專利名稱：：測(cè)試或測(cè)量電氣元件的方法及系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種為以測(cè)試或測(cè)量電氣元件的方法，以及涉及相對(duì)應(yīng)系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
：像是半導(dǎo)體或集成電路芯片的電氣構(gòu)件，以及印刷電路，在市場(chǎng)銷售之前，需先經(jīng)屬其制程的整體部分的各項(xiàng)測(cè)試步驟。在所進(jìn)行的各項(xiàng)測(cè)試中，有些測(cè)試可決定出各導(dǎo)體路徑的連續(xù)性及絕緣性。其它測(cè)試可評(píng)估各導(dǎo)體路徑的電阻。文件US-6,369,591B1(Cugini等人)即描述一種利用一激光激光束以測(cè)試絕緣基體的導(dǎo)體路徑的無接觸式方法。此方法僅供決定導(dǎo)體路徑的連續(xù)性，而并未提供這些路徑的電阻及/或電容的測(cè)量作業(yè)。相同情況亦出現(xiàn)在文件EP-1233275A2(NihonDensanReadK.K.)中所描述的測(cè)試方法。該文件建議根據(jù)上述這些是否交跨(亦即該等是否通過該基體)俾以決定該路徑的連續(xù)性的各種方法。然而，上述這些各式方法并無法測(cè)量導(dǎo)體路徑的電阻或電容，亦即為以獲得電阻或電容數(shù)值的測(cè)量作業(yè)?？砂慈缦路绞綔y(cè)量交跨路徑的連續(xù)性通過光電效應(yīng)自路徑的第一末端擷取出電子，上述這些電子由經(jīng)攜至唯一電位的收集器所收集，然后測(cè)量流經(jīng)將該收集器鏈接至該路徑第二末端的電路的電流強(qiáng)度。此電流強(qiáng)度與既已藉一無錯(cuò)誤基體("黃金板")的相對(duì)應(yīng)路徑而獲得的已知電流強(qiáng)度相比較，并且自此比較結(jié)果推導(dǎo)出該交跨路徑的連續(xù)性或不連續(xù)性?？筛鶕?jù)兩種方法測(cè)量出無交跨路徑的連續(xù)性。在兩種方法中，待予測(cè)試的路徑經(jīng)電容耦接于位于該基體的相對(duì)側(cè)上的機(jī)板。根據(jù)第一方法，藉光電效應(yīng)自該路徑的末端擷取出電子，然后通過該收集器而在該路徑及該機(jī)板之間產(chǎn)生電流，并對(duì)此電流的強(qiáng)度進(jìn)行測(cè)量并整合且獲得數(shù)值，再與先前通過黃金板所獲的數(shù)值相比較。根據(jù)第二方法，施用相同的程序，然通過執(zhí)行兩個(gè)可由光電效應(yīng)而自導(dǎo)體路徑的各末端擷取出電荷的激光沖射，以測(cè)量經(jīng)構(gòu)成于該路徑與該機(jī)板間的電容的充電電流強(qiáng)度。再度地，將在此所獲的結(jié)果與利用黃金板所獲得的已知結(jié)果相比較。該文件EP-1236052Bl(VaucherChristophe)描述一種可供測(cè)量絕緣基體的導(dǎo)體路徑電阻的測(cè)試方法。根據(jù)此方法，將具有數(shù)條經(jīng)受以個(gè)別地?cái)y至任何可調(diào)整電位的導(dǎo)體區(qū)域的機(jī)板排置為面對(duì)該待測(cè)導(dǎo)體，并與其靠近。然后將粒子束，特別是激光激光束，施加于該導(dǎo)體的第一點(diǎn)處，以由光電效應(yīng)擷取出電子。按平行方式，將電子注入該導(dǎo)體的第二點(diǎn)處，據(jù)以令電流流經(jīng)此導(dǎo)體。然后，測(cè)量這兩個(gè)點(diǎn)處之間的電流強(qiáng)度，并通過施用奧姆定律而自此推算出該導(dǎo)體的電阻U=RXI。不過，此方法的實(shí)作確為相當(dāng)復(fù)雜。確實(shí)，所用激光的脈沖時(shí)段通常約為數(shù)納秒。因此，于此一時(shí)段上測(cè)量電流I-U/R會(huì)需要一按數(shù)GHz運(yùn)作的電子裝置，而此者極為昂貴。此外，于上述這些高頻處運(yùn)作意味著與所測(cè)試電路的自電感相鏈接的難處，此為該測(cè)量作業(yè)的困擾所在。給定最先進(jìn)技術(shù)，本發(fā)明針對(duì)于一種為以測(cè)試或測(cè)量電氣元件的方法，以及一種實(shí)作此方法的系統(tǒng)，這些并不需要直接地測(cè)量兩個(gè)測(cè)試點(diǎn)間的電流強(qiáng)度，從而無需按數(shù)GHz運(yùn)作的電子裝置，此電子裝置意味著鏈接于所測(cè)試電路的自電感的困難，而這些即為該測(cè)量作業(yè)的困擾所在且同時(shí)亦極為昂貴?？赏ㄟ^提供一種為以測(cè)試或測(cè)量電氣元件的方法達(dá)到該目的，其中將粒子束施加于電氣元件的第一位置；在施加上述這些粒子束的效應(yīng)下釋放出電荷；由一收集器收集所釋放的電荷；測(cè)量所收集的電荷值；并且自所收集電荷值的測(cè)量結(jié)果推導(dǎo)出該電氣元件的電氣特性。
