專(zhuān)利名稱(chēng)：用于暴露記錄頭上主極的樣品準(zhǔn)備方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的各種實(shí)施例涉及垂直記錄頭系統(tǒng)。更具體地，本發(fā)明的各種實(shí)施例涉及用于暴露垂直記錄頭的主極的樣品準(zhǔn)備。
背景技術(shù)：
用于操作和故障分析的樣品準(zhǔn)備在提供制造在襯底上的記錄頭的物理特性的詳細(xì)檢查方面是重要的工具。隨著記錄頭的結(jié)構(gòu)在尺寸上減小且變得更加復(fù)雜，電子顯微鏡(例如掃描電子顯微鏡)作為用于高度特定位置的操作和故障分析的重要工具脫穎而出。更特別地，一重要問(wèn)題是記錄頭的主極的關(guān)鍵參數(shù)的測(cè)量。然而，與利用傳統(tǒng)技術(shù)暴露記錄頭的主極相關(guān)的困難使這些關(guān)鍵尺寸(critical dimension)的測(cè)量不精確。
在決定記錄頭的總體性能方面主極的物理特性提供重要因素。這些物理特性直接聯(lián)系與記錄頭的電和磁的傳導(dǎo)有關(guān)的性質(zhì)。對(duì)于主極屬性最關(guān)鍵的因素包括展開(kāi)點(diǎn)(flare point)和展開(kāi)角(flare angle)。
用于在電子顯微鏡中使用的樣品結(jié)構(gòu)的準(zhǔn)備對(duì)于檢驗(yàn)記錄頭的關(guān)鍵尺寸是必要的。用于包括記錄頭的樣品結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)樣品準(zhǔn)備技術(shù)包括機(jī)械切片(例如機(jī)械研磨技術(shù))。然而，由于記錄頭上的主極目標(biāo)比通過(guò)任何所采用的機(jī)械切片技術(shù)去除的厚度小至少一個(gè)數(shù)量級(jí)，所以非常難以命中主極目標(biāo)。例如，樣品的機(jī)械研磨會(huì)除去過(guò)多的包圍主極的絕緣體，從而損壞主極且使樣品對(duì)于利用電子顯微鏡檢驗(yàn)而言沒(méi)有用處。另一方面，樣品的機(jī)械研磨可能不會(huì)除去足夠的包圍主極的絕緣體。在這種情況下，對(duì)于在電子顯微鏡中使用，主極沒(méi)有被足夠地暴露出來(lái)。結(jié)果，足夠地暴露主極以用于在電子顯微鏡中使用的成功率很低。
用于電子顯微鏡中樣品準(zhǔn)備的另一傳統(tǒng)技術(shù)是結(jié)合機(jī)械切片技術(shù)(例如機(jī)械研磨)和聚焦離子束(FIB)。例如，許多FIB步驟與機(jī)械研磨結(jié)合使用以微調(diào)用于電子顯微鏡檢驗(yàn)的記錄頭的主極的暴露。然而，當(dāng)用于故障分析時(shí)，就人工和設(shè)備成本兩者而言，該結(jié)合技術(shù)勞動(dòng)強(qiáng)度大且昂貴。結(jié)果，用于通過(guò)結(jié)合的機(jī)械切片和FIB的樣品準(zhǔn)備的費(fèi)用成本驚人，特別是如果將檢驗(yàn)一批記錄頭中不止一個(gè)樣品。另外，由于涉及的時(shí)間和成本，機(jī)械切片和FIB的結(jié)合技術(shù)對(duì)于檢查一批記錄頭中的多個(gè)記錄頭是不劃算的。
因此，需要一種準(zhǔn)備技術(shù)，其可以提供更好的用于操作和故障分析的主極暴露。

發(fā)明內(nèi)容
一種用于樣品準(zhǔn)備的方法。該方法包括機(jī)械地拋光嵌入在樣品結(jié)構(gòu)內(nèi)的記錄頭的主極上的絕緣層的部分。所述絕緣層垂直于鄰接該主極的氣墊面以平坦層的形式從上向下地被拋光。該方法還包括選擇性地濕蝕刻所述絕緣層的剩余部分從而暴露所述主極，其中該絕緣層包圍所述主極。進(jìn)行蝕刻時(shí)沒(méi)有損壞所述主極。


