專利名稱：離子注入機(jī)的法拉第杯的磁性監(jiān)控的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及工件的離子注入，尤其涉及對(duì)離子注入工藝中所用法拉
第杯(Faraday Cup)的性能的監(jiān)控。
背景技術(shù)：
離子注入是一種用于像諸如半導(dǎo)體晶片等工件中引入能改變導(dǎo)電率的雜 質(zhì)的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。在傳統(tǒng)的束線式離子注入機(jī)中，由離子源產(chǎn)生離子束并由提 取電才及(extraction electrode)自離子源中提耳又離子束。在提取之后，由分 析器f茲鐵(analyzer magnet)接收離子束并自離子束中過濾出所選離子物質(zhì)。 穿過分析器磁鐵的離子束隨后進(jìn)入包括多個(gè)電極的靜電透鏡(electrostatic lens)，此靜電透鏡中界定有使離子束能從中穿過的開孔。通過對(duì)此多個(gè)電極 施加不同的電位組合，靜電透鏡可操縱離子能量。然后，修正;茲鐵(correct magnet)將靜電透鏡所產(chǎn)生的離子束定形為正確的形狀，以便沉積至工件上。 包括減速透鏡(deceleration lens)的減速階段可自修正磁鐵接收離子束，并 在其撞擊工件之前進(jìn)一步操縱離子束的能量。當(dāng)離子束撞擊工件時(shí)，離子束 中的離子會(huì)穿透工件表面而靜止在工件表面下方，從而形成具有所需導(dǎo)電率 的區(qū)域。
在傳統(tǒng)離子注入機(jī)的運(yùn)作中，通常需要測(cè)量注入于工件中的累加離子劑 量以及晶片表面區(qū)域上的劑量均勻度。法拉第杯即為 一種用于測(cè)量注入于工
件中的離子劑量及晶片表面區(qū)域上的劑量均勻度的裝置。在運(yùn)作中，置于目 標(biāo)工件附近的法拉第杯以所選的離子注入間隔接收離子束。離子束進(jìn)入法拉
第杯，并形成代表離子束電流的電流。法拉第杯將電流提供至電子劑量處理 器，由電子劑量處理器將電流對(duì)時(shí)間進(jìn)行積分以確定累加離子劑量。劑量處理器可為離子注入機(jī)中用于控制離子劑量的回饋回路的一部分。法拉第杯也 可用于沿離子束線在其它位置監(jiān)控離子束電流。
一種用于離子注入機(jī)的法拉第杯具有界定有腔室的杯體，此腔室具有用
以接收離子束的入口孑L 。此種法拉第杯具有抑止電極(suppress ion electrode),此抑止電扭/沒置于入口孔附近，以形成電場(chǎng)來(lái)阻止雜散離子進(jìn) 入腔室。此外，法拉第杯還具有設(shè)置用于產(chǎn)生》茲場(chǎng)的石茲鐵組合(magnet assembly),所述-茲場(chǎng)不^5l能阻止在腔室中所產(chǎn)生的電子逸出，且也能阻止雜 散電子進(jìn)入腔室。
在離子注入機(jī)中使用法拉第杯可能產(chǎn)生的問題在于，當(dāng)磁鐵組合阻止或 抑止雜散電子逸出腔室的能力受損時(shí)，離子劑量會(huì)出現(xiàn)偏差。離子劑量的偏 差(shift)可使所形成的工件不具有所需的導(dǎo)電率，且有時(shí)可導(dǎo)致工件作廢。 若磁抑止受損，則也可能使所監(jiān)控離子束電流出現(xiàn)誤差。若監(jiān)控法拉第杯中 與磁鐵組合相關(guān)聯(lián)的磁場(chǎng)，則可較早地檢測(cè)到離子劑量的偏差及所監(jiān)控離子 束電流的誤差，并在出現(xiàn)需要將工件作廢的嚴(yán)重?fù)诫s問題之前加以修正。由 于在典型的離子注入機(jī)中存在多個(gè)-茲場(chǎng)，且某些;茲場(chǎng)要大于法拉第杯;茲場(chǎng)并 隨配方(recipe)而異，因而很難區(qū)分由磁鐵組合所引起的磁場(chǎng)與由分析器磁 鐵、修正磁鐵及附近可能會(huì)形成磁場(chǎng)的其它源所引起的雜散磁場(chǎng)。因此，目 前尚不能提供一種用于監(jiān)控法拉第杯中與磁鐵組合相關(guān)聯(lián)的磁場(chǎng)的可靠方 法。

發(fā)明內(nèi)容
因此，需要一種可監(jiān)控與法拉第杯相關(guān)聯(lián)的磁場(chǎng)的可靠方法。在某些情 形中，需要一種能靈敏地區(qū)分與法拉第杯相關(guān)聯(lián)的磁場(chǎng)與任何雜散磁場(chǎng)的監(jiān) 控器。
在一實(shí)施例中，提供一種用于對(duì)離子注入工藝進(jìn)行遠(yuǎn)程(remote)磁性監(jiān) 控的系統(tǒng)。此實(shí)施例包括真空室及位于真空室內(nèi)的法拉第杯，此法拉第杯
9用以在進(jìn)入真空室的離子束路徑內(nèi)移動(dòng)；磁性監(jiān)控器放置于真空室周圍，用 以區(qū)分與法拉第杯相關(guān)聯(lián)的磁場(chǎng)與雜散磁場(chǎng)。
在第二實(shí)施例中，提供一種用于對(duì)離子注入機(jī)中的法拉第杯進(jìn)行原位
(in-situ)磁性監(jiān)控的系統(tǒng)。此實(shí)施例包括真空室及位于真空室內(nèi)的法拉第 杯，此法拉第杯用以在進(jìn)入真空室的離子束路徑內(nèi)移動(dòng)；至少一石茲性監(jiān)控器， 其放置于真空室周圍，用以在法拉第杯在真空室內(nèi)移動(dòng)時(shí)測(cè)量磁場(chǎng)；磁性監(jiān) 控器處理器，其用以接收由至少一磁性監(jiān)控器所產(chǎn)生的指示測(cè)量》茲場(chǎng)的信號(hào)。 i茲性監(jiān)控器處理器還用以確定測(cè)量,茲場(chǎng)中由法拉第杯所引起的大小以及測(cè)量 磁場(chǎng)中由雜散磁場(chǎng)所引起的大小。
