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一種納米復(fù)合電鍍液、其制備方法及鋅合金電鍍件的制作方法

文檔序號:9703543閱讀:737來源:國知局
一種納米復(fù)合電鍍液、其制備方法及鋅合金電鍍件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于電鍍技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種納米復(fù)合電鍍液、其制備方法及鋅合金電鍍件。
【背景技術(shù)】
[0002]鋅合金的熔點低,可以壓鑄成各種形狀復(fù)雜的零件,壓鑄成的零件表面光滑、致密、尺寸精確,且加工費用低廉,生產(chǎn)效率高,是和批量生產(chǎn),因而利用鋅合金壓鑄工藝制作零件在國內(nèi)外發(fā)展很快,工業(yè)應(yīng)用也越來越廣泛。
[0003]鋅合金壓鑄件雖然具有上述種種優(yōu)勢,但其材料本身化學(xué)穩(wěn)定性差,在空氣中容易受到氧化而失去表面的光澤,要改善其防腐性和裝飾性能就必須進(jìn)行表面涂覆處理。由于鋅合金壓鑄件多以輕工產(chǎn)品為主,裝飾性要求較高,故多采用電鍍技術(shù),利用鍍層來滿足上述要求。
[0004]但鋅合金壓鑄件化學(xué)穩(wěn)定性能差,遇酸、堿都容易溶解,故在電鍍工藝中既不能采用強堿除油也不能采用強酸浸蝕,電鍍?nèi)芤哼€需選擇接近中性的工藝配方,否則就有可能在溶液中被溶解,與電位較正的金屬發(fā)生置換作用,從而影響鍍層的結(jié)合力并污染電鍍?nèi)芤骸?br>[0005]公開號為CN 101012569A的中國專利公開了一種鋅合金壓鑄件直接無氰電鍍銅的方法,該方法采用含有二價銅離子的電鍍液對鋅合金進(jìn)行電鍍,得到具有單質(zhì)銅鍍層的鋅合金。該方法制得的銅鍍層與鋅合金基體的結(jié)合力較好,但是,耐腐蝕性較差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種納米復(fù)合電鍍液、其制備方法及鋅合金電鍍件,本發(fā)明提供的納米復(fù)合電鍍液形成的鍍層具有較好的耐腐蝕性能。
[0007]本發(fā)明提供一種納米復(fù)合電鍍液,包括以下濃度的組分:
[0008]氰化亞銅:23?26g/L,氰化鋅:10?12g/L,氰化鈉:43?51g/L,碳酸鈉:25?35g/L,酒石酸鉀鈉:10?20g/L,氯化銨:4?8g/L ,S12=I?4g/L,余量為水。
[0009]優(yōu)選的,所述納米Si02的粒徑為10?20nm。
[0010]優(yōu)選的,所述氰化亞銅與氰化鋅的質(zhì)量比為(2?2.5):1。
[0011 ]優(yōu)選的,所述氰化亞銅的濃度為24?25g/L。
[0012]優(yōu)選的,所述氰化鋅的濃度為11?11.5g/L。
[0013]優(yōu)選的,所述納米復(fù)合電鍍液還包括分散劑;
[0014]所述分散劑包括聚二甲基二烯丙基氯化銨和/或十六烷基三甲基溴化銨。
[0015]優(yōu)選的,所述聚二甲基二稀丙基氯化錢的濃度為5?50mg/L;
[0016]所述十六烷基三甲基溴化銨的濃度為5?50mg/L。
[0017]本發(fā)明提供一種納米復(fù)合電鍍液的制備方法,包括以下步驟:
[0018]將氰化亞銅、氰化鋅、氰化鈉、碳酸鈉、酒石酸鉀鈉、氯化銨和納米S12與水混合,得到納米復(fù)合電鍍液;
[0019]其中,所述納米復(fù)合電鍍液中氰化亞銅濃度為23?26g/L,氰化鋅濃度為10?12g/L,氰化鈉濃度為43?51g/L,碳酸鈉濃度為25?35g/L,酒石酸鉀鈉濃度為10?20g/L,氯化錢濃度為4?8g/L,S12濃度為I?4g/L。
[0020]本發(fā)明提供一種鋅合金電鍍件,由所述鋅合金壓鑄件在上文所述的納米復(fù)合電鍍液中電鍍得到。
[0021]優(yōu)選的,所述鋅合金電鍍件為表面具有白銅錫鍍層的鋅合金電鍍件。
