Mems壓力傳感器及其封裝方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種MEMS壓力傳感器及其封裝方法，采用平面基板進(jìn)行封裝，完成引線鍵合工藝后在所述平面基板上安裝柵格，所述平面基板與柵格構(gòu)成若干容置芯片的容置空間，因此引線鍵合時(shí)在基板的垂直方向上并無(wú)遮擋，無(wú)需擔(dān)心劈刀會(huì)觸碰基板，也就不需要考慮劈刀與基板側(cè)壁的安全距離問(wèn)題，在平面基板上可以設(shè)計(jì)安裝更多的芯片，可減小MEMS壓力傳感器的封裝體積及成本，在保證MEMS壓力傳感器功能及可靠性的前提下，提高器件的集成度。
【專(zhuān)利說(shuō)明】MEMS壓力傳感器及其封裝方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路制造【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種MEMS壓力傳感器及其封裝方法。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著MEMS器件產(chǎn)品在消費(fèi)類(lèi)電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，采用MEMS技術(shù)制作的壓力傳感器在各個(gè)領(lǐng)域都有著廣闊的發(fā)展前景。而在MEMS壓力傳感器產(chǎn)品中，封裝成本占總成本75%以上，因此終端客戶(hù)對(duì)其小型化、低成本的需求越來(lái)越強(qiáng)烈。
[0003]對(duì)于MEMS壓力傳感器的封裝，傳統(tǒng)的工藝使用中央鏤空的基板，如圖1?3所示，中央鏤空的基板10包括底壁10a以及設(shè)置于底壁10a上的若干豎直的側(cè)壁10b，所述底壁10a與若干側(cè)壁10b共同限定若干容置空間10c，每一容置空間10c用于安裝一芯片11 (在此包括控制芯片11a和壓敏芯片11b)，可通過(guò)導(dǎo)電膠將芯片11固定在底壁10a上，再利用劈刀20進(jìn)行引線鍵合，使得金絲14 一端連接基板10上的焊盤(pán)(pad) 13，另一端連接壓敏芯片 lib。
[0004]實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)，進(jìn)行引線鍵合時(shí)劈刀20極容易觸碰基板10的側(cè)壁10b，從而造成基板10的損傷或者引線鍵合工藝的不可靠。為了解決上述問(wèn)題，通常是在基板設(shè)計(jì)時(shí)預(yù)留一定區(qū)域，如圖1所示，即使焊盤(pán)13距離基板10的側(cè)壁10b —安全距離L，以確保劈刀20避開(kāi)基板10的側(cè)壁10b，通常L > 0.75mm，但是此種方式浪費(fèi)了很多空間，使得MEMS壓力傳感器的結(jié)構(gòu)相對(duì)較大，成本相對(duì)較高，不利于提高器件的集成度。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于，解決現(xiàn)有技術(shù)中MEMS壓力傳感器的結(jié)構(gòu)相對(duì)較大，成本相對(duì)較高，器件集成度低的問(wèn)題。
[0006]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種MEMS壓力傳感器封裝方法，包括:
[0007]提供一形成有若干焊盤(pán)的平面基板；
[0008]在所述平面基板上安裝若干芯片，并通過(guò)引線鍵合工藝形成若干引線，所述引線一端連接一芯片，所述引線另一端連接一焊盤(pán)；以及
[0009]在所述平面基板上安裝柵格，所述平面基板與所述柵格構(gòu)成若干容置空間，每一容置空間內(nèi)容置一芯片。