在第三實(shí)施例中，提供一種離子注入機(jī)，其包括離子源，其用以產(chǎn)生 離子束；磁鐵，其用以使離子束路徑轉(zhuǎn)彎(bend);真空室，其用以自磁鐵接 收離子束；法拉第杯，其位于真空室內(nèi)，用以在真空室中的離子束路徑內(nèi)移 動(dòng)；磁性監(jiān)控器，其放置于真空室周圍，用以在法拉第杯在真空室內(nèi)移動(dòng)時(shí) 測(cè)量磁場(chǎng)；以及磁性監(jiān)控器處理器，其用以接收由磁性監(jiān)控器所產(chǎn)生的磁場(chǎng) 測(cè)量值。磁性監(jiān)控器處理器用以確定測(cè)量磁場(chǎng)中由法拉第杯所引起的大小以 及測(cè)量磁場(chǎng)中由雜散磁場(chǎng)所引起的大小。
在第四實(shí)施例中，提供一種用于對(duì)離子注入工藝進(jìn)行遠(yuǎn)程f茲性監(jiān)控的方 法。此實(shí)施例的方法包括將磁性監(jiān)控器放置于真空室周圍；將離子束射向 真空室；使法拉第杯在進(jìn)入真空室的離子束路徑內(nèi)移動(dòng)，其中法拉第杯自縮 回位置移動(dòng)至伸出位置；響應(yīng)法拉第杯處于縮回位置而使用磁性監(jiān)控器獲得 第一^f茲場(chǎng)測(cè)量值，并響應(yīng)法拉第杯處于伸出位置而使用i茲性監(jiān)控器獲得第二 磁場(chǎng)測(cè)量值；以及根據(jù)第 一磁場(chǎng)測(cè)量值及第二磁場(chǎng)測(cè)量值來(lái)確定由法拉第杯 引起的》茲場(chǎng)及由雜散;茲場(chǎng)引起的;茲場(chǎng)。
在第五實(shí)施例中，提供一種用于在離子注入機(jī)中對(duì)離子注入工藝進(jìn)行》茲 性監(jiān)控的系統(tǒng)。此實(shí)施例包括法拉第杯，其沿離子注入機(jī)的離子束線放置； 磁性監(jiān)控器，其位于法拉第杯內(nèi)，用以獲得磁場(chǎng)測(cè)量值。在第六實(shí)施例中，提供一種用于在離子注入機(jī)中對(duì)離子注入工藝進(jìn)行石茲 性監(jiān)控的方法。此實(shí)施例的方法包括將法拉第杯沿離子注入才幾的離子束線
放置；將磁性監(jiān)控器放置于法拉第杯內(nèi)；以及使用磁性監(jiān)控器獲得磁場(chǎng)測(cè)量 值。
在第七實(shí)施例中，提供一種用于在離子注入機(jī)中對(duì)離子注入工藝進(jìn)行磁 性監(jiān)控的系統(tǒng)。此實(shí)施例包括至少一法拉第杯，其沿離子注入機(jī)的離子束 線放置；^磁性監(jiān)控器，其放置于該至少一法拉第杯內(nèi)，并用以獲得磁場(chǎng)測(cè)量 值；磁性監(jiān)控器處理器，其用以接收磁場(chǎng)測(cè)量值。
在第八實(shí)施例中，提供一種離子注入機(jī)。此實(shí)施例包括離子源，其用 以產(chǎn)生離子束；磁鐵，其用以使離子束路徑轉(zhuǎn)彎；第一法拉第杯，其位于穿 過磁鐵的離子束路徑內(nèi)；第一磁性監(jiān)控器，其位于第一法拉第杯內(nèi)并用以測(cè) 量穿過磁鐵的離子束的磁場(chǎng)；真空室，其用以自磁鐵接收離子束；第二法拉 第杯，其位于真空室內(nèi)，并用以在真空室中的離子束路徑內(nèi)移動(dòng)；第二磁性 監(jiān)控器，其放置于真空室周圍，并用以在第二法拉第杯在真空室內(nèi)移動(dòng)時(shí)測(cè) 量磁場(chǎng)；以及磁性監(jiān)控器處理器，其用以接收由第一及第二磁性監(jiān)控器所產(chǎn) 生的-茲場(chǎng)測(cè)量l直。


圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的離子注入機(jī)的示意性俯視圖。 圖2是顯示圖1所示法拉第杯的詳視圖。
圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的離子注入機(jī)的示意性俯視圖，此離子 注入機(jī)在離子注入機(jī)的離子束線內(nèi)具有法拉第杯。
圖4是顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的流程圖，其描述圖1所示離子注入機(jī) 的運(yùn)作，包括一種用于對(duì)所用法拉第杯進(jìn)行^t性監(jiān)控的方法。
圖5是顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的離子注入機(jī)的示意性俯視圖，此離 子注入機(jī)具有設(shè)置于真空室周圍的多個(gè)法拉第杯及磁性監(jiān)控器。以及圖6是顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的離子注入機(jī)的示意性俯視圖，該離 子注入機(jī)具有設(shè)置于真空室及離子束線周圍設(shè)置的多個(gè)法拉第杯及磁性監(jiān)控 器。
具體實(shí)施例方式
圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的離子注入機(jī)100的示意性俯視圖。離 子注入才幾100包括離子源102,例如電漿源，離子源102受控于離子源偏壓 控制器104。離子源102用以產(chǎn)生帶電荷粒子流-稱作離子束103。提取電極 106自離子源102接收離子束103并使離開離子源102的離子束內(nèi)帶正電荷 的離子加速。在從離子源102提取帶正電荷的離子之后，分析器;茲鐵108(例 如90。偏轉(zhuǎn)磁鐵)接收離子束103,使離子束加速并自離子束中濾除不需要的 物質(zhì)。具體而言，當(dāng)離子束103進(jìn)入分析器磁鐵108時(shí)，磁場(chǎng)會(huì)將離子物質(zhì) 引導(dǎo)至圓形路徑內(nèi)。較重的離子將具有較大的曲線半徑并轟擊分析器磁鐵108 的外壁；較輕的離子則具有較小的曲線半徑并將轟擊磁鐵的內(nèi)壁。只有具有 所需質(zhì)荷比(mass-to-charge ratio)的離子才能穿過分析器》茲4失108。穿 過分析器磁鐵108的離子束103隨后進(jìn)入靜電透鏡110，靜電透鏡110包括 質(zhì)量狹縫(mass slit)112及多個(gè)電極(未顯示)，其中質(zhì)量狹縫112用于進(jìn) 一步移除離子束中所不需要的離子(離子質(zhì)量)，多個(gè)電極則界定有使離子 束能從中穿過的開孔。