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)一具體實(shí)施例，該粒子束為激光激光束。根據(jù)一具體實(shí)施例，該電氣元件為導(dǎo)體路徑，此者經(jīng)整合于或是經(jīng)放置于絕緣基體上，并且在其兩個(gè)末端處各者含有金屬墊。根據(jù)一具體實(shí)施例，該第一位置為金屬墊。根據(jù)一具體實(shí)施例，該金屬墊屬C4型。有利地，所收集電荷值的測(cè)量作業(yè)是由為以測(cè)量所收集電荷且其中含有電容裝置所確保，同時(shí)是通過測(cè)量此電容的充電情況來進(jìn)行所收集電荷值的測(cè)量作業(yè)。根據(jù)一具體實(shí)施例，重置單元可按該粒子束的脈沖，將該所收集電荷值的測(cè)量作業(yè)予以同步化。根據(jù)一具體實(shí)施例，電荷會(huì)被注入該電氣元件的第二位置內(nèi)，通過補(bǔ)償在粒子束動(dòng)作下所擷取電荷的漏失，并且通過為以測(cè)量經(jīng)注入電荷的裝置來測(cè)量所注入的電荷值。根據(jù)一具體實(shí)施例，可自所注入電荷值推導(dǎo)出該電氣元件的電容。根據(jù)一具體實(shí)施例，該電氣特性為該電氣元件的電阻或電容。根據(jù)一具體實(shí)施例，該電氣特性為該電氣元件的電氣連續(xù)性，或是該電氣元件相關(guān)于另一電氣元件的電氣絕緣性。本發(fā)明亦涉及一種為以制造互連支架或經(jīng)排置于互連支架上的電子電路的方法，該互連支架或電子電路包含各項(xiàng)電氣元件，該方法包含一按照根據(jù)本發(fā)明的測(cè)試或測(cè)量方法，對(duì)該互連支架或該電子電路的電氣元件所有或部分的電氣元件進(jìn)行測(cè)試或測(cè)量的步驟。本發(fā)明亦涉及一種為以測(cè)試或測(cè)量電氣元件的系統(tǒng)，其中包含裝置，此為以產(chǎn)生經(jīng)施加于電氣元件的第一位置的粒子束，而對(duì)該第一位置施加該射束可令以釋放電荷；經(jīng)釋放的電荷的收集器；裝置，此為以測(cè)量所收集的電荷值；以及裝置，此為以自該所收集的電荷值的測(cè)量結(jié)果推導(dǎo)出該電氣元件的電氣特性。根據(jù)其一具體實(shí)施例，該系統(tǒng)包含裝置，此為以產(chǎn)生先前于開始該粒子束沖射的脈沖，該脈沖構(gòu)成該為以測(cè)量該收集器所收集電荷的量值的裝置的重置單元的輸入。根據(jù)其一具體實(shí)施例，該系統(tǒng)包含來源，此者經(jīng)配裝以將電荷注入該電氣元件的第二位置，通過補(bǔ)償在粒子束動(dòng)作下的所擷取電荷的漏失。根據(jù)一具體實(shí)施例，該系統(tǒng)包含為以測(cè)量所注入電荷的量值的裝置。根據(jù)一具體實(shí)施例，該系統(tǒng)包含電容，并且通過測(cè)量電容的充電情況以測(cè)量所收集電荷值。根據(jù)一具體實(shí)施例，該系統(tǒng)經(jīng)排置以推導(dǎo)出電氣特性，而此為該電氣元件的電阻或電容。根據(jù)一具體實(shí)施例，該系統(tǒng)經(jīng)排置以推導(dǎo)出電氣特性，而該者為該電氣元件的電氣連續(xù)性，或是該電氣元件相關(guān)于另一電氣元件的電氣絕緣性。根據(jù)本發(fā)明，所收集的電荷值主要是依兩項(xiàng)參數(shù)而改變，即該電氣元件的電阻及電容。如該元件的電容或電阻數(shù)值為已知，或若可忽略這兩項(xiàng)參數(shù)中的一個(gè)，例如通過實(shí)行雙重測(cè)量，或是自該待予測(cè)試的電氣元件的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)而通過良好估計(jì)上述這些中的一個(gè)，則在施加上述這些粒子束的過程中所收集的電荷值僅會(huì)依此電阻及/或電容，亦即該測(cè)量作業(yè)所要的電氣特性，而改變。因此不需要測(cè)量該電氣元件的電阻，從流經(jīng)該元件的電流強(qiáng)度，因?yàn)榇藢偾笆鑫募﨓P-1236052Bl中所說明的情況。因此可大幅地簡(jiǎn)化該測(cè)量電子裝置。該電子裝置或可為按照約kHz的通帶而運(yùn)作，亦即依低于如業(yè)界先進(jìn)技術(shù)而通過測(cè)量流經(jīng)導(dǎo)體路徑的電流強(qiáng)度所運(yùn)作的測(cè)量電子裝置的運(yùn)作通帶約6倍的通帶。給定關(guān)聯(lián)于，然不限于此，各如附圖，經(jīng)閱讀本發(fā)明方法其一具體實(shí)施例以及根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的下列說明，即可更好了解本發(fā)明，其中圖1A按略圖方式顯示根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的具體實(shí)施例，其為以測(cè)量交跨基體的C4-BGA型導(dǎo)體路徑的電阻及/或電容，圖1B按略圖方式顯示根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的具體實(shí)施例，此為以測(cè)量C4-C4型的非交跨導(dǎo)體路徑的電阻及/或電容，圖2為在根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