Emc塑封料的去除方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種失效樣品的分析方法，尤其涉及一種EMC塑封料的去除方法。
【背景技術(shù)】
[0002]EMC (Epoxy Molding Compound)即環(huán)氧樹脂模塑料、環(huán)氧塑封料，是由環(huán)氧樹脂為基體樹脂，以高性能酚醛樹脂為固化劑，加入硅微粉等為填料，以及添加多種助劑混配而成的粉狀模塑料。
[0003]隨著電子產(chǎn)品不斷向多功能化、輕薄短小、高性能化的方向發(fā)展，伴隨的可靠性問題也越來越受關(guān)注，尤其是經(jīng)EMC塑封后的集成電路封裝體的可靠性問題。
[0004]集成電路封裝體經(jīng)EMC塑封后，經(jīng)測試如發(fā)現(xiàn)失效，工程師首先通過無損的途徑查找失效原因及失效位置，如無損途徑無法找到失效原因或已基本找到失效位置，但還需進(jìn)一步確認(rèn)失效原因時(shí)，下一步就需要把已經(jīng)塑封好的EMC塑封料去除，此為破壞性測試，露出封裝體內(nèi)部的Lead Frame或基板、芯片單元和Wire bonding引線等。EMC塑封料的去除，俗稱開蓋，即Decap。
[0005]然而，現(xiàn)有技術(shù)未能提供一種EMC塑封料的去除方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]基于此，有必要提供一種EMC塑封料的去除方法。
[0007]一種EMC塑封料的去除方法，包括如下步驟:
[0008]將待處理的封裝體傾斜后用夾具將所述封裝體固定；
[0009]將加熱后的濃硫酸滴加到所述封裝體的EMC塑封料頂部，并且觀察所述封裝體內(nèi)的芯片是否露出，待所述封裝體內(nèi)的芯片露出后降低所述濃硫酸的滴加速度，同時(shí)每隔五滴觀察一次所述封裝體的腐蝕情況，直至露出所述封裝體內(nèi)的引線焊盤，完成腐蝕；以及
[0010]將完成腐蝕的所述封裝體浸泡于有機(jī)清潔劑中3分鐘?15分鐘，接著取出所述封裝體用去離子水洗凈、烘干。
[0011]在一個(gè)實(shí)施例中，將待處理的封裝體傾斜的操作中，所述封裝體與豎直方向的夾角為5°?10°。
[0012]在一個(gè)實(shí)施例中，將加熱后的濃硫酸滴加到所述封裝體的EMC塑封料頂部的操作中，加熱后的濃硫酸的溫度為200°C?245°C。
[0013]在一個(gè)實(shí)施例中，加熱后的濃硫酸的溫度為235°C?245°C。
[0014]在一個(gè)實(shí)施例中，所述濃硫酸的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為98%。
[0015]在一個(gè)實(shí)施例中，將加熱后的濃硫酸滴加到所述封裝體的頂部的操作中，所述濃硫酸的滴加速度為2滴/秒。
[0016]在一個(gè)實(shí)施例中，待所述封裝體內(nèi)的芯片露出后降低所述濃硫酸的滴加速度的操作中，降低后的所述濃硫酸的滴加速度為I滴/秒。
[0017]在一個(gè)實(shí)施例中，所述有機(jī)清潔劑為丙酮或乙酸。
[0018]在一個(gè)實(shí)施例中，取出所述封裝體用去離子水洗凈的操作為:用去離子水緩慢滴注，洗凈所述封裝體。
[0019]在一個(gè)實(shí)施例中，取出所述封裝體用去離子水洗凈、烘干的操作中，烘干的溫度為80。。。
[0020]本發(fā)明提供了一種EMC塑封料的去除方法，這種EMC塑封料的去除方法操作過程簡單，物料容易獲得，通過化學(xué)腐蝕法去除EMC塑封料可輕松實(shí)現(xiàn)，對(duì)于引線為金線的封裝體尤其適用。
【附圖說明】
[0021]圖1為一實(shí)施方式的EMC塑封料的去除方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面主要結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)EMC塑封料的去除方法及其制備方法作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0023]如圖1所示的一實(shí)施方式的EMC塑封料的去除方法，包括如下步驟:
[0024]S10、將待處理的封裝體傾斜后用夾具將封裝體固定。
[0025]封裝體一般包括基板、設(shè)置在基板上的引線焊盤、與引線焊盤連接的芯片、引線、以及EMC塑封料，EMC塑封料包覆在基板的一側(cè)并且將芯片和引線焊盤封裝。
[0026]夾具通過特殊設(shè)計(jì)，使得封裝體固定并傾斜。本實(shí)施方式中，封裝體與豎直方向的夾角為5°?10°，目的在于使硫酸從EMC塑封料頂部滴注，從EMC底部流出，硫酸僅腐蝕到EMC，接觸基板的風(fēng)險(xiǎn)小。
[0027]本實(shí)施方式中，傾斜的封裝體設(shè)置有EMC塑封料的一側(cè)朝下設(shè)置。
[0028]S20、將加熱后的濃硫酸滴加到SlO得到的封裝體的EMC塑封料頂部，并且觀察封裝體內(nèi)芯片是否露出，待封裝體內(nèi)的芯片露出后降低濃硫酸的滴加速度，同時(shí)每隔五滴觀察一次封裝體的腐蝕情況，直至露出封裝體內(nèi)的引線焊盤，完成腐蝕。
[0029]加熱后的濃硫酸的溫度為200°C?245°C，濃硫酸的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為98%。
[0030]在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，加熱后的濃硫酸的溫度為235°C?245°C。
