PTFE膜，特別是膨脹PTFE(ePTFE)膜，被用于多種液體和氣體過濾應(yīng)用中，包括涉及處理具有挑戰(zhàn)性的流體例如腐蝕性或化學(xué)活性液體的應(yīng)用.然而，制備可以在過濾熱的硫酸過氧化氫混合物(SPM)流體和/或表現(xiàn)出金屬清除或者金屬去除效率的同時提供低流動阻力的多孔膜可能是耗時的和/或勞動密集型的過程.

本發(fā)明的這些和其它的優(yōu)點將根據(jù)下文的描述而變得顯而易見。

發(fā)明概述

本發(fā)明的一種實施方式提供了一種親水化多孔PTFE膜的方法，所述方法包括(a)將多孔PTFE膜暴露至能量源，所述能量源選自氣體等離子體和寬波段UV，并預(yù)調(diào)節(jié)所述膜；和(b)處理預(yù)調(diào)節(jié)的膜以提供親水性涂層；和(c)獲得親水化多孔PTFE膜.

附圖說明

圖1為示出根據(jù)本發(fā)明的親水化PTFE膜的實施方式與未處理的PTFE膜以及市售UV處理的PTFE膜進行對比的金屬吸附的圖.

圖2為示出根據(jù)本發(fā)明的親水化PTFE膜的實施方式與未處理的PTFE膜進行對比的金屬吸附的圖，顯示出所述吸附是由于涂覆，而非篩分(sieving)。

發(fā)明詳述

根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式，提供了一種親水化多孔PTFE膜的方法，所述方法包括(a)將多孔PTFE膜暴露至能量源，所述能量源選自氣體等離子體和寬波段UV，并預(yù)調(diào)節(jié)所述膜；和(b)處理預(yù)調(diào)節(jié)的膜以提供親水性涂層；和(c)獲得親水化多孔PTFE膜。

有利地，與根據(jù)常規(guī)實踐來制備膜相比，現(xiàn)在，可以在反應(yīng)時間縮短約50％的情況下制備膜(即，其中在涂覆之前，使所述膜暴露至能量源來預(yù)調(diào)節(jié))。此外，根據(jù)本發(fā)明可以以便利的制備工藝來制備膜，例如所述制備可被容易地結(jié)合至現(xiàn)有的制備工藝中，獲得提高的制備速度.

不希望通過任何特定的理論所限制，據(jù)信通過暴露至能量源來預(yù)調(diào)節(jié)所述膜允許自由基和/或反應(yīng)部位在原生的膜表面上形成，幫助提供用于引發(fā)在后的化學(xué)涂覆過程吸引力，獲得親水化表面.

暴露至能量源并不會從膜的表面去除顯著量的氟原子。

如在本文中所使用的，“親水化”多孔PTFE膜涉及提高臨界潤濕表面張力(CWST)，使得涂覆的多孔PTFE膜具有的CWST大于原生的、未處理的多孔PTFE膜.在某些實施方式中，所制造的涂覆的多孔PTFE膜為親水性的，具有的CWST為72達因/cm(72×10^-5N/cm)，或更大.

