本發(fā)明涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種軟焊料裝片軌道單元。
背景技術(shù)：
等離子清洗機(jī)是通過利用離子、電子、原子或活性基團(tuán)等活性組分的性質(zhì)來處理樣品的表面，從而實(shí)現(xiàn)清潔、涂覆等目的。半導(dǎo)體產(chǎn)品生產(chǎn)時需要給裸銅框架進(jìn)行加熱，工藝過程中采用焊錫絲在芯片與框架間熔煉，冷卻后使兩者結(jié)合在一起，這種固定的方法通常稱之為軟焊料裝片。
由于裸銅框架在高溫導(dǎo)軌中會產(chǎn)生氧化現(xiàn)象，一般常規(guī)的方法是在加熱軌道中用氫氮混合氣體進(jìn)行保護(hù)、還原，確保裸銅框架在高溫下避免氧化?，F(xiàn)有技術(shù)中通常都是在高溫導(dǎo)軌中直接注入氫氮混合氣體，此種方式需要消耗的氫氣氣體量大，增加了制造的成本，同時由于氫氣在常溫常壓下極易燃燒爆炸，較高的氫氣含量極大影響了生產(chǎn)過程的安全性。
因此，市場上亟需一種軟焊料裝片軌道單元，在保證產(chǎn)品質(zhì)量的同時，降低半導(dǎo)體產(chǎn)品生產(chǎn)過程中氫氣的氣體供應(yīng)量，降低生產(chǎn)成本且提高生產(chǎn)過程的安全性。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是提供一種軟焊料裝片軌道單元，以解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，在保證產(chǎn)品質(zhì)量的同時，降低半導(dǎo)體產(chǎn)品生產(chǎn)過程中氫氣的氣體供應(yīng)量，降低生產(chǎn)成本且提高生產(chǎn)過程的安全性。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了如下方案：本發(fā)明提供一種軟焊料裝片軌道單元，包括：
軌道本體，所述軌道本體的兩側(cè)設(shè)置有多個氫氮保護(hù)氣體接頭；
等離子清洗機(jī)，所述等離子清洗機(jī)設(shè)置有多個管路，多個所述管路分別與多個所述氫氮保護(hù)氣體接頭連通。
優(yōu)選地，所述軌道本體上包括有加熱段以及冷卻段。
優(yōu)選地，所述加熱段的長度大于所述冷卻段的長度。
優(yōu)選地，所述等離子清洗機(jī)的供氣源包括有氫氣以及氮?dú)狻?/p>
優(yōu)選地，所述供氣源的氫氣與氮?dú)獾馁|(zhì)量比為0.5:10。
優(yōu)選地，所述軌道本體兩側(cè)的所述氫氮保護(hù)氣體接頭數(shù)量不同。
優(yōu)選地，所述氫氮保護(hù)氣體接頭為外凸式接口。
優(yōu)選地，所述導(dǎo)軌本體的前段具有防止多片或防止放反的監(jiān)測報警器。
本發(fā)明相對于現(xiàn)有技術(shù)，產(chǎn)生了以下技術(shù)效果：
本發(fā)明軌道本體的兩側(cè)設(shè)置多個清洗接口，等離子清洗機(jī)上的多個管路分別與多個氫氮保護(hù)氣體接頭連通。通過等離子清洗機(jī)對裸銅框架的表面在裝片制程的前一工位進(jìn)行沾污物清潔，以及對有氧化元素的裸銅框架表面進(jìn)行還原去氧化，在焊料裝片中提升裸銅框架表面的潔凈度，提高了焊料的回流性能。同時利用等離子清潔機(jī)提高了裸銅框架表面的清潔度，進(jìn)而降低了氫氣的需要量，降低了生產(chǎn)成本同時提高了生產(chǎn)過程的安全性。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發(fā)明軟焊料裝片軌道單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
其中，1-軌道本體、2-等離子清洗機(jī)、3-氫氮保護(hù)氣體接頭、4-加熱段、5-冷卻段。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
本發(fā)明的目的是提供一種軟焊料裝片軌道單元，以解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，在保證產(chǎn)品質(zhì)量的同時，降低半導(dǎo)體產(chǎn)品生產(chǎn)過程中氫氣的氣體供應(yīng)量，降低生產(chǎn)成本且提高生產(chǎn)過程的安全性。
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
參考圖1，本發(fā)明提供一種軟焊料裝片軌道單元，包括：
軌道本體1以及等離子清洗機(jī)2，軌道本體1的兩側(cè)設(shè)置有多個氫氮保護(hù)氣體接頭3；等離子清洗機(jī)2設(shè)置有多個管路，多個管路分別與多個氫氮保護(hù)氣體接頭3連通。通過等離子清洗機(jī)2對裸銅框架的表面在裝片制程的前一工位進(jìn)行沾污物清潔，以及對有氧化元素的裸銅框架表面進(jìn)行還原去氧化，在焊料裝片中提升裸銅框架表面的潔凈度，提高了焊料的回流性能。同時利用等離子清潔機(jī)提高了裸銅框架表面的清潔度，進(jìn)而降低了氫氣的需要量，降低了生產(chǎn)成本同時提高了生產(chǎn)過程的安全性。
為了提高生產(chǎn)效率，充分利用設(shè)備空間，軌道本體1上包括有加熱段4以及冷卻段5。在軌道的加熱段4為裝片提供預(yù)熱，在裝片完成以后，利用冷卻段5對裝片完成以后的芯片進(jìn)行降溫，保證了結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。
為了保證產(chǎn)品的品質(zhì)，加熱段4的長度大于冷卻段5的長度。
在本發(fā)明中，等離子清洗機(jī)2的供氣源包括有氫氣以及氮?dú)?。進(jìn)而為裸銅框架的氧化元素進(jìn)行還原去氧化，進(jìn)一步提高焊料裝片中提升裸銅框架表面的潔凈度。
在保證生產(chǎn)需求的同時，減少氫氣的供應(yīng)量，在本發(fā)明中供氣源的氫氣與氮?dú)獾馁|(zhì)量比為0.5:10。不僅提高了生產(chǎn)環(huán)節(jié)的安全性，還降低了釬焊產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。
為了提高裸銅表面的清潔度，對氫氮保護(hù)氣體接頭3的排布進(jìn)行合理布置，本發(fā)明軌道本體1兩側(cè)的氫氮保護(hù)氣體接頭3數(shù)量不同。實(shí)現(xiàn)氫氮混合氣體的多段注入。
為了保證管路與氫氮保護(hù)氣體接頭3的快速安裝同時避免保證連接封閉性，氫氮保護(hù)氣體接頭3為外凸式接口。
進(jìn)一步的，為了保證生產(chǎn)過程的穩(wěn)定性，導(dǎo)軌本體的前段具有防止多片或防止放反的監(jiān)測報警器。如果出現(xiàn)與預(yù)設(shè)的工藝條件不同的裸銅框架供應(yīng)時，監(jiān)測報警器會發(fā)出警報，提示操作人員進(jìn)行及時處理。
本發(fā)明中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會有改變之處。綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。