微調(diào)控制信號微調(diào)值能改變所述微調(diào)電阻r 的阻值，所述電阻串R2上設(shè)有安全高溫電阻串抽頭、安全低溫電阻串抽頭、校準(zhǔn)高溫電阻 串抽頭、校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭，所述安全高溫電阻串抽頭、安全低溫電阻串抽頭、校準(zhǔn)高溫 電阻串抽頭、校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭接所述選擇開關(guān)，所述二比較器一個(gè)作為低溫比較器，一 個(gè)作為高溫比較器，所述高溫比較器負(fù)輸入端、所述低溫比較器正輸入端接所述選擇開關(guān)， 所述高溫比較器正輸入端、所述低溫比較器負(fù)輸入端接所述第三PNP管Q3的發(fā)射極，所述 選擇開關(guān)電路外接選擇開關(guān)控制信號，當(dāng)需要對集成電路溫度檢測電路校準(zhǔn)時(shí)，通過外接 的選擇開關(guān)控制信號控制選擇開關(guān)電路連接所述高溫比較器負(fù)輸入端和校準(zhǔn)高溫電阻串 抽頭并連接所述低溫比較器正輸入端和校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭，當(dāng)需要對集成電路進(jìn)行溫度 檢測時(shí)，通過外接的選擇開關(guān)控制信號控制選擇開關(guān)電路連接所述高溫比較器負(fù)輸入端和 安全高溫電阻串抽頭并連接所述低溫比較器正輸入端和安全低溫電阻串抽頭。本發(fā)明的集成電路溫度檢測電路，在接正溫度系數(shù)電流源的電阻串上設(shè)置有安全 高溫電阻串抽頭、安全低溫電阻串抽頭、校準(zhǔn)高溫電阻串抽頭、校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭，并設(shè) 置選擇開關(guān)電路，當(dāng)需要對集成電路溫度檢測電路進(jìn)行校正時(shí)，通過外界的選擇開關(guān)控制 信號控制校準(zhǔn)高溫電阻串抽頭同高溫比較器負(fù)輸入端連接、控制校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭同低 溫比較器正輸入端連接，在校準(zhǔn)高溫下通過改變外接的微調(diào)控制信號的微調(diào)值使所述高溫 比較器輸出高溫報(bào)警信號，從而確定一校準(zhǔn)高溫微調(diào)(trimming)值；在校準(zhǔn)低溫下通過改 變外接的微調(diào)控制信號的微調(diào)值使所述低溫比較器輸出低溫報(bào)警信號，從而確定一校準(zhǔn)低 溫微調(diào)(trimming)值，將所述校準(zhǔn)低溫微調(diào)(trimming)值和校準(zhǔn)高溫微調(diào)(trimming)值 進(jìn)行平均，作為對所述微調(diào)電阻r的微調(diào)值，對所述微調(diào)電阻r的阻值進(jìn)行微調(diào)，實(shí)現(xiàn)對集 成電路溫度檢測電路的校準(zhǔn)。由于溫度檢測電路的線性度，在特定的測試溫度校準(zhǔn)后，需要 檢測的溫度也隨之校準(zhǔn)，本發(fā)明的集成電路溫度檢測電路，由于校準(zhǔn)低溫和校準(zhǔn)高溫接近 于機(jī)臺測試溫度，從而能方便地對集成電路溫度檢測電路實(shí)現(xiàn)校準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種集成電路溫度檢測電路，其特征在于，包括一正溫度系數(shù)電流源，一電阻串，一微調(diào)電阻，一負(fù)溫度系數(shù)電壓電路，一選擇開關(guān)電路，低溫比較器和高溫比較器；所述正溫度系數(shù)電流源接所述電阻串一端，所述電阻串另一端接所述微調(diào)電阻一端，所述微調(diào)電阻另一端接地，在所述電阻串上設(shè)有安全高溫電阻串抽頭、安全低溫電阻串抽頭、校準(zhǔn)高溫電阻串抽頭、校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭，安全高溫電阻串抽頭到所述微調(diào)電阻端的阻值小于校準(zhǔn)高溫電阻串抽頭到所述微調(diào)電阻端的阻值小于校