)中，由該導(dǎo)體路徑及該收集器整體構(gòu)成的電氣圖，圖3A及3B說明對(duì)于該路徑的不同電阻數(shù)值以及該路徑的第一電容數(shù)值，根據(jù)時(shí)間而在激光沖射過程中與之后一金屬墊的電壓演變以及所收集電荷的演變，圖4A及4B說明對(duì)于該路徑的不同電阻數(shù)值以及該路徑的第二電容數(shù)值，根據(jù)時(shí)間而在激光沖射過程中與之后一金屬墊的電壓演變以及所收集電荷的演變，圖5A及5B說明對(duì)于該路徑的不同電阻數(shù)值以及該路徑的第三電容數(shù)值，根據(jù)時(shí)間而在一激光沖射過程中與之后金屬墊的電壓演變以及所收集電荷的演變，圖6說明根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的收集器所收集電荷，按照該路徑電阻而對(duì)該路徑的不同電容數(shù)值的變化方式，圖7為根據(jù)本發(fā)明的測(cè)量系統(tǒng)的功能圖，圖8A為根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的重置單元的特定具體實(shí)施例的功能圖，圖8B說明由根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的重置單元的特定具體實(shí)施例所產(chǎn)生的不同信號(hào)，圖9為根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的測(cè)量裝置的特定具體實(shí)施例的功能圖式，此者位于接地側(cè)，以及圖IO為根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的測(cè)量裝置的特定具體實(shí)施例的功能圖式，其位于收集器側(cè)。主要元件標(biāo)記說明1基體2導(dǎo)體路徑/電氣元件3導(dǎo)體路徑/電器元件4點(diǎn)板4-1點(diǎn)板4-2點(diǎn)板5點(diǎn)板6激光激光束/粒子束7產(chǎn)生器8接地9收集器10第一裝置11無限電子來源12第二裝置13接地14熱量計(jì)15測(cè)量裝置16脈沖17重置單元18取得卡片19延緩器20延緩器21延緩器22延緩器23塑形裝置24激光脈沖25電路26第一濾波器27放大器28第二濾波器29后隨器30漂移校正信號(hào)31信號(hào)32放大信號(hào)33切換電路34命令35真空箱36電荷測(cè)量電路37第一濾波器38信號(hào)39放大器40第二濾波器41信號(hào)42后隨器43漂移校正信號(hào)具體實(shí)施例方式根據(jù)本發(fā)明的方法及系統(tǒng)可用以測(cè)試像是主動(dòng)或被動(dòng)構(gòu)件的電氣元件，此者可為離散或經(jīng)整合于一基體，像是印刷電路半導(dǎo)體芯片或是用以制作平面屏幕的玻璃基體上的電子電路。該根據(jù)本發(fā)明的方法及系統(tǒng)亦可供決定該受測(cè)電氣元件的電氣特性，特別是該測(cè)試的電氣元件的電氣連續(xù)性、電阻或電容，或是該元件關(guān)聯(lián)于另一元件或一組經(jīng)鏈接于其間的其它元件的電氣絕緣性。該電氣元件可例如為一經(jīng)整合或經(jīng)放置于絕緣基體且經(jīng)適配上的導(dǎo)體路徑，而在其各末端處具有一平面或任何其它幾何形狀的金屬墊。該絕緣基體可例如為極高密度印刷電路，或HDI印刷電路(高密度互連)，的基體，此者可運(yùn)用于多數(shù)的便攜式電子裝置內(nèi)，像是移動(dòng)電話、MP3播放器、CD或DVD讀取器或數(shù)字相機(jī)，在半導(dǎo)體芯片的封裝組成中像是微處理器或內(nèi)存，而相對(duì)應(yīng)的印刷電路稱為"IC封裝基體"或"芯片載體"。這些基體含有高密度的印刷金屬導(dǎo)體路徑，這些路徑有時(shí)具不到數(shù)十微米的寬度，兩條路徑間的間距比其一半窄，而該測(cè)試可觸及的金屬路徑具有低于100微米的維度大小。不過，本發(fā)明亦適用于任何型而具經(jīng)排置于一個(gè)或更多階臺(tái)上的導(dǎo)體路徑的基體，像是構(gòu)成LCD或電漿平面屏幕的基體，以及在裹裝之前的半導(dǎo)體芯片。此外，本發(fā)明進(jìn)一步適用于經(jīng)配有構(gòu)件的卡片的測(cè)試作業(yè)，稱為現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試、適用于連續(xù)性及絕緣性的測(cè)試作業(yè)，并且適用于像是電阻或電容的被動(dòng)構(gòu)件數(shù)值的測(cè)試作業(yè)。實(shí)作上，測(cè)量絕緣基體的導(dǎo)體路徑的電阻及/或電容是針對(duì)于檢査該路徑的連續(xù)性及絕緣性，特別是為以測(cè)試由所有或經(jīng)排置于該基體的多個(gè)絕緣層上的導(dǎo)體路徑所構(gòu)成，并且由各金屬化孔洞或?qū)У浪溄拥幕ミB網(wǎng)絡(luò)。