修正磁鐵114 (例如45。修正磁鐵)將由靜電透鏡110所產(chǎn)生的離子束103 校準(zhǔn)(collimate)成正確的形狀，以沉積至工件116上，例如沉積至半導(dǎo)體晶 片上。盡管圖中并未顯示，然而包括減速透鏡的減速階段可自修正磁鐵114 接收離子束103,并在離子束進(jìn)入真空室118并撞擊工件116之前進(jìn)一步操 縱離子束能量。
工件搬運(yùn)室120將工件116裝載于真空室118中，以使工件可經(jīng)受離子 注入工藝。工件搬運(yùn)室120使用例如運(yùn)送機(jī)構(gòu)122 (例如裝載鎖)將工件移離裝載盒124或工件固定器，并將其引入真空室118中進(jìn)行離子注入。具體 而言，運(yùn)送機(jī)構(gòu)122將工件116放置于真空室118中離子束103的路徑上， 以使離子束撞擊工件，從而使離子束中的離子穿透工件表面并靜止在表面下 方，藉以形成具有所需導(dǎo)電率的區(qū)域。在完成對(duì)工件116的處理后，另一運(yùn) 送機(jī)構(gòu)126將工件自真空室118運(yùn)送回處理盒128或工件固定器。繼續(xù)進(jìn)行 此種裝載、處理、移開及儲(chǔ)存工件的過程，直至裝載盒中所有工件均已經(jīng)受 離子5主入工藝為止。
在處理工件116的過程中，位于真空室118中的法4i第杯130測(cè)量注入 于工件中的累加離子劑量及晶片表面區(qū)域上的劑量均勻度。法拉第杯130固 定至由馬達(dá)(未顯示)驅(qū)動(dòng)的軸(shaft)132上。在運(yùn)作時(shí)，馬達(dá)驅(qū)動(dòng)法拉第 杯130穿過射^^真空室118的離子束。離子束103穿過法拉第杯130并在法 拉第杯中形成代表離子束電流的電流。法拉第杯130將電流提供至劑量處理 器(does processor) 134，由劑量處理器134將電流相對(duì)于時(shí)間進(jìn)行積分，以 確定累加離子劑量。在一實(shí)施例中，劑量處理器134可以是普通計(jì)算機(jī)，經(jīng) 程序化后用于控制被注入工件的劑量及劑量均勻度。在另一實(shí)施例中，劑量 處理器134可以是專用控制器或局部控制器，其部分地或完全專用于劑量測(cè) 量及控制。劑量處理器134將累加離子劑測(cè)量定值提供至控制器104,控制 器104可控制由離子源102所產(chǎn)生的離子束103。
圖2顯示根據(jù)一實(shí)施例的法拉第杯130的詳視圖。在圖2中，法拉第杯 130包括杯體200，杯體200界定腔室202以用于接納離子束103。法拉第杯 體200是導(dǎo)電性的，并包括端壁204、側(cè)壁206及開口部分208。法拉第杯 130還包括用于封圍法拉第杯體200的外殼210。外殼210包括前面板212， 前面板212具有開口，以用于界定腔室202的入口孔214。法拉第杯130還 包括位于入口孔214附近的抑止電極216及磁鐵組合218,磁鐵組合218在 腔室202中產(chǎn)生》茲場(chǎng)，以阻止電子自腔室中逸出。
圖2顯示法拉第杯130具有通往劑量處理器134的連接，以提供代表經(jīng)
13入口孔214所接收離子束電流的信號(hào)。當(dāng)劑量處理器134確定已達(dá)到預(yù)定離 子劑量水平時(shí)，處理器將通知控制器104 (顯示于圖1中)，使控制器104 終止離子注入工藝。圖2還顯示法拉第杯130具有通往法拉第偏壓電源220 的連接，以使杯體200能夠被偏置于所需電位。外殼210較佳連接至參考電 位，例如接地，并與法拉第杯體200電隔離。抑止電極216可連接至抑止電 源222,由抑止電源222向抑止電極216提供偏壓。通常，相對(duì)于法拉第杯 體200對(duì)抑止電極216施加負(fù)偏壓。此外，抑止電極216與法拉第杯體200 及外殼210電隔離。
為在離子注入的操作條件范圍內(nèi)提供精確的離子束電流測(cè)量值，法拉第 杯130應(yīng)截取所有或大部分離子束。在運(yùn)作中，高能離子進(jìn)入法拉第杯體200 并撞擊杯體內(nèi)的表面，從而產(chǎn)生二次電子。二次電子可撞擊法拉第杯體200 內(nèi)的表面并產(chǎn)生三次電子。二次及三次電子逸出法拉第杯體200會(huì)造成測(cè)量 誤差。抑止電極216及磁鐵組合218則有助于阻止二次及三次電子自法拉第 杯130逸出。位于入口孔214附近的抑止電極216產(chǎn)生電場(chǎng)來(lái)阻止電子逸出 腔室202。磁鐵組合218則在腔室202中產(chǎn)生磁場(chǎng)來(lái)阻止電子逸出腔室。
圖2顯示磁鐵組合218包括在外殼210的相對(duì)側(cè)壁上安裝的第一磁鐵224 及第二磁鐵226。磁鐵組合218較佳配置成使第一磁鐵224與第二磁鐵226 具有面向腔室202的相對(duì)磁極。磁鐵224及226所產(chǎn)生的磁場(chǎng)阻止二次及三 次電子逸出腔室202。
在美國(guó)專利第6,723,998號(hào)中提供了法拉第杯系統(tǒng)的更多詳情。
在離子注入機(jī)100中使用法拉第杯130可能產(chǎn)生的問題在于，當(dāng)磁鐵組 合218阻止或抑止雜散電子逸出腔室202的能力受損時(shí)，離子劑量會(huì)出現(xiàn)偏 差。離子劑量的偏差可使所形成的工件不具有所需的導(dǎo)電率，且有時(shí)可導(dǎo)致 工件作廢。此外，若磁抑止受損，則也可能使所監(jiān)控離子束電流出現(xiàn)誤差。 若監(jiān)控與磁鐵組合218相關(guān)聯(lián)的磁場(chǎng)，則可較早地檢測(cè)到離子劑量的偏差及 所監(jiān)控離子束電流的誤差，并在出現(xiàn)嚴(yán)重?fù)诫s問題之前加以修正。由于在典型的離子注入機(jī)中存在來(lái)自除磁鐵組合218以外的來(lái)源(例如分析器磁鐵
