專利名稱：加熱裝置、涂布顯影裝置及加熱方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及加熱處理涂布了涂布液的基板的加熱裝置、包含該加熱裝置的涂布顯影裝置及加熱方法。
背景技術(shù)：
作為對半導(dǎo)體晶片(以下稱作晶片)及LCD(液晶顯示器)用的玻璃基板形成抗蝕圖案的裝置，采用對晶片涂布抗蝕劑、并將曝光后的晶片顯影的涂布顯影裝置。在該裝置內(nèi)組裝有稱作烘烤裝置的加熱裝置，例如在將涂布了抗蝕劑液的晶片加熱的裝置中，起到使抗蝕劑液中的溶劑干燥的作用。
作為該加熱裝置，一般如圖13所示那樣，用蓋體12覆蓋熱板11的上面，一邊從遍及晶片W1的整周形成的氣體供給口13將氣體供給到蓋體12內(nèi)，一邊從該蓋體12的中央部吸引排氣，這樣一邊形成圖中箭頭所示那樣的從晶片的外周朝向中央的氣流、一邊進行加熱處理。但是，如果這樣形成氣流，則雖沒有明確地掌握理由，但即使提高熱板11的表面的面內(nèi)溫度均勻性，從抗蝕劑液升華的升華物作為顆粒附著在晶片上的可能性也較大。
另一方面，在特開2004-293942號公報中，作為將涂布了取向膜用的聚酰亞胺溶液的LCD用的玻璃基板干燥處理的加熱裝置，記載了用蓋覆蓋熱盤的上方區(qū)域而形成氣流的通路、一邊形成從該通路的一個開口向另一側(cè)流動的氣流一邊進行加熱處理的裝置。本發(fā)明者掌握了如下規(guī)律如果將形成氣流從一端側(cè)朝向另一端側(cè)的所謂單向流的方法應(yīng)用在晶片的加熱裝置中，則與從晶片的外周向中央形成氣流的情況相比，晶片上的升華物的附著量較少。但是，在這種情況下，排出氣流的晶片的另一端側(cè)的流速較快，擔(dān)心會發(fā)生加熱處理的不均勻性，有可能損害抗蝕膜的均勻性。
進而，在這種加熱裝置中還有如下的課題。如果晶片與加熱板面接觸，則加熱板上的顆粒會轉(zhuǎn)印到晶片上，所以通常在加熱板上設(shè)置高度為0.1mm的多個突起部，通過將晶片載置在其上而成為從加熱面稍稍浮起的狀態(tài)(特開2001-2740523號公報)。其高度設(shè)定為晶片不與加熱面接觸的最小的值，比其大則難以將晶片的加熱溫度保持為均勻。
而晶片正日益大口徑化，對12英寸(直徑30mm)尺寸的晶片的半導(dǎo)體制造裝置已實用化，進一步大口徑化正在研究中。但是，如果晶片為12英寸尺寸以上，則也會有晶片的彎曲程度較大的情況，所以如果設(shè)在加熱板上的突起部的高度為0.1mm，則晶片有可能與熱板接觸而發(fā)生位置偏移。此外，在將晶片交接到熱板(突起部)上時，有晶片會像載置在水面上那樣橫向滑動的情況。推測該現(xiàn)象可能是因為在大口徑的晶片的下側(cè)的較小的空間中封閉了空氣而形成了有些加壓狀態(tài)的空氣層。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目地是提供一種在加熱涂布了涂布液的基板時能夠抑制顆粒向基板的附著、并能夠進行面內(nèi)均勻性較高的加熱處理的加熱裝置及加熱方法。此外，本發(fā)明的另一個目地是提供一種即使基板尺寸較大也能夠抑制因基板的彎曲造成的對熱板的接觸、并且面內(nèi)均勻性較高的加熱裝置及加熱方法。
本發(fā)明是對涂布在基板上的涂布液進行加熱處理的加熱裝置，其特征在于，具備熱板，用來載置基板；整流用的頂板，設(shè)在該熱板的上方，使其與基板對置；氣體排出部，設(shè)在上述熱板的一端側(cè)，用來將氣體排出到該熱板和頂板，形成寬度能夠覆蓋基板的寬度的氣流；排氣部，設(shè)在夾著上述熱板而與氣體排出部對置的一側(cè)，對該氣體進行吸引排氣；加熱部，設(shè)在上述熱板上，能夠獨力地加熱上述基板的排氣部側(cè)的第1區(qū)域和該第1區(qū)域以外的第2區(qū)域，以比第2區(qū)域高的溫度加熱第1區(qū)域；來自上述氣體排出部的氣流從基板的一端側(cè)朝向另一端側(cè)流動。
在本發(fā)明中，優(yōu)選為，在上述熱板上設(shè)有高度為0.3mm～1.0mm的突起部，用于使基板從熱板的表面浮起地對其進行支撐；將從上述氣體排出部排出的氣體加熱到相對于基板的加熱溫度±2％以內(nèi)的溫度。所謂的“基板的加熱溫度”是基板的加熱處理時的基板的溫度。
本發(fā)明的另一種加熱裝置是對將涂布在基板上的涂布液進行加熱處理的加熱裝置，其特征在于，具備熱板，用來載置基板；整流用的頂板，設(shè)在該熱板的上方，使其與基板對置；氣體排出部，設(shè)在上述熱板的一端側(cè)，用來將氣體排出到該熱板和頂板，形成寬度能夠覆蓋基板的寬度的氣流；排氣部，設(shè)在夾著上述熱板而與氣體排出部對置的一側(cè)，將該氣體吸引排氣；加熱部，設(shè)在上述頂板上，能夠獨力地加熱與上述基板的排氣部側(cè)的第1區(qū)域?qū)χ玫膮^(qū)域和與該第1區(qū)域以外的第2區(qū)域?qū)χ玫膮^(qū)域，以比與第2區(qū)域?qū)χ玫膮^(qū)域高的溫度加熱與第1區(qū)域?qū)χ玫膮^(qū)域；來自上述氣體排出部的氣流從基板的一端側(cè)朝向另一端側(cè)流動。
本發(fā)明的另一種加熱裝置是對涂布在基板上的涂布液進行加熱處理的加熱裝置，其特征在于，具備熱板，用來載置基板；設(shè)在上述熱板上的高度為0.3mm～1.0mm的突起部，用于使基板從熱板的表面浮起地對其進行支撐；整流用的頂板，設(shè)在該熱板的上方，使其與基板對置；氣體排出部，設(shè)在上述熱板的一端側(cè)，用來將加熱到相對于基板的加熱溫度±2％以內(nèi)的溫度的氣體排出到該熱板和頂板之間，形成寬度能夠覆蓋基板的寬度的氣流；排氣部，設(shè)在夾著上述熱板而與氣體排出部對置的一側(cè)，對該氣體進行吸引排氣；來自上述氣體排出部的氣流從基板的一端側(cè)朝向另一端側(cè)流動。這里所謂的基板，是12英寸尺寸或比其大的半導(dǎo)體晶片，在上述頂板上例如設(shè)有用來加熱該頂板的下表面的其他加熱部。
本發(fā)明的涂布顯影裝置，具備載體塊，輸入了收納有基板的載體；處理塊，具有在從上述載體取出的基板的表面上涂布抗蝕劑的涂布部、將涂布了抗蝕劑的基板加熱的加熱裝置、將加熱后的基板冷卻的冷卻部、和將曝光后的基板顯影的顯影處理部；接口部，在該處理塊和曝光裝置之間進行基板的交接；其特征在于，采用已述的加熱裝置。
