低折射層涂敷用組合物及包含該組合物的透明導(dǎo)電性膜的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種低折射層涂敷用組合物及包含該組合物的透明導(dǎo)電性膜。
【背景技術(shù)】
[0002] 觸控面板根據(jù)位置檢測方法，分為光學(xué)方式、超聲波方式、靜電容量方式及電阻膜 方式等。電阻膜方式的觸控面板的結(jié)構(gòu)是，透明導(dǎo)電性膜和附著有透明導(dǎo)電體層的玻璃隔 著間隔部相向配置，使電流在透明導(dǎo)電性膜流動，并測定附著有透明導(dǎo)電體層的玻璃中的 電壓的結(jié)構(gòu)。另一方面，靜電容量方式的觸控面板的基本結(jié)構(gòu)是，在基材上形成透明導(dǎo)電 層，特征在于沒有可動部分，并且，由于具有高耐久性、高透過率，因此，也適用于車載用途 等。
[0003] 適用于上述觸控面板的靜電容量方式的透明導(dǎo)電性膜包含導(dǎo)電層，并且，上述導(dǎo) 電層經(jīng)過圖案化工序。在通常情況下，主要采用將感光劑涂敷于透明導(dǎo)電層的上部，并經(jīng)過 顯像工序來蝕刻導(dǎo)電層來實現(xiàn)圖案化的方式，目前，正在不斷進行與如何在圖案化工序中 確保生產(chǎn)速度及生產(chǎn)效率等的透明導(dǎo)電性膜相關(guān)的研宄。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)_要解決的摶術(shù)問題
[0005] 本發(fā)明的一實例提供包含硅氧烷化合物及光產(chǎn)酸劑的低折射用涂敷用組合物。
[0006] 摶術(shù)方案
[0007] 在本發(fā)明的一實例中，提供包含硅氧烷化合物及光產(chǎn)酸劑的低折射層涂敷用組合 物。
[0008] 上述硅氧烷化合物可包含由化學(xué)式1形成的硅氧烷聚合物，
[0009] 化學(xué)式1
[0010] (R1)n-Si-(O-R2) 4Y
[0011] 上述R1是碳數(shù)1至18的烷基、乙烯基、烯丙基、環(huán)氧基或丙烯酸基，上述R 2是具有 碳數(shù)1至6的烷基或乙酰氧基，上述η是0 < η < 4的整數(shù)。
[0012] 上述硅氧烷聚合物的分子量可以是約500至約50000。
[0013] 相對于總100重量％，可包含約5重量％至約100重量％的上述硅氧烷化合物。
[0014] 上述硅氧烷化合物可通過溶膠-凝膠反應(yīng)形成。
[0015] 上述光產(chǎn)酸劑可對約300nm至約400nm波長的紫外（UV)光照射具有活性。
[0016] 上述光產(chǎn)酸劑可以是選自離子性光產(chǎn)酸劑、非離子性光產(chǎn)酸劑及高分子類光產(chǎn)酸 劑中的某一種。
[0017] 相對于總100重量％，可包含約1重量％至約30重量％的上述光產(chǎn)酸劑。
[0018] 在本發(fā)明的另一實例中，提供包含利用上述低折射層涂敷用組合物而形成的低折 射層的透明導(dǎo)電性膜。
[0019] 上述透明導(dǎo)電性膜可以是透明基材、上述高折射層、低折射層及導(dǎo)電層的層壓結(jié) 構(gòu)。
[0020] 上述低折射層的折射率可以是約I. 4至約I. 5。
[0021] 上述低折射層的厚度可以為約5nm至約100nm。
[0022] 上述高折射層的厚度可以是約20nm至約150nm。
