技術(shù)特征：

1.一種用于深槽刻蝕工藝的散熱結(jié)構(gòu)，包括由上而下依次設(shè)置的mems結(jié)構(gòu)層、錨點(diǎn)層和襯底，其特征在于：所述的mems結(jié)構(gòu)層被隔離溝隔離為外圍結(jié)構(gòu)和懸空的mems功能結(jié)構(gòu)，mem功能結(jié)構(gòu)與襯底間有下空腔，外圍結(jié)構(gòu)通過(guò)外圍區(qū)錨點(diǎn)與襯底連接，mems功能結(jié)構(gòu)通過(guò)功能區(qū)錨點(diǎn)與襯底連接，所述的mems功能結(jié)構(gòu)包含若干個(gè)功能單元，各功能單元間具有間隙，間隙的寬度均大于隔離溝的寬度；所述的隔離溝內(nèi)設(shè)有散熱結(jié)構(gòu)，用于將mems功能結(jié)構(gòu)刻蝕時(shí)產(chǎn)生的熱量傳遞給外圍區(qū)錨點(diǎn)，散熱結(jié)構(gòu)與mems功能結(jié)構(gòu)之間形成深槽，深槽的深寬比大于間隙的深寬比。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于深槽刻蝕工藝的散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于：功能區(qū)錨點(diǎn)的數(shù)量與面積的乘積小于外圍區(qū)錨點(diǎn)的數(shù)量與面積的乘積。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于深槽刻蝕工藝的散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于：深槽的刻蝕速率小于間隙的刻蝕速率。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于深槽刻蝕工藝的散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的功能單元為梳齒、諧振梁、彈簧和/或微鏡。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于深槽刻蝕工藝的散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的散熱結(jié)構(gòu)的截面呈長(zhǎng)方形。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于深槽刻蝕工藝的散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的散熱結(jié)構(gòu)的截面呈梯形。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于深槽刻蝕工藝的散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于：mems功能結(jié)構(gòu)與外圍結(jié)構(gòu)的材料相同。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)一種用于深槽刻蝕工藝的散熱結(jié)構(gòu)，屬于芯片制造的技術(shù)領(lǐng)域，具體是當(dāng)MEMS結(jié)構(gòu)層被隔離溝隔離為外圍結(jié)構(gòu)和懸空的MEMS功能結(jié)構(gòu)后，需要繼續(xù)刻蝕MEMS功能結(jié)構(gòu)以形成間隙用來(lái)將MEMS功能結(jié)構(gòu)隔離為能夠活動(dòng)的各功能單元，此刻蝕過(guò)程的熱量無(wú)法散熱，利用刻蝕的微負(fù)載效應(yīng)，通過(guò)在隔離溝內(nèi)設(shè)置散熱結(jié)構(gòu)，散熱結(jié)構(gòu)與MEMS功能結(jié)構(gòu)之間形成大深寬比的深槽，保留MEMS功能結(jié)構(gòu)向外圍區(qū)錨點(diǎn)散熱的通道，使MEMS功能結(jié)構(gòu)刻蝕時(shí)產(chǎn)生的熱量能通過(guò)外圍區(qū)錨點(diǎn)散熱，確?？涛g工藝正常完成，有效解決了懸空結(jié)構(gòu)在刻蝕過(guò)程中的散熱問(wèn)題，提升工藝能力，刻蝕形貌符合設(shè)計(jì)需求。

技術(shù)研發(fā)人員：蘇佳樂(lè),華亞平
受保護(hù)的技術(shù)使用者：安徽芯動(dòng)聯(lián)科微系統(tǒng)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6