根據(jù)本發(fā)明的多孔膜有利地提供了高金屬清除或金屬去除效率和低流動阻力的結(jié)合，同時使正在處理的流體保持為潤濕的(即所述膜在處理流體中為未去濕的)，并且適用于廣泛范圍的流體和氣體(包括空氣)過濾應(yīng)用，包括無菌過濾應(yīng)用.示例性的應(yīng)用例如包括診斷應(yīng)用(例如包括樣品制備和/或診斷側(cè)流設(shè)備)、噴墨應(yīng)用、平版印刷例如作為對于HD/UHMW PE基媒介的替代、過濾制藥工業(yè)的流體、金屬去除、超純水的制備、工業(yè)和地表水的處理、過濾用于醫(yī)學(xué)應(yīng)用的流體(包括家用和/或患者使用，例如靜脈內(nèi)應(yīng)用，還例如包括過濾生物流體例如血液(例如病毒去除))、過濾用于電子工業(yè)的流體(例如過濾用于微電子工業(yè)中的光致抗蝕劑流體和熱的硫酸過氧化氫混合物(SPM)流體)、過濾用于食品和飲料工業(yè)的流體、啤酒過濾、凈化、過濾含抗體和/或含蛋白質(zhì)的流體、過濾包含核酸的流體、細胞檢測(包括原位檢測)、細胞收獲和/或過濾細胞培養(yǎng)流體.可替換地，或者另外地，根據(jù)本發(fā)明實施方式的多孔膜可被用于過濾空氣和/或氣體和/或可被用于通風(fēng)應(yīng)用(例如允許空氣和/或氣體、但不是液體通過).根據(jù)本發(fā)明實施方式的多孔膜可被用于多種設(shè)備中，包括外科設(shè)備和產(chǎn)品，例如眼外科產(chǎn)品.本發(fā)明的膜是尺寸穩(wěn)定的.在某些實施方式中，多孔PTFE膜可單獨地使用，例如作為非支撐膜，并且在其它實施方式中，多孔PTFE膜可與其它多孔元件和/或另一個部件組合使用，從而例如提供例如復(fù)合物、過濾元件和/或過濾器的制品.

根據(jù)本發(fā)明實施方式的膜特別適用于過濾包含金屬的流體和/或SPM流體.

例如，在一種實施方式中，用于過濾包含金屬的流體的方法包括使包含金屬的流體經(jīng)過所述膜的實施方案，并由所述流體去除金屬.包含金屬的流體可以是在電子工業(yè)中使用的流體，并且所述方法可以包括由包含金屬的流體去除第2族金屬(例如Mg和/或Ca)，多價金屬和/或過渡金屬(例如Cr、Mo、Mn、Fe和/或Ni).

在另一種實施方式中，用于過濾SPM流體的方法包括使SPM流體經(jīng)過所述膜的實施方案，并由所述流體去除顆粒(例如包含二氧化硅的顆粒).所述方法還包括由SPM流體去除金屬。例如，所述方法的實施方案可以包括由包含金屬的流體去除第2族金屬(例如Mg和/或Ca)，多價金屬和/或過渡金屬.

關(guān)于寬波段UV暴露，UV輻射源(相干的或非相干的)能夠產(chǎn)生具有寬波段的輻射.例如，所述寬波段可以包括在如下范圍UV子帶的波長分布：約100nm至約400nm，例如約150nm至約350nm的子帶.可替換地，輻射源能夠產(chǎn)生更窄的波段輻射，例如更窄子范圍內(nèi)的輻射，例如約100nm至約200nm(真空紫外)、約200nm至約280nm(UVC)、約280nm至約315nm(UVB)和/或約315nm至約400nm(UVA).輻射源還能夠產(chǎn)生更加離散的輻射波長.

典型地，真空紫外(VUV)輻射源的強度(或能量密度)為約5mW/cm²至約100mW/cm²，優(yōu)選為約5mW/cm²至約20mW/cm²，總處理時間周期范圍為約1分鐘至約60分鐘，優(yōu)選約5分鐘至約20分鐘，甚至更優(yōu)選約1分鐘至約5分鐘.

典型地，寬波段輻射源、優(yōu)選中壓汞燈的強度(或能量密度)為約10mW/cm²至約1000mW/cm²，優(yōu)選為約10mW/cm²至約200mW/cm²的范圍，總處理時間周期范圍為約5秒至約300秒，優(yōu)選約5秒至約120秒。

典型地，脈沖黑體輻射源的強度(或能量密度)為約53,000W/cm²至約85,000W/cm²，總處理時間周期范圍為約1秒至約300秒，優(yōu)選為約1秒至約120秒，甚至更優(yōu)選為約1秒至約60秒.

UV輻射源能夠發(fā)出連續(xù)的輻射流.多種合適的UV源為市售的，例如使用包含電極的燈泡，或者無電極燈泡.合適的來源例如包括Fusion UV Systems，Inc.(Gaithersburg，MD)(例如準分子激光和汞燈)，Pulsar Remediation Technologies，Inc.(Roseville，CA)，UV Process Supply，Inc.(Chicago，IL)，USHIO America，Inc.(Cypress，CA)，M.D.Excimer，Inc.(Yokohama Kanagawa，Japan)，Resonance Ltd.(Ontario，Canada)和Harada Corporation(Tokyo，Japan).