結(jié)合附圖，根據(jù)下面的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其它目的及優(yōu)點(diǎn)將更易于理解，附圖不符合比例，其中圖1A是示意圖，示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的包括記錄頭的樣品結(jié)構(gòu)的透視圖；圖1B是示意圖，示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的圖1A的樣品結(jié)構(gòu)在通過(guò)機(jī)械拋光除去覆層之后的透視圖；圖2是流程圖，示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的用于暴露記錄頭的主極的樣品準(zhǔn)備方法中的步驟；圖3是圖1A的樣品結(jié)構(gòu)的目標(biāo)區(qū)域的頂視圖，示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的記錄頭的主極的關(guān)鍵參數(shù)；圖4是示意圖，示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的記錄頭的主極的尖的透視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的實(shí)施例——用于暴露記錄頭的主極的樣品準(zhǔn)備的方法和系統(tǒng)，其示例顯示在附圖中。雖然將結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例描述本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解，它們不是意圖將本發(fā)明限制于這些實(shí)施例。相反，本發(fā)明意圖覆蓋包括在所附權(quán)利要求定義的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的替代、修改和等價(jià)物。
此外，在下面對(duì)本發(fā)明的詳細(xì)描述中，為了提供對(duì)本發(fā)明的透徹理解，陳述了很多特定細(xì)節(jié)。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到，本發(fā)明可以在沒(méi)有這些特定細(xì)節(jié)的情況下實(shí)施。在其它例子中，為了不至于不必要地使本發(fā)明不簡(jiǎn)明，沒(méi)有詳細(xì)地描述公知的方法、過(guò)程、組元、以及電路。
因此，本發(fā)明的實(shí)施例提供用于暴露記錄頭的主極的樣品準(zhǔn)備的方法和系統(tǒng)。結(jié)果，本發(fā)明的其它實(shí)施例服務(wù)于以上目的且提供準(zhǔn)備技術(shù)，所述準(zhǔn)備技術(shù)提供暴露記錄頭的主極以用于操作和故障分析的高成功率。此外，本發(fā)明的其它實(shí)施例服務(wù)于以上目的且提供允許以高成功率成批地準(zhǔn)備樣品的樣品準(zhǔn)備技術(shù)。而且本發(fā)明的其它實(shí)施例服務(wù)于以上目的且提供節(jié)省成本的樣品準(zhǔn)備技術(shù)以在操作和故障分析期間采用。
本發(fā)明的實(shí)施例在用于磁存儲(chǔ)的記錄頭的情況下描述。即，本發(fā)明的實(shí)施例可以用于暴露任何類(lèi)型的記錄頭。然而，特別地，本發(fā)明的實(shí)施例在用于磁存儲(chǔ)的垂直記錄頭的情況下描述。用于垂直記錄的垂直記錄頭垂直于膜平面而不是象水平記錄中那樣在膜平面內(nèi)磁化存儲(chǔ)介質(zhì)。這樣，本發(fā)明的實(shí)施例在暴露用于磁存儲(chǔ)的垂直記錄頭的主極的情況下描述。