在圖1A及1B實(shí)施例里，該測(cè)試作業(yè)的基體1為火花溝隔型的芯片載體，此為以將具一遠(yuǎn)高的連接密度的半導(dǎo)體芯片型電子構(gòu)件，攜至各點(diǎn)處間約為1毫米的標(biāo)準(zhǔn)印刷電路的間距。該基體1的各導(dǎo)體路徑2、3位于其在其上側(cè)面部或下側(cè)面部上的表面處(路徑3)，或是與其交跨(路徑2)并鏈接該基體的兩者面部。導(dǎo)體路徑的各末端包含金屬墊。各金屬墊位于該基體l的上側(cè)(點(diǎn)板4、4-1、4-2)及下側(cè)(點(diǎn)板5)面部上。位于該基體的上側(cè)面部上的各點(diǎn)板可特別地供以利用覆晶技術(shù)來配裝該芯片。各點(diǎn)板可為例如具C4型，其意義為"受控潰陷的芯片連接"。在該情況下，是由一鉛質(zhì)金屬合金一染色型，或等同的無鉛合金所制作。而位于該基體的下側(cè)面部上的各點(diǎn)板5則為具BGA型者，這表示"球格柵數(shù)組"。各C4型的金屬墊及各BGA型的金屬墊可在該基體1表面上構(gòu)成按矩陣形式而排置的互連接觸。受于根據(jù)本發(fā)明的電阻測(cè)量處理的導(dǎo)體路徑為鏈接兩個(gè)在該基體上側(cè)面部上的C4型金屬墊的C4-C4型非交跨路徑、鏈接兩個(gè)在該基體下側(cè)面部上的BGA型點(diǎn)板的BGA-BGA型非交跨路徑，或是將一在該基體上側(cè)面部上的C4型金屬墊鏈接至在該基體下側(cè)面部上的BGA點(diǎn)板的C4-BGA型交跨路徑，或者是更廣義而言任何其它型的交跨路徑。根據(jù)如圖1A中所顯示的本發(fā)明的特定具體實(shí)施例，將一粒子束6施加于交跨導(dǎo)體路徑2的位置處，該位置是由一組成欲對(duì)其連續(xù)性、電阻及/或電容進(jìn)行測(cè)量的路徑的末端的C4型點(diǎn)板4所構(gòu)成。此粒子束例如為由YAG型的脈沖激光所供應(yīng)，按一因子5所頻率倍乘的激光激光束6，而其脈沖時(shí)段以約為數(shù)納秒為佳。該激光能量是利用一經(jīng)鏈接于一為測(cè)量該激光能量的裝置15的熱量計(jì)14所測(cè)量。水平機(jī)板經(jīng)放置在該激光激光束6的路徑上，靠近該基體1而又大致地平行于此基體1。利用經(jīng)放置于該接地8的產(chǎn)生器7，將此機(jī)板攜至正電壓Vc。如此，該機(jī)板組成收集器9，而在當(dāng)各導(dǎo)體路徑承受于該激光激光束6時(shí)，該者能夠收集由各導(dǎo)體路徑所釋放的電子。根據(jù)本發(fā)明，該收集器9經(jīng)鏈接為以測(cè)量所收集電荷的第一裝置IO，而在根據(jù)本發(fā)明的說明中將于后文對(duì)此加以描述。為測(cè)量該交跨路徑2的電阻及/或電容，位于該路徑2的另一末端的金屬墊5經(jīng)鏈接于無限電子來源11。此來源位于該路徑2金屬墊5之下，而在該基體1下側(cè)面部之上。此者可經(jīng)配適于尋址電子裝置的接線機(jī)板、各向異性導(dǎo)電彈性體、微條帶陰極、納米碳管陰極或產(chǎn)生逆光電效應(yīng)的第二激光束而組成。根據(jù)本發(fā)明，此者經(jīng)鏈接于第二測(cè)量裝置12及該接地13。即如該第一測(cè)量裝置10，在根據(jù)本發(fā)明的說明里，將于后文對(duì)該第二測(cè)量裝置12進(jìn)一步描述。當(dāng)該具短波長，實(shí)作上為紫外線頻域內(nèi)的射束6觸抵該點(diǎn)板4之后，即通過光電效應(yīng)而由該點(diǎn)板釋放出電子。這些電子是由該收集器9所收集。在該粒子束6的動(dòng)作下，電流流經(jīng)由該金屬墊4及該收集器9所構(gòu)成的雙極。此電流依該粒子束的能量，以及根據(jù)與該點(diǎn)板幾何性及出現(xiàn)空間電荷的可能性相關(guān)的定律I(V)的收集器9電壓而定。圖2顯示由經(jīng)置以該點(diǎn)板4的導(dǎo)體路徑2與經(jīng)攜至一正電壓Vc的收集器9所構(gòu)成的整體而組成的等同電路?？赏ㄟ^電容C及電阻R電路而承受于電壓V以將該導(dǎo)體路徑2模型化。茲假定由該電子來源11接至接地。在平面金屬墊且出現(xiàn)有一空間電荷的情況下在該金屬墊4與該收集器9之間流動(dòng)的電流會(huì)遵守藍(lán)米爾法則，并且符合下文等式-I(V)=kV3/2若給定該者為所針對(duì)雙極的特征，則此僅為信息所給定，這是由于此為特定于該雙極的幾何性，且特定于該射束6的幾何性?？砂丛撎囟娮与娐窞榛A(chǔ)以進(jìn)行數(shù)值模擬。此電路相符于下文關(guān)系式<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>在模擬運(yùn)算中的各所用參數(shù)可如下表1所描述<表1<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>圖3A的曲線VI、V2、V3及V4說明在將表1的各參數(shù)納入考慮的模擬情況下，對(duì)于該路徑的不同電阻數(shù)值Rl=10Ohms、R2=1000Ohms、R3=11^0111113及114=1000GOhms，其電容為C二10fF，經(jīng)一按納秒的時(shí)間t的激光沖射后，該點(diǎn)板4的電壓Vp按伏特的演變。