108、修正磁鐵114及附近的可能其它來(lái)源)的多個(gè)磁場(chǎng)，因而很難區(qū)分由磁 鐵組合218所引起的磁場(chǎng)與雜散磁場(chǎng)。
重新參見圖1，通過利用放置于真空室118周圍的磁性監(jiān)控器136，本發(fā) 明克服了對(duì)由磁鐵組合218所引起的磁場(chǎng)與和分析器磁鐵108、修正磁鐵114 及附近其它來(lái)源相關(guān)聯(lián)的雜散磁場(chǎng)進(jìn)行區(qū)分的問題。在一實(shí)施例中，磁性監(jiān) 控器136位于真空室118之外，耦合至真空室118的壁138上，并用以在法 拉第杯130處于縮回或原本位置及伸出位置時(shí)獲得磁場(chǎng)測(cè)量值。在縮回位置 上，法拉第杯130靠近真空室118的壁138并靠近磁性監(jiān)控器136。此外， 在縮回位置上，法拉第杯130將不處于離子束103的路徑上。而在伸出位置 上，法拉第杯130靠近真空室的與壁138相對(duì)的壁140并遠(yuǎn)離磁性監(jiān)控器136。 在伸出位置上，法拉第杯130將處于離子束103的路徑上。在縮回位置上所 測(cè)的第一磁場(chǎng)測(cè)量值提供最大信號(hào)及最小信號(hào)，其中最大信號(hào)指示與法拉第 杯130中的磁性組合218相關(guān)聯(lián)的磁場(chǎng)，而最小信號(hào)指示雜散磁場(chǎng)。
本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將意識(shí)到，^磁性監(jiān)控器136可在真空室外側(cè)不同于 圖1所示位置處耦合至真空室118,且仍能夠獲得法拉第杯130在縮回位置 及伸出位置上的原位(in-s i tu)測(cè)量值。此外，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將意識(shí)到， 磁性監(jiān)控器136可位于真空室118內(nèi)的不同位置上。具體而言，磁性監(jiān)控器 136可放置于真空室的內(nèi)壁上，即驅(qū)動(dòng)軸132鄰接法拉第杯130或位于法拉 第杯內(nèi)。對(duì)于其中磁性監(jiān)控器136位于法拉第杯130內(nèi)的實(shí)施例，由除法拉 第杯內(nèi)的;茲鐵組合以外的其它源所引起的任何雜散磁場(chǎng)皆可忽略不計(jì)，乃因 法拉第杯中監(jiān)控器的響應(yīng)(response)強(qiáng)度將遠(yuǎn)大于任何雜散磁場(chǎng)。在此實(shí)施 例中，真空室118中的法拉第杯130既可相對(duì)于離子束103靜止，也可相對(duì) 于離子束103移動(dòng)。
在一實(shí)施例中，》茲性監(jiān)控器136包括磁性感測(cè)裝置。 一磁性感測(cè)裝置可包 括霍爾(Ha 11 )探針、磁致動(dòng)開關(guān)、磁性接近傳感器、磁二極管(magnetodiode)、
15或各向異性-茲阻(magnetoresistance, AMR)傳感器?；魻枔]:4十、磁致動(dòng)開 關(guān)、磁性接近傳感器、磁二極管、及AMR傳感器僅為可用于獲得法拉第杯130 中磁性組合218的磁場(chǎng)測(cè)量值的可能磁性感測(cè)裝置的實(shí)例，而非旨在限制其 它磁性感測(cè)裝置。舉例而言，在法拉第杯在真空室118內(nèi)移動(dòng)時(shí)，也可使用 線圈測(cè)量-茲場(chǎng)。
重新參見圖1，磁性監(jiān)控器處理器142接收由磁性監(jiān)控器136所產(chǎn)生的 磁場(chǎng)測(cè)量值。磁性監(jiān)控器處理器142使用磁場(chǎng)測(cè)量值來(lái)確定測(cè)量磁場(chǎng)中由法 拉第杯130中磁鐵組合218所引起的大小以及測(cè)量磁場(chǎng)中由雜散磁場(chǎng)所引起 的大小，雜散磁場(chǎng)例如為離子注入機(jī)IOO中的分析器磁鐵108、修正磁鐵114 及附近的其它雜嘲:磁場(chǎng)。具體而言，磁性監(jiān)控器處理器142確定在縮回位置 上所測(cè)量的第一磁場(chǎng)測(cè)量值與在伸出位置上所測(cè)量的第二磁場(chǎng)測(cè)量值的差 值。此差值表示由法拉第杯130所引起的測(cè)量磁場(chǎng)。
由于在縮回位置上所測(cè)量的第一磁場(chǎng)測(cè)量值指示與法拉第杯130中磁性 組合218相關(guān)聯(lián)的i茲場(chǎng)，而第二;茲場(chǎng)測(cè)量值指示與諸如分析器-茲鐵108、修 正磁鐵114及其它雜散磁場(chǎng)等項(xiàng)相關(guān)聯(lián)的雜散磁場(chǎng)，因而;茲性監(jiān)控器處理器 142能夠根據(jù)此差值來(lái)確定由法拉第杯130所引起的磁場(chǎng)。例如，若當(dāng)法拉 第杯130處于縮回位置時(shí)，磁性監(jiān)控器136獲得等于5. 1個(gè)單位的磁場(chǎng)測(cè)量 值，而當(dāng)法拉第杯130處于伸出位置時(shí)獲得等于5. 0個(gè)單位的》茲場(chǎng)測(cè)量值， 則差值將為0. l個(gè)單位。根據(jù)此差值，磁性監(jiān)控器處理器142將確定出測(cè)量 值中有5個(gè)單位是由雜散磁場(chǎng)引起，有0. 1個(gè)單位是由法拉第杯130引起。
磁性監(jiān)控器處理器142能夠在測(cè)量磁場(chǎng)中由法拉第杯130所引起的大小 達(dá)到預(yù)定磁場(chǎng)臨界值時(shí)向離子注入機(jī)操作員發(fā)出警告。磁性監(jiān)控器處理器142 也用以在測(cè)量磁場(chǎng)中由法拉第杯所引起的大小達(dá)到預(yù)定磁場(chǎng)臨界值時(shí)停止離 子注入。磁性監(jiān)控器處理器142通過通知控制器104以由控制器104執(zhí)行所 欲執(zhí)行的動(dòng)作而達(dá)成上述的操作。