此外，本發(fā)明的加熱方法是對涂布在基板上的涂布液進行加熱處理的加熱方法，其特征在于，包括將基板載置到熱板上的工序；通過一邊從熱板的一端側(cè)的氣體排出部排出氣體一邊從熱板的另一端側(cè)的排氣部吸引排氣，在基板和與該基板對置的整流用的頂板之間形成從基板的一端側(cè)朝向另一端側(cè)的、寬度能夠覆蓋基板的寬度的氣流的工序；通過設(shè)在上述熱板上的加熱部獨力地加熱控制上述基板的排氣部側(cè)的預(yù)先設(shè)定的第1區(qū)域和該第1區(qū)域以外的第2區(qū)域，以比第2區(qū)域高的溫度加熱上述第1區(qū)域的工序。
本發(fā)明的另一種加熱方法是對涂布在基板上的涂布液進行加熱處理的加熱方法，其特征在于，包括將基板載置到熱板上的工序；通過一邊從熱板的一端側(cè)的氣體排出部排出氣體一邊從熱板的另一端側(cè)的排氣部吸引排氣，在基板和與該基板對置的整流用的頂板之間形成從基板的一端側(cè)朝向另一端側(cè)的、寬度能夠覆蓋基板的寬度的氣流的工序；通過設(shè)在上述頂板上的加熱部獨力地加熱控制與上述基板的排氣部側(cè)的預(yù)先設(shè)定的第1區(qū)域?qū)χ玫膮^(qū)域和與該第1區(qū)域以外的第2區(qū)域?qū)χ玫膮^(qū)域，以比與第2區(qū)域?qū)χ玫膮^(qū)域高的溫度加熱與上述第1區(qū)域?qū)χ玫膮^(qū)域的工序。
本發(fā)明的另一種加熱方法是對涂布在基板上的涂布液進行加熱處理的加熱方法，其特征在于，包括通過設(shè)在熱板的表面上的高度為0.3mm～1.0mm的突起部支撐基板，以從熱板浮起的狀態(tài)載置基板的工序；通過一邊從熱板的一端側(cè)的氣體排出部排出被加熱到相對于基板的加熱溫度±2％以內(nèi)的溫度的氣體一邊從熱板的另一端側(cè)的排氣部吸引排氣，在基板和與該基板對置的整流用的頂板之間形成從基板的一端側(cè)朝向另一端側(cè)的、寬度能夠覆蓋基板的寬度的氣流的工序。在這些加熱方法中，例如一邊通過設(shè)在上述頂板上的其他加熱部加熱該頂板的下表面一邊進行基板的加熱處理。
根據(jù)本發(fā)明，在將涂布了涂布液的基板載置在熱板上加熱時，由于一邊形成從基板的一端側(cè)朝向另一端側(cè)的氣流一邊進行加熱處理，所以抑制了氣體滯留在基板的周圍，抑制了基板表面的流速的不均勻，所以將來自涂布液的升華物從基板的上方排出的效果較好，因此能夠降低顆粒向基板的附著。并且，如果這樣形成所謂的單向流，則氣流的排氣部側(cè)、即基板的另一端部位的流速有變快的趨勢，但由于構(gòu)成為獨力地加熱控制作為該另一端部位的第1區(qū)域和其他區(qū)域即第2區(qū)域，使第1區(qū)域的溫度比第2區(qū)域的溫度高，所以能夠進行面內(nèi)均勻性較高的加熱處理。
此外，根據(jù)其他技術(shù)方案，由于對與基板對置的頂板，通過設(shè)在頂板上的加熱部加熱以使與上述第1區(qū)域?qū)χ玫膮^(qū)域的溫度比與第1區(qū)域以外的第2區(qū)域?qū)χ玫膮^(qū)域的溫度高，所以能夠進行面內(nèi)均勻性較高的加熱處理。
進而，根據(jù)其他技術(shù)方案，由于將用來使基板從熱板浮起并載置的突起部的高度設(shè)為0.3mm～1.0mm，所以即使是尺寸較大的基板、例如12英寸尺寸或比其大的晶片，也能夠抑制因基板的彎曲造成的向熱板的接觸，能夠防止位置偏移，并且，由于向熱板與頂板之間排出與基板的加熱溫度大致相同溫度的氣體，所以能夠進行面內(nèi)均勻性較高的加熱處理。
并且，如果將以上那樣的加熱裝置設(shè)置在涂布顯影裝置中，則能夠得到良好的抗蝕圖案。


圖1是表示本發(fā)明的加熱裝置的實施方式的一例的縱剖側(cè)視圖。
圖2A、圖2B是上述加熱裝置的橫剖俯視圖。
圖3是上述加熱裝置的要部的縱剖側(cè)視圖。
圖4是表示通過上述加熱裝置加熱的晶片的區(qū)域的說明圖。
圖5A是構(gòu)成上述加熱裝置的熱板的說明圖。
圖5B是構(gòu)成上述加熱裝置的變形例的頂板的說明圖。
圖6是表示由上述加熱裝置加熱時形成的單向流的說明圖。
圖7采用了上述加熱裝置的涂布顯影裝置的俯視圖。
圖8是表示上述涂布顯影裝置的立體圖。
圖9是表示上述涂布顯影裝置的側(cè)部剖視圖。
圖10是表示上述涂布顯影裝置的涂布單元、擱板單元、和輸送部的立體圖。
圖11A、圖11B是表示通過上述加熱裝置加熱的晶片周圍的流速的說明圖。
圖12A、圖12B是表示通過以往的加熱裝置加熱的晶片周圍的流速的說明圖。
圖13是表示以往的加熱裝置的一例的圖。
具體實施例方式
以下，作為有關(guān)本發(fā)明的加熱裝置的實施方式的一例，對例如將表面上作為涂布液而涂布了抗蝕劑液的基板、即半導(dǎo)體晶片(以下簡稱作晶片)W進行加熱處理、在該晶片W表面上形成抗蝕膜的加熱裝置2，利用圖1～圖3進行說明。另外，作為該晶片W的大小，采用例如12英寸或大于它的尺寸。該加熱裝置2具有箱體20，在箱體20的側(cè)壁上開口有晶片W的輸送口21，該輸送口21通過開閉器21a開閉自如。該開閉器21a是為了防止在加熱晶片W時因外界氣體經(jīng)由輸送口21流入到箱體20內(nèi)而使在后述的晶片W的周圍形成的氣流紊亂而設(shè)置的，但也可以在輸送口21附近設(shè)置例如氣簾代替開閉器21a來防止外界氣體的流入。
此外，在箱體20內(nèi)的下部設(shè)有基臺22，如果使朝向輸送口21一側(cè)為近前側(cè)，則在該基臺22的內(nèi)部中，從近前側(cè)到里側(cè)依次設(shè)有升降機構(gòu)23、24。在升降機構(gòu)23上例如連接著3根支撐銷23a，該支撐銷23a構(gòu)成為，能夠在升降機構(gòu)23的作用下相對于穿設(shè)在基臺22上的孔23b垂直地突出或沒入。對于升降機構(gòu)24在后面敘述。
在基臺22上，在近前側(cè)設(shè)有冷卻盤25。該冷卻盤25在背面?zhèn)染哂欣缬脕砹鬟^溫度調(diào)節(jié)水的未圖示的冷卻流路(未圖示)，將載置在該冷卻盤25上的晶片W粗冷卻，另外，這種冷卻機構(gòu)是假設(shè)將該加熱裝置2組裝在涂布顯影裝置等裝置中使用而設(shè)置的，也可以不特別設(shè)置。
該冷卻盤25構(gòu)成為，在上述支撐銷23a的作用下，可以進行經(jīng)由具有支撐例如晶片的背面的臂體的晶片W的輸送機構(gòu)(未圖示)和輸送口21輸入到箱體20內(nèi)的晶片W的交接。此外，該冷卻盤25具有在上述晶片W的輸送機構(gòu)和熱板41之間進行晶片W的交接的作用，沿著設(shè)在基臺22上的導(dǎo)引機構(gòu)(未圖示)在基臺22上從近前側(cè)向里側(cè)進退自如地構(gòu)成。圖中，25a、25b是用來使上述支撐銷23a、24a通過的細縫。
