一種熔體及帶有該熔體的熔斷體的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種熔體以及熔斷體。
【背景技術(shù)】
[0002] 熔斷體在日常生活中被廣泛地運(yùn)用于斷路器中，熔斷體外形的大小決定了產(chǎn)品制 造的成本。
[0003] 傳統(tǒng)的熔斷體直徑為14mm，長(zhǎng)度為85mm，體積較大，因而占用空間大，并且分段能 力低，只能夠達(dá)到10kA，外形的大小決定了產(chǎn)品本身的制造成本以及與其組裝配件的成本， 因此不利于市場(chǎng)的推廣。所以急需一種經(jīng)濟(jì)實(shí)惠，體積相比于傳統(tǒng)熔斷體的體積要小的新 款產(chǎn)品，分?jǐn)嘈Ч己玫摹?br>
【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種熔體及帶有該熔體的熔斷 體，其優(yōu)點(diǎn)在于本發(fā)明體積小巧，占用空間小，分段能力高。
[0005] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案： 一種熔體，包括本體，所述本體上涂覆有涂料層，所述涂料層包括下列重量份組成：所 述涂料層白炭黑為1~5份、硅烷偶聯(lián)劑為1~10份、碳酸根化合物為5~15份、堿金屬化合物 為5~15份、羥基封端的聚二甲基硅氧烷為25~75份。
[0006] 通過(guò)采用上述技術(shù)方案，白炭黑具有較好的強(qiáng)伸性能，抗撕裂性能，耐磨性和彈 性，以及化學(xué)穩(wěn)定性，硅烷偶聯(lián)劑能提高它們的粘接強(qiáng)度、耐水、耐氣候等性能。通過(guò)采用上 述技術(shù)方案，使得熔管、接觸帽、觸頭之間的連接緊密，安全穩(wěn)定，熔斷體分段能力涂層能夠 有效地提高熔斷體的分段能力，增強(qiáng)其性能。
[0007] 本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為：所述碳酸根化合物為碳酸鈣。
[0008] 本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為：所述堿金屬化合物采用氫氧化鈉。
[0009] 本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為：所述熔體采用純銀帶制成，所述熔體呈片狀。
[0010] 通過(guò)采用上述技術(shù)方案，能夠使得涂料層更好地涂抹覆蓋于涂層上，熔體均用銀 材，且熔體呈片狀，其狹頸部分取較高的電流密度，以達(dá)到快速分?jǐn)嗟男Ч?br>[0011] 本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為：所述本體設(shè)置有散熱孔，所述散熱孔包括方孔和圓孔，所述 方孔位于熔體的中間部位，所述圓孔在熔體的長(zhǎng)度方向上分布于方孔的兩側(cè)。
[0012] 本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為：所述方孔具有第一狹徑部位，所述第一狹徑部位的面積為 0.25 mm2,所述圓孔具有第二狹徑部位，所述第二狹徑部位的面積為0.35 mm2。
[0013] 通過(guò)采用上述技術(shù)方案，方孔的狹徑部位的寬度為0. 25mm，圓孔狹徑部位的寬度 0. 35_，此部位圓孔的面積是方孔面積的1. 4倍，因而同等厚度下圓孔比方孔的體積大1. 4 倍，介質(zhì)越多，熔化特性越差，所以圓孔的熔化特性及分?jǐn)嗄芰Φ陀诜娇?。因?yàn)槿垠w的中間 部位溫升最高，所以熔體的中間部位設(shè)置方孔能夠及時(shí)有效、準(zhǔn)確敏捷地起到分?jǐn)嗖僮鳌?br>[0014] -種熔斷體，包括熔管和觸頭，包括熔體，所述熔管的兩端套設(shè)有接觸帽，所述接 觸帽的內(nèi)壁與熔管抵接，所述接觸帽的外壁與觸頭抵接。
[0015] 本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為：所述恪管的直徑為10. 3_，長(zhǎng)度為65_。
[0016] 通過(guò)采用上述技術(shù)方案，能夠使得熔管長(zhǎng)度縮短、整體體積小巧、生產(chǎn)制造成本 低，同時(shí)也降低了與之組裝的配件的成本。
[0017] 本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為：所述熔管內(nèi)填充有經(jīng)過(guò)烘干處理的高硅石英砂。
[0018] 本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)置為：所述接觸帽設(shè)置有石棉襯墊，所述熔管采用95瓷。
[0019] 通過(guò)采用上述技術(shù)方案，具有高抗張強(qiáng)度、高撓性、耐化學(xué)和熱侵蝕、電絕緣等性 能，95瓷材料具有械強(qiáng)度高，耐磨、耐化學(xué)侵蝕能力強(qiáng)(如耐酸堿)，并且常溫及高溫下電絕 緣性能好，高溫下機(jī)械強(qiáng)度損失小。
[0020] 綜上所述，通過(guò)采用上述技術(shù)方案，熔斷體分?jǐn)嗄芰Ω?、滅弧性能好，能夠使得?管長(zhǎng)度縮短、整體體積小巧、生產(chǎn)制造成本低，同時(shí)也降低了與之組裝的配件的成本。