在某些實施方式中，輻射源能夠以短脈沖來傳送輻射脈沖.脈沖輻射源為能量高效的，并能夠傳送高強度輻射。例如，輻射源能夠傳送脈沖寬波段黑體輻射，例如在美國專利5,789,755中所描述的，通過引用將其并入本文.這樣的脈沖寬波段黑體輻射組件例如可購自Pulsar Remediation Techologies，Inc..

根據(jù)本發(fā)明，膜的任一表面或者兩個表面可暴露至UV輻射.

典型地，將要暴露至UV輻射的膜可在將膜暴露至UV輻射之前，被置于與至少一種流體、優(yōu)選液體接觸(例如使用液體浸沒膜的孔).根據(jù)需要，所述膜可在暴露至輻射的過程中，保持為全部或部分浸沒于流體中.可替換地，例如，所述膜在暴露至輻射之前，可由流體移除.

在暴露至UV輻射之前，多種流體適用于與所述膜接觸.合適的流體包括水(例如去離子水和重水)、醇、芳族化合物、硅油、三氯乙烯、四氯化碳、氟碳化合物(例如氟利昂)、酚類、有機酸、醚類、過氧化氫、亞硫酸鈉、硫酸銨(例如叔丁基銨硫酸鹽)、亞硫酸銨、硫酸銅、硼酸、鹽酸和硝酸.典型地，在膜暴露至UV輻射時，浸沒膜的孔的液體吸收UV輻射源所產(chǎn)生范圍的波長.

在某些實施方式中，在UV處理之前，所述膜與多種流體接觸.例如，所述膜可被浸沒于第一流體、例如有機溶劑(例如甲醇、乙醇、丙酮、醚或異丙醇)中，優(yōu)選地，其中第一流體與水具有高相容性，并且表面張力為約30達因/cm或更小，和將所述膜浸沒于第二流體(例如水)中，以使用水來替換溶劑。隨后，將所述膜浸沒于第三流體中，例如包括水性溶液或非水性溶液，以使用水性化合物溶液替換水.將使用第三流體浸沒的膜暴露至UV輻射.

關(guān)于氣體等離子體暴露，術(shù)語“氣體等離子體”通常被用于描述離子化的氣體的狀態(tài)。氣體等離子體由高能帶電(正電或負電)離子、帶負電的電子和中性物質(zhì)構(gòu)成.如在本領(lǐng)域中已知的，氣體等離子體可以通過燃燒、火焰、物理沖擊、或優(yōu)選地通過放電例如電暈或輝光放電來產(chǎn)生。在射頻(RF)放電中，所要處理的膜或基底被置于真空室中，并將低壓氣體混合至系統(tǒng)中.電磁場通過使氣體經(jīng)歷電容或感應(yīng)RF放電來產(chǎn)生.氣體吸收電磁場能量，并離子化，產(chǎn)生高能粒子.如在本

技術(shù)實現(xiàn)要素：
中所使用的，氣體等離子體被暴露至多孔介質(zhì)，由此改變多孔介質(zhì)的性能，以為多孔介質(zhì)提供未處理的多孔介質(zhì)所不具有的性質(zhì).

對于多孔PTFE的等離子體處理來說，典型地，氣體等離子體處理裝置通過將真空噴嘴連接至真空泵而被抽真空.通過進氣將來自于氣源的氣體混合至排空的裝置，直至獲得跨導(dǎo)管的希望的氣體壓力差.RF電磁場通過將希望頻率的電流由RF發(fā)生器施加至電極而在等離子體區(qū)域中產(chǎn)生.氣體在管中的離子化由所述場誘發(fā)，并且在管中獲得的等離子體改變等離子體區(qū)域中的介質(zhì).