在基臺22上朝向冷卻盤25的更里側(cè)，依次設(shè)有氣體排出部31、熱板41、排氣部51。該氣體排出部31及排氣部51分別設(shè)置為，與后述的頂板62一起對載置在熱板41上的晶片W覆蓋晶片W的直徑(寬度)，還能夠在頂板62與熱板41之間形成從近前側(cè)向里側(cè)、即從晶片W的一端側(cè)向另一端側(cè)流動的也可稱作單向流的氣流。
首先說明氣體排出部31，氣體排出部31具備面向箱體20的里側(cè)上方的斜面部32，在該斜面部32上，例如沿著箱體20的寬度方向(圖中Y方向)分別隔開一定的間隔而設(shè)有多個小孔作為排出口33。構(gòu)成為，使從該排出口33的一端到另一端的長度覆蓋載置在熱板41上的晶片W的直徑。在氣體排出部31上連接著氣體供給管34，該氣體供給管34經(jīng)由設(shè)在氣體排出部31內(nèi)的空間35與上述排出口33連通。此外，氣體供給管34例如向箱體20的外部伸長，該氣體供給管34的端部連接在儲存有干凈的清潔用氣體、例如氮氣等惰性氣體的氣體供給源36上。此外，在上述空間35中例如沿著寬度方向設(shè)有傳熱板37，在傳熱板37上例如沿著寬度方向隔開間隔而連接著多個散熱管38的一端。各散熱管38的另一端連接在熱板41上，從氣體供給源36供給到氣體供給管34內(nèi)的清潔用氣體如果流入到氣體排出部31的空間35中，則被傳熱板37調(diào)節(jié)溫度到與晶片W的加熱溫度(加熱時的晶片W的表面溫度)相同的溫度，而從排出口33排出。此外，上述清潔用氣體因駐留在空間35內(nèi)而受到壓力損失，從排出口33以同樣的流量和壓力朝向后述的頂板62的下表面排出。
加熱清潔用氣體的機構(gòu)也可以是設(shè)置在例如氣體供給管34的出口附近的加熱器。構(gòu)成為，晶片W如后述那樣以從熱板41浮起例如0.3mm的狀態(tài)被支撐，從熱板41向晶片W的傳熱變差，但通過加熱的清潔用氣體沿著晶片W的表面流動而能夠以預(yù)先設(shè)定的處理溫度進行加熱。
接著說明熱板41。該熱板41具有覆蓋晶片W整個表面的大小，例如構(gòu)成為圓形。圖4表示設(shè)置在熱板41上的晶片W的表面，如果設(shè)圖中右側(cè)為排氣部51側(cè)(里側(cè))，則在該晶片W上，將排氣部51側(cè)的圖4中的大致扇形區(qū)域作為第1區(qū)域P1，將區(qū)域P1以外的區(qū)域作為第2區(qū)域P2。在該例中，第1區(qū)域P1是在從晶片W的中心靠排氣部51側(cè)的位置朝向晶片W的周緣而擴展為扇狀的大致扇形區(qū)域。由后述的評價試驗可知，如果在晶片W的加熱時形成上述單向流，則該單向流的第1區(qū)域P1周圍的流速比第2區(qū)域P2周圍的流速大，所以第1區(qū)域P1與第2區(qū)域P2相比熱量容易被帶走而溫度容易變低。為了補償該溫度，在熱板41的內(nèi)部中，例如圖5A所示那樣設(shè)置作為加熱機構(gòu)的加熱器42a～42h。
如果詳細地說明，則具有不同直徑的環(huán)狀的加熱器42a、42b在熱板41的中央部上配置成同心圓狀，使它們在將晶片W載置在熱板41上時位于第第2區(qū)域P2的下部。朝向該加熱器42b的排氣部51側(cè)，隔開間隔而分別設(shè)有例如扇狀的加熱器42c～42e，使它們位于第1區(qū)域P1的下部。此外，從加熱器42b朝向氣體排出部31側(cè)隔開間隔設(shè)有例如扇狀的加熱器42f～42h，使它們位于第2區(qū)域P2的下部。構(gòu)成為，各加熱器42a～42h與電力供給部43連接，通過后述的該加熱裝置2所具備的控制部經(jīng)由該電力供給部43分別控制各加熱器42a～42h的發(fā)熱量，能夠以比第2區(qū)域P2高的溫度加熱晶片W的第1區(qū)域P1，即能夠?qū)^(qū)域P1施加偏置量。
另外，在本發(fā)明中，只要以比第2區(qū)域P2高的溫度加熱晶片W的第1區(qū)域P1就可以，并且熱板41內(nèi)的加熱器的分割數(shù)(設(shè)置數(shù))、形狀、規(guī)格并不限于已述的例子。
回到圖1～圖3，圖中45是沿鉛直方向貫通熱板41及支撐熱板41的下部的基臺22的孔。在該熱板41的下部設(shè)有上述升降機構(gòu)24，在該升降機構(gòu)24上連接著3根支撐銷24a。升降機構(gòu)24構(gòu)成為，通過使該支撐銷24a經(jīng)由上述孔45突出到熱板41上，能夠在上述冷卻盤25與支撐銷24a之間進行晶片W的交接。此外，在熱板41的表面上，支撐晶片W的背面的例如4個突起部46沿著熱板41的周向設(shè)置，如果支撐銷24a在支撐晶片W的背面的狀態(tài)下下降則將晶片W交接到該突起部46上。作為突起部46的高度，優(yōu)選地設(shè)定為0.3～1.0mm，在該例中設(shè)定為0.3mm。如果比0.3mm低，則在晶片W彎曲的情況下、特別在12英寸尺寸以上的晶片W的情況下有可能與熱板41接觸而引起位置偏移，此外，如果比1.0mm高，則熱板41的熱不會充分地傳遞給該晶片W，對于溫度難以確保良好的面內(nèi)均勻性。
排氣部51夾著上述熱板41而與上述氣體排出部31對置而設(shè)置，具備面向箱體20的近前側(cè)上方的斜面部52。在該斜面部52上，作為排氣口53而沿著箱體20的寬度方向分別隔開一定的間隔設(shè)有多個小孔，從該排氣口53的一端到另一端的長度例如覆蓋晶片W的直徑。在排氣部51上連接著排氣管54，該排氣管54經(jīng)由設(shè)在排氣部51的內(nèi)部中的通路與上述排氣口53連通。排氣管54向箱體20的外部伸長，其端部例如連接著工廠的排氣線路。此外，在排氣管中夾設(shè)有風(fēng)扇55，通過控制該風(fēng)扇55的轉(zhuǎn)速，排氣部51以例如預(yù)先設(shè)定的排氣量經(jīng)由排氣管54從排氣口53進行箱體20內(nèi)的排氣。另外，圖中的V5是夾設(shè)在排氣管54中的閥。
在本發(fā)明中，只要通過氣體突出部31及排氣部51形成已述的單向流就可以，所以氣體突出部31及排氣部51并不限于該實施例的結(jié)構(gòu)。此外，排出口33及排氣口53的形狀也并不限于該例，也可以設(shè)為例如沿著寬度方向的細縫狀。