圖1A是示意圖，示出根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的包括記錄頭的主極的樣品結(jié)構(gòu)100的透視圖。結(jié)構(gòu)100的樣品準(zhǔn)備對(duì)于暴露記錄頭110的沉積端部(deposited end)用于電子顯微鏡(例如掃描電子顯微鏡[SEM])中的檢查是必要的。圖1A中的部件不是按比例繪制的。
雖然本發(fā)明的實(shí)施例在垂直記錄(例如寫(xiě))頭的情況下描述，但是本發(fā)明的其它實(shí)施例很適于暴露任何類(lèi)型的記錄頭、元件、或半導(dǎo)體集成電路的細(xì)節(jié)。
如圖1A所示，記錄頭110的沉積端部嵌入在樣品結(jié)構(gòu)100內(nèi)。還示出了襯底115，其上沉積有記錄頭110的沉積端部。記錄頭110的沉積端部沉積在襯底115的上表面之上。
絕緣層包圍記錄頭110的沉積端部。在一實(shí)施例中，絕緣層含有氧化鋁(Al2O3)。如圖1A所示，絕緣層包括絕緣底層(undercoat)145和絕緣覆層(overcoat)140。絕緣層還包括圖1A所示的內(nèi)部形成有記錄頭110的沉積端部的氧化鋁中間涂層147。這樣，記錄頭110的沉積端部示出為嵌在絕緣覆層140與絕緣底層145之間中間層147內(nèi)。即，記錄頭110的沉積端部被絕緣層包圍。在一實(shí)施例中，絕緣層提供對(duì)樣品結(jié)構(gòu)100中的記錄頭110的沉積端部的支撐。
另外，圖1A示出碳覆層120。碳覆層120形成在樣品結(jié)構(gòu)100的側(cè)表面上，其包括襯底115的側(cè)表面以及絕緣覆層和底層140和145的側(cè)表面。記錄頭的沉積端部的主極135穿過(guò)絕緣覆層140、中間涂層147、以及底層145暴露于碳覆層120。特別地，碳覆層120為記錄頭110的沉積端部的主極135的暴露的尖提供進(jìn)一步的保護(hù)。即，碳覆層120保護(hù)極尖免于侵蝕。
另外，氣墊面(air bearing surface)130示出在圖1A中。氣墊面130與記錄頭110的沉積端部的主極135的暴露的尖相鄰。氣墊面130與存儲(chǔ)介質(zhì)(未示出)交界。例如，數(shù)據(jù)記錄到存儲(chǔ)介質(zhì)或從存儲(chǔ)介質(zhì)讀出時(shí)氣墊面130是平的或平行于存儲(chǔ)介質(zhì)的表面。
如圖1A所示，從記錄頭110的沉積端部到樣品結(jié)構(gòu)100的上表面所測(cè)量的距離“x”大于5微米。箭頭105指向氧化鋁覆層140的上表面。另外，箭頭105指向樣品結(jié)構(gòu)100和記錄頭110的沉積端部的頂視圖的方向。
圖1A所示的樣品結(jié)構(gòu)處于未準(zhǔn)備態(tài)。氧化鋁覆層140在其當(dāng)前狀態(tài)妨礙記錄頭110的沉積端部利用SEM的任何觀(guān)察。即，絕緣層140的尺寸太大而不能允許SEM檢查記錄頭110。
圖2是流程圖200，示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的用于暴露垂直記錄頭的主極的樣品準(zhǔn)備方法中的步驟。雖然本發(fā)明的實(shí)施例在垂直記錄頭的情況下描述，但是本發(fā)明的其它實(shí)施例很適于用于暴露任何類(lèi)型的記錄頭或半導(dǎo)體集成電路的組元的樣品準(zhǔn)備。利用流程圖200中描述的方法來(lái)暴露主極的優(yōu)點(diǎn)之一是與傳統(tǒng)樣品準(zhǔn)備技術(shù)相比成功率有很大的提高。由于亞微米目標(biāo)不是利用機(jī)械切片直接暴露，因此利用流程圖200中描述的技術(shù)，損壞記錄頭的機(jī)會(huì)更少。
在210，本實(shí)施例可選地除去覆蓋氣墊面的碳覆層。碳覆層與垂直記錄頭的主極相鄰。記錄頭嵌入在樣品結(jié)構(gòu)中。碳覆層的去除不是必需的，但是當(dāng)利用電子顯微鏡(例如SEM)測(cè)量時(shí)確實(shí)提供改善的關(guān)鍵參數(shù)的測(cè)量。在一實(shí)施例中，用于除去碳覆層的工藝包括灰化工藝(ash process)。特別地，應(yīng)用利用氧等離子體的干剝離工藝(dry strip process)來(lái)剝離碳覆層。例如在一實(shí)施例中，應(yīng)用氧灰化工藝約30分鐘以除去碳覆層。
