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鋁合金表面陽極氧化處理設備的制造方法

文檔序號:10739451閱讀:713來源:國知局
鋁合金表面陽極氧化處理設備的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了鋁合金表面陽極氧化處理設備包括:氧化箱,所述氧化箱內(nèi)裝有電解液,所述氧化箱左右兩側(cè)面分別設有一傳輸孔,傳輸帶一端分別穿過所述2個傳輸孔,所述傳輸帶左端設有待氧化鋁合金放置箱,所述傳輸帶右側(cè)設有氧化鋁合金放置箱,所述傳輸帶從左向右進行傳輸,所述氧化箱右側(cè)連接有電解液回收箱,實現(xiàn)了設備設計合理,運輸簡單,氧化效率較高的技術(shù)效果。
【專利說明】
鋁合金表面陽極氧化處理設備
技術(shù)領域
[0001]本實用新型涉及鋁合金制造領域,具體地,涉及一種鋁合金表面陽極氧化處理設備。
【背景技術(shù)】
[0002]將鋁及其合金置于適當?shù)碾娊庖褐凶鳛殛枠O進行通電處理的過程稱為陽極氧化。經(jīng)過陽極氧化,鋁表面能生成厚度為幾微米至幾百微米的氧化膜。此氧化膜的表面為多孔蜂窩狀,較之鋁合金的天然氧化膜,其耐蝕性、耐磨性均顯著提高。采用不同的電解液和工藝條件,就能得到不同性質(zhì)的陽極氧化膜。陽極氧化有鉻酸陽極氧化、草酸電解液陽極氧化、硫酸陽極氧化。硫酸陽極氧化與草酸和鉻酸陽極氧化相比,工作電壓更低,電解液更價廉,操作更簡單,氧化膜裝飾性更強,所以這種工藝很快得以普及。目前95%以上的陽極氧化是在硫酸中進行的。
[0003]在現(xiàn)有技術(shù)中,在對鋁合金進行氧化時,均是先將鋁合金搬運到氧化池中,然后氧化后取出,搬運麻煩,氧化效率較低。
[0004]綜上所述,本申請發(fā)明人在實現(xiàn)本申請實施例中實用新型技術(shù)方案的過程中,發(fā)現(xiàn)上述技術(shù)至少存在如下技術(shù)問題:
[0005]在現(xiàn)有技術(shù)中,現(xiàn)有的鋁合金表面陽極氧化處理存在搬運麻煩,氧化效率較低的技術(shù)問題。
【實用新型內(nèi)容】
[0006]本實用新型提供了一種鋁合金表面陽極氧化處理設備,解決了現(xiàn)有的鋁合金表面陽極氧化處理存在搬運麻煩,氧化效率較低的技術(shù)問題,實現(xiàn)了設備設計合理,運輸簡單,氧化效率較高的技術(shù)效果。
[0007]為解決上述技術(shù)問題,本申請實施例提供了鋁合金表面陽極氧化處理設備,所述設備包括:
[0008]氧化箱,所述氧化箱內(nèi)設有氧化槽,所述氧化槽內(nèi)裝有電解液,所述氧化箱左右兩側(cè)面分別設有一傳輸孔,傳輸帶一端分別穿過所述2個傳輸孔,所述傳輸帶左端設有待氧化鋁合金放置箱,所述傳輸帶右側(cè)設有氧化鋁合金放置箱,所述傳輸帶從左向右進行傳輸,所述氧化箱外部設有N個第一支撐結(jié)構(gòu),所述N為大于等于5的整數(shù),所述第一支撐結(jié)構(gòu)包括:第一支架和第一滾筒,所述第一支架下端固定在地面,所述第一支架上端與第一滾筒連接,氧化箱外部的傳輸帶架設在所述第一滾筒表面;所述氧化箱內(nèi)部設有M個第二支撐結(jié)構(gòu),所述M為大于等于3的整數(shù),所述第二支撐結(jié)構(gòu)包括:第二支架和第二滾筒,所述第二支架下端固定在氧化槽,所述第二支架上端與第二滾筒連接,氧化箱內(nèi)部傳輸帶架設在所述第二滾筒表面,所述第二支撐結(jié)構(gòu)的高度小于電解液的深度,所述氧化箱右側(cè)連接有電解液回收箱,所述電解液回收箱上表面為開口狀,所述電解液回收箱位于傳輸帶下方,所述傳輸帶為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