在排氣部51的上部設(shè)有支柱61，在支柱61的上部接合著整流用的頂板52的緣部。該頂板62設(shè)置在例如離開晶片W的10mm上方，以使其在上述熱板41上加熱晶片W時與該晶片W對置。而為了形成上述單向流，頂板62只要向近前側(cè)延伸到從排出口33排出的氣體所朝向的位置就可以，但在本實施方式中構(gòu)成為，通過將該頂板62的端部設(shè)置得較長而比該位置更靠近前側(cè)，該頂板62能夠更可靠地限制從排出部31排出的清潔用氣體，變?yōu)閷恿鞫ㄟ^熱板41和頂板62之間。此外，在頂板62的近前側(cè)的端部上埋入有加熱器63，在該加熱器63上連接著電力供給線64。通過由控制部控制從電力供給部64向該加熱器63的電力供給量，由該加熱器63將頂板62的近前側(cè)的端部的下表面控制為例如一定的溫度。通過做成這樣的結(jié)構(gòu)，防止從排出部31排出的清潔用氣體達到熱板41附近而被冷卻，抑制了以不均勻的溫度加熱晶片W。
接著說明該加熱裝置2所具備的控制部。該控制部具有例如由計算機構(gòu)成的程序保存部，在程序保存部中保存有組合了命令的例如由軟件構(gòu)成的程序，來實施后述那樣的該加熱裝置的作用，即晶片W的處理、晶片W的交接、晶片W的加熱及氣流的控制等。并且，通過由控制部讀出該程序，控制部控制該半導(dǎo)體制造裝置的作用。另外，該程序例如以收納在硬盤、CD、磁光盤等存儲媒介中的狀態(tài)下保存在程序保存部中。
接著參照圖6說明加熱裝置2的作用。如果通過晶片W的輸送機構(gòu)經(jīng)由輸送口將表面涂布了抗蝕劑液的晶片W送入到箱體20內(nèi)，則晶片W經(jīng)由支撐銷23a交接給冷卻盤25。在該冷卻盤25移動到熱板41上之前通過加熱器42a～42f將熱板41均勻地加熱到例如130℃。并且通過加熱器63將頂板62的端部的下表面也加熱到例如130℃。
通過升降機構(gòu)24使支撐銷24a上升，支撐由冷卻盤25輸送到熱板41上的晶片W的背面。在冷卻盤25后退后，通過升降機構(gòu)24使支撐銷24a下降，將晶片W交接到熱板41上的突起部46上。即，晶片W以從熱板41浮起的狀態(tài)被支撐。
在將晶片W支撐在熱板41上后，打開閥V3，將清潔用氣體從氣體供給源36供給到氣體供給管34中。該清潔用氣體被排出部31加熱到約100℃，從排出口33朝向頂板62排出。如果從該氣體排出口33開始清潔用氣體的排出，則大致同時閥V5打開，風(fēng)扇55旋轉(zhuǎn)，來進行從排氣部51的排氣，由此，如圖6中箭頭所示，排出的清潔用氣體在頂板62與熱板41之間從近前側(cè)流到里側(cè)，通過晶片W的周圍后流入到排氣部51中，被排放到箱體20之外。即，在晶片W的周圍形成圖中箭頭所示那樣的單向流。在形成該單向流的期間，加熱器42c～42e的發(fā)熱量控制成比42a、42b、42f～42h的發(fā)熱量多，晶片W的第1區(qū)域P1以比第2區(qū)域P2高一些的溫度被加熱。這樣，通過熱板41的熱和單向流進行對涂布在晶片W上的抗蝕劑液的加熱、干燥，在晶片W上形成抗蝕膜。
在向晶片W的清潔用氣體的供給進行了例如一定時間后，來自氣體供給源36的清潔用氣體的供給停止，從排出部31的清潔用氣體的排出也停止，基本上與該清潔用氣體的排出停止同時，排氣部51的排氣也停止，支撐銷24a以支撐著晶片W的狀態(tài)上升。冷卻盤25再次向熱板41上移動，將晶片W交接到冷卻盤25上。該冷卻盤25進行晶片W的粗散熱，并且在基臺22上向近前側(cè)移動。然后，經(jīng)由支撐銷23a將該晶片W交接給例如輸送臂等輸送機構(gòu)，輸送到箱體20之外。
在本實施方式的加熱裝置2中，在將涂布有抗蝕劑液的晶片W載置在熱板41上而加熱時，形成在熱板41和頂板62之間從近前側(cè)向里側(cè)流動的氣流。即一邊形成從晶片W的一端側(cè)朝向另一端側(cè)的氣流一邊進行加熱處理，所以抑制了氣體滯留在晶片W的周圍，抑制了晶片W表面上的流速的不均勻，所以將來自抗蝕劑液的升華物從晶片W的上方排出的效果較好，因此能夠減少顆粒向晶片W的附著。并且，如果這樣形成所謂的單向流，則氣流的排氣部51側(cè)、即晶片W的第1區(qū)域P1的流速有變快的趨勢，但由于通過獨力控制埋入在熱板41中的多個加熱器42a～42h的發(fā)熱量來獨力地加熱控制晶片W的第1區(qū)域P1和其他區(qū)域、即第2區(qū)域P2，進行加熱以使第1區(qū)域P1的溫度比第2區(qū)域P2的溫度高，所以能夠進行面內(nèi)均勻性較高的晶片W的加熱處理。
進而，在該加熱裝置2中，由于經(jīng)由設(shè)在熱板41表面上的突起部46以從熱板41浮起的狀態(tài)保持晶片W(在該例中，突起部的高度設(shè)定為0.3mm)，所以能夠抑制因晶片W的彎曲造成的對熱板41的接觸，能夠防止該晶片W的位置偏移，特別是在12英寸尺寸以上的晶片W中該效果較好。通過這樣使晶片W從熱板41浮起，雖然從熱板41向晶片W的傳熱效果稍稍變差，但與晶片W的加熱溫度大致相同溫度的氣體沿著晶片W的表面流動，所以結(jié)果對于晶片W的面內(nèi)溫度能夠確保較高的均勻性，能夠進行面內(nèi)均勻性較高的加熱處理。
在熱板41的突起部46的高度為0.1mm時，從熱板41向晶片W的傳熱與接觸的情況實質(zhì)上沒有變化，但通過將突起部46的高度設(shè)為0.3mm以上，晶片W的加熱溫度更多地依賴于在晶片W的上方流動的熱風(fēng)，因此，熱風(fēng)的溫度雖然優(yōu)選地設(shè)定為與晶片W的加熱溫度、即晶片W加熱處理時的設(shè)定溫度相同，但由于難以使其完全一致，所以實際上±2％左右的不均勻是難免的，因而，熱風(fēng)的溫度設(shè)定為晶片W加熱溫度的±2％以內(nèi)的溫度是很重要的。
進而，因為增大了晶片W的浮起距離，所以抑制了在突起部46的高度為0.1mm的情況下會在晶片W的交接時看到的晶片W的滑動現(xiàn)象的發(fā)生。
在已述的實施方式中，通過獨力控制熱板41的加熱器42a～h的發(fā)熱量而將晶片W的第1區(qū)域P1加熱到比第2區(qū)域P2高的溫度，但也可以是如下的結(jié)構(gòu)例如在頂板62的下表面中、在與晶片W的第1區(qū)域P1對置的區(qū)域和與第2區(qū)域P2對置的區(qū)域中埋入分別獨力控制發(fā)熱量的加熱器，通過這些加熱器將晶片W的第1區(qū)域P1加熱到比第2區(qū)域P2高的溫度。在這種情況下，熱板41側(cè)的溫度也可以在晶片W的加熱時始終均勻。關(guān)于在頂板62上設(shè)置加熱器的結(jié)構(gòu)，如圖5B所示，與在熱板41上設(shè)置加熱器的情況同樣，配設(shè)有加熱器65a～h。加熱器65a～h的發(fā)熱量通過控制部經(jīng)由電力供給部66分別地控制。