圖4A的曲線V'1、V'2、V，3和V，4及圖5A的曲線V"1、V"2、V"3和V"4說明對(duì)于與前述相同的路徑電阻數(shù)值R1、R2、R3及R4，然對(duì)于在圖4A中等于100ff而在圖5A中等于1pF的路徑電容C，且按如表1的相同參數(shù)，電壓Vp的演變。圖3B的曲線Ql、Q2、Q3及Q4說明在將表1的各參數(shù)納入考慮的模擬情況下，對(duì)于前述不同的路徑數(shù)值R1、R2、R3及R4，其電容為C二10fF，依照按納秒的時(shí)間t而按pC所收集的電荷Q的演變。圖4B的曲線Q，l、Q'2、Q，3和Q，4及圖5B的曲線Q"1、Q"2、Q"3和Q"4說明對(duì)于與前述相同的路徑電阻數(shù)值R1、R2、R3及R4，然在圖4B中等于100ff而在圖5B中等于lpF，所收集電荷Q的演變。對(duì)于極高電阻(R-1000GOhms)，該電壓Vp會(huì)隨著時(shí)間而非常緩慢地增高且減低。相反地，對(duì)于極低電阻(R二10Ohms)，電壓Vp幾乎不改變且維持在接近OV。對(duì)于中度電阻(1^=1000Ohms或lMOhm)，就所測(cè)試之電容數(shù)值而言，該點(diǎn)板4電壓約4納秒增高而觸抵最大值，然后逐漸地降低。在所有情況下，所收集電荷會(huì)隨著時(shí)間而增加。此電荷系依電阻而變。實(shí)作上，電阻愈低，所收集電荷即愈加顯著。在沖射過程中的電位上升可解釋所收集電荷的變化。在圖6里，曲線QA、QB、QC、QD及QE說明，對(duì)于下文的路徑電容數(shù)值C，根據(jù)該路徑按奧姆的電阻，而由該收集器所收集且按pC的電荷Q的演變分別為lfF、10ff、100fF、lpF及10pF。即如本圖中所示，所收集的電荷隨著該路徑的電阻而改變。電阻愈高，所收集的電荷即愈低。所有的曲線在逆S皆具有相同的廓形，因此各曲線都具有一反射點(diǎn)。電容愈低，此反射點(diǎn)即愈低。從而，若由一收集器所收集的電荷值及路徑電容為已知，則可自此推導(dǎo)出此路徑的電阻。此電荷值為實(shí)際上流經(jīng)該測(cè)試作業(yè)的各路徑的電荷值。可直接地測(cè)量該電荷值，而非僅由一經(jīng)整合的電流強(qiáng)度所評(píng)估出?？蓪⑾嗤绦蚴┯糜跍y(cè)試及非交跨路徑。在此情況下，即如圖1B中所示，將該激光束6施用于非交跨導(dǎo)體路徑3的位置處，而欲在此進(jìn)行電阻及/或電容測(cè)量作業(yè)，且更特別是施用于由該金屬墊4-1所構(gòu)成的路徑的末端。為測(cè)量該路徑3的電阻及/或電容，該金屬墊4-2經(jīng)鏈接至無限電子來源11。此電子來源11例如經(jīng)排置在該基體1的上側(cè)面部上，所考慮的路徑的金屬墊4-2上。該來源是由微條帶陰極、納米碳管陰極或可產(chǎn)生逆光電效應(yīng)的第二激光束所組成。根據(jù)本發(fā)明，此經(jīng)鏈接于該第二測(cè)量裝置12及該接地13。即如圖1A內(nèi)的情況，當(dāng)該射束6觸抵該金屬墊4-1時(shí)，會(huì)通過該光電效應(yīng)而由該點(diǎn)板式釋放出電子。這些電子是由該收集器9所收集。因此該測(cè)量原理與上述的交跨路徑的測(cè)量原理相同。圖7為顯示該根據(jù)本發(fā)明的測(cè)量系統(tǒng)的功能區(qū)塊圖式。即如該圖式中所示，此系統(tǒng)含有用以產(chǎn)生由該激光的電力供應(yīng)器所供應(yīng)的正脈沖16的裝置，而其揚(yáng)升邊緣對(duì)應(yīng)于擊發(fā)該激光沖射的開始處。該系統(tǒng)進(jìn)一步包含為以重置各測(cè)量裝置、位于該接地側(cè)上的測(cè)量裝置12、位于該收集器側(cè)上的測(cè)量裝置IO、為以測(cè)量該激光的能量的裝置15的單元17，以及取得卡片18。該脈沖16組成該單元17的輸入，以供重置各測(cè)量裝置。該單元17的輸出信號(hào)T5組成經(jīng)施加于上述這些裝置10、12及15的輸入的重置信號(hào)。該單元17的輸出信號(hào)T3組成為以更新充電該裝置10的電容的信號(hào)。上述這些裝置10、12及15的其它輸入信號(hào)來自于電子11、該收集器9、該產(chǎn)生器7及該熱量計(jì)14。此外，可將如后參照于圖10詳述的命令34施加于該裝置10的輸入。上述這些裝置12、10及15的輸出信號(hào)則構(gòu)成該取得卡片18的輸入信號(hào)。除了在激光沖射開始處的同步脈沖16以外，該根據(jù)本發(fā)明的測(cè)量裝置可意味著產(chǎn)生各方波信號(hào)T1、T2、T3、T4及T5，即如圖8A中所示。此圖為該重置單元17的功能圖式。Tl為處理信號(hào)。T2對(duì)應(yīng)于重置信號(hào)。T3對(duì)應(yīng)于為以對(duì)如圖10中所示的收集器各電容Cl、C2及C3重新充電的信號(hào)，這可如下所定義。T4為以校調(diào)該測(cè)量系統(tǒng)的信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明的特定具體實(shí)施例，該重置單元包含四個(gè)延緩器19、20、21及22，以及用以對(duì)該信號(hào)T2塑形的裝置23。