[0021] 下面結(jié)合說(shuō)明書附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。
【附圖說(shuō)明】
[0022] 圖1為本發(fā)明熔斷體實(shí)施例的示意圖； 圖2為圖1的A部放大圖； 圖3為圖1的B部放大圖。
[0023] 附圖標(biāo)記：1、接觸帽；2、熔管；3、本體；31、散熱孔；311、方孔；3111、第一狹徑部 位；321、圓孔；3211、第二狹徑部位；4、觸頭；5、高硅石英砂；6、襯墊；7、涂料層。
【具體實(shí)施方式】
[0024] 參照?qǐng)D1至圖3對(duì)本發(fā)明熔斷體實(shí)施例做進(jìn)一步說(shuō)明。
[0025] -種熔體，包括本體3,所述本體3上涂覆有涂料層7,所述涂料層7包括下列重量 份組成：所述涂料層7白炭黑為1~5份、硅烷偶聯(lián)劑為1~10份、碳酸根化合物為5~15份、 堿金屬化合物為5~15份、羥基封端的聚二甲基硅氧烷為25~75份。通過(guò)采用上述技術(shù)方 案，白炭黑具有較好的強(qiáng)伸性能，抗撕裂性能，耐磨性和彈性，以及化學(xué)穩(wěn)定性，硅烷偶聯(lián)劑 能提高它們的粘接強(qiáng)度、耐水、耐氣候等性能。通過(guò)采用上述技術(shù)方案，使得熔管2、接觸帽 1、觸頭4之間的連接緊密，安全穩(wěn)定，熔斷體分段能力涂層能夠有效地提高熔斷體的分段 能力，增強(qiáng)其性能。所述碳酸根化合物為碳酸鈣。所述堿金屬化合物采用氫氧化鈉。所述 熔體呈片狀。通過(guò)采用上述技術(shù)方案，能夠使得涂料層7更好地涂抹覆蓋于涂層上。熔體 均用銀材，熔體呈片狀，其狹頸部分取較高的電流密度，以達(dá)到快速分?jǐn)嗟男Ч?br>[0026] 如圖2、圖3所示，所述本體3設(shè)置有散熱孔31，所述散熱孔31包括方孔311和圓 孔321，所述方孔311位于熔體的中間部位，所述圓孔321在熔體的長(zhǎng)度方向上分布于方孔 311的兩側(cè)。所述方孔311具有第一狹徑部位3111，所述第一狹徑部位3111的面積為0. 25 mm2,所述圓孔321具有第二狹徑部位3211，所述第二狹徑部位3211的面積為0.35 mm2。因 為熔體的中間部位溫升最高，所以熔體的中間部位設(shè)置方孔311能夠及時(shí)有效、準(zhǔn)確敏捷 地起到分?jǐn)嗖僮鳌?br>[0027] -種熔斷體，包括熔管2和觸頭4,包括熔體，所述熔管2的兩端套設(shè)有接觸帽1， 所述接觸帽1的內(nèi)壁與熔管2抵接，所述接觸帽1的外壁與觸頭4抵接。所述熔管2的直 徑為10. 3mm，長(zhǎng)度為65mm。通過(guò)采用上述技術(shù)方案，能夠使得熔管2長(zhǎng)度縮短短、整體體積 小巧、生產(chǎn)制造成本低，同時(shí)也降低了與之組裝的配件的成本。所述熔管2內(nèi)填充有經(jīng)過(guò)烘 干處理的高硅石英砂5。烘干后的高硅石英砂5性能更加良好。所述接觸帽1設(shè)置有襯墊 6。所述襯墊6采用石棉制成。通過(guò)采用上述技術(shù)方案，具有高抗張強(qiáng)度、高撓性、耐化學(xué)和 熱侵蝕、電絕緣等性能。所述熔管2采用95瓷。通過(guò)采用上述技術(shù)方案，95瓷材料具有械 強(qiáng)度高，耐磨、耐化學(xué)侵蝕能力強(qiáng)(如耐酸堿)，并且常溫及高溫下電絕緣性能好，高溫下機(jī) 械強(qiáng)度損失小。
[0028] 綜上所述，通過(guò)采用上述技術(shù)方案，熔斷體分?jǐn)嗄芰Ω摺缁⌒阅芎?，能夠使得?管2長(zhǎng)度縮短、整體體積小巧、生產(chǎn)制造成本低，同時(shí)也降低了與之組裝的配件的成本。
[0029] 完善后的熔斷體直徑為10. 3mm，長(zhǎng)度為65mm，縮小了空間，產(chǎn)品性能穩(wěn)定，由為2% 的白炭黑、3%的硅烷偶聯(lián)劑、10%的碳酸f丐、10%的氣氧化納、50%的羥基封端的聚二甲基娃 氧烷等化學(xué)物質(zhì)混合而成，使得熔斷體的分?jǐn)嗄芰脑瓉?lái)的IOkA提升到20kA，起到更好的 滅弧作用，確保產(chǎn)品起到保護(hù)的作用。在生產(chǎn)制造過(guò)程中需注意的是，所述熔管2、接觸帽 1、觸頭4之間的連接一定要緊密，在具體實(shí)施例中所述堿金屬化合物優(yōu)選采用氫氧化鈉。
[0030] 熔體上的散熱孔3設(shè)置成方孔311與圓孔321的對(duì)比如圖3所示：方孔311的狹 徑部位即第一狹徑部位3111的面積為0. 25mm2,圓孔321的狹徑部位即第二狹徑部位3211 的面積為0. 35mm2,此部位圓孔321的面積是方孔311面積的1. 4倍，因而同等厚度下圓孔 321比方孔311的體積大1. 4倍，介質(zhì)越多，熔化特性越差，所以圓孔321的熔化特性及分 斷能力低于方孔311，分?jǐn)嗪蟮呐谰嚯x小于方孔311的5倍，所以圓孔321的滅弧性能更低， 同等電流、同等厚度15A下的試驗(yàn)數(shù)據(jù)如下：
需要注意的是，如果熔體全部設(shè)置成方孔311，那么產(chǎn)品的溫升功耗會(huì)非常高，電能損 耗相對(duì)來(lái)說(shuō)較多，并且熔體會(huì)出現(xiàn)早斷、容易斷的現(xiàn)象，從而影響正常發(fā)電；倘若熔體上的 散熱孔31都設(shè)置成圓