[0010]可選的，在所述的MEMS壓力傳感器封裝方法中，所述柵格包括柵格主體以及形成于所述柵格主體上的若干鏤空區(qū)域，所述若干鏤空區(qū)域與所述若干芯片相對(duì)應(yīng)。所述柵格的若干鏤空區(qū)域均為方形。
[0011]可選的，在所述的MEMS壓力傳感器封裝方法中，所述柵格通過(guò)絕緣膠安裝于所述平面基板上。利用一印刷網(wǎng)在所述柵格主體上涂抹絕緣膠。所述印刷網(wǎng)包括印刷網(wǎng)主體以及形成于所述印刷網(wǎng)主體上的若干膠水孔，使用刮刀將所述絕緣膠涂抹在所述印刷網(wǎng)的若干膠水孔上，所述絕緣膠經(jīng)所述膠水孔流到所述柵格主體上。
[0012]可選的，在所述的MEMS壓力傳感器封裝方法中，利用一定位夾具將所述柵格安裝于所述平面基板上。所述定位夾具包括上夾具和下夾具，所述下夾具上形成有容置所述柵格的凹槽。所述下夾具上還形成有若干定位銷(xiāo)，所述平面基板以及所述上夾具上形成有與所述若干定位銷(xiāo)匹配的定位孔。
[0013]可選的，在所述的MEMS壓力傳感器封裝方法中，所述平面基板與所述柵格主體均為方形結(jié)構(gòu)。
[0014]可選的，在所述的MEMS壓力傳感器封裝方法中，所述平面基板與所述柵格的材質(zhì)相同。
[0015]可選的，在所述的MEMS壓力傳感器封裝方法中，所述芯片包括控制芯片以及位于所述控制芯片上的壓敏芯片，所述控制芯片通過(guò)導(dǎo)電膠固定于所述平面基板上，所述壓敏芯片通過(guò)絕緣膠固定于所述控制芯片上。
[0016]可選的，在所述的MEMS壓力傳感器封裝方法中，在所述平面基板上安裝柵格之后，在所述平面基板與柵格構(gòu)成的容置空間內(nèi)灌入硅凝膠，所述硅凝膠暴露所述壓敏芯片的表面。
[0017]可選的，在所述的MEMS壓力傳感器封裝方法中，在所述平面基板上安裝柵格之后，在所述柵格上固定一蓋板，所述蓋板上設(shè)置有開(kāi)口。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的另一面，還提供一種MEMS壓力傳感器，包括:形成有若干焊盤(pán)的平面基板；安裝于所述平面基板上的若干芯片；通過(guò)引線鍵合工藝形成的若干引線，所述引線一端連接一芯片，另一端連接所述平面基板上的一焊盤(pán)；以及形成若干引線后固定于所述平面基板上的柵格，所述平面基板與所述柵格構(gòu)成若干容置空間，每一容置空間內(nèi)容置
-H-* LL
'~■心片O
[0019]可選的，在所述的MEMS壓力傳感器中，所述柵格包括柵格主體以及形成于所述柵格主體上的若干鏤空區(qū)域，所述若干鏤空區(qū)域與所述若干芯片相對(duì)應(yīng)。所述柵格的若干鏤空區(qū)域均為方形。
[0020]可選的，在所述的MEMS壓力傳感器中，所述柵格通過(guò)絕緣膠安裝于所述平面基板上。
[0021]可選的，在所述的MEMS壓力傳感器中，所述平面基板與所述柵格主體均為方形結(jié)構(gòu)。
[0022]可選的，在所述的MEMS壓力傳感器中，所述平面基板與所述柵格的材質(zhì)相同。
[0023]可選的，在所述的MEMS壓力傳感器中，所述芯片包括控制芯片以及位于所述控制芯片上的壓敏芯片，所述控制芯片通過(guò)導(dǎo)電膠固定于所述平面基板上，所述壓敏芯片通過(guò)絕緣膠固定于所述控制芯片上。
[0024]可選的，在所述的MEMS壓力傳感器中，還包括灌入至所述容置空間內(nèi)的硅凝膠，所述硅凝膠暴露所述壓敏芯片的表面。
[0025]可選的，在所述的MEMS壓力傳感器中，還包括固定于所述柵格上的蓋板，所述蓋板上設(shè)置有開(kāi)口。