在220，本實(shí)施例機(jī)械地拋光嵌入在樣品結(jié)構(gòu)內(nèi)的記錄頭的主極上的絕緣層(例如氧化鋁)的部分。特別地，本實(shí)施例除去出現(xiàn)在記錄頭的主極上的絕緣層的大部分。在一實(shí)施例中，通過(guò)研磨樣品結(jié)構(gòu)表面的機(jī)械研磨工藝進(jìn)行機(jī)械拋光。樣品結(jié)構(gòu)從上向下以平坦層的形式垂直于鄰接主極的氣墊面地被拋光。
進(jìn)行機(jī)械拋光從而為后續(xù)的蝕刻工序準(zhǔn)備樣品結(jié)構(gòu)。更具體地，進(jìn)行機(jī)械拋光以減少絕緣層中需要蝕刻的氧化鋁的量。這不僅縮短了用于蝕刻的時(shí)間，而且機(jī)械拋光為蝕刻留下更一致?tīng)顟B(tài)的樣品。即，絕緣層的表面距離記錄頭更一致，這提供了絕緣層相對(duì)于記錄頭更一致的蝕刻，從而記錄頭不過(guò)早地從絕緣層分離。
另外，通過(guò)機(jī)械拋光除去大部分絕緣層還減少所關(guān)心的目標(biāo)區(qū)域(即記錄頭的主極的尖)周?chē)乃槠牧?。此外，為了進(jìn)一步除去碎片，另一實(shí)施例包括機(jī)械拋光之后清洗樣品結(jié)構(gòu)從而進(jìn)一步為后續(xù)的蝕刻工序準(zhǔn)備樣品結(jié)構(gòu)。
圖1B為示意圖，示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的圖1A的樣品結(jié)構(gòu)的透視圖，顯示機(jī)械拋光工藝。如圖1B所示，記錄頭110被絕緣層包圍，包括覆層140、中間層147、以及底層145。另外，顯示碳覆層120覆蓋記錄頭110的沉積端部的主極135的暴露的尖。如前所述，圖1B中，機(jī)械拋光之前碳覆層120還沒(méi)有被除去。然而，本發(fā)明的其它實(shí)施例很適于實(shí)施碳覆層120的去除，在該情況中，碳覆層120將不會(huì)顯示在圖1B中。圖1B中的部件不是按比例繪制的。
如圖1B所示，垂直于鄰接主極135的氣墊面130以平坦層的形式從上向下地拋光樣品結(jié)構(gòu)100。如圖1B所示，例如，從上向下地除去平坦層141和142。前面聯(lián)系圖1A的箭頭105描述了該從上向下的方向。更特別地，絕緣層的被除去的平坦層(例如層142和141)平行于主極的平坦表面，關(guān)鍵參數(shù)可以在該平坦表面上測(cè)量。
如圖1B所示，平坦層141和142還分別包括碳覆層120的部分120A和120B。即，如果碳覆層120未被提前除去，機(jī)械拋光還將除去碳覆層120的部分。
平坦層的去除之后，氧化鋁覆層140的大部分被除去。如圖1B所示，從記錄頭110的沉積端部到樣品結(jié)構(gòu)100的上表面測(cè)量的距離“x′”小于5微米。本發(fā)明的實(shí)施例能夠機(jī)械拋光絕緣覆層到小于1微米之內(nèi)；然而，本發(fā)明實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于通過(guò)首先機(jī)械拋光絕緣覆層，包圍記錄頭的沉積端部的大致區(qū)域快速暴露而沒(méi)有損壞記錄頭110的沉積端部的主極135。
現(xiàn)在回到流程圖200，在230，本實(shí)施例選擇性濕蝕刻絕緣層的剩余部分以暴露主極。絕緣層包圍且支撐記錄頭的沉積端部。例如，該蝕刻是各向同性蝕刻，其從所有的暴露表面除去絕緣層。
本發(fā)明的實(shí)施例使用是堿性蝕刻溶液的蝕刻劑用于該蝕刻工藝。例如，各種摩爾濃度的碳酸鈉(Na2CO3)或硼酸鈉(Na2B4O7)的溶液、或者任何其它類(lèi)似溶液可以用作蝕刻劑。