[0022]本發(fā)明提供了一種納米復(fù)合電鍍液,包括以下濃度的組分:氰化亞銅:23?26g/L,氰化鋅:10?12g/L,氰化鈉:43?51g/L,碳酸鈉:25?35g/L,酒石酸鉀鈉:10?20g/L,氯化銨:4?8g/L,納米S12: I?4g/L,余量為水。納米S12的加入使陰極極化程度增加,且阻止了Cu-Zn合金晶粒的長大,使鍍層更加細(xì)化和緊密,減少了沉積層空隙率,形成了顆粒增強的金屬基復(fù)合鍍層,從而提高了鍍層的耐腐蝕性。實驗結(jié)果表明,本發(fā)明中的Cu-Zn-S12納米復(fù)合鍍層的 Iccirr為 15.0 X 10—6A/cm2,而未加S12的Cu-Zn合金鍍層的Iccirr為 109.52 X 10—6A/cm2,本發(fā)明鍍層的腐蝕電流大為降低,說明本發(fā)明中的納米復(fù)合鍍層的耐蝕性較Cu-Zn合金鍍層得到了明顯提高。
【附圖說明】
[0023]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0024]圖1為本發(fā)明實施例1得到的鍍層照片;
[0025]圖2為本發(fā)明實施例1和比較例I的Tafe I極化曲線;
[0026]圖3為本發(fā)明實施例2得到的鍍層照片;
[0027 ]圖4為本發(fā)明實施例2和比較例I的Tafe I極化曲線;
[0028]圖5為本發(fā)明實施例3得到的鍍層照片;
[0029 ]圖6為本發(fā)明實施例3和比較例I的Taf e I極化曲線;
[0030]圖7為本發(fā)明實施例4得到的鍍層圖片;
[0031]圖8為本發(fā)明實施例4和比較例I的TafeI極化曲線;
[0032]圖9為本發(fā)明比較例I得到的鍍層照片。
【具體實施方式】
[0033]本發(fā)明提供一種納米復(fù)合電鍍液,包括以下濃度的組分:
[0034]氰化亞銅:23?26g/L,氰化鋅:10?12g/L,氰化鈉:43?51g/L,碳酸鈉:25?35g/L,酒石酸鉀鈉:10?20g/L,氯化錢:4?8g/L,納米Si02: I?4g/L,余量為水。
[0035]本發(fā)明提供的納米復(fù)合電鍍液制得的電鍍層具有較好的耐腐蝕性能。
[0036]在本發(fā)明中,所述氰化亞銅的質(zhì)量濃度為23?26g/L,優(yōu)選為24?25g/L;所述氰化鋅的質(zhì)量濃度為10?12g/L,優(yōu)選為11?11.5g/L;所述氰化亞銅與氰化鋅的質(zhì)量比優(yōu)選為(2?2.5):1,更優(yōu)選為(2.1?2.4):1,最優(yōu)選為(2.2?2.3):1。本發(fā)明通過優(yōu)化電解液中的Cu、Zn的含量以及Cu、Zn之間的質(zhì)量比,使得復(fù)合鍍層中銅鋅的含量比維持在80:20?65:35之間,即鍍層外觀呈現(xiàn)出淺黃至金黃的銅鋅合金顏色,鍍層顏色相對容易控制。
[0037]在本發(fā)明中,所述氰化鈉的質(zhì)量濃度為43?51g/L,優(yōu)選為44?50g/L,更優(yōu)選為45?49g/L;所述碳酸鈉的質(zhì)量濃度優(yōu)選為25?35g/L,更優(yōu)選為26?34g/L,最優(yōu)選為27?33g/L;所述酒石酸鉀鈉的質(zhì)量濃度為10?20g/L,優(yōu)選為12?18g/L,更優(yōu)選為13?17g/L;所述氯化錢的質(zhì)量濃度為4?8g/L,優(yōu)選為5?7g/L。
[0038]在本發(fā)明中,所述納米二氧化娃的質(zhì)量濃度為I?4g/L,優(yōu)選為2?3g/L;所述納米二氧化娃的粒徑優(yōu)選為10?20nm,更能優(yōu)選為12?18nm,最優(yōu)選為13?17nm,最最優(yōu)選為14?16nm。本發(fā)明在所述電解液中加入納米二氧化硅,使陰極的極化程度增加,同時阻止了Cu-Zn合金晶粒的長大,使其形成的合金鍍層更加的細(xì)化和緊密,減少了沉積層空隙率,形成了顆粒增強的金屬基復(fù)合鍍層,耐蝕性相比于單純的銅鋅合金鍍層大大提高。
[0039]本發(fā)明中的納米復(fù)合電鍍液優(yōu)選還包括分散劑,所述分散劑優(yōu)選包括聚二甲基二烯丙基氯化銨(I3DDA)和/或十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)。
[0040]其中,所述CTAB為陽離子型表面活性劑,其離解后帶有大量正電荷基團,周圍會吸附大量帶有相反電荷的S12,增加了顆粒間的斥力,達(dá)到分散目的,同時離解出來的小離子使分散介質(zhì)的離子強度發(fā)生改變,從而改變了雙電層的厚度,增強了雙電層的穩(wěn)定性,使納米S12更容易與金屬離子
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