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭到所述微調(diào)電阻端的阻值小于安全低溫電阻串抽頭到所述微調(diào)電阻端的阻值，所述安全高溫電阻串抽頭、校準(zhǔn)高溫電阻串抽頭經(jīng)所述選擇開關(guān)電路接所述高溫比較器負(fù)輸入端，所述安全低溫電阻串抽頭、校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭經(jīng)所述選擇開關(guān)電路接所述低溫比較器正輸入端，所述負(fù)溫度系數(shù)電壓電路輸出端接所述高溫比較器正輸入端及低溫比較器負(fù)輸入端；所述集成電路溫度檢測電路，能外接微調(diào)控制信號，改變外接的微調(diào)控制信號微調(diào)值能改變所述微調(diào)電阻的阻值，所述集成電路溫度檢測電路，能外接選擇開關(guān)控制信號，能通過外接的選擇開關(guān)控制信號控制所述選擇開關(guān)電路連接所述高溫比較器負(fù)輸入端和校準(zhǔn)高溫電阻串抽頭并連接所述低溫比較器正輸入端和校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭，或者控制所述選擇開關(guān)電路連接所述高溫比較器負(fù)輸入端和安全高溫電阻串抽頭并連接所述低溫比較器正輸入端和安全低溫電阻串抽頭。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路溫度檢測電路，其特征在于，在設(shè)計(jì)狀態(tài)下，當(dāng)集成 電路內(nèi)的溫度為安全高溫時(shí)，安全高溫電阻串抽頭上的電壓等于所述負(fù)溫度系數(shù)電壓電路 輸出端的電壓，當(dāng)集成電路內(nèi)的溫度為安全低溫時(shí)，安全低溫電阻串抽頭上的電壓等于所 述負(fù)溫度系數(shù)電壓電路輸出端的電壓，當(dāng)集成電路內(nèi)的溫度為校準(zhǔn)高溫時(shí)，校準(zhǔn)高溫電阻 串抽頭上的電壓等于所述負(fù)溫度系數(shù)電壓電路輸出端的電壓，當(dāng)集成電路內(nèi)的溫度為校準(zhǔn) 低溫時(shí)，校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭上的電壓等于所述負(fù)溫度系數(shù)電壓電路輸出端的電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路溫度檢測電路，其特征在于，包括MOS管比例電 流鏡、一運(yùn)算放大器、第一 PNP管、第二 PNP管、第三PNP管、第一電阻、一電阻串、一微調(diào)電 阻、一選擇開關(guān)電路、二比較器；所述MOS比例電流鏡包括PMOS第一 MOS管、PMOS第二 MOS管、PMOS第三MOS管、PMOS 第四MOS管，它們的源極都接電壓源，它們的柵極都連在一起接所述運(yùn)算放大器輸出端，第 一 MOS管的漏極接所述運(yùn)算放大器正輸入端及第一電阻的一端，第一電阻的另一端接第一 PNP管的發(fā)射極，第二 MOS管的漏極接所述運(yùn)算放大器負(fù)輸入端及第二 PNP管的發(fā)射極，第 一 PNP管及第二 PNP管的基極、集電極接地，PMOS第三MOS管的漏極接所述電阻串一端，所 述電阻串另一端接所述微調(diào)電阻一端，所述微調(diào)電阻另一端接地，所述PMOS第三MOS管的 漏極輸出正溫度系數(shù)電流，PMOS第四MOS管漏極接第三PNP管發(fā)射極，第三PNP管的基極 及集電極接地，所述第三PNP管的發(fā)射極輸出負(fù)溫度系數(shù)電壓；所述集成電路溫度檢測電路，能外接微調(diào)控制信號，改變微調(diào)控制信號微調(diào)值能改變 所述微調(diào)電阻的阻值；所述電阻串上設(shè)有安全高溫電阻串抽頭、安全低溫電阻串抽頭、校準(zhǔn)高溫電阻串抽頭、 校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭，安全高溫電阻串抽頭到所述微調(diào)電阻端的阻值小于校準(zhǔn)高溫電阻串 