[0026]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明采用平面基板進(jìn)行封裝，完成引線鍵合工藝后在所述平面基板上安裝柵格，所述平面基板與柵格構(gòu)成若干容置芯片的容置空間，因此引線鍵合時(shí)在基板的垂直方向上并無(wú)遮擋，無(wú)需擔(dān)心劈刀會(huì)觸碰基板，不需要考慮劈刀與基板側(cè)壁的安全距離問(wèn)題，因而在平面基板上可以設(shè)計(jì)安裝更多的芯片，減小MEMS壓力傳感器的封裝體積以及成本，在保證MEMS壓力傳感器功能及可靠性的前提下，提高器件的集成度。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0027]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中MEMS壓力傳感器的一個(gè)芯片的剖面示意圖；
[0028]圖2是現(xiàn)有技術(shù)中MEMS壓力傳感器的一個(gè)芯片的俯視示意圖；
[0029]圖3是現(xiàn)有技術(shù)中MEMS壓力傳感器采用的基板的俯視示意圖；
[0030]圖4是本發(fā)明一實(shí)施例的MEMS壓力傳感器封裝方法的流程示意圖；
[0031]圖5是本發(fā)明一實(shí)施例中在平面基板上安裝芯片后的示意圖；
[0032]圖6是本發(fā)明一實(shí)施例中使用的印刷網(wǎng)的示意圖；
[0033]圖7是本發(fā)明一實(shí)施例中使用的柵格的示意圖；
[0034]圖8是本發(fā)明一實(shí)施例中平面基板與柵格固定狀態(tài)的示意圖；
[0035]圖9是本發(fā)明一實(shí)施例中平面基板與柵格固定后一個(gè)芯片的剖面示意圖；
[0036]圖10是本發(fā)明一實(shí)施例中灌入硅凝膠后一個(gè)芯片的剖面示意圖；
[0037]圖11是本發(fā)明一實(shí)施例中固定蓋板后一個(gè)芯片的剖面示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0038]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提出的MEMS壓力傳感器及其封裝方法作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書(shū)，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0039]如圖4所示，本發(fā)明提供一種MEMS壓力傳感器封裝方法，包括:
[0040]S11，提供一形成有若干焊盤(pán)的平面基板；
[0041]S12，在所述平面基板上安裝若干芯片，并通過(guò)引線鍵合工藝形成若干引線，所述引線一端連接一芯片，所述引線另一端連接一焊盤(pán)；
[0042]S13，在所述平面基板上安裝柵格，所述平面基板與所述柵格構(gòu)成若干容置空間，每一容置空間內(nèi)容置一芯片。
[0043]下面結(jié)合圖4至圖11詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的MEMS壓力傳感器封裝方法。
[0044]首先，執(zhí)行步驟S11，如圖5所示，提供一平面基板100，所述平面基板100上形成有若干焊盤(pán)130，所述平面基板100是指平板狀的基板，所述平面基板100可以是正方形平面基板或者長(zhǎng)方形平面基板。
[0045]接著，執(zhí)行步驟S12，如圖5所示，在平面基板100上點(diǎn)導(dǎo)電膠150，通過(guò)導(dǎo)電膠150將芯片110固定于平面基板100上，所述導(dǎo)電膠150的厚度優(yōu)選在15?75 μ m之間。本實(shí)施例中所述芯片110包括控制芯片111以及位于控制芯片111上的壓敏芯片112，實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中考慮到壓敏芯片112背面通常是導(dǎo)電金屬成分，若直接安裝到控制芯片111上很容易導(dǎo)致控制芯片111短路，因此會(huì)在壓敏芯片112背面貼一層絕緣薄膜或者使用絕緣膠，所述壓敏芯片112通過(guò)絕緣薄膜或者絕緣膠固定于所述控制芯片111上。接著通過(guò)引線鍵合工藝形成若干引線140，所述引線140 —端連接一壓敏芯片112，所述引線140另一端連接一焊盤(pán)130，所述引線140優(yōu)選是金絲。由于本發(fā)明采用平面基板進(jìn)行封裝，因此引線鍵合時(shí)在基板的垂直方向上并無(wú)遮擋，無(wú)需擔(dān)心劈刀會(huì)觸碰基板，不需要考慮劈刀200與基板側(cè)壁的安全距離問(wèn)題，因而在平面基板上可以設(shè)計(jì)安裝更多的芯片，減小MEMS壓力傳感器的封裝體積以及成本，在保證MEMS壓力傳感器功能及可靠性的前提下，提高器件的集成度。