[0009]其中,所述第一支架和所述第二支架均采用角鋼制成,所述第一支架和所述第二支架表面均涂有防銹漆。
[0010]本申請實施例中提供的一個或多個技術(shù)方案,至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點:
[0011 ]由于采用了將鋁合金表面陽極氧化處理設備設計為包括:氧化箱,所述氧化箱內(nèi)設有氧化槽,所述氧化槽內(nèi)裝有電解液,所述氧化箱左右兩側(cè)面分別設有一傳輸孔,傳輸帶一端分別穿過所述2個傳輸孔,所述傳輸帶左端設有待氧化鋁合金放置箱,所述傳輸帶右側(cè)設有氧化鋁合金放置箱,所述傳輸帶從左向右進行傳輸,所述氧化箱外部設有N個第一支撐結(jié)構(gòu),所述N為大于等于5的整數(shù),所述第一支撐結(jié)構(gòu)包括:第一支架和第一滾筒,所述第一支架下端固定在地面,所述第一支架上端與第一滾筒連接,氧化箱外部的傳輸帶架設在所述第一滾筒表面;所述氧化箱內(nèi)部設有M個第二支撐結(jié)構(gòu),所述M為大于等于3的整數(shù),所述第二支撐結(jié)構(gòu)包括:第二支架和第二滾筒,所述第二支架下端固定在氧化槽,所述第二支架上端與第二滾筒連接,氧化箱內(nèi)部傳輸帶架設在所述第二滾筒表面,所述第二支撐結(jié)構(gòu)的高度小于電解液的深度,所述氧化箱右側(cè)連接有電解液回收箱,所述電解液回收箱上表面為開口狀,所述電解液回收箱位于傳輸帶下方,所述傳輸帶為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的技術(shù)方案,即首先將待氧化的鋁合金放置在待氧化鋁合金放置箱,然后將待氧化鋁合金放置在傳輸帶上進行傳輸,傳輸?shù)窖趸渲羞M行氧化,然后傳輸?shù)窖趸X合金放置箱進行裝運,避免了傳統(tǒng)的大量人工搬運,效率較高,將傳輸帶設計為網(wǎng)狀便于電解液與待氧化鋁合金接觸,且設有電解液回收箱,將傳輸帶帶出的電解液進行回收,所以,有效解決了現(xiàn)有的鋁合金表面陽極氧化處理存在搬運麻煩,氧化效率較低的技術(shù)問題,進而實現(xiàn)了設備設計合理,運輸簡單,氧化效率較高的技術(shù)效果。
【附圖說明】
[0012]圖1是本申請實施例一中鋁合金表面陽極氧化處理設備的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0013]其中,1-氧化箱,2-傳輸帶,3-待氧化鋁合金放置箱,4-氧化鋁合金放置箱,5-第一支架,6-第一滾筒,7-第二支架,8-第二滾筒,9-電解液回收箱。
【具體實施方式】
[0014]本實用新型提供了一種鋁合金表面陽極氧化處理設備,解決了現(xiàn)有的鋁合金表面陽極氧化處理存在搬運麻煩,氧化效率較低的技術(shù)問題,實現(xiàn)了設備設計合理,運輸簡單,氧化效率較高的技術(shù)效果。
[0015]本申請實施中的技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問題??傮w思路如下:
[0016]采用了將鋁合金表面陽極氧化處理設備設計為包括:氧化箱,所述氧化箱內(nèi)設有氧化槽,所述氧化槽內(nèi)裝有電解液,所述氧化箱左右兩側(cè)面分別設有一傳輸孔,傳輸帶一端分別穿過所述2個傳輸孔,所述傳輸帶左端設有待氧化鋁合金放置箱,所述傳輸帶右側(cè)設有氧化鋁合金放置箱,所述傳輸帶從左向右進行傳輸,所述氧化箱外部設有N個第一支撐結(jié)構(gòu),所述N為大于等于5的整數(shù),所述第一支撐結(jié)構(gòu)包括:第一支架和第一滾筒,所述第一支架下端固定在地面,所述第一支架上端與第一滾筒連接,氧化箱外部的傳輸帶架設在所述第一滾筒表面;所述氧化箱內(nèi)部設有M個第二支撐結(jié)構(gòu),所述M為大于等于3