該第一延緩器19可在該激光沖射開始處，從該同步脈沖16產(chǎn)生該信號(hào)T1。該第二延緩器20可從相同脈沖16產(chǎn)生該信號(hào)T2。該第三延緩器21可從該信號(hào)Tl產(chǎn)生該信號(hào)T3。該第四延緩器22可從該信號(hào)T2產(chǎn)生該信號(hào)T4。為以塑形該信號(hào)T2的裝置23可供自該信號(hào)T2產(chǎn)生該信號(hào)T5。在該激光沖射開始處的同步脈沖16是用來觸發(fā)信號(hào)Tl及T2。該激光脈沖24本身在該脈沖16的揚(yáng)升邊緣后出現(xiàn)210微秒。該Tl的落降邊緣觸發(fā)該脈沖T3，這會(huì)被用來對(duì)電容C1、C2及C3重新充電(圖10)。該信號(hào)T2的落降邊緣觸發(fā)該信號(hào)T4，這是用來校調(diào)該測(cè)量系統(tǒng)。該信號(hào)T2決定經(jīng)排置為一電荷放大器的裝置電路的重置時(shí)段長度。根據(jù)如圖8B所示的測(cè)量系統(tǒng)的特定具體實(shí)施例，特別是針對(duì)利用閃光汲取激光，在該閃光激光開始處，上述這些信號(hào)Tl及T2的揚(yáng)升邊緣與該同步脈沖16的揚(yáng)升邊緣為同步。該信號(hào)T3的揚(yáng)升邊緣與該信號(hào)Tl的落降邊緣同步。該信號(hào)Tl的時(shí)段長度等于1毫秒。該信號(hào)T2的時(shí)段長度為190微秒。該信號(hào)T3的時(shí)段長度為200微秒。圖9為根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的測(cè)量裝置12的功能圖式，此者位于接地側(cè)。此裝置12包含為以測(cè)量電荷之電路25、第一濾波器26、增益10放大器27、第二濾波器28及后隨器29。在該電路25的輸入處，有該重置信號(hào)T5、該來自于該電子來源ll的電荷測(cè)量輸入信號(hào)，以及漂移校正信號(hào)30。該電荷測(cè)量電路25的輸出信號(hào)會(huì)經(jīng)該第一濾波器26所過濾。依此所獲的經(jīng)過濾信號(hào)31對(duì)應(yīng)于該裝置12的輸出信號(hào)?？捎稍摲糯笃?7將此加以放大，并再度地由該濾波器28所過濾，遞送出經(jīng)放大信號(hào)32。該后隨器29取得由該第二濾波器所過濾的輸出信號(hào)，而在該輸出處所獲得的信號(hào)構(gòu)成該取得卡片18的輸入。實(shí)作上，該裝置12包含各電路，其第一電路為一操作放大器，而該放大器經(jīng)排置如整合器。此放大器的特征在于極高的輸入阻抗Ze與極低的輸入電流ie。另一電路可供通過一電阻器以將該漂移校正信號(hào)30注入該放大器的"負(fù)性"輸入內(nèi)，以將該放大器漂移最佳化。若該整合電容為Ci，則該表如庫倫乘伏特的敏感度等于Ci。此敏感度既經(jīng)選定為等于Ci=10pF。若Vs為該整合器在沖射之后的輸出電壓，則所測(cè)得的電性量值Qm為Qm=Vsx10-11C?？赏ㄟ^測(cè)量一通過電阻器經(jīng)注入于操作放大器的輸入的電容充電(或放電)電流所載送的電性量值，來進(jìn)行通過該無限電子來源的電性量值的測(cè)量作業(yè)。圖10顯示根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的測(cè)量裝置10，此者位于該收集器側(cè)9上。此裝置包含切換電路33，由命令34所驅(qū)動(dòng)的高阻抗0/Vc;真空箱，其箱壁經(jīng)標(biāo)注為35;以及，類似接地側(cè)上的測(cè)量裝置12，電荷測(cè)量電路36，對(duì)此施加該信號(hào)T5及漂移校正信號(hào)43;第一濾波器37，此者遞送代表由該收集器9所測(cè)得的電荷的信號(hào)38;增益10放大器39;第二濾波器40，此者遞送因子10的經(jīng)放大信號(hào)41;以及后隨器42。此裝置的操作類似于該測(cè)量裝置12的操作。不過，該電路可供計(jì)算由該收集器9所收集的電荷值。的確，該輸出電壓Vs是由Vs:l/Cix〖ixdt所給定，其中該Jixdt為在該系統(tǒng)輸入處所收集的電性Q的量值。因此，S=Q/V=Ci，而Ci-10pF。在測(cè)量電路的重置過程中，若該命令34為無作用，則該收集器9會(huì)經(jīng)該電阻器Rl及R2由該電路33攜至電壓Vc。在該激光脈沖的過程中，該命令34仍為無作用，此電路33將該收集器9絕緣于該產(chǎn)生器7。然后對(duì)電容C1、C2及C3遞送進(jìn)行測(cè)量所必要的電流。在該激光脈沖后，若該命令34為無作用，則該信號(hào)T3可通過該電路33將這些電容Cl、C2及C3重新充電。在上述這些測(cè)量電路的重置過程中，如該命令34為作用中，則會(huì)通過電阻器R1及R2由該電路33將該收集器9攜至該接地。在該激光脈沖的過程中，該命令34仍為作用中，此電路33將該收集器9絕緣于該產(chǎn)生器7。對(duì)各電容C1、C2及C3然后遞送進(jìn)行測(cè)量所必要的電流。