[0046]接著，執(zhí)行步驟S13，如圖6?9所示，在平面基板100上安裝柵格120，所述平面基板100與柵格120構(gòu)成若干容置空間110’，每一容置空間110’內(nèi)容置一芯片110。
[0047]如圖7所示，柵格120包括柵格主體121以及形成于所述柵格主體121上的若干鏤空區(qū)域122，所述若干鏤空區(qū)域122與所述若干芯片110相對(duì)應(yīng)，即，柵格120的鏤空區(qū)域122與平面基板100上的芯片區(qū)域——對(duì)應(yīng)，以保證每一容置空間110’內(nèi)容置一芯片110。本實(shí)施例中，柵格120的鏤空區(qū)域122為方形，因此其與平面基板100形成的容置空間110’也為方形，可以理解的是，所述柵格120的鏤空區(qū)域122還可以是其它與平面基板100上的芯片區(qū)域相匹配的形狀。本實(shí)施例中，柵格主體121與平面基板100均為正方形結(jié)構(gòu)。然而應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，所述柵格主體121的形狀還可隨平面基板100的整體形狀變化而適應(yīng)性變化，如平面基板100整體為長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)則柵格主體121也為長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)，或者，平面基板100為長(zhǎng)方形而柵格主體121為正方形，例如，平面基板100是長(zhǎng)度為寬度四倍的長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)，而柵格主體121為正方形結(jié)構(gòu)，并且柵格主體121的邊長(zhǎng)與平面基板100的寬度相同，此時(shí)將四個(gè)柵格120同時(shí)安裝于平面基板100上仍可滿(mǎn)足要求，也就是說(shuō)，只要多個(gè)柵格120安裝于平面基板100上最終形成的容置空間滿(mǎn)足MEMS壓力傳感器所需的空腔要求即可。
[0048]本實(shí)施例中，所述平面基板100與所述柵格120的材質(zhì)相同，當(dāng)然，所述柵格120與所述平面基板100的材質(zhì)也可以不相同，所述柵格120只要能夠與平面基板100構(gòu)成容置空間以容置芯片即可。
[0049]具體如圖6?9所示,所述柵格120通過(guò)絕緣膠160固定于平面基板100上,利用印刷網(wǎng)300在柵格120上涂抹絕緣膠160，利用定位夾具400將所述柵格120安裝于平面基板100上。
[0050]如圖6所示，所述印刷網(wǎng)300包括印刷網(wǎng)主體301以及形成于所述印刷網(wǎng)主體301上的若干膠水孔302，所述印刷網(wǎng)300與所述柵格120的形狀匹配，印刷時(shí)使用刮刀將絕緣膠160均勻涂抹在印刷網(wǎng)300上，絕緣膠160經(jīng)印刷網(wǎng)上的膠水孔302流到柵格主體121上，通過(guò)此種方式在柵格主體121上涂覆絕緣膠160，可減少絕緣膠流動(dòng)導(dǎo)致的外溢。本實(shí)施例中，所述膠水孔302呈方形或圓形，若干膠水孔302均勻分布，以使絕緣膠160均勻的涂抹于柵格120上。