在一實(shí)施例中，磁性監(jiān)控器處理器142可以是普通計(jì)算機(jī)，經(jīng)程序化后用于監(jiān)控磁性監(jiān)控器136所獲得的磁性測(cè)量值。在另一實(shí)施例中，磁性監(jiān)控
器處理器142可以是專用控制器或局部控制器，其部分地或完全專用于監(jiān)控 -磁性測(cè)量^直。
為易于說明，圖1僅顯示離子注入機(jī)100中將有利于大體了解用于監(jiān)控 法拉第杯130 i茲場(chǎng)的方法的組件。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將意識(shí)到，離子注入 機(jī)100也可具有圖1中所未顯示的其它組件。
此外，在另一實(shí)施例中，由于法拉第杯可用于在沿離子束線的其它位置 上監(jiān)控離子束電流，因而可將法拉第杯130放置于包括(但不限于)分析器磁 鐵108、靜電透鏡110及修正^f茲鐵114的位置上。圖3顯示離子注入^L 300 的示意性俯視圖，其中法拉第杯302在離子束穿過修正》茲鐵114時(shí)位于離子 束103的離子束線內(nèi)。在此實(shí)施例中，放置磁性監(jiān)控器304于法拉第杯302 的組成內(nèi)，以獲得^茲場(chǎng)測(cè)量值。由于》茲性監(jiān)控器304接近法拉第杯302,因 而由除法拉第杯內(nèi)的磁鐵組合以外的其它源所引起的任何雜散磁場(chǎng)均忽略不 計(jì)，乃因來(lái)自法拉第杯中監(jiān)控器的響應(yīng)強(qiáng)度要遠(yuǎn)大于任何雜散磁場(chǎng)。在此實(shí) 施例中，如上文所述，法拉第杯302既可相對(duì)于離子束103靜止，也可相對(duì) 于離子束103移動(dòng)。
在其中法拉第杯相對(duì)于離子束103靜止(無(wú)論是在真空室118中還是在 離子束線中)的實(shí)施例中，磁性監(jiān)控器處理器142將接收磁場(chǎng)測(cè)量值，且若 來(lái)自磁性監(jiān)控器的測(cè)量值高于預(yù)定磁場(chǎng)臨界值，則采取如上文所述的措施。
圖4顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的流程圖400,其描述離子注入機(jī)100的 運(yùn)作，包括一種用于對(duì)法拉第杯130進(jìn)行^磁性監(jiān)控的方法。在離子注入機(jī)100 的運(yùn)作中，首先在步驟402中，工件搬運(yùn)室120中的運(yùn)送機(jī)構(gòu)122將工件自 裝載盒124移出并將其裝入真空室118內(nèi)。然后，離子源102在步驟404中 產(chǎn)生離子束，且提取電極106在步驟406中自離子源提取離子束。分析器磁 鐵108接收提取之后的離子束，并在步驟408中自離子束中過濾出所選離子 物質(zhì)。靜電透鏡110在步驟410中操縱離子束的離子能量，且修正石茲鐵114在步驟412中進(jìn)一步操縱離子束能量，使其轉(zhuǎn)彎至真空室118中以便沉積至 工件116上。
在對(duì)工件116注入離子之前，法拉第杯130在步驟414中在縮回位置接 收離子束。此時(shí)，在法拉第杯在縮回位置接收離子束時(shí)，磁性監(jiān)控器136在 步驟416中進(jìn)行》茲場(chǎng)測(cè)量。然后，法拉第杯穿過離子束移動(dòng)至伸出位置，此 時(shí)，；茲性監(jiān)控器在步驟418中進(jìn)行另一次磁場(chǎng)測(cè)量。磁性監(jiān)控器在步驟420 中將在縮回位置及伸出位置上所測(cè)量的磁場(chǎng)測(cè)量值提供給磁性監(jiān)控器處理器 142。 ^磁性監(jiān)控器處理器142在步驟422中確定上述^f茲場(chǎng)測(cè)量值的差值，以確 定由法拉第杯130中的磁鐵組合218所引起的磁場(chǎng)相對(duì)于由雜散磁場(chǎng)所引起 的磁場(chǎng)，其中雜散磁場(chǎng)是由分析器磁鐵108、修正磁鐵114及任何其它可在 離子注入4幾100附近產(chǎn)生雜散-茲場(chǎng)的源所產(chǎn)生。
若在步驟424中判定由法拉第杯130所引起的磁場(chǎng)達(dá)到預(yù)定臨界位準(zhǔn)， 則磁性監(jiān)控器處理器142在步驟426中經(jīng)由控制器104通知操作員采取措施。 如上文所述，這些措施可包括產(chǎn)生警告發(fā)送給操作員及/或停止離子注入?；?者，若在步驟424中判定由法拉第杯130所引起的磁場(chǎng)未達(dá)到預(yù)定臨界位準(zhǔn)， 則磁性監(jiān)控器處理器142在步驟428中通知控制器104繼續(xù)進(jìn)行離子注入。
在步驟430中，離子注入繼續(xù)進(jìn)行，且運(yùn)送機(jī)構(gòu)122將工件加載處理室 118中的臺(tái)板上。然后在步驟432中，離子束將撞擊工件，使離子束中的離 子穿透工件表面并靜止在表面下方而形成具有所需導(dǎo)電率的區(qū)域。若在步驟 434中判定不再有要注入離子的工件，則離子注入結(jié)束；反之，則對(duì)其他工 件進(jìn)行注入。或者，在另一實(shí)施例中， 一旦在注入之后自離子束中移出工件， 便可接著使用^f茲性監(jiān)控器136在法拉第杯130處于縮回位置及伸出位置時(shí)進(jìn) 行石茲場(chǎng)測(cè)量，并重復(fù)步驟414—428以確保不會(huì)出現(xiàn)劑量偏差。
上述流程圖顯示與離子注入機(jī)100相關(guān)聯(lián)的某些處理功能及對(duì)法拉第杯 130的磁性監(jiān)控。就此而言，每一方塊(即步驟)皆代表與執(zhí)行這些功能相 關(guān)聯(lián)的過程動(dòng)作。也應(yīng)注意，在某些替代實(shí)施例中，在這些方塊中所述的動(dòng)作可不按圖中所述的次序進(jìn)行，或者例如可實(shí)際上同時(shí)地或按相反次序執(zhí)行， 此視所涉及的動(dòng)作而定。此外，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將意識(shí)到，可添加用于 描述處理功能的其它方塊。舉例而言，可存在用于表示在磁場(chǎng)測(cè)量處理過程 中所進(jìn)行的其它動(dòng)作的方塊，例如為劑量處理器134提供代表離子束電流的