進(jìn)行選擇性濕蝕刻而不損壞主極。即，可以進(jìn)行選擇性濕蝕刻而不物理地改變主極的特性，且不將記錄頭的主極和沉積端部從絕緣層移開(kāi)。更具體地，可以改變所用蝕刻劑的摩爾成分、蝕刻溶液的溫度(例如約50攝氏度)、以及用于蝕刻的持續(xù)時(shí)間，從而控制被蝕刻的絕緣層的速率和量，使得主極不被損壞。
在另一實(shí)施例中，選擇性蝕刻工藝之后，樣品結(jié)構(gòu)用濕試劑清洗。例如，濕試劑是水(H2O)，諸如去離子水。進(jìn)行清洗以除去水溶性蝕刻副產(chǎn)物，從而副產(chǎn)物將不會(huì)包上且妨礙或擋住記錄頭的主極的觀(guān)察。
流程圖200中概括的工藝允許批處理將同時(shí)準(zhǔn)備的各種記錄頭樣品結(jié)構(gòu)。結(jié)果，主極的物理參數(shù)暴露出來(lái)適于SEM成像而沒(méi)有進(jìn)行費(fèi)力的聚焦電子束工藝。
流程圖200中簡(jiǎn)述的工藝完成后，對(duì)于使用SEM觀(guān)察而言，記錄頭的沉積端部的主極充分地暴露出來(lái)。這樣，本實(shí)施例進(jìn)一步設(shè)置樣品結(jié)構(gòu)用于SEM成像。在另一實(shí)施例中，樣品結(jié)構(gòu)可選地可用導(dǎo)電涂層(例如，金鈀[AuPd]、碳、鉻、金[Au]、鉑[Pt]等)覆蓋從而增加SEM成像期間樣品結(jié)構(gòu)的電穩(wěn)定性來(lái)測(cè)量關(guān)鍵參數(shù)，例如完成的垂直記錄頭的展開(kāi)點(diǎn)和展開(kāi)角。展開(kāi)點(diǎn)和展開(kāi)角提供關(guān)于記錄頭的性能的信息。
圖3是通過(guò)兩步機(jī)械拋光和蝕刻工藝的暴露之后記錄頭的沉積端部的主極300的平坦表面的頂視圖的示意圖。如圖3所示，主極參數(shù)可以利用SEM成像和測(cè)量。例如，可以測(cè)量從氣墊面310處的主極的尖到展開(kāi)點(diǎn)的展開(kāi)點(diǎn)距離。
在右側(cè)，展開(kāi)點(diǎn)是主極300的垂直部分320與傾斜部分325的交叉點(diǎn)。在右側(cè)，從氣墊面310到展開(kāi)點(diǎn)的距離由dR表示。在左側(cè)，展開(kāi)點(diǎn)是主極300的垂直部分330與傾斜部分335的交叉點(diǎn)。在左側(cè)，從氣墊面310到展開(kāi)點(diǎn)的距離由dL表示。例如，在左側(cè)和右側(cè)，從氣墊面310到展開(kāi)點(diǎn)的距離都可以是小于500納米的尺寸。
另外，可以測(cè)量展開(kāi)角。在右側(cè)，展開(kāi)角測(cè)量為延長(zhǎng)的垂直部分320與傾斜部分325之間的角。即，角θR表示主極300右側(cè)的展開(kāi)角。在左側(cè)，展開(kāi)角測(cè)量為延長(zhǎng)的垂直部分330與傾斜部分335之間的角。即，角θL表示主極300左側(cè)的展開(kāi)角。
圖4是通過(guò)兩步機(jī)械拋光和蝕刻工藝的暴露之后記錄頭的沉積端部的主極300的傾斜視圖(angled view)。如圖4所示，主極參數(shù)可以利用SEM成像和測(cè)量。例如，可以測(cè)量與氣墊面相鄰的極尖410的長(zhǎng)度“L”和寬度“W”。例如，長(zhǎng)度“L”和寬度“W”可以是小于200納米的尺寸。另外，如圖4所示，提供了展開(kāi)點(diǎn)與氣墊面之間的距離“dR”以及展開(kāi)角“θR”。蝕刻工藝之后，記錄頭的沉積端部的主極可以完全暴露。即，足夠的絕緣層被蝕刻掉從而暴露記錄頭的主極的關(guān)鍵參數(shù)；然而，足夠的絕緣層保留從而支持主極和記錄頭且將其附著到襯底。通過(guò)適當(dāng)呈現(xiàn)樣品結(jié)構(gòu)，利用SEM成像測(cè)量長(zhǎng)度“L”和寬度“W”是可能的。