接著，說明將本發(fā)明的加熱裝置2應(yīng)用到作為涂布顯影裝置的抗蝕圖案形成裝置中的情況的一實施方式。圖7表示抗蝕圖案形成裝置的俯視圖，圖8是其概略立體圖，圖9是其概略側(cè)視圖。該裝置具備載體塊S1，用來輸入輸出例如密閉收納有例如13片作為基板的晶片W的載體90；處理塊S2，縱向排列多個、例如5個單位塊B1～B5而構(gòu)成；接口塊S3；曝光裝置S4。
在上述載體塊S1中，設(shè)有可載置多個上述載體90的載置臺91、從該載置臺91觀察而設(shè)在前方的壁面上的開閉部92、和用來經(jīng)由開閉部92從載體90中取出晶片W的傳遞臂C。該傳遞臂C進退自如、升降自如、繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如、沿載體90的排列方向移動自如地構(gòu)成，以使其能夠進行單位塊B1、B2的交接和在工作站TRS1、TRS2之間進行晶片W的交接。
在上述載體塊S1的里側(cè)，連接著由箱體93包圍其周圍的處理塊S2。在該例中，處理塊S2從下方側(cè)開始分配為，下段側(cè)的2段為用來進行顯影處理的第1及第2單位塊(DEV層)B1、B2，用來進行在抗蝕膜的上層形成的防反射膜的形成處理的第3單位塊(TCT層)B3、用來進行抗蝕劑液的涂布處理的第4單位塊(COT層)B4，用來進行在抗蝕膜的下層形成的防反射膜的形成處理的第5單位塊(BCT層)B5。這里，上述DEV層B1、B2相當(dāng)于顯影處理用的單位塊，TCT層B3、COT層B4、BCT層B5相當(dāng)于涂布膜形成用的單位塊。
接著說明第1～第5單位塊B(B1～B5)的結(jié)構(gòu)。這些各單位塊B1～B5具備用來對晶片W涂布藥液的液體處理單元、用來進行由上述液體處理單元進行的處理的前處理及后處理的各種加熱冷卻類的處理單元、作為用來在這些塊的加熱冷卻類的處理單元之間交接晶片W的專用輸送機構(gòu)的主臂A1～A5。
首先以圖7所示的COT層B4為例進行說明。在該COT層B4的大致中央，在COT層B4的長度方向(圖中Y軸方向)上形成用來連接載體塊S1和接口塊S3的晶片W的輸送區(qū)域R1。
在該輸送區(qū)域R1的從載體塊S1側(cè)觀察的兩側(cè)，在右側(cè)從近前側(cè)(載體塊S1側(cè))向里側(cè)設(shè)有具備用來對晶片W進行抗蝕劑的涂布處理的多個涂布部的涂布單元94。此外，在左側(cè)從COT層B4的近前側(cè)向里側(cè)依次設(shè)有將加熱冷卻類的單元多段化的4個擱架單元U1、U2、U3、U4，做成將用來進行由涂布單元94進行的處理的前處理及后處理的各種單元多段、例如2段層疊的結(jié)構(gòu)。
在用來進行上述前處理及后處理的各種單元中，包括例如用來在抗蝕劑液涂布前將晶片W調(diào)整到規(guī)定溫度的冷卻單元(COL)、用來在抗蝕劑液涂布后進行晶片W的加熱處理的例如稱作預(yù)烘烤單元等的加熱單元(CHP)95、用來有選擇地僅將晶片W的邊緣部曝光的周緣曝光裝置(WEE)等。在該例中，用圖1～圖6說明的加熱裝置2相當(dāng)于該加熱單元95。此外，冷卻單元(COL)及加熱單元(CHP)95等各處理單元分別收納在處理容器96內(nèi)，擱架單元U1～U4是層疊了2段上述處理容器96而構(gòu)成的，在各處理容器96的面對輸送區(qū)域R1的面上形成有輸入輸出晶片W的輸送口97。此外，在該例中，加熱單元(CHP)95被層疊為擱架單元U3。
在上述輸送區(qū)域R1中設(shè)有上述主臂A4。該主臂A4構(gòu)成為，能夠在該COT層B4內(nèi)的所有模塊(晶片W所放置的部位)、例如擱架單元U1～U4的各處理單元、涂布單元94、后述的擱架單元U5和擱架單元U6的各部分之間進行晶片的交接，為此而進退自如、升降自如、繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如、沿Y軸方向移動自如地構(gòu)成。
此外，輸送區(qū)域R1的與載體塊S1相鄰的區(qū)域為第1晶片交接區(qū)域R2，在該區(qū)域R2中，如圖7及圖9所示，在傳遞臂C和主臂A4能夠達到的位置上設(shè)有擱架單元U5，并且具有作為用來對該擱架單元U5進行晶片W的交接的第1基板交接機構(gòu)的第1交接臂D1。
上述擱架單元U5如圖9所示，在該例中各單位塊B1～B5具備1個以上、例如2個第1交接工作站TRS1～TRS5，以便在各單位塊B1～B5的主臂A1～A5之間進行晶片W的交接，由此，構(gòu)成了多段層疊了第1交接工作站的第1交接工作站組。此外，上述第1交接臂D1進退自如及升降自如地構(gòu)成，以使其能夠?qū)Ω鞯?交接工作站TRS1～TRS5進行晶片W的交接。此外，上述第1及第2單位塊B1、B2的第1交接工作站TRS1、TRS2在該例中構(gòu)成為能夠在與傳遞臂C之間進行晶片W的交接，相當(dāng)于載體塊用交接工作站。
進而，輸送區(qū)域R1的與接口塊S3相鄰的區(qū)域為第2晶片交接區(qū)域R3，在該區(qū)域R3中，如圖9所示，在主臂A4能夠達到的位置上設(shè)有擱架單元U6，并且具有作為用來對該擱架單元U6進行晶片W的交接的第2基板交接機構(gòu)的第2交接臂D2。
上述擱架單元U6如圖9所示，在該例中各單位塊B1～B5具備1個以上例如2個第2交接工作站TRS6～TRS10，以便在各單位塊B1～B5的主臂A1～A5之間進行晶片W的交接，由此，構(gòu)成了多段層疊了第2交接工作站的第2交接工作站組。第2交接臂D2進退自如及升降自如地構(gòu)成，以使其能夠?qū)Ω鞯?交接工作站TRS6～TRS10進行晶片W的交接。這樣，在本實施方式中，在5段層疊的各單位塊B1～B5之間，能夠通過上述第1交接臂D1和第2交接臂D2，經(jīng)由各個第1交接工作站TRS1～TRS5、第2交接工作站TRS6～TRS10自由地進行晶片W的交接。
接著簡單說明其他單位塊B。DEV層B1、B2同樣地構(gòu)成，設(shè)有具備用來對晶片W進行顯影處理的多個顯影部的顯影單元，在擱架單元U1～U4上，除了具備對曝光后的晶片W進行加熱處理的稱作后曝光烘烤單元等的加熱單元(PEB)、用來在該加熱單元(PEB)的處理后將晶片W調(diào)整到規(guī)定溫度的冷卻單元(COL)、為了使水分散出而對顯影處理后的晶片W進行加熱處理的稱作后烘烤單元等的加熱單元(POST)以外，與COT層B4同樣地構(gòu)成。另外，設(shè)在DEV層B1、B2上的這些加熱單元例如與設(shè)在COT層B4上的加熱單元95具有相同的結(jié)構(gòu)，僅在處理溫度及處理時間上不同。