[0051]如圖8所示，所述定位夾具400包括上夾具410和下夾具420，優(yōu)選方案中，所述下夾具420上形成有用于容置柵格120的凹槽421，并且所述下夾具420上還形成有定位銷(xiāo)422，所述平面基板100以及上夾具410上形成有與所述定位銷(xiāo)422匹配的定位孔，涂有膠水的柵格120放置于下夾具420的凹槽421中，將完成引線鍵合的平面基板100倒扣于所述下夾具420上，所述平面基板100上的芯片對(duì)應(yīng)于所述柵格120的鏤空區(qū)域122，然后將上夾具410放置于平面基板100上，所述下夾具420上的定位銷(xiāo)422插入到所述平面基板100和上夾具410上的定位孔中，施加壓力使平面基板100與柵格120實(shí)現(xiàn)較小空隙，從而保證黏貼強(qiáng)度，同時(shí)由于絕緣膠的流動(dòng)性，其會(huì)沿著平面基板100與柵格120的接觸面重新均勻分布，保證柵格牢固的粘合在平面基板100上。
[0052]如圖9所示，利用定位夾具400將柵格120與平面基板100夾緊后，對(duì)所述平面基板100進(jìn)行烘烤，使絕緣膠160固化以使柵格120與平面基板100緊密結(jié)合，可使用充氮?dú)獾暮嫦鋵?duì)上述平面基板100進(jìn)行烘烤，烘烤溫度范圍為150?200°C，烘烤時(shí)間為0.5?1.5小時(shí)，最終涂抹在柵格120上的絕緣膠160厚度在30?50 μ m之間，粘合的效果較佳。
[0053]由于MEMS壓力傳感器在使用過(guò)程中可能會(huì)面臨惡劣的有害化學(xué)物質(zhì)腐蝕，因此本實(shí)施例在進(jìn)行烘烤之后，如圖10所示，在平面基板100與柵格120形成的容置空間122內(nèi)灌入硅凝膠170，在硅凝膠170固化后，使芯片與外界環(huán)境形成隔離，以達(dá)到對(duì)引線及芯片形成保護(hù)的目的。為了使MEMS壓力傳感器正常工作，通過(guò)對(duì)硅凝膠灌入量的精確控制，保證硅凝膠不覆蓋到壓敏芯片表面，即壓敏芯片112的表面被暴露出來(lái)。
[0054]由于硅凝膠材質(zhì)較柔軟，為了進(jìn)一步保護(hù)芯片，如圖11所示，形成硅凝膠170后在所述柵格120上固定一蓋板180，所述芯片110上方蓋板上設(shè)置有開(kāi)口 181，在達(dá)到保護(hù)目的的同時(shí)，為外界壓力進(jìn)入提供窗口。所述蓋板180可通過(guò)膠水黏貼的方式固定于柵格120上，所述蓋板180上的開(kāi)口 181可以為圓形開(kāi)口、方形開(kāi)口或者其他形狀，以圓形開(kāi)口為例其直徑優(yōu)選在0.1?0.2mm之間。所述蓋板180的安裝過(guò)程與所述柵格120的安裝過(guò)程類(lèi)似，在此不再贅述。
[0055]根據(jù)本發(fā)明的另一面，還提供一種MEMS壓力傳感器，包括:
[0056]形成有若干焊盤(pán)130的平面基板100 ；
[0057]安裝于所述平面基板100上的若干芯片110 ；
[0058]通過(guò)引線鍵合工藝形成的若干引線140，所述引線140 —端連接一芯片110，另一端連接所述平面基板100上的一焊盤(pán)130 ;以及
[0059]形成若干引線140后固定于所述平面基板100上的柵格120 ；
[0060]其中，所述平面基板100與所述柵格120構(gòu)成若干容置空間122，每一容置空間122內(nèi)容置一芯片110。
[0061 ] 本發(fā)明MEMS壓力傳感器在所述平面基板100上完成引線鍵合工藝后，再在所述平面基板100上固定一柵格120，所述平面基板100與所述柵格120構(gòu)成若干容置空間122，通過(guò)所述容置空間110’容置一芯片110，由于采用平面基板100進(jìn)行封裝，因此進(jìn)行引線鍵合工藝時(shí)無(wú)需擔(dān)心劈刀會(huì)觸碰基板，不需要在基板設(shè)計(jì)時(shí)預(yù)留一定區(qū)域，可以減小MEMS壓力傳感器的封裝體積以及成本，在保證MEMS壓力傳感器功能及可靠性的前提下，提高了器件的集成度。