在激光脈沖之后，若該命令34為作用中，則該信號(hào)T3通過該電路33再度地將這些電容Cl、C2及C3放電。此組態(tài)可如后述用以重置各路徑的電位。即如該裝置12，該裝置10在實(shí)作上包含各電路第一電路為操作放大器，該放大器經(jīng)排置為一整合器。此放大器的特征在于極高的輸入阻抗Ze與極低的輸入電流ie。另一電路可供通過電阻器以將該漂移校正信號(hào)43注入該放大器的"負(fù)性"輸入內(nèi)，以將該放大器漂移最佳化。若該整合電容為Ci，則該表如庫倫乘伏特的敏感度等于Ci。在收集器側(cè)進(jìn)行測(cè)量的情況下，此敏感度既經(jīng)選定為等于Ci-10-11F。若Vs為該整合器在沖射之后的輸出電壓，則所測(cè)得的電性量值Qm為Qm-VsxlO-llC?？赏ㄟ^測(cè)量通過電阻器經(jīng)注入于操作放大器的輸入的電容充電(或放電)電流所載送的電性量值，來進(jìn)行通過該收集器的電性量值的測(cè)量作業(yè)。最后，根據(jù)本發(fā)明，對(duì)各路徑進(jìn)行三項(xiàng)測(cè)量作業(yè)。第一測(cè)量是針對(duì)于檢査該路徑的連續(xù)性。此第一測(cè)量通常是連同于該路徑的電阻測(cè)量所進(jìn)行?？赏ㄟ^利用在該路徑的各金屬墊任一項(xiàng)上的光電效應(yīng)，以及一在其它金屬墊上的電子來源，來實(shí)作該第一測(cè)量作業(yè)。此測(cè)量作業(yè)是以各次沖射時(shí)所收集的電荷為基礎(chǔ)，而該電荷依該路徑的電阻而定?？赏ㄟ^如前所述的各測(cè)量裝置來進(jìn)行該測(cè)量作業(yè)?？砂丛摴怆婋p極特性的知識(shí)，及/或根據(jù)該電路的電阻而通過利用算盤或給定所收集電荷的計(jì)算結(jié)果，以進(jìn)行該電阻的測(cè)量作業(yè)。在各次沖射時(shí)，會(huì)通過該入射能量的測(cè)量作業(yè)將該者加以校調(diào)。對(duì)于高度的路徑電阻及/或電容數(shù)值，會(huì)在自該測(cè)量電路所收集的電荷時(shí)間演變之后進(jìn)行該測(cè)量作業(yè)。一種簡(jiǎn)易取得該路徑的電容數(shù)值的方式亦為當(dāng)該路徑經(jīng)一沖射后而完全充電時(shí)測(cè)量所收集的電荷。確實(shí)，若Q為此電荷，V為該收集器的電壓，而C為該路徑的電容，因此C-Q/V。為能夠利用此關(guān)系式，會(huì)有必要知道該路徑的初始電位，此者是通過"重置"該路徑的電位所作得。為該目的，在此先期階段過程中會(huì)將該收集器放置于該接地，而這是在(各)放電沖射之前進(jìn)行，即如前文關(guān)聯(lián)于該命令34所敘述。第二測(cè)量作業(yè)是針對(duì)于檢查該路徑相關(guān)于該互連網(wǎng)絡(luò)所有其它經(jīng)鏈接于上述這些間或接至相同電位的路徑的主要絕緣。最后，第三測(cè)量作業(yè)是針對(duì)于后續(xù)地檢査該路徑相較于所有其它經(jīng)個(gè)別考慮的路徑的次要絕緣。只有在當(dāng)該第二測(cè)量作業(yè)的結(jié)果顯示該路徑在該互連網(wǎng)絡(luò)里未經(jīng)適當(dāng)?shù)亟^緣時(shí)，才會(huì)進(jìn)行此第三測(cè)量作業(yè)。根據(jù)本發(fā)明，如此可提供一種為以測(cè)量電性量值的系統(tǒng)，其精準(zhǔn)度約為10%，且其動(dòng)態(tài)性可達(dá)10-13至10-8庫倫的范圍。本發(fā)明顯然并不限于上述各具體實(shí)施例。特別是，對(duì)于本發(fā)明實(shí)作，可運(yùn)用連續(xù)激光以取替該脈沖激光。甚可利用其它非激光的裝置，以于該導(dǎo)體路徑層級(jí)引入電子釋放作用，例如一電子或離子槍。從而并非通過光電效應(yīng)以釋放電子。然該測(cè)量原理確仍相同。權(quán)利要求1.一種為以測(cè)試或測(cè)量電氣元件(2、3)之方法，其特征在于將一粒子束(6)施用于電氣元件(2、3)之第一位置(4、4-1)，在施用該粒子束(6)之效應(yīng)下而釋放電荷，所釋放之電荷會(huì)由收集器(9)所收集，測(cè)量所收集之電荷值，以及可自所收集之電荷值的測(cè)量作業(yè)推導(dǎo)出該電氣元件的電氣特性。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于上述粒子束(6)為一激光激光束。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于上述電氣元件(2、3)為導(dǎo)體路徑，其經(jīng)整合于或是經(jīng)放置于絕緣基體(l)上，并且在其兩個(gè)末端處各含有金屬墊。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于上述第一位置為金屬墊(4、4陽1)。5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于上述金屬墊(4、4-1)為具C4型態(tài)。6.