本發(fā)明涉及集成電路封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種MEMS壓力傳感器封裝的保護(hù)方法。

背景技術(shù)：

MEMS壓力傳感器的封裝過程中，通常使用充油和波紋膜片的方式進(jìn)行壓力傳感器芯片的保護(hù)，但由于該技術(shù)工藝較為復(fù)雜且成本較高，用于工業(yè)生產(chǎn)中將增加產(chǎn)品的成本。

另外，在芯片表面點硅凝膠的保護(hù)方法，雖然可以保護(hù)芯片不受水汽、離子、灰塵等沾污，但在使用過程中會因外界氣體壓力陡然變小，致使高壓環(huán)境中進(jìn)入硅凝膠內(nèi)的氣體出現(xiàn)膨脹，導(dǎo)致凝膠產(chǎn)生鼓泡的現(xiàn)象，影響引線的電氣連接性能。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種MEMS壓力傳感器封裝的保護(hù)方法，采用MEMS壓力傳感器封裝的芯體滴入充填介質(zhì)，并在其所生成的表面上生長一層聚對二甲苯薄膜，以隔絕外界水汽、離子等玷污，且能夠有效地保護(hù)充填介質(zhì)，避免在壓力變化時，氣壓降低太快導(dǎo)致介質(zhì)中進(jìn)入的空氣膨脹，損壞壓力傳感器芯片和與外殼連接引線，進(jìn)而保護(hù)MEMS壓力傳感器封裝不會破壞，有效地實現(xiàn)了傳感器芯體耐玷污，壓力精密傳遞的功能。由于工藝簡單，成本低廉，可以有效地降低傳感器的生產(chǎn)成本。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是：提供一種MEMS壓力傳感器封裝的保護(hù)方法，采用凝膠、硅油和聚對二甲苯對芯片進(jìn)行隔離封裝，該方法包括：

使用填充介質(zhì)對安裝有壓力傳感器芯片的芯體進(jìn)行充填，將壓力傳感器芯片和引線進(jìn)行隔離保護(hù)；

在所述填充介質(zhì)形成的表面生長一層聚對二甲苯。

在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述聚對二甲苯生長工藝為典型真空電極工藝，也可選用其他特殊溫度生長條件，在所述填充介質(zhì)表面形成致密薄膜，用于MEMS壓力傳感器芯片及表面填充介質(zhì)的保護(hù)。

在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述致密薄膜的厚度為小于1毫米。

在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述填充介質(zhì)為硅凝膠、苯甲基硅油、甲基硅油或橄欖油。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明提供的一種MEMS壓力傳感器封裝的保護(hù)方法，采用的工藝簡單，成本低廉，適合批量生產(chǎn)，能夠增強(qiáng)MEMS壓力傳感器芯體耐玷污能力并實現(xiàn)壓力的精密傳遞。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖，其中：

圖1 是本發(fā)明一種MEMS壓力傳感器封裝的保護(hù)方法的一較佳實施例典型的MEMS壓力傳感器封裝的剖面示意圖；

圖2 是本發(fā)明一種MEMS壓力傳感器封裝的保護(hù)方法的一較佳實施例典型的MEMS壓力傳感器封裝的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3 是本發(fā)明一種MEMS壓力傳感器封裝的保護(hù)方法的一較佳實施例MEMS壓力傳感器封裝灌入充填介質(zhì)后的剖面示意圖；

圖4 是本發(fā)明一種MEMS壓力傳感器封裝的保護(hù)方法的一較佳實施例MEMS壓力傳感器封裝生長聚對二甲苯后的剖面示意圖。

具體實施方式

下面將對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

如圖1-4所示，本發(fā)明實施例包括：

一種MEMS壓力傳感器封裝的保護(hù)方法，采用凝膠、硅油和聚對二甲苯對芯片進(jìn)行隔離封裝，該方法包括：

使用填充介質(zhì)對安裝有壓力傳感器芯片的芯體進(jìn)行充填，將壓力傳感器芯片和引線進(jìn)行隔離保護(hù)；

在所述填充介質(zhì)形成的表面生長一層聚對二甲苯。

其中，所述聚對二甲苯生長工藝為典型真空電極工藝，也可選用其他特殊溫度生長條件，在所述填充介質(zhì)表面形成致密薄膜，用于MEMS壓力傳感器芯片及表面填充介質(zhì)的保護(hù)。

進(jìn)一步的，所述致密薄膜的厚度為小于1毫米。

進(jìn)一步的，所述填充介質(zhì)為硅凝膠、苯甲基硅油、甲基硅油或橄欖油。

其中，圖1為本發(fā)明中典型的MEMS壓力傳感器封裝的剖面示意圖，1a、1b為MEMS壓力傳感器外殼，2為MEMS壓力傳感器芯片；MEMS壓力傳感器芯片通過膠3固定在外殼底部；外殼引出電極4與MEMS壓力傳感器芯片電極5通過引線鍵合工藝形成的引線6連接。封裝的結(jié)構(gòu)圖如圖2所示。

為了保護(hù)MEMS壓力傳感器芯片及連接引線，在裝入壓力傳感器芯片的外殼空腔內(nèi)灌入充填介質(zhì)7，如圖3所示。如果選用硅凝膠作為充填介質(zhì)，需等待凝膠常溫或加溫固化；如果選用硅油等油性介質(zhì)則可直接生長聚對二甲苯。

由于在外界壓力從高壓向低壓改變時，進(jìn)入充填介質(zhì)7的氣體在低壓下來不及排出即可發(fā)生膨脹，影響壓力傳感器的性能，在硅凝膠固化后或油性充填介質(zhì)填充完畢后，使用典型真空電極工藝在填充介質(zhì)表面及外殼頂層形成一層聚對二甲苯薄膜8，如圖4所示。聚對二甲苯的真空生長環(huán)境使充填介質(zhì)中的氣體排出，表面的聚對二甲苯薄膜8使充填介質(zhì)7與外界空氣完全隔離，用于MEMS壓力傳感器芯片及表面填充介質(zhì)的保護(hù)。

綜上所述，本發(fā)明提供了一種MEMS壓力傳感器封裝的保護(hù)方法，擁有聚對二甲苯保護(hù)層的充填介質(zhì)能夠與外部環(huán)境隔絕，防止壓力作用時填充保護(hù)介質(zhì)受到外部壓力影響而遭到破壞，此外能夠有效的增加填充介質(zhì)表面的抗水汽、離子的玷污能力，有效地實現(xiàn)了傳感器耐玷污，壓力的精密傳遞的功能，并且采用的工藝簡單，成本低廉，適合批量生產(chǎn)。

以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其它相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。