[0031]滴加濃硫酸時(shí)，需要采用耐酸腐蝕的膠頭滴管。
[0032]將加熱后的濃硫酸滴加到SlO得到的封裝體的頂部的操作中，濃硫酸的滴加速度為2滴/秒。
[0033]待封裝體內(nèi)的芯片露出后降低濃硫酸的滴加速度的操作中，降低后的濃硫酸的滴加速度為I滴/秒。
[0034]S30、將S20得到的完成腐蝕的封裝體浸泡于有機(jī)清潔劑中3分鐘?15分鐘，接著取出封裝體用去離子水洗凈、烘干。
[0035]用鑷子將完成腐蝕的封裝體浸泡于有機(jī)清潔劑中，3分鐘?15分鐘后取出。
[0036]有機(jī)清潔劑需要選擇遇到高溫時(shí)無安全風(fēng)險(xiǎn)的物質(zhì)，本實(shí)施方式中，有機(jī)清潔劑為丙酮或乙酸。
[0037]取出封裝體用去離子水洗凈的操作為:用去離子水緩慢滴注，洗凈封裝體。
[0038]封裝體烘干的溫度為80 °C。
[0039]這種EMC塑封料的去除方法操作過程簡單，物料容易獲得，通過化學(xué)腐蝕法去除EMC塑封料可輕松實(shí)現(xiàn)，對(duì)于引線為金線的封裝體尤其適用。
[0040]封裝體與豎直方向的夾角為5°?10°，使得EMC塑封料腐蝕程度可控，腐蝕過程中封裝體的基板區(qū)域受影響較小。
[0041]這種EMC塑封料的去除方法操作過程簡單，物料容易獲得，可自行制作設(shè)計(jì)相關(guān)裝置，非常適用于基板生產(chǎn)商。
[0042]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種EMC塑封料的去除方法，其特征在于，包括如下步驟: 將待處理的封裝體傾斜后用夾具將所述封裝體固定； 將加熱后的濃硫酸滴加到所述封裝體的EMC塑封料頂部，并且觀察所述封裝體內(nèi)的芯片是否露出，待所述封裝體內(nèi)的芯片露出后降低所述濃硫酸的滴加速度，同時(shí)每隔五滴觀察一次所述封裝體的腐蝕情況，直至露出所述封裝體內(nèi)的引線焊盤，完成腐蝕；以及 將完成腐蝕的所述封裝體浸泡于有機(jī)清潔劑中3分鐘?15分鐘，接著取出所述封裝體用去離子水洗凈、烘干。
2.如權(quán)利要求1所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，將待處理的封裝體傾斜的操作中，所述封裝體與豎直方向的夾角為5°?10°。
3.如權(quán)利要求1所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，將加熱后的濃硫酸滴加到所述封裝體的EMC塑封料頂部的操作中，加熱后的濃硫酸的溫度為200°C?245°C。
4.如權(quán)利要求3所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，加熱后的濃硫酸的溫度為235 °C ?245 °C。
5.如權(quán)利要求1、3或4所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，所述濃硫酸的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為98 %。
6.如權(quán)利要求1所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，將加熱后的濃硫酸滴加到所述封裝體的EMC塑封料頂部的操作中，所述濃硫酸的滴加速度為2滴/秒。
7.如權(quán)利要求1所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，待所述封裝體內(nèi)的芯片露出后降低所述濃硫酸的滴加速度的操作中，降低后的所述濃硫酸的滴加速度為I滴/秒。
8.如權(quán)利要求1所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，所述有機(jī)清潔劑為丙酮或乙酸。
9.如權(quán)利要求1所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，取出所述封裝體用去離子水洗凈的操作為:用去離子水緩慢滴注，洗凈所述封裝體。
10.如權(quán)利要求1所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，取出所述封裝體用去離子水洗凈、烘干的操作中，烘干的溫度為80 °C。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種EMC塑封料的去除方法，包括如下步驟：將待處理的封裝體傾斜后用夾具將所述封裝體固定；將加熱后的濃硫酸滴加到所述封裝體的頂部，并且觀察所述封裝體內(nèi)的芯片是否露出，待所述封裝體內(nèi)的芯片露出后降低所述濃硫酸的滴加速度，同時(shí)每隔五滴觀察一次所述封裝體的腐蝕情況，直至露出所述封裝體內(nèi)的引線焊盤，完成腐蝕；以及將完成腐蝕的所述封裝體浸泡于有機(jī)清潔劑中3分鐘～15分鐘，接著取出所述封裝體用去離子水洗凈、烘干。這種EMC塑封料的去除方法操作過程簡單，物料容易獲得，通過化學(xué)腐蝕法去除EMC塑封料可輕松實(shí)現(xiàn)，對(duì)于引線為金線的封裝體尤其適用。
【IPC分類】B08B3-08
【公開號(hào)】CN104607411
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410856993
【發(fā)明人】劉武, 何應(yīng)明, 劉春陽
【申請(qǐng)人】廣州興森快捷電路科技有限公司, 宜興硅谷電子科技有限公司, 深圳市興森快捷電路科技股份有限公司
【公開日】2015年5月13日
【申請(qǐng)日】2014年12月31日