的整數(shù),所述第二支撐結(jié)構(gòu)包括:第二支架和第二滾筒,所述第二支架下端固定在氧化槽,所述第二支架上端與第二滾筒連接,氧化箱內(nèi)部傳輸帶架設在所述第二滾筒表面,所述第二支撐結(jié)構(gòu)的高度小于電解液的深度,所述氧化箱右側(cè)連接有電解液回收箱,所述電解液回收箱上表面為開口狀,所述電解液回收箱位于傳輸帶下方,所述傳輸帶為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的技術(shù)方案,即首先將待氧化的鋁合金放置在待氧化鋁合金放置箱,然后將待氧化鋁合金放置在傳輸帶上進行傳輸,傳輸?shù)窖趸渲羞M行氧化,然后傳輸?shù)窖趸X合金放置箱進行裝運,避免了傳統(tǒng)的大量人工搬運,效率較高,將傳輸帶設計為網(wǎng)狀便于電解液與待氧化鋁合金接觸,且設有電解液回收箱,將傳輸帶帶出的電解液進行回收,所以,有效解決了現(xiàn)有的鋁合金表面陽極氧化處理存在搬運麻煩,氧化效率較低的技術(shù)問題,進而實現(xiàn)了設備設計合理,運輸簡單,氧化效率較高的技術(shù)效果。
[0017]為了更好的理解上述技術(shù)方案,下面將結(jié)合說明書附圖以及具體的實施方式對上述技術(shù)方案進行詳細的說明。
[0018]實施例一:
[0019]在實施例一中,提供了鋁合金表面陽極氧化處理設備,請參考圖1,所述設備包括:
[0020]氧化箱I,所述氧化箱內(nèi)設有氧化槽,所述氧化槽內(nèi)裝有電解液,所述氧化箱左右兩側(cè)面分別設有一傳輸孔,傳輸帶2—端分別穿過所述2個傳輸孔,所述傳輸帶左端設有待氧化鋁合金放置箱3,所述傳輸帶右側(cè)設有氧化鋁合金放置箱4,所述傳輸帶從左向右進行傳輸,所述氧化箱外部設有N個第一支撐結(jié)構(gòu),所述N為大于等于5的整數(shù),所述第一支撐結(jié)構(gòu)包括:第一支架5和第一滾筒6,所述第一支架下端固定在地面,所述第一支架上端與第一滾筒連接,氧化箱外部的傳輸帶架設在所述第一滾筒表面;所述氧化箱內(nèi)部設有M個第二支撐結(jié)構(gòu),所述M為大于等于3的整數(shù),所述第二支撐結(jié)構(gòu)包括:第二支架7和第二滾筒8,所述第二支架下端固定在氧化槽,所述第二支架上端與第二滾筒連接,氧化箱內(nèi)部傳輸帶架設在所述第二滾筒表面,所述第二支撐結(jié)構(gòu)的高度小于電解液的深度,所述氧化箱右側(cè)連接有電解液回收箱9,所述電解液回收箱上表面為開口狀,所述電解液回收箱位于傳輸帶下方,所述傳輸帶為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
[0021 ]其中,在本申請實施例中,所述第一支架和所述第二支架均采用角鋼制成,所述第一支架和所述第二支架表面均涂有防銹漆。采用角鋼可以保障裝置的強度,凃防銹漆可以防止生銹。
[0022]上述本申請實施例中的技術(shù)方案,至少具有如下的技術(shù)效果或優(yōu)點:
[0023]由于采用了將鋁合金表面陽極氧化處理設備設計為包括:氧化箱,所述氧化箱內(nèi)設有氧化槽,所述氧化槽內(nèi)裝有電解液,所述氧化箱左右兩側(cè)面分別設有一傳輸孔,傳輸帶一端分別穿過所述2個傳輸孔,所述傳輸帶左端設有待氧化鋁合金放置箱,所述傳輸帶右側(cè)設有氧化鋁合金放置箱,所述傳輸帶從左向右進行傳輸,所述氧化箱外部設有N個第一支撐結(jié)構(gòu),所述N為大于等于5的整數(shù),所述第一支撐結(jié)構(gòu)包括:第一支架和第一滾筒,所述第一支架下端固定在地面,所述第一支架上端與第一滾筒連接,氧化箱外部的傳輸帶架設在所述第一滾筒表面;所述氧化箱內(nèi)部設有M個第二支撐結(jié)構(gòu),所述M為大于等于3的整數(shù),所述第二支撐結(jié)構