抽頭到所述微調(diào)電阻端的阻值小于校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭到所述微調(diào)電阻端的阻值小于安全低溫電阻串抽頭到所述微調(diào)電阻端的阻值，所述安全高溫電阻串抽頭、安全低溫電阻串 抽頭、校準(zhǔn)高溫電阻串抽頭、校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭接所述選擇開關(guān)，所述二比較器一個(gè)作為 低溫比較器，一個(gè)作為高溫比較器，所述高溫比較器負(fù)輸入端、所述低溫比較器正輸入端接 所述選擇開關(guān)，所述高溫比較器正輸入端、所述低溫比較器負(fù)輸入端接所述第三PNP管的 發(fā)射極；所述選擇開關(guān)電路外接選擇開關(guān)控制信號，能控制選擇開關(guān)電路連接所述高溫比較器 負(fù)輸入端和校準(zhǔn)高溫電阻串抽頭并連接所述低溫比較器正輸入端和校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭， 或者控制選擇開關(guān)電路連接所述高溫比較器負(fù)輸入端和安全高溫電阻串抽頭并連接所述 低溫比較器正輸入端和安全低溫電阻串抽頭。
4.一種權(quán)利要求1所述的集成電路溫度檢測電路的校準(zhǔn)方法，其特征在于，通過外界 的選擇開關(guān)控制信號控制校準(zhǔn)高溫電阻串抽頭同高溫比較器負(fù)輸入端連接、控制校準(zhǔn)低溫 電阻串抽頭同低溫比較器正輸入端連接；在校準(zhǔn)高溫下通過改變外接的微調(diào)控制信號的微 調(diào)值使所述高溫比較器輸出高溫報(bào)警信號，從而確定一校準(zhǔn)高溫微調(diào)值；在校準(zhǔn)低溫下通 過改變外接的微調(diào)控制信號的微調(diào)值使所述低溫比較器輸出低溫報(bào)警信號，從而確定一校 準(zhǔn)低溫微調(diào)值，將所述校準(zhǔn)低溫微調(diào)值和校準(zhǔn)高溫微調(diào)值進(jìn)行平均，作為對所述微調(diào)電阻 的微調(diào)值，對所述微調(diào)電阻的阻值進(jìn)行微調(diào)，實(shí)現(xiàn)對集成電路溫度檢測電路的校準(zhǔn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路溫度檢測電路的校準(zhǔn)方法，其特征在于，校準(zhǔn)高溫 低于安全高溫，校準(zhǔn)低溫高于安全低溫，校準(zhǔn)高溫高于校準(zhǔn)低溫。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路溫度檢測電路的校準(zhǔn)方法，其特征在于，集成電路 的安全高溫為120°C，安全低溫為_40°C，校準(zhǔn)高溫取62V，校準(zhǔn)低溫取48°C。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種集成電路溫度檢測電路，在接正溫度系數(shù)電流源的電阻串上設(shè)置有安全高溫電阻串抽頭、安全低溫電阻串抽頭、校準(zhǔn)高溫電阻串抽頭、校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭，并設(shè)置選擇開關(guān)電路，當(dāng)需要對集成電路溫度檢測電路進(jìn)行校正時(shí)，通過外界的選擇開關(guān)控制信號控制校準(zhǔn)高溫電阻串抽頭同高溫比較器負(fù)輸入端連接、控制校準(zhǔn)低溫電阻串抽頭同低溫比較器正輸入端連接，在校準(zhǔn)高溫下確定一校準(zhǔn)高溫微調(diào)值，在校準(zhǔn)低溫下確定一校準(zhǔn)低溫微調(diào)值，將所述校準(zhǔn)低溫微調(diào)值和校準(zhǔn)高溫微調(diào)值進(jìn)行平均，作為對所述微調(diào)電阻r的微調(diào)值，實(shí)現(xiàn)對集成電路溫度檢測電路的校準(zhǔn)。本發(fā)明的集成電路溫度檢測電路校準(zhǔn)方便。
文檔編號G01K15/00GK101995301SQ200910057769
公開日2011年3月30日 申請日期2009年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月20日
發(fā)明者唐成偉, 王梓 申請人:上海華虹Nec電子有限公司