用于處理介質(zhì)(膜或基底)表面的氣體可以包括無機和有機氣體，其可單獨使用或者組合使用.無機氣體例如為氦氣、氬氣、氮氣、氖氣、一氧化二氮、二氧化氮、氧氣、空氣、氨氣、一氧化碳、二氧化碳、氫氣、氯氣、氯化氫、溴化氰、二氧化硫、硫化氫、氙氣、氪氣等.有機氣體例如為乙炔、吡啶、有機硅烷化合物氣體和有機聚硅氧烷化合物氣體、氟碳化合物等.此外，所述氣體可以是氣化有機材料，例如待等離子體聚合或者沉積在膜表面上的烯屬單體.根據(jù)需要，這些氣體可以單獨使用或者作為兩種或更多種這樣的氣體的混合物來使用.典型地，所述氣體可以是氮氣和/或甲烷，氣體流速為約15至約20ml/min，等離子體暴露時間為約30至約60分鐘.所述氣體可以組合為不同比例的混合物.

等離子體源能夠作為脈沖或者連續(xù)地發(fā)出Rf.多種合適的市售設(shè)備為合適的，例如包括Harrick Plasma(Ithaca，NY)的PDC-001表面等離子體(臺式設(shè)備)。

等離子體源優(yōu)選能夠產(chǎn)生30W(Rf線圈)，在供給至Rf線圈的10-30W的范圍內(nèi).使用氣體等離子體來處理多孔PTFE膜的典型參數(shù)可以包括功率等級，其為約10至約3000瓦，約500至約2500瓦，約1500至約2500瓦；RF頻率，其為約1kHz至約100MHz，約15kHz至約60MHz，約30kHz至約50kHz；暴露時間，其為約5秒至約12小時，約1分鐘至約2小時，約10至約60分鐘；氣壓，其為約0.001至100托，約0.01至1托，和約0.1至約0.5托；和氣體流速，其為約1-2000標準cc/min.

多種PTFE膜和基底(包括市售膜和基底)適用于在本發(fā)明中使用.

膜可以具有任意合適的孔結(jié)構(gòu)，例如孔尺寸(例如由起泡點或者例如在美國專利4,340,479中所描述的K_L來證實，或者由毛細凝聚流動孔隙測量法來證實)、平均流動孔(MFP)尺寸(例如使用氣孔計來表征，例如Porvair Porometer(Porvair plc，Norfolk，UK)，或者以商標名POROLUX可得的氣孔計(Porometer.com；Belgium))、孔等級、孔徑(例如使用例如在美國專利4,925,572中描述的改進的OSU F2測試來表征)、或者去除等級媒介.所使用的孔結(jié)構(gòu)依賴于要使用的顆粒的尺寸，所要處理的流體的組成，和經(jīng)處理的流體的希望的流出物含量.

典型地，根據(jù)本發(fā)明的涂覆的多孔PTFE膜的孔等級為約1微米或更小，優(yōu)選(特別是對于非去濕應(yīng)用)為約0.05微米至約0.02微米，或更小.例如，所述膜可以是納米多孔膜，例如，膜具有的孔徑為1nm至100nm.

典型地，涂覆的膜具有的厚度范圍為約0.2至約5.0密耳(約5至約127微米)，優(yōu)選地，為約0.5至約1.0密耳(約13至約25微米)，盡管膜可以比這些數(shù)值更厚或者更薄。

多孔膜可以具有任意希望的臨界潤濕表面張力(CWST，例如在美國專利4,925,572中所定義的)。CWST可以依賴于一系列特定組成的溶液進行測定.每種溶液具有特定的表面張力.溶液的表面張力以小的不相等的增量由25達因/cm增加至92達因/cm.為了測量膜表面張力，所述膜被置于白色光線工作臺的頂部上，將一滴特定表面張力的溶液施加至膜表面，并記錄液滴穿過膜并變?yōu)榱涟咨ㄙM的時間，所述亮白色為光線經(jīng)過所述膜的指示.當液滴穿透所述膜所花費的時間≤10秒時，認為是立即潤濕的.如果所述時間＞10秒，那么認為溶液部分潤濕所述膜.CWST可以根據(jù)本領(lǐng)域已知的進行選擇，例如根據(jù)另外地例如在美國專利5,152,905、5,443,743、5,472,621和6,074,869中所公開的.