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于上述所收集電荷值的測(cè)量作業(yè)是由為以測(cè)量所收集電荷且其中含有電容的裝置(10)所確保，同時(shí)是通過測(cè)量此電容的充電情況來進(jìn)行所收集電荷值的測(cè)量作業(yè)。7.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于重置單元(17)可按上述粒子束(6)的脈沖(16)，將上述所收集電荷值的測(cè)量作業(yè)予以同步化。8.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于電荷會(huì)被注入上述電氣元件(2、3)的第二位置(4-2、5)內(nèi)，因此補(bǔ)償在粒子束動(dòng)作下所擷取電荷的漏失，且其中通過為以測(cè)量經(jīng)注入電荷裝置(12)來測(cè)量所注入的電荷值。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于自所注入電荷值推導(dǎo)出上述電氣元件的電容。10.根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于上述電氣特性為上述電氣元件的電阻或電容。11.根據(jù)權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于自上述電氣特性為上述電氣元件的電氣連續(xù)性，或是上述電氣元件相關(guān)于另一電氣元件的電氣絕緣性。12.—種為以制造互連支架或經(jīng)排置于互連支架上的電子電路的方法，上述互連支架或電子電路包含各項(xiàng)電氣元件，其特征在于包含按照根據(jù)權(quán)利要求1至11任一項(xiàng)的測(cè)試或測(cè)量方法，對(duì)上述互連支架或上述電子電路的電氣元件所有或部分的電氣元件進(jìn)行測(cè)試或測(cè)量的步驟。13.—種為以測(cè)試或測(cè)量電氣元件(2、3)的系統(tǒng)，其特征在于包含下列項(xiàng)目裝置，此為以產(chǎn)生經(jīng)施加于電氣元件(2、3)的第一位置(4、4-l)的粒子束(6)，將上述射束(6)施加于上述第一位置可令釋放電荷，所釋放的電荷的收集器(9)，裝置(IO)，此為以測(cè)量所收集電荷值，以及裝置，此為以自所收集的電荷值的測(cè)量作業(yè)推導(dǎo)出上述電氣元件的電子特性。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其特征在于包含裝置，此為以產(chǎn)生先前于開始上述粒子束沖射的脈沖(16)，上述脈沖(16)構(gòu)成上述為以測(cè)量上述收集器(9)所收集電荷的量值的裝置(10)的重置單元(17)的輸入。15.根據(jù)權(quán)利要求13或14任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其特征在于包含一來源(ll)，經(jīng)裝配以將電荷注入上述電氣元件(2、3)的第二位置(4-2、5)，藉此補(bǔ)償在粒子束動(dòng)作下的所擷取電荷的漏失。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其特征在于為以測(cè)量所注入電荷量值的裝置(12)。17.根據(jù)權(quán)利要求13至16任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其特征在于包含電容，且其中是通過測(cè)量電容的充電情況以測(cè)量所收集電荷值。18.根據(jù)權(quán)利要求13至17任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其特征在于上述系統(tǒng)經(jīng)排置以推導(dǎo)出電氣特性，而此為上述電氣元件的電阻或電容。19.根據(jù)權(quán)利要求13至17任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其特征在于上述系統(tǒng)經(jīng)排置以推導(dǎo)出電氣特性，而其為上述電氣元件的電氣連續(xù)性，或是上述電氣元件相關(guān)于另一電氣元件的電氣絕緣性。全文摘要本發(fā)明涉及一種為以測(cè)試或測(cè)量電氣元件的方法，其中將一粒子束(6)經(jīng)施加于電氣元件(2、3)的位置；在施加上述這些粒子束(6)的效應(yīng)下釋放出電荷；由一收集器(9)收集所釋放的電荷；測(cè)量所收集的電荷值；并且自所收集電荷值的測(cè)量結(jié)果推導(dǎo)出該電氣元件的電氣特性。本發(fā)明特別是適用于印刷電路的電阻及/或電容測(cè)量作業(yè)，并且適用于任何型態(tài)之基體，像是平面屏幕、配備以各構(gòu)件之電路，以及半導(dǎo)體芯片。文檔編號(hào)G01R31/308GK101116000SQ200680003804公開日2008年1月30日申請(qǐng)日期2006年1月24日優(yōu)先權(quán)日2005年2月4日發(fā)明者迪拉布格·吉瑞申請(qǐng)人:法商柏奈德公司