電流測(cè)量值、使用電子劑量處理器134來(lái)確定累加離子劑量以及將結(jié)果提供 回控制器以控制提供至工件116的離子劑量。
圖5是顯示才艮據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的離子注入機(jī)500的示意性俯視圖。 圖5所示離子注入機(jī)500實(shí)質(zhì)上類似于圖1所示離子注入機(jī)100，只是注入 機(jī)500包括額外的磁性監(jiān)控器502。在此實(shí)施例中，磁性監(jiān)控器502也位于 真空室118外側(cè)的壁140上，磁性監(jiān)控器136則位于相對(duì)的壁138上。在運(yùn) 作中，磁性監(jiān)控器136獲得當(dāng)法拉第杯130處于縮回位置時(shí)的磁場(chǎng)測(cè)量值， 而磁性監(jiān)控器502獲得當(dāng)法拉第杯130移動(dòng)至伸出位置時(shí)的磁場(chǎng)測(cè)量值。磁 性監(jiān)控器處理器142自磁性監(jiān)控器136及磁性監(jiān)控器502接收磁場(chǎng)測(cè)量值， 并以上文所述的相同方式確定測(cè)量磁場(chǎng)中由法拉第杯130所引起的大小以及 測(cè)量^t場(chǎng)中由雜散-茲場(chǎng)所引起的大小。具體而言，^磁性監(jiān)控器處理器142確 定第一磁場(chǎng)測(cè)量值與第二磁場(chǎng)測(cè)量值的差值，以得知由法拉第杯130所引起 的磁場(chǎng)。
如同磁性監(jiān)控器136—樣，磁性監(jiān)控器502是磁性感測(cè)裝置，可包括例 如霍爾探針、磁致動(dòng)開關(guān)、磁性接近傳感器、AMR傳感器、磁二極管、甚至 線圏等磁性感測(cè)裝置。此外，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將意識(shí)到，磁性監(jiān)控器502 可在壁140上不同于圖5所示位置之處耦合至真空室118。此外，在真空室 外壁周圍布置額外的磁性監(jiān)控器也屬于本發(fā)明的范疇。也可放置磁性監(jiān)控器 于真空室118內(nèi)的不同位置上。某些位置可包括W旦不限于)真空室的內(nèi)壁， 即驅(qū)動(dòng)軸132鄰接法拉第杯130或位于法拉第杯內(nèi)。對(duì)于其中-茲性監(jiān)控器位 于法拉第杯130內(nèi)的實(shí)施例，由除法拉第杯內(nèi)的磁鐵組合以外的其它源所引 起的任何雜散^茲場(chǎng)皆可忽略不計(jì)。在此實(shí)施例中，真空室118中的法拉第杯既可相對(duì)于離子束103靜止，也可相對(duì)于離子束103移動(dòng)。
此外，在另一實(shí)施例中，可能希望沿離子束線在其它位置放置多個(gè)法拉
第杯，以在包括(但不限于)分析器磁鐵108、靜電透鏡110及修正磁鐵114 的位置上監(jiān)控離子束電流。除在真空室118內(nèi)所用的法拉第杯130之外，圖 6顯示離子注入機(jī)600具有在離子束103穿過分析器;茲鐵108時(shí)位于離子束 103的離子束線內(nèi)的法拉第杯602,以及在離子束穿過修正磁鐵114時(shí)位于離 子束線內(nèi)的法^立第杯604。在此實(shí)施例中，/磁性監(jiān)控器606及608分別位于 法拉第杯602及6(M的組成內(nèi)，而法拉第杯130的磁性監(jiān)控器則以上文所述 方式放置于真空室周圍。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將意識(shí)到，磁性監(jiān)控器及法拉 第杯可具有許多種組合，因此本發(fā)明并非僅限于圖6所示的實(shí)施例。
顯然，本發(fā)明提供一種用于對(duì)離子注入機(jī)的法拉第杯進(jìn)行^磁性監(jiān)控的方 法。雖然本發(fā)明已結(jié)合其較佳實(shí)施例詳細(xì)地顯示和描述如上，需要理解的是， 任何本領(lǐng)域普通我術(shù)人員所做的變化和修改能夠在不脫離本發(fā)明的范圍內(nèi)實(shí) 現(xiàn)。
20
權(quán)利要求
1.一種用于對(duì)離子注入工藝進(jìn)行遠(yuǎn)程(remote)磁性監(jiān)控的系統(tǒng)，包括真空室；法拉第杯，位于所述真空室內(nèi)，其中所述法拉第杯配置成在進(jìn)入所述真空室的離子束路徑內(nèi)移動(dòng)；以及磁性監(jiān)控器，放置于所述真空室周圍，其中所述磁性監(jiān)控器配置成用以區(qū)分與所述法拉第杯相關(guān)聯(lián)的磁場(chǎng)與雜散磁場(chǎng)。
2. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述法拉第杯配置成在所述真空室 內(nèi)自縮回位置移動(dòng)至伸出位置，其中所述法拉第杯在所述縮回位置上靠近所 述磁性監(jiān)控器，且所述法拉第杯在所述伸出位置上遠(yuǎn)離所述^l性監(jiān)控器。
3. 如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中所述磁性監(jiān)控器配置成用以響應(yīng)所 述法拉第杯處于所述縮回位置而獲得第一-茲場(chǎng)測(cè)量值，并響應(yīng)所述法拉第杯 處于所述伸出位置而獲得第二;茲場(chǎng)測(cè)量值。
4. 如權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中所述第一磁場(chǎng)測(cè)量值指示與所述法 拉第杯相關(guān)聯(lián)的所述磁場(chǎng)，而所述第二磁場(chǎng)測(cè)量值指示所述雜散磁場(chǎng)。