典型地，膜具有的CWST為至少約27達因/cm(約27×10^-5N/cm)，更優(yōu)選地，至少約30達因/cm(約30×10^-5N/cm)，并且在某些實施方式中，至少約35達因/cm(約35×10^-5N/cm).例如，膜具有的CWST可以是約30達因/cm(約30×10^-5N/cm)至約40達因/cm(約40×10^-5N/cm)，或者更大.

包括多孔膜的制品，例如過濾器、過濾元件和/或復(fù)合物可以包括其它元件、層或部件，其可以具有不同結(jié)構(gòu)和/或功能，例如如下的任意一個或多個中的至少一個：預(yù)過濾、支撐、排泄、間隔和緩沖.說明性地，過濾器還可以包括至少一個其它的元件，例如網(wǎng)和/或篩.

根據(jù)本發(fā)明的實施方式，膜、過濾元件、復(fù)合物和/或過濾器可以具有不同的構(gòu)型，包括平面的、褶皺的、螺旋的和/或中空圓柱的.

膜、過濾元件、復(fù)合物和/或過濾器典型地被置于殼體中，所述殼體包括至少一個入口和至少一個出口，并在所述入口和所述出口之間限定至少一個流體流動路徑，其中所述膜橫跨流體流動路徑，以提供過濾設(shè)備.優(yōu)選地，對于交叉流動應(yīng)用來說，膜、復(fù)合物和/或過濾器被置于殼體中，所述殼體包括至少一個入口和至少兩個出口，并在入口和第一出口之間限定至少第一流體流動路徑，以及在入口和第二出口之間限定第二流體流動路徑，其中所述膜橫跨第一流體流動路徑，以提供過濾設(shè)備.所述過濾設(shè)備可以是可滅菌的.可以使用具有合適形狀并提供至少一個入口和至少一個出口的任何殼體.

所述殼體可以由任意合適的剛性不可滲透材料制得，包括任何不可滲透的熱塑性材料，其為與所要處理的流體相容的.例如，所述殼體可以由金屬例如不銹鋼或者由聚合物制得.在一種實施方式中，所述殼體為聚合物，例如丙烯酸類樹脂、聚丙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂或者聚碳酸酯樹脂.

下文的實施例進一步描述了本發(fā)明，但是，當然不應(yīng)當認為以任何方式限定其范圍.

實施例1

本實施例證明了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的使用氣體等離子體制備膜的方法.

將市售的PTFE膜(Sumitomo Electric Fine Polymer，Inc.，標稱孔徑50nm)使用氬氣/甲烷進行氣體等離子體處理，氣體流速為15-20ml/min，持續(xù)30分鐘.

膜被置于異丙醇(IPA)中30秒，并使用去離子(DI)水洗滌1-2分鐘。

膜在室溫下被置于聚苯乙烯磺酸(PSSA)或者苯乙烯磺酸(SsA)的10％溶液中30分鐘.

使用去離子水洗滌所述膜16小時，在65℃下烘箱干燥10分鐘，并使用水測量接觸角.

在室溫下，使用H₂SO₄(在室溫下暴露至H₂SO₄12小時)和硫酸過氧化氫混合物(SPM)溶液挑戰(zhàn)所述膜16小時.在每個挑戰(zhàn)之前，膜被置于IPA中30秒，并使用去離子水洗滌1-2分鐘.在每個挑戰(zhàn)后，使用去離子水洗滌所述膜16小時，在65℃下烘箱干燥10分鐘，并使用水測量接觸角.

H₂SO₄處理后的結(jié)果如下：

H₂SO₄和SPM處理后的結(jié)果如下：

本實施例顯示出在根據(jù)本發(fā)明的實施方式中，接觸角為穩(wěn)定下降的(并由此，CWST為穩(wěn)定提高的，并且所述膜為非去濕的)，即便是在暴露至H₂SO₄和SPM之后.

實施例2

本實施例證明了根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的使用寬波段UV來制備膜的方法。

如下制備多巴胺溶液：

Tris-HCl緩沖液制備：將15mmol的Tris-HCl緩沖劑混入一升的DI-H₂O中.pH～5.逐滴添加1N NaOH，提高至pH 8.8.在密封容器中存儲緩沖液。

多巴胺制備(在涂覆時新鮮制備)：在pH＝8.8下，將0.1g(2000ppm)的多巴胺-鹽酸鹽粉末添加至含有Tris緩沖液的已編號50mL離心管，并隨后再次蓋住.標記實際添加的多巴胺質(zhì)量，并將其與已編號的離心管相關(guān)聯(lián)。隨著多巴胺的溶解，將發(fā)生由無色至淡橙色的顏色變化.