并且，在這些DEV層B1、B2中，分別通過主臂A1、A2，對各個第1交接工作站TRS1、TRS2、第2交接工作站TRS6、TRS7、顯影單元、擱架單元U1～U4的各處理單元進行晶片W的交接。
此外，TCT層B3設(shè)有具備用來對晶片W進行第2防反射膜的形成處理的多個第2防反射膜形成部的第2防反射膜形成單元。即，第2防反射膜形成單元是用來在涂布了抗蝕劑液后在晶片W上涂布防反射膜用的藥液的裝置。此外，從形成在藥液噴嘴12a上的排出口排出防反射膜用的藥液。此外，擱架單元U1～U4除了具備用來在防反射膜形成處理前將晶片W調(diào)整到規(guī)定溫度的冷卻單元(COL)、對防反射膜形成處理后的晶片W進行加熱處理的加熱單元以外，與COT層B4同樣地構(gòu)成。另外，上述加熱單元(CHP)例如與設(shè)在COT層B4上的加熱單元95具有相同的結(jié)構(gòu)，僅處理溫度及處理時間不同。并且，在該TCT層B3中，通過主臂A3，對第1交接工作站TRS3、第2交接工作站TRS8、第2防反射膜形成單元、擱架單元U1～U4的各處理單元進行晶片W的交接。
此外，BCT層B5設(shè)有具備用來對晶片W進行第1防反射膜的形成處理的多個第1防反射膜形成部的第1防反射膜形成單元。即，上述第1防反射膜形成單元是用來在涂布了抗蝕劑液前在晶片W上涂布防反射膜用的藥液的裝置。此外，從形成在藥液噴嘴12a上的排出口排出防反射膜用的藥液。此外，擱架單元U1～U4除了具備用來在防反射膜形成處理前將晶片W調(diào)整到規(guī)定溫度的冷卻單元(COL)、對防反射膜形成處理后的晶片W進行加熱處理的加熱單元(CHP)、周緣曝光裝置(WEE)以外，與COT層B4同樣地構(gòu)成。另外，上述加熱單元(CHP)例如與設(shè)在COT層B4上的加熱單元95具有相同的結(jié)構(gòu)，僅處理溫度及處理時間不同。并且，在該第5單位塊B5中，通過主臂A5，對第1交接工作站TRS5、第2交接工作站TRS10、第1防反射膜形成單元、擱架單元U1～U4的各處理單元進行晶片W的交接。
另外，這些處理單元并不限于加熱單元(CHP、PEB、POST)、冷卻單元(COL)、周緣曝光裝置(WEE)，也可以設(shè)置其他處理單元，在實際的裝置中也可以考慮各處理單元的處理時間等而決定單元的設(shè)置數(shù)量。
另一方面，在處理塊S2的擱架單元U6的里側(cè)，經(jīng)由接口塊S3連接著曝光裝置S4。在接口塊S3中具備用來對處理塊S2的擱架單元U6和曝光裝置S4進行晶片W的交接的接口臂B。該接口臂B構(gòu)成介于處理塊S2和曝光裝置S4之間的晶片W的輸送機構(gòu)，在該例中進退自如、升降自如、繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如地構(gòu)成，以使其能夠?qū)Φ?～第4單位塊B1～B4的第2交接工作站TRS6～TRS9進行晶片W的交接，在該例中，第2交接工作站TRS6～TRS9相當(dāng)于接口塊用交接工作站。
此外，上述接口臂B也可以構(gòu)成為，使其對所有的單位塊B1～B5的第2交接工作站TRS6～TRS10進行晶片W的交接，在這種情況下，第2交接工作站TRS6～TRS10相當(dāng)于接口塊用交接工作站。
接著，以COT層的主臂A4為例簡單說明主臂A(A1～A5)，如圖10所示，主臂A4具備用來支撐晶片W的背面?zhèn)戎芫墔^(qū)域的2根臂體201、202，這些臂體201、202沿著基臺203相互獨力進退自如地構(gòu)成。此外，該基臺203在旋轉(zhuǎn)機構(gòu)204的作用下繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如地構(gòu)成，并且在移動機構(gòu)205的作用下、沿著安裝于支撐擱架單元U1～U4的臺部206的面對輸送區(qū)域R1的面上的Y軸導(dǎo)軌207在Y軸方向上移動自如、且沿著升降導(dǎo)軌208升降自如地構(gòu)成。這樣，臂體201、202進退自如、沿Y軸方向移動自如、升降自如、繞鉛直軸方向旋轉(zhuǎn)自如地構(gòu)成。主臂A1～A3及A5也與主臂A4同樣地構(gòu)成，主臂A能夠在擱架單元U1～U6的各單元、第1及第2交接工作站TRS1～TRS10、液體處理單元之間進行晶片W的交接。
在COT層B4中，晶片W由主臂A4經(jīng)由輸送口97輸送到加熱單元內(nèi)，在涂布了抗蝕劑液后晶片W經(jīng)由輸送口97由主臂A4輸送到加熱單元95的外部。
這里，以在抗蝕膜的上下分別形成防反射膜的情況為例，說明該抗蝕圖案形成裝置中的晶片W的流程。首先，將載體90從外部送入到載體塊S1中，通過傳遞臂C將晶片W從該載體90內(nèi)取出。首先將晶片W從傳遞臂C交接第2單位塊B2的擱架單元U5的第1交接工作站TRS2上，接著，為了將晶片W交接到BCT層B5上，通過第1交接臂D1經(jīng)由第1交接工作站TRS5將晶片W交接給BCT層B5的主臂A5。接著，在BCT層B5中，通過主臂A5，以冷卻單元(COL)→第1反射膜形成單元→加熱單元(CHP)→擱架單元U6的第2交接工作站TRS10的順序輸送，形成第1防反射膜。
接著，為了將晶片W交接給COT層B4，通過第2交接臂D2將第2交接工作站TRS10的晶片W輸送到第2交接工作站TRS9，接著交接給COT層B4的主臂A4。然后，在COT層B4中，通過主臂A4，以冷卻單元(COL)→涂布單元→加熱單元(CHP)→第1交接工作站TRS4的順序輸送，在第1防反射膜上形成抗蝕膜。
接著，為了將晶片W交接給TCT層B3，通過第1交接臂D1將第1交接工作站TRS4的晶片W輸送到第1交接工作站TRS3，交接給該TCT層B3的主臂A3。然后，在TCT層B3中，通過主臂A3，以冷卻單元(COL)→第2防反射膜形成單元→加熱單元(CHP)→周緣曝光裝置(WEE)→擱架單元U6的第2交接工作站TRS8的順序輸送，在抗蝕膜上形成第2防反射膜。