5. 如權(quán)利要求l所述的系統(tǒng)，其中所述^f茲性監(jiān)控器包括磁性感測(cè)裝置。
6. —種用于對(duì)離子注入機(jī)中的法拉第杯進(jìn)行原位(in-s i tu)磁性監(jiān)控的 系統(tǒng)，包括真空室；法拉第杯，位于所述真空室內(nèi)，其中所述法拉第杯配置成在進(jìn)入所述真 空室的離子束^^徑內(nèi)移動(dòng)；至少一磁性監(jiān)控器，放置于所述真空室周圍，其中所述至少一磁性監(jiān)控 器配置成在所述法4i第杯在所述真空室內(nèi)移動(dòng)時(shí)測(cè)量石茲場(chǎng)；以及磁性監(jiān)控器處理器，配置成接收由所述至少一磁性監(jiān)控器所產(chǎn)生的指示 所述測(cè)量^f茲場(chǎng)的信號(hào)，其中所述^f茲性監(jiān)控器處理器用以確定所述測(cè)量^i場(chǎng)中 由所述法拉第杯所引起的大小以及所述測(cè)量磁場(chǎng)中由雜散磁場(chǎng)所引起的大小。
7. 如權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中所述至少一磁性監(jiān)控器包括第一磁性感測(cè)裝置及第二磁性感測(cè)裝置，其中所述第 一磁性感測(cè)裝置及所述第二磁 性感測(cè)裝置位于包括所述真空室的壁上或所述法拉第杯上的位置上。
8. 如權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中所述法拉第杯配置成在所述真空室 內(nèi)自縮回位置移動(dòng)至伸出位置，其中所述法拉第杯在所述縮回位置上靠近所 述第一磁性感測(cè)裝置，且所述法拉第杯在所述伸出位置上靠近所述第二磁性 感測(cè)裝置。
9. 如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中所述第一磁性感測(cè)裝置響應(yīng)所述法 拉第杯處于所述縮回位置而獲得第一^茲場(chǎng)測(cè)量值，并響應(yīng)所述法-拉第杯處于 所述伸出位置而獲得第二磁場(chǎng)測(cè)量值。
10. 如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中所述第一磁場(chǎng)測(cè)量值指示與所述法 拉第杯相關(guān)聯(lián)的所述磁場(chǎng)，而所述第二磁場(chǎng)測(cè)量值指示所述雜散磁場(chǎng)。
11. 如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中所述磁性監(jiān)控器處理器配置成用 以確定所述第一磁場(chǎng)測(cè)量值與所述第二磁場(chǎng)測(cè)量值的差值，其中所述差值指 示由所述法拉第杯所引起的所述測(cè)量磁場(chǎng)。
12. 如權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中所述至少一磁性監(jiān)控器包括由下列 所構(gòu)成的族群中選出的磁性感測(cè)裝置霍爾探針，磁致動(dòng)開關(guān)，磁性接近傳 感器，-茲二極管，或AMR傳感器。
13. 如權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中所述-茲性監(jiān)控器處理器配置成用以 響應(yīng)判定出所述測(cè)量磁場(chǎng)中由所述法拉第杯所引起的大小達(dá)到預(yù)定臨界值而 產(chǎn)生警告。
14. 如權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中所述磁性監(jiān)控器處理器配置成用以 根據(jù)所述測(cè)量磁場(chǎng)中由所述法拉第杯所《1起的大小與所述測(cè)量磁場(chǎng)中由所述 雜散;茲場(chǎng)所引起的大小而控制進(jìn)入所述真空室的所述離子束。
15. —種離子注入才幾，包括離子源，配置成產(chǎn)生離子束；磁鐵，配置成使所述離子束的路徑轉(zhuǎn)彎；真空室，配置成自所述磁鐵接收所述離子束；法拉第杯，位于所述真空室內(nèi)，其中所述法拉第杯用以在所述真空室中 的所述離子束^各徑內(nèi)移動(dòng)；f茲性監(jiān)控器，放置于所述真空室周圍，其中所述^f茲性監(jiān)控器用以在所述 法拉第杯在所述真空室內(nèi)移動(dòng)時(shí)測(cè)量石茲場(chǎng)；以及磁性監(jiān)控器處理器，配置成接收由所述磁性監(jiān)控器所產(chǎn)生的磁場(chǎng)測(cè)量 值，其中所述石茲性監(jiān)控器處理器配置成用以確定所述測(cè)量石茲場(chǎng)中由所述法拉 第杯所《I起的大小以及所述測(cè)量磁場(chǎng)中由雜散磁場(chǎng)所引起的大小。
16. 如權(quán)利要求15所述的離子注入機(jī)，其中所述法拉第杯配置成在所 述真空室內(nèi)自縮回位置移動(dòng)至伸出位置，其中所述法拉第杯在所述縮回位置 上靠近所述磁性監(jiān)控器，且所述法拉第杯在所述伸出位置上遠(yuǎn)離所述磁性監(jiān) 控器。
17. 如權(quán)利要求16所述的離子注入機(jī)，其中所述;茲性監(jiān)控器配置成用 以響應(yīng)所述法拉第杯處于所述縮回位置而獲得第一》茲場(chǎng)測(cè)量值，并響應(yīng)所述 法拉第杯處于所述伸出位置而獲得第二磁場(chǎng)測(cè)量值。
18. 如權(quán)利要求17所述的離子注入機(jī)，其中所述第一磁場(chǎng)測(cè)量值指示 與所述法拉第杯相關(guān)聯(lián)的所述磁場(chǎng)，而所述第二磁場(chǎng)測(cè)量值指示所述雜散磁 場(chǎng)。
19. 如權(quán)利要求17所述的離子注入機(jī)，其中所述磁性監(jiān)控器處理器配 置成用以確定所述第一^f茲場(chǎng)測(cè)量值與所述第二;茲場(chǎng)測(cè)量值的差值，其中所述 差值指示由所述法拉第杯所引起的所述測(cè)量磁場(chǎng)。