市售PTFE膜(Sumitomo Electric Fine Polymer，Inc.，標稱孔徑50nm)使用IPA預(yù)潤濕，浸沒于去離子水中10-15秒，從而使用去離子水替換IPA，并浸沒于0.15M亞硫酸鈉(NaSO₄)中10-15秒以替換去離子水，并使用亞硫酸鈉浸漬孔.

在45℃下，以8in/min的速度將所述膜暴露至寬波段UV(功率＝200mW/cm²).

如下涂覆對照組(原生的)和UV處理的膜：

聚乙烯管被切成1英寸長，并將每個膜置于管內(nèi)的一個開口上方并通過橡膠帶固定至所述管以制成碗狀物，并置于碟盤中.所述碟盤被置于以低設(shè)置操作的定軌搖床上.將15mL新制備的Tris緩沖溶液中2000ppm的多巴胺添加至每個膜，并開始計時.

透明塑料蓋被置于每個膜上以降低蒸發(fā).以15分鐘的間隔將膜從碟盤移除，并置于去離子水洗滌塔盤中，洗滌最少30分鐘.在50℃下干燥膜10分鐘.

4小時后，寬波段UV處理的PTFE多巴胺涂覆的膜具有的CWST超過90達因/cm，而原生PTFE多巴胺涂覆的膜具有的CWST為68-72達因/cm.8小時后，寬波段UV處理的PTFE多巴胺涂覆的膜具有的CWST超過105達因/cm，而原生PTFE多巴胺涂覆的膜具有的CWST為82-84達因/cm.

由此，與涂覆原生PTFE膜相比，根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式制備的膜可以在更短的時間內(nèi)被賦予親水性.

實施例3

本實施例證明了根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的使用寬波段UV和熱接枝來制備膜的方法.

如下制備引發(fā)劑(用于熱接枝)：在100ml的水中溶解1.5g的AIBN(溶液A).

如下制備接枝溶液：在100ml的水中溶解10.0g的單體4-苯乙烯磺酸(溶液B).

將市售PTFE膜(Sumitomo Electric Fine Polymer，Inc.，標稱孔徑50nm)使用IPA預(yù)潤濕，浸沒于去離子水中10-15秒，以使用去離子水替換IPA，并浸沒于0.1M亞硫酸鈉中10-15秒以替換去離子水，并使用亞硫酸鈉浸漬孔.

在45℃下，以8in/min的速度將所述膜暴露至寬波段UV(功率＝200mW/cm²).

將對照組(原生的)和UV處理的膜如下涂覆：

在80℃下，將4×4’大小的BBUV處理的PTFE片置于溶液A中(在氮氣下)1小時.在80℃下，將4×4’大小的引發(fā)劑接觸媒介片置于溶液B中(在氮氣下)3小時.

所述膜使用去離子水并隨后使用IPA洗滌，干燥并分析.

對照組的膜具有的CWST為約34至約38達因/cm，而UV處理的涂覆膜具有的CWST為42-74達因/cm.

對照組和UV處理的膜的CWST在靜態(tài)模式的SPM挑戰(zhàn)后未下降.

實施例4

本實施例證明了根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的使用寬波段UV和使用其它化合物進行熱接枝來制備膜的方法.

如在實施例3中所描述制備引發(fā)劑，制備PTFE膜并將其暴露至寬波段UV.

制備六種接枝溶液：(1)d-PA(亞乙烯基-1二磷酸四異丙基酯)；(2)PEGMEMA(聚乙二醇甲基醚甲基丙烯酸)；(3)p-SSA(4-聚苯乙烯磺酸)；(4)CMS(4-氯甲基苯乙烯)；(5)Ar-VB-t-MACl((芳基-乙烯基苯)三甲基NH₄Cl)；和(6)MA((甲基)丙烯酸)。在制備溶液時，在100ml水中溶解10.0克的每種單體(溶液B).

