1.一種mems芯片，其特征在于，包括：層疊設(shè)置的基底(100)、振膜(200)和背極板(500)；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems芯片，其特征在于，在所述基底(100)的厚度方向上，所述導(dǎo)電層(502)的投影面積小于所述第一絕緣層(501)的投影面積。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的mems芯片，其特征在于，所述第二絕緣層(503)包覆多個所述第一通孔(5012)的側(cè)壁。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的mems芯片，其特征在于，在所述基底(100)的厚度方向上，所述第二絕緣層(503)的靠近所述振膜(200)的一側(cè)與所述第一絕緣層(501)的靠近所述振膜(200)的一側(cè)持平。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的mems芯片，其特征在于，所述背極板(500)還包括第一防粘結(jié)構(gòu)(5031)，在所述基底(100)的厚度方向上，所述第一防粘結(jié)構(gòu)(5031)凸設(shè)于所述第一絕緣層(501)朝向所述振膜(200)的一側(cè)表面；
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的mems芯片，其特征在于，所述氣孔(504)包括變徑孔段，從所述導(dǎo)電層(502)指向所述第一絕緣層(501)的方向上，所述變徑孔段的孔徑變小。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的mems芯片，其特征在于，所述第二絕緣層(503)的邊沿截止于多個所述第一通孔(5012)的側(cè)壁。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的mems芯片，其特征在于，所述氣孔(504)包括變徑孔段，從所述導(dǎo)電層(502)指向所述第一絕緣層(501)的方向上，所述變徑孔段的孔徑變小。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一所述的mems芯片，其特征在于，所述背極板(500)還包括第二防粘結(jié)構(gòu)(5011)，在所述基底(100)的厚度方向上，所述第二防粘結(jié)構(gòu)(5011)凸設(shè)于所述第一絕緣層(501)朝向所述振膜(200)的一側(cè)；
10.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一所述的mems芯片，其特征在于，所述導(dǎo)電層(502)的邊界線沿多個所述第一通孔(5012)的邊緣布置。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一所述的mems芯片，其特征在于，所述振膜(200)與所述基底(100)之間設(shè)置有第一犧牲層(300)，所述第一犧牲層(300)包括在其厚度上貫通的第一空腔(301)，所述振膜(200)與所述背極板(500)之間設(shè)置有第二犧牲層(400)，所述第二犧牲層(400)包括在其厚度上貫通的第二空腔(401)；
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的mems芯片，其特征在于，在從所述背極板(500)指向所述振膜(200)的方向上，所述第二空腔(401)的內(nèi)徑逐漸變寬。
13.一種mems芯片，其特征在于，包括：層疊設(shè)置的基底(100)、振膜(200)和背極板(500)；
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的mems芯片，其特征在于，所述背極板(500)還包括第二防粘結(jié)構(gòu)(5011)，在所述基底(100)的厚度方向上，所述第二防粘結(jié)構(gòu)(5011)凸設(shè)于所述第一絕緣層(501)朝向所述振膜(200)的一側(cè)；
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的mems芯片，其特征在于，在所述基底(100)的厚度方向上，所述導(dǎo)電層(502)的投影面積小于所述第一絕緣層(501)的投影面積。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的mems芯片，其特征在于，所述導(dǎo)電層(502)的邊界線沿多個所述第一通孔(5012)的邊緣布置。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的mems芯片，其特征在于，所述振膜(200)與所述基底(100)之間設(shè)置有第一犧牲層(300)，所述第一犧牲層(300)包括在其厚度上貫通的第一空腔(301)，所述振膜(200)與所述背極板(500)之間設(shè)置有第二犧牲層(400)，所述第二犧牲層(400)包括在其厚度上貫通的第二空腔(401)；
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的mems芯片，其特征在于，在從所述背極板(500)指向所述振膜(200)的方向上，所述第二空腔(401)的內(nèi)徑逐漸變寬。
19.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-18中任一所述的mems芯片。