20. 如權(quán)利要求15所述的離子注入機(jī)，其中所述石茲性監(jiān)控器處理器配 置成用以響應(yīng)判定出所述測(cè)量磁場(chǎng)中由所述法拉第杯所引起的大小達(dá)到預(yù)定 臨界值而產(chǎn)生告警。
21. 如權(quán)利要求15所述的離子注入機(jī)，其中所述磁性監(jiān)控器處理器用以響應(yīng)判定出所述測(cè)量磁場(chǎng)中由所述法拉第杯所引起的大小達(dá)到預(yù)定臨界值而1亭止離子注入。
22. 如權(quán)利要求15所述的離子注入機(jī)，其中所述磁性監(jiān)控器處理器配 置成根據(jù)所述測(cè)量磁場(chǎng)中由所述法拉第杯所引起的大小與所述測(cè)量磁場(chǎng)中由 所述雜散磁場(chǎng)所引起的大小而控制進(jìn)入所述真空室的所述離子束。
23. —種用于對(duì)離子注入工藝進(jìn)行遠(yuǎn)程磁性監(jiān)控的方法，包括 將磁性監(jiān)控器放置于真空室周圍； 將離子束射向所述真空室；使法拉第杯在進(jìn)入所述真空室的所述離子束路徑內(nèi)移動(dòng)，其中所述法拉 第杯自縮回位置移動(dòng)至伸出位置；響應(yīng)所述法拉第杯處于所述縮回位置而使用所述磁性監(jiān)控器獲得第一 磁場(chǎng)測(cè)量值，并響應(yīng)所述法拉第杯處于所述伸出位置而使用所述^f茲性監(jiān)控器 獲得第二^f茲場(chǎng)測(cè)量值；以及根據(jù)所述第一-茲場(chǎng)測(cè)量值及所述第二;茲場(chǎng)測(cè)量值來(lái)確定由所述法拉第 杯所引起的磁場(chǎng)及由雜散磁場(chǎng)所引起的磁場(chǎng)。
24. 如權(quán)利要求23所述的方法，其中所述確定由所述法拉第杯所引起 的磁場(chǎng)及由所述雜散磁場(chǎng)所虧j起的磁場(chǎng)的步驟包括確定所述第一磁場(chǎng)測(cè)量 值與所述第二;茲場(chǎng)測(cè)量值的差值。
25. 如權(quán)利要求23所述的方法，其中所述第一磁場(chǎng)測(cè)量值指示與所述 法拉第杯相關(guān)聯(lián)的所述磁場(chǎng)，而所述第二磁場(chǎng)測(cè)量值指示所述雜散磁場(chǎng)。
26. 如4又利要求23所述的方法，還包括響應(yīng)判定出由所述法4^第杯所 引起的磁場(chǎng)達(dá)到預(yù)定臨界值而產(chǎn)生警告。
27. 如權(quán)利要求23所述的方法，還包括響應(yīng)判定出由所述法拉第杯所 虧1起的磁場(chǎng)達(dá)到預(yù)定臨界值而停止所述離子注入。
28. 如權(quán)利要求23所述的方法，還包括根據(jù)由所述法拉第杯所引起的^磁場(chǎng)與所述雜散^f茲場(chǎng)所卩1起的^ 茲場(chǎng)而控制進(jìn)入所述真空室的所述離子束。
29. —種用于在離子注入機(jī)中對(duì)離子注入工藝進(jìn)行^f茲性監(jiān)控的系統(tǒng)，包括法拉第杯，其沿所述離子注入機(jī)的離子束線放置；以及 磁性監(jiān)控器，其位于所述法拉第杯內(nèi)，其中所述磁性監(jiān)控器用以獲得磁 場(chǎng)測(cè)量值。
30. —種用于在離子注入機(jī)中對(duì)離子注入工藝進(jìn)行^f茲性監(jiān)控的方法，包括將法拉第杯沿所述離子注入機(jī)的離子束線放置； 將磁性監(jiān)控器放置于所述法拉第杯內(nèi)；以及 使用所述-茲性監(jiān)控器獲得磁場(chǎng)測(cè)量值。
31. —種用于在離子注入機(jī)中對(duì)離子注入工藝進(jìn)行^f茲性監(jiān)控的系統(tǒng)，包括至少 一法拉第杯，其沿所述離子注入機(jī)的離子束線放置； 磁性監(jiān)控器，其放置于所述至少一法拉第杯內(nèi)，其中所述磁性監(jiān)控器用 以獲得》茲場(chǎng)測(cè)量值；以及磁性監(jiān)控器處理器，其用以接收所述磁場(chǎng)測(cè)量值。
32. —種離子注入才幾，包括 離子源，其用以產(chǎn)生離子束；磁鐵，其用以使所述離子束的路徑轉(zhuǎn)彎； 第 一法拉第杯，其位于穿過所述;茲鐵的所述離子束路徑內(nèi)； 第一^f茲性監(jiān)控器，其位于所述第一法拉第杯內(nèi)，其中所述第一磁性監(jiān)控 器用以測(cè)量穿過所述》茲鐵的所述離子束的f茲場(chǎng)； 真空室，其用以自所述磁鐵接收所述離子束；第二法拉第杯，其位于所述真空室內(nèi)，其中所述第二法拉第杯用以在所 述真空室中的所述離子束路徑內(nèi)移動(dòng)；第二磁性監(jiān)控器，其放置于所述真空室周圍，其中所述第二磁性監(jiān)控器 用以在所述第二法拉第杯在所述真空室內(nèi)移動(dòng)時(shí)測(cè)量磁場(chǎng)；以及^磁性監(jiān)控器處理器，其用以接收由所述第一及第二^f茲性監(jiān)控器所產(chǎn)生的 /磁場(chǎng)測(cè)量值。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于對(duì)離子注入機(jī)的法拉第杯進(jìn)行磁性監(jiān)控的方法。本發(fā)明包括真空室及位于真空室內(nèi)的法拉第杯，此法拉第杯用以在進(jìn)入真空室的離子束路徑內(nèi)移動(dòng)；磁性監(jiān)控器放置于真空室周圍，用以區(qū)分與法拉第杯相關(guān)聯(lián)的磁場(chǎng)與雜散磁場(chǎng)。
文檔編號(hào)G01R19/00GK101584019SQ200780050053
公開日2009年11月18日 申請(qǐng)日期2007年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月8日
發(fā)明者亞瑟溫·謝帝, 摩根·D·艾文斯, 杰·湯瑪斯·舒爾, 約瑟·P·迪宰桔雷斯契, 肯尼士·史溫森 申請(qǐng)人:瓦里安半導(dǎo)體設(shè)備公司