因此，本發(fā)明的實(shí)施例提供用于暴露記錄頭的主極的樣品準(zhǔn)備的方法和系統(tǒng)。本發(fā)明的實(shí)施例能夠常規(guī)地測(cè)量記錄頭頂主極中感興趣的特征。即，可以在常規(guī)基礎(chǔ)上生產(chǎn)環(huán)境中實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施例，從而允許與記錄頭的主極相關(guān)的關(guān)鍵參數(shù)測(cè)量的物理驗(yàn)證(physical confirmation)。
這樣，描述了用于暴露記錄頭的主極的樣品準(zhǔn)備的方法和系統(tǒng)。雖然借助特定實(shí)施例說(shuō)明和描述了本發(fā)明，但是應(yīng)理解，在不偏離所附權(quán)利要求及等價(jià)物所定義的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行各種變化和修改。此外，雖然用特定實(shí)施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)理解，本發(fā)明不應(yīng)解釋成被這樣的實(shí)施例所限制，而應(yīng)根據(jù)下面的權(quán)利要求進(jìn)行解釋。
權(quán)利要求
1.一種用于樣品準(zhǔn)備的方法，包括機(jī)械拋光嵌在樣品結(jié)構(gòu)內(nèi)的記錄頭的主極之上的絕緣層的一部分，其中所述絕緣層從上向下以平坦層的形式被拋光；以及選擇性濕蝕刻所述絕緣層的剩余部分，從而暴露所述主極而不損壞所述主極，其中所述絕緣層包圍所述主極。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述記錄頭是垂直記錄頭。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述機(jī)械拋光包括機(jī)械研磨所述平坦層。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述選擇性蝕刻還包括用堿性蝕刻溶液蝕刻所述絕緣層。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述絕緣層包括氧化鋁(Al2O3)。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述機(jī)械研磨包括研磨至所述主極的5微米或更小之內(nèi)。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括設(shè)置所述樣品結(jié)構(gòu)用于SEM成像。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中垂直于鄰接所述主極的氣墊面研磨所述平坦層。
9.一種用于樣品準(zhǔn)備的方法，包括除去與嵌入在樣品結(jié)構(gòu)內(nèi)的垂直記錄頭的主極鄰接的碳覆層；機(jī)械研磨所述主極之上的氧化鋁(Al2O3)絕緣層的一部分，其中垂直于鄰接所述主極的氣墊面以平坦層的形式從上向下地研磨所述氧化鋁絕緣層；以及選擇性濕蝕刻所述氧化鋁絕緣層的剩余部分，從而暴露所述主極而不損壞所述主極，其中所述氧化鋁絕緣層包圍所述主極。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述除去碳覆層包括實(shí)施氧灰化工藝來(lái)除去所述碳覆層。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述機(jī)械研磨還包括所述機(jī)械拋光之后通過(guò)清洗所述樣品結(jié)構(gòu)來(lái)為所述選擇性濕蝕刻準(zhǔn)備所述樣品結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述機(jī)械研磨包括研磨至所述主極的5微米或更小之內(nèi)。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，還包括用導(dǎo)電涂層覆蓋所述樣品結(jié)構(gòu)。