接著，通過接口臂B將第2交接工作站TRS8的晶片W輸送到曝光裝置S4中，在此進行規(guī)定的曝光處理。為了將晶片W交接給DEV層B1(DEV層B2)，通過接口臂B將曝光處理后的晶片W輸送到擱架單元U6的第2交接工作站TRS6(TRS7)，用DEV層B1(DEV層B2)的主臂A1(主臂A2)拿取該工作站TRS6(TRS7)上的晶片W，在該DEV層B1(B2)中，首先以加熱單元(PEB)→冷卻單元(COL)→顯影單元→加熱單元(POST)的順序輸送，進行規(guī)定的顯影處理。為了將晶片W交接給傳遞臂C，將這樣進行了顯影處理的晶片W輸送到第1交接工作站TRS1(TRS2)上，通過傳遞臂C送回到載置在載體塊S1上的原來的載體90中。
這樣，通過將本發(fā)明的加熱裝置作為加熱單元應(yīng)用在作為涂布顯影裝置的抗蝕圖案形成裝置中，在涂布膜形成用的各塊B3～B5中，對于作為涂布液而涂布了抗蝕劑液或防反射膜用的藥液的晶片W，能夠如已述那樣一邊形成所謂的單向流，一邊獨力地加熱控制第1區(qū)域P1和第2區(qū)域P2，所以能夠進行面內(nèi)均勻性較高的晶片W的加熱處理，所以能夠在該晶片W上形成良好的抗蝕圖案。
另外，加熱裝置2除了應(yīng)用在形成抗蝕膜的涂布顯影裝置以外，也可以應(yīng)用在通過將液體的絕緣膜的前身涂布在基板上并加熱該液體而在基板上形成絕緣膜的絕緣膜形成裝置中。
(評價試驗1)利用已述的加熱裝置2，對表面上什么涂布液都沒有涂布的晶片W進行加熱處理，測量該晶片W的表面上的平均流速分布及擺動幅度分布(單位時間的風(fēng)速變化的平均值)。另外，將突起部46的高度設(shè)為0.3mm，將熱板41對晶片W的加熱溫度設(shè)為140℃，但在該評價試驗1中不加偏置地、即在熱板41的各加熱器42a～42h的發(fā)熱量中不設(shè)置差值來加熱晶片W。此外，將相對于晶片W流動的單向流的溫度設(shè)為140℃，將該單向流的流量設(shè)為5L/min。
(評價試驗2)作為評價試驗2，利用圖13所示那樣的、通過一邊從遍及晶片W的整周而形成的氣體供給口12供給氣體一邊從覆蓋熱板11的蓋體13的中央部吸引排氣而形成從晶片W的外周朝向中央的氣流的以往的加熱裝置，對表面上什么涂布液都沒有涂布的晶片W進行加熱處理。將熱板11的晶片W的加熱溫度及上述氣流的溫度設(shè)為140℃，將該氣流的流量設(shè)為3L/min。
圖11A表示評價試驗1的結(jié)果。該圖由于將以顏色記載的流速做成的黑白圖像所以不能顯示出詳細的分布，但可知對應(yīng)于圖4的第1區(qū)域P1的區(qū)域的氣流的流速比第2區(qū)域P2的氣流的流速大。因而，通過上述單向流在第1區(qū)域P1中帶走的熱量比在第2區(qū)域P2中帶走的熱量多，所以可以說為了提高晶片W的面內(nèi)均勻性而以比第2區(qū)域P2高的溫度加熱第1區(qū)域P1是有效的。此外，如圖11B所示，對于擺動幅度分布，在該評價試驗1中并沒有發(fā)現(xiàn)特別大的變動。
在沒有流過單向流的情況下，在加熱裝置的箱體20內(nèi)因加熱器42的熱等而發(fā)生空氣的自然對流，可以預(yù)想會因該自然對流而使晶片W表面各部分的風(fēng)速不穩(wěn)定、并且晶片W表面的各部分的溫度也不穩(wěn)定，但在該評價試驗1中由上述擺動幅度分布可知風(fēng)速的變動受到了抑制。因而，通過流過單向流而消除該自然對流的影響，使晶片W的各部分的風(fēng)速、溫度穩(wěn)定化，能夠防止晶片W的面內(nèi)均勻性的降低。
另一方面，如圖12A所示，表示了晶片W的中心部附近的流速比其外側(cè)部分慢、該中心部附近的溫度增加的情況。此外，如圖12B所示，擺動幅度分布在晶片W表面的各部位上不同，其分布范圍也比評價試驗1的擺動幅度分布大。如果比較該評價試驗1的擺動幅度分布和評價試驗2的擺動幅度分布，則可以確認，通過在對晶片W進行加熱處理時形成單向流而加熱，能夠抑制晶片W周圍的流速的不均勻。
權(quán)利要求
1.一種加熱裝置，對涂布在基板(W)上的涂布液進行加熱處理，其特征在于，具備熱板(41)，用來載置基板(W)；整流用的頂板(62)，設(shè)在該熱板(41)的上方，使其與基板(W)對置；氣體排出部(31)，設(shè)在上述熱板(41)的一端側(cè)，用來將氣體排出到該熱板(41)和頂板(62)之間，形成寬度能夠覆蓋基板(W)的寬度的氣流；排氣部(51)，設(shè)在夾著上述熱板(41)而與氣體排出部(31)對置的一側(cè)，對該氣體進行吸引排氣；加熱部(42a～h)，設(shè)在上述熱板(41)上，能夠獨力地加熱上述基板(W)的排氣部(51)側(cè)的第1區(qū)域(P1)和該第1區(qū)域(P1)以外的第2區(qū)域(P2)，以比第2區(qū)域(P2)高的溫度加熱第1區(qū)域(P1)；來自上述氣體排出部(31)的氣流從基板(W)的一端側(cè)朝向另一端側(cè)流動。
2.如權(quán)利要求1所述的加熱裝置，其特征在于，在上述熱板(41)上設(shè)有高度為0.3mm～1.0mm的突起部(46)，用于使基板(W)從上述熱板(41)的表面浮起地對其進行支撐；將從上述氣體排出部(31)排出的氣體加熱到相對于基板(W)的加熱溫度±2％以內(nèi)的溫度。
3.如權(quán)利要求2所述的加熱裝置，其特征在于，基板(W)是12英寸尺寸或比其大的半導(dǎo)體晶片。
4.如權(quán)利要求1所述的加熱裝置，其特征在于，在上述頂板(62)上設(shè)有用來加熱該頂板(62)的下表面的其他加熱部(63)。
5.一種涂布顯影裝置，具備載體塊(S1)，輸入了收納有基板(W)的載體(90)；處理塊(S2)，具有在從上述載體(90)取出的基板(W)的表面上涂布抗蝕劑的涂布部(94)、將涂布了抗蝕劑的基板(W)加熱的加熱裝置(95)、將加熱后的基板(W)冷卻的冷卻部、和將曝光后的基板(W)顯影的顯影處理部；接口部(S3)，在該處理塊(S1)和曝光裝置(S4)之間進行基板(W)的交接；其特征在于，采用權(quán)利要求1所述的加熱裝置作為上述加熱裝置(95)。
6.一種加熱裝置，對涂布在基板(W)上的涂布液進行加熱處理，其特征在于，具備熱板(41)，用來載置基板(W)；整流用的頂板(62)，設(shè)在該熱板(41)的上方，使其與基板(W)對置；氣體排出部(31)，設(shè)在上述熱板(41)的一端側(cè)，用來將氣體排出到該熱板(41)和頂板(62)之間，形成寬度能夠覆蓋基板(W)的寬度的氣流；排氣部(51)，設(shè)在夾著上述熱板(41)而與氣體排出部(31)對置的一側(cè)，對該氣體進行吸引排氣；加熱部(65a～h)，設(shè)在上述頂板(62)上，能夠獨力地加熱與上述基板(W)的排氣部(51)側(cè)的第1區(qū)域(P1)對置的區(qū)域和與該第1區(qū)域(P1)以外的第2區(qū)域(P2)對置的區(qū)域，以比與第2區(qū)域(P2)對置的區(qū)域高的溫度加熱與第1區(qū)域(P1)對置的區(qū)域；來自上述氣體排出部(31)的氣流從基板(W)的一端側(cè)朝向另一端側(cè)流動。
7.一種涂布顯影裝置，具備載體塊(S1)，輸入了收納有基板(W)的載體(90)；處理塊(S2)，具有在從上述載體(90)取出的基板(W)的表面上涂布抗蝕劑的涂布部(94)、將涂布了抗蝕劑的基板(W)加熱的加熱裝置(95)、將加熱后的基板(W)冷卻的冷卻部、和將曝光后的基板(W)顯影的顯影處理部；接口部(S3)，在該處理塊(S1)和曝光裝置(S4)之間進行基板(W)的交接；其特征在于，采用權(quán)利要求6所述的加熱裝置作為上述加熱裝置(95)。
8.一種加熱裝置，對涂布在基板(W)上的涂布液進行加熱處理，其特征在于，具備熱板(41)，用來載置基板(W)；設(shè)在上述熱板(41)上的高度為0.3mm～1.0mm的突起部(46)，用于使基板(W)從上述熱板(41)的表面浮起地對其進行支撐；整流用的頂板(62)，設(shè)在該熱板(41)的上方，使其與基板(W)對置；氣體排出部(31)，設(shè)在上述熱板(41)的一端側(cè)，用來將加熱到相對于基板(W)的加熱溫度±2％以內(nèi)的溫度的氣體排出到該熱板(41)和頂板(62)之間，形成寬度能夠覆蓋基板(W)的寬度的氣流；排氣部(51)，設(shè)在夾著上述熱板(41)而與氣體排出部(31)對置的一側(cè)，對該氣體進行吸引排氣；來自上述氣體排出部(31)的氣流從基板(W)的一端側(cè)朝向另一端側(cè)流動。
9.如權(quán)利要求8所述的加熱裝置，其特征在于，基板(W)是12英寸尺寸或比其大的半導(dǎo)體晶片。
10.如權(quán)利要求8所述的加熱裝置，其特征在于，在上述頂板(62)上設(shè)有用來加熱該頂板(62)的下表面的其他加熱部(63)。
11.一種涂布顯影裝置，具備載體塊(S1)，輸入了收納有基板(W)的載體(90)；處理塊(S2)，具有在從上述載體(90)取出的基板(W)的表面上涂布抗蝕劑的涂布部(94)、將涂布了抗蝕劑的基板(W)加熱的加熱裝置(95)、將加熱后的基板(W)冷卻的冷卻部、和將曝光后的基板(W)顯影的顯影處理部；接口部(S3)，在該處理塊(S1)和曝光裝置(S4)之間進行基板(W)的交接；其特征在于，采用權(quán)利要求8所述的加熱裝置作為上述加熱裝置(95)。
12.一種加熱方法，對涂布在基板(W)上的涂布液進行加熱處理，其特征在于，包括將基板(W)載置到熱板(41)上的工序；通過一邊從熱板(41)的一端側(cè)的氣體排出部(31)排出氣體一邊從熱板(41)的另一端側(cè)的排氣部(51)吸引排氣，在基板(W)和與該基板(W)對置的整流用的頂板(62)之間形成從基板(W)的一端側(cè)朝向另一端側(cè)的、寬度能夠覆蓋基板(W)的寬度的氣流的工序；通過設(shè)在上述熱板(41)上的加熱部(42a～h)獨力地加熱控制上述基板(W)的排氣部(51)側(cè)的預(yù)先設(shè)定的第1區(qū)域(P1)和該第1區(qū)域(P1)以外的第2區(qū)域(P2)，以比第2區(qū)域(P2)高的溫度加熱上述第1區(qū)域(P1)的工序。
13.如權(quán)利要求12所述的加熱方法，其特征在于，一邊通過設(shè)在上述頂板(62)上的其他加熱部(63)加熱該頂板(62)的下表面一邊進行基板(W)的加熱處理。
14.一種加熱方法，對涂布在基板(W)上的涂布液進行加熱處理，其特征在于，包括將基板(W)載置到熱板(41)上的工序；通過一邊從熱板(41)的一端側(cè)的氣體排出部(31)排出氣體一邊從熱板(41)的另一端側(cè)的排氣部(51)吸引排氣，在基板(W)和與該基板(W)對置的整流用的頂板(62)之間形成從基板(W)的一端側(cè)朝向另一端側(cè)的、寬度能夠覆蓋基板(W)的寬度的氣流的工序；通過設(shè)在上述頂板(62)上的加熱部(65a～h)獨力地加熱控制與上述基板(W)的排氣部(51)側(cè)的預(yù)先設(shè)定的第1區(qū)域(P1)對置的區(qū)域和與該第1區(qū)域(P1)以外的第2區(qū)域(P2)對置的區(qū)域，以比與第2區(qū)域(P2)對置的區(qū)域高的溫度加熱與上述第1區(qū)域(P1)對置的區(qū)域的工序。
15.一種加熱方法，對涂布在基板(W)上的涂布液進行加熱處理，其特征在于，包括通過設(shè)在熱板(41)的表面上的高度為0.3mm～1.0mm的突起部(46)支撐基板(W)，以從熱板(41)浮起的狀態(tài)載置基板(W)的工序；通過一邊從熱板(41)的一端側(cè)的氣體排出部(31)排出被加熱到相對于基板(W)的加熱溫度±2％以內(nèi)的溫度的氣體一邊從熱板(41)的另一端側(cè)的排氣部(51)吸引排氣，在基板(W)和與該基板(W)對置的整流用的頂板(62)之間形成從基板(W)的一端側(cè)朝向另一端側(cè)的、寬度能夠覆蓋基板(W)的寬度的氣流的工序。
16.如權(quán)利要求15所述的加熱方法，其特征在于，一邊通過設(shè)在上述頂板(62)上的其他加熱部(63)加熱該頂板(62)的下表面一邊進行基板(W)的加熱處理。
全文摘要
本發(fā)明的加熱裝置(2)具備熱板(41)，載置基板(W)；頂板(62)，與該基板對置；氣體排出部(31)，設(shè)在上述熱板(41)的一端側(cè)，將氣體排出到該熱板(41)和頂板(62)之間；排氣部(51)，夾著上述熱板(41)與氣體排出部(31)對置而設(shè)置；加熱部(42a～h)，獨力地加熱基板(W)的第1區(qū)域(P1)、第2區(qū)域(P2)。通過形成單向流、將第1區(qū)域(P1)和第2區(qū)域(P2)加熱到不同的溫度，進行面內(nèi)均勻性較高的加熱處理。在該加熱裝置(2)中，通過將上述氣體加熱到一定溫度并在該熱板(41)上裝備一定高度的突起部(46)，能夠防止因基板(W)彎曲造成的位置偏移，并且能夠防止基板(W)冷卻，所以可進行面內(nèi)均勻性較高的加熱處理。
文檔編號F26B3/06GK1837731SQ20061006737
公開日2006年9月27日 申請日期2006年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月25日
發(fā)明者福岡哲夫, 北野高廣, 松岡伸明 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社