[0062]其中，所述柵格120包括柵格主體121以及形成于所述柵格主體121上的若干鏤空區(qū)域122，所述若干鏤空區(qū)域122與所述若干芯片110相對(duì)應(yīng)。本實(shí)施例中，所述柵格120的若干鏤空區(qū)域122均為方形，因此其與平面基板100形成的容置空間也為方形。所述柵格120通過(guò)絕緣膠安裝于所述平面基板100上。所述平面基板100與所述柵格主體121均為方形結(jié)構(gòu)。
[0063]繼續(xù)參考圖11所示，所述的MEMS壓力傳感器還包括形成于所述容置空間110’內(nèi)的硅凝膠，硅凝膠固化后使芯片與外界環(huán)境形成隔離，以達(dá)到對(duì)引線及芯片形成保護(hù)的目的，所述硅凝膠170的表面優(yōu)選低于所述芯片的表面，以保證壓敏芯片112的頂面被暴露出來(lái)。此外，所述的MEMS壓力傳感器還包括固定于所述柵格120上的蓋板180，所述蓋板180上設(shè)置有開(kāi)口 181，在達(dá)到保護(hù)目的的同時(shí)，為外界壓力進(jìn)入提供窗口。
[0064]綜上所述，本發(fā)明的MEMS壓力傳感器采用平面基板進(jìn)行封裝，因此引線鍵合時(shí)在基板的垂直方向上并無(wú)遮擋，無(wú)需擔(dān)心劈刀會(huì)觸碰基板，不需要考慮劈刀與基板側(cè)壁的安全距離問(wèn)題，因而在平面基板上可以設(shè)計(jì)安裝更多的芯片，減小MEMS壓力傳感器的封裝體積以及成本，在保證MEMS壓力傳感器功能及可靠性的前提下，提高器件的集成度。
[0065]上述描述僅是對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的描述，并非對(duì)本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書(shū)的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種MEMS壓力傳感器封裝方法，其特征在于，包括: 提供一形成有若干焊盤(pán)的平面基板； 在所述平面基板上安裝若干芯片，并通過(guò)引線鍵合工藝形成若干引線，所述引線一端連接一芯片，所述引線另一端連接一焊盤(pán)；以及 在所述平面基板上安裝柵格，所述平面基板與所述柵格構(gòu)成若干容置空間，每一容置空間內(nèi)容置一芯片。
2.如權(quán)利要求1所述的MEMS壓力傳感器封裝方法，其特征在于，所述柵格包括柵格主體以及形成于所述柵格主體上的若干鏤空區(qū)域，所述若干鏤空區(qū)域與所述若干芯片相對(duì)應(yīng)。
3.如權(quán)利要求2所述的MEMS壓力傳感器封裝方法，其特征在于，所述柵格的若干鏤空區(qū)域均為方形。
4.如權(quán)利要求2所述的MEMS壓力傳感器封裝方法，其特征在于，所述柵格通過(guò)絕緣膠安裝于所述平面基板上。
5.如權(quán)利要求4所述的MEMS壓力傳感器封裝方法，其特征在于，利用一印刷網(wǎng)在所述柵格主體上涂抹絕緣膠，所述印刷網(wǎng)包括印刷網(wǎng)主體以及形成于所述印刷網(wǎng)主體上的若干膠水孔，使用刮刀將所述絕緣膠涂抹在所述印刷網(wǎng)的若干膠水孔中，所述絕緣膠經(jīng)所述膠水孔流到所述柵格主體上。
6.如權(quán)利要求2所述的MEMS壓力傳感器封裝方法，其特征在于，利用一定位夾具將所述柵格安裝于所述平面基板上。
7.如權(quán)利要求6所述的MEMS壓力傳感器封裝方法，其特征在于，所述定位夾具包括上夾具和下夾具，所述下夾具上形成有容置所述柵格的凹槽。
8.如權(quán)利要求7所述的MEMS壓力傳感器封裝方法，其特征在于，所述下夾具上還形成有若干定位銷(xiāo)，所述平面基板以及所述上夾具上形成有與所述若干定位銷(xiāo)匹配的定位孔。