14.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述導(dǎo)電涂層包括金鈀(AuPd)。
15.如權(quán)利要求9所述的方法，還包括所述選擇性蝕刻之后用濕試劑清洗所述樣品結(jié)構(gòu)。
16.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述選擇性濕蝕刻還包括改變用于所述蝕刻的時(shí)間以控制所述氧化鋁絕緣層的被蝕刻的量。
17.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述選擇性蝕刻還包括改變用于所述選擇性蝕刻的蝕刻劑濃度以控制所述氧化鋁絕緣層的被蝕刻的量。
18.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述選擇性蝕刻還包括改變用于所述選擇性蝕刻的含有蝕刻劑的溶液的溫度以控制所述氧化鋁絕緣層的被蝕刻的量。
19.一種用于樣品準(zhǔn)備的系統(tǒng)，包括用于機(jī)械研磨嵌在樣品結(jié)構(gòu)內(nèi)的記錄頭的主極之上的氧化鋁絕緣層的一部分的裝置，其中垂直于鄰接所述主極的氣墊面以平坦層的形式從上向下地研磨所述氧化鋁絕緣層，其中所述平坦層平行于所述主極的平坦表面，在該平坦表面上可測(cè)量關(guān)鍵參數(shù)；以及用于利用堿性蝕刻劑選擇性濕蝕刻所述氧化鋁絕緣層的剩余部分以暴露所述主極而不損壞所述主極的裝置，其中所述氧化鋁絕緣層包圍所述主極。
20.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，還包括用于通過(guò)實(shí)施氧灰化工藝來(lái)除去所述氣墊面與所述主極之間的碳覆層的裝置。
21.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中用于機(jī)械研磨的所述裝置包括用于研磨至所述主極的5微米或更小之內(nèi)的裝置。
22.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，還包括用于以包括金鈀(AuPd)的導(dǎo)電涂層覆蓋所述樣品結(jié)構(gòu)的裝置。
23.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，還包括用于在所述選擇性蝕刻之后利用濕試劑清洗所述樣品結(jié)構(gòu)的裝置。
24.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，還包括用于設(shè)置所述樣品結(jié)構(gòu)以用于SEM成像的裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于樣品準(zhǔn)備的方法。該方法包括機(jī)械地拋光嵌入在樣品結(jié)構(gòu)內(nèi)的記錄頭的主極上的絕緣層的一部分。垂直與所述主極鄰接的氣墊面以平坦層的形式從上向下拋光該絕緣層。該方法還包括選擇性濕蝕刻所述絕緣層的剩余部分從而暴露所述主極，其中所述絕緣層包圍所述主極。進(jìn)行蝕刻而沒(méi)有損壞所述主極。
文檔編號(hào)G01N1/32GK1831510SQ20051013170
公開(kāi)日2006年9月13日 申請(qǐng)日期2005年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月6日
發(fā)明者菲利普·J·彼得森, 莫妮卡·L·瓦爾加斯 申請(qǐng)人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司