對照組(原生的)和UV處理的膜如在實施例3中所描述地進行涂覆.

對照組膜(僅UV處理)的CWST為約65達因/cm，并且將不會被水溶液潤濕，而某些UV處理的涂覆膜(PEGMEMA、p-SSA、Ar-VB-t-MACl和MA)的CWST為72達因/cm或者更大，并且將被水溶液潤濕(例如在生命科學(xué)應(yīng)用中所使用的).

實施例5

本實施例示出根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式制備的親水化膜與未處理的(對照組)PTFE膜以及市售UV處理的PTFE膜相比的金屬去除效率。

多巴胺涂覆的膜根據(jù)在實施例2中所描述的來制備.

在一系列的試驗中，根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式制備的多巴胺涂覆的PTFE膜、未處理的PTFE膜、和市售UV處理的膜被用于單獨地過濾流體樣品，所述流體樣品包含如下金屬：Li、Na、K(第1族金屬)；Mg、Ca(第2族金屬)；Al、Pb(第3族金屬)，和Cr、Mo、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn(過濾金屬).

在另一系列的試驗中，根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式制備的多巴胺涂覆的PTFE膜、和未處理的PTFE膜被用于單獨地過濾流體樣品，所述流體樣品包含如下金屬：Li、Na、K(第1族金屬)；Mg、Ca(第2族金屬)；Al、Pb(第3族金屬)，和Cr、Mo、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn(過渡金屬)。

如在圖1中所示的，根據(jù)本發(fā)明的膜的實施方式與未處理的膜和市售UV處理的膜相比，有效地去除多種第2族金屬和第3族金屬，以及多種過渡金屬.

如在圖2中所示的，根據(jù)本發(fā)明的膜的實施方式與未處理的膜相比，有效地去除多種第2族金屬和第3族金屬，以及多種過渡金屬.

本文引用的所有參考文獻，包括出版物、專利申請和專利，通過參考并入本文，引用程度如同各參考文獻被單獨和特別地說明以通過參考并入本文并且以其整體列舉.

術(shù)語(冠詞)“一個(a)”和“一種(an)”和“該(the)”和“至少一種/個”以及類似的用語在描述本發(fā)明的上下文中(特別是在下面的權(quán)利要求的上下文中)被解釋為覆蓋單數(shù)和復(fù)數(shù)，除非本文另外說明或上下文明顯矛盾.前接一系列的一個或多個項目的術(shù)語“至少一種/個”的(例如，“A和B中的至少一種”)的使用應(yīng)理解為意味著選自所列項目中的一項(A或B)或兩種或多種所列項目的任何組合(A和B)，除非在此另外說明或通過上下文看出明顯矛盾.術(shù)語“包含”，“具有”“包括”和“含有”解釋為開放式的術(shù)語(意指“包括，但不限于”，)，除非另外說明.本文中數(shù)值范圍僅僅意指用作單獨涉及的各個落入范圍內(nèi)的單個數(shù)值的簡記方法，除非本文另外說明，各個單個的數(shù)值被合并到說明書中，如同其被本文單獨引用.本文描述的所有方法可以按照任意合適的順序?qū)嵤?，除非本文另外說明或上下文明顯矛盾.任何一個和全部實例的使用，或本文提供的示例性語言(例如“如”、“例如”)，僅僅意指更好地闡明發(fā)明，而不對發(fā)明的范圍施加限制，除非另外聲明.說明書中沒有語言被解釋為表明任何未聲明的成分是實施本發(fā)明必不可少的.

本文描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，包括發(fā)明人所知的實施發(fā)明的最佳模式.這些優(yōu)選實施方式中的變體對于閱讀了前述說明書的普通技術(shù)人員來說是顯而易見的.發(fā)明人預(yù)計本領(lǐng)域技術(shù)人員適當時會采用這種變體，并且發(fā)明人還傾向于與本文詳細描述不同地實施的發(fā)明.因此，本發(fā)明包括適用的法律所允許的本文所附的權(quán)利要求中記載的主題的所有改進和等同物。此外，本發(fā)明包括上述元素在所有可能的變體中的任意組合，除非本文另外說明或上下文明顯矛盾。