9.如權(quán)利要求2所述的MEMS壓力傳感器封裝方法，其特征在于，所述平面基板與所述柵格主體均為方形結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的MEMS壓力傳感器封裝方法，其特征在于，所述平面基板與所述柵格的材質(zhì)相同。
11.如權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的MEMS壓力傳感器封裝方法，其特征在于，所述芯片包括控制芯片以及位于所述控制芯片上的壓敏芯片，所述控制芯片通過(guò)導(dǎo)電膠固定于所述平面基板上，所述壓敏芯片通過(guò)絕緣膠固定于所述控制芯片上。
12.如權(quán)利要求11所述的MEMS壓力傳感器封裝方法，其特征在于，在所述平面基板上安裝柵格之后，在所述平面基板與柵格構(gòu)成的容置空間內(nèi)灌入硅凝膠，所述硅凝膠暴露所述壓敏芯片的表面。
13.如權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的MEMS壓力傳感器封裝方法，其特征在于，在所述平面基板上安裝柵格之后，在所述柵格上固定一蓋板，所述蓋板上設(shè)置有圓形開(kāi)口。
14.一種MEMS壓力傳感器,其特征在于,包括: 形成有若干焊盤(pán)的平面基板； 安裝于所述平面基板上的若干芯片； 通過(guò)引線鍵合工藝形成的若干引線，所述引線一端連接一芯片，另一端連接所述平面基板上的一焊盤(pán)；以及 形成若干引線后固定于所述平面基板上的柵格，所述平面基板與所述柵格構(gòu)成若干容置空間，每一容置空間內(nèi)容置一芯片。
15.如權(quán)利要求14所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述柵格包括柵格主體以及形成于所述柵格主體上的若干鏤空區(qū)域，所述若干鏤空區(qū)域與所述若干芯片相對(duì)應(yīng)。
16.如權(quán)利要求15所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述柵格的若干鏤空區(qū)域均為方形。
17.如權(quán)利要求15所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述柵格通過(guò)絕緣膠安裝于所述平面基板上。
18.如權(quán)利要求15所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述平面基板與所述柵格主體均為方形結(jié)構(gòu)。
19.如權(quán)利要求14所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述平面基板與所述柵格的材質(zhì)相同。
20.如權(quán)利要求14所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，所述芯片包括控制芯片以及位于所述控制芯片上的壓敏芯片，所述控制芯片通過(guò)導(dǎo)電膠固定于所述平面基板上，所述壓敏芯片通過(guò)絕緣膠固定于所述控制芯片上。
21.如權(quán)利要求20所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，還包括灌入至所述容置空間內(nèi)的硅凝膠，所述硅凝膠暴露所述壓敏芯片的表面。
22.如權(quán)利要求14所述的MEMS壓力傳感器，其特征在于，還包括固定于所述柵格上的蓋板，所述蓋板上設(shè)置有開(kāi)口。
【文檔編號(hào)】B81B3/00GK104465790SQ201410788819
【公開(kāi)日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年12月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月17日
【發(fā)明者】王文智, 李學(xué)敏, 張宏杰, 丁立國(guó) 申請(qǐng)人:杭州士蘭集成電路有限公司