(gòu)包括:第二支架和第二滾筒,所述第二支架下端固定在氧化槽,所述第二支架上端與第二滾筒連接,氧化箱內(nèi)部傳輸帶架設在所述第二滾筒表面,所述第二支撐結(jié)構(gòu)的高度小于電解液的深度,所述氧化箱右側(cè)連接有電解液回收箱,所述電解液回收箱上表面為開口狀,所述電解液回收箱位于傳輸帶下方,所述傳輸帶為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的技術(shù)方案,即首先將待氧化的鋁合金放置在待氧化鋁合金放置箱,然后將待氧化鋁合金放置在傳輸帶上進行傳輸,傳輸?shù)窖趸渲羞M行氧化,然后傳輸?shù)窖趸X合金放置箱進行裝運,避免了傳統(tǒng)的大量人工搬運,效率較高,將傳輸帶設計為網(wǎng)狀便于電解液與待氧化鋁合金接觸,且設有電解液回收箱,將傳輸帶帶出的電解液進行回收,所以,有效解決了現(xiàn)有的鋁合金表面陽極氧化處理存在搬運麻煩,氧化效率較低的技術(shù)問題,進而實現(xiàn)了設備設計合理,運輸簡單,氧化效率較高的技術(shù)效果。
[0024]盡管已描述了本實用新型的優(yōu)選實施例,但本領域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念,則可對這些實施例作出另外的變更和修改。所以,所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本實用新型范圍的所有變更和修改。
[0025]顯然,本領域的技術(shù)人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣,倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi),則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.鋁合金表面陽極氧化處理設備,其特征在于,所述設備包括: 氧化箱,所述氧化箱內(nèi)設有氧化槽,所述氧化槽內(nèi)裝有電解液,所述氧化箱左右兩側(cè)面分別設有一傳輸孔,傳輸帶一端分別穿過所述2個傳輸孔,所述傳輸帶左端設有待氧化鋁合金放置箱,所述傳輸帶右側(cè)設有氧化鋁合金放置箱,所述傳輸帶從左向右進行傳輸,所述氧化箱外部設有N個第一支撐結(jié)構(gòu),所述N為大于等于5的整數(shù),所述第一支撐結(jié)構(gòu)包括:第一支架和第一滾筒,所述第一支架下端固定在地面,所述第一支架上端與第一滾筒連接,氧化箱外部的傳輸帶架設在所述第一滾筒表面;所述氧化箱內(nèi)部設有M個第二支撐結(jié)構(gòu),所述M為大于等于3的整數(shù),所述第二支撐結(jié)構(gòu)包括:第二支架和第二滾筒,所述第二支架下端固定在氧化槽,所述第二支架上端與第二滾筒連接,氧化箱內(nèi)部傳輸帶架設在所述第二滾筒表面,所述第二支撐結(jié)構(gòu)的高度小于電解液的深度,所述氧化箱右側(cè)連接有電解液回收箱,所述電解液回收箱上表面為開口狀,所述電解液回收箱位于傳輸帶下方,所述傳輸帶為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁合金表面陽極氧化處理設備,其特征在于,所述第一支架和所述第二支架均采用角鋼制成,所述第一支架和所述第二支架表面均涂有防銹漆。
【文檔編號】C25D11/04GK205420578SQ201521050769
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2015年12月16日
【發(fā)明人】姜琳, 王開波, 何強
【申請人】四川迅吉科技有限責任公司
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