[0023] 上述透明基材可以是包含選自由聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚萘二甲酸乙二 醇酯（PEN)、聚醚砜（PES)、聚碳酸酯（PC)、聚丙烯（PP)、聚氯乙烯（PVC)、聚乙烯（PE)、聚甲 基丙烯酸甲酯（PMMA)、乙烯-醋酸乙烯酯（EVA)、聚乙烯醇（PVA)及它們的組合構(gòu)成的組中 的某一種的單一膜或?qū)訅耗ぁ?br>[0024] 上述導(dǎo)電層可包含氧化銦錫（Indium Tin Oxide，IT0)或氟摻雜氧化錫 (Fluorine-doped Tin Oxide，F(xiàn)T0)〇
[0025] 上述透明基材的單面或雙面還可包含硬涂層。
[0026] 有益效果
[0027] 使用上述低折射層涂敷用組合物，能夠有效改善作為靜電容量方式的透明導(dǎo)電性 膜所需工序的透明導(dǎo)電層圖案化工序。
[0028] 通過改善的透明導(dǎo)電層的圖案化工序，能夠在短時間內(nèi)簡單且更加有效地制備透 明導(dǎo)電性膜。
【附圖說明】
[0029] 圖1簡要表示本發(fā)明一實施例的透明導(dǎo)電性膜的截面。
[0030] 圖2簡要表示本發(fā)明另一實施例的透明導(dǎo)電性膜的截面。
【具體實施方式】
[0031] 以下，詳細說明本發(fā)明的實例。但是，這僅僅作為例示來提示，不會因這些實例而 限制本發(fā)明，本發(fā)明只根據(jù)發(fā)明要求保護范圍所要保護的范疇來定義。
[0032] 為了準確說明本發(fā)明，省略與說明無關(guān)的部分，在說明書全文中，對相同或類似的 結(jié)構(gòu)要素附加相同的附圖文字。
[0033] 附圖中，為了明確表示多個層及區(qū)域，厚度有所放大。并且，在附圖中，為了便于說 明，將一部分層及區(qū)域的厚度放大表示。
[0034] 以下，在基材的"上部（或下部）"或基材的"上（或下）"形成任意結(jié)構(gòu)，不僅表 示任意結(jié)構(gòu)以接觸方式形成在上述基材的上表面（或下表面），還表示并不局限于在上述 基材和基材上（或下）形成的任意結(jié)構(gòu)之間不包括其他結(jié)構(gòu)。
[0035] 低析射層涂敷用組合物
[0036] 在本發(fā)明的一實施例中，提供包含硅氧烷化合物及光產(chǎn)酸劑的低折射層涂敷用組 合物。
[0037] 在將靜電容量方式的透明導(dǎo)電性膜適用于觸控面板時，導(dǎo)電層經(jīng)過圖案化工序。 通常情況下，在上述透明導(dǎo)電層的圖案化工序中，主要采用將感光劑涂敷于透明導(dǎo)電層的 上部，并經(jīng)過顯像工序蝕刻透明導(dǎo)電層來實現(xiàn)圖案化的方式，這樣，由于工序量較多，而較 多的工序量會降低生產(chǎn)速度，因此，在有效地制備圖案化的透明導(dǎo)電層方面存在困難。
[0038] 為此，使用包含硅氧烷化合物及光產(chǎn)酸劑的低折射層涂敷用組合物來制備透明導(dǎo) 電性膜所包含的低折射層，在向光產(chǎn)酸劑照射UV時，產(chǎn)生酸，而產(chǎn)生的酸會對蒸鍍于上述 低折射層的上部的導(dǎo)電層產(chǎn)生影響，從而在蝕刻上述導(dǎo)電層時，能夠有效地改善導(dǎo)電層的 圖案化工序。并且，通過改善后的導(dǎo)電層的圖案化工序，在較短的時間內(nèi)能夠以更加經(jīng)濟性 的方式制備透明導(dǎo)電性膜。
[0039] 上述硅氧烷化合物可包含由化學(xué)式1形成的硅氧烷聚合物。上述化學(xué)式1為（R1) n-Si-(〇-R2)4_n，且上述1^是碳數(shù)1至18的烷基、乙烯基、烯丙基、環(huán)氧基或丙烯酸基，上述R 2 是具有碳數(shù)1至6的烷基或乙酰氧基，上述η是0 < η < 4的整數(shù)。
[0040] 上述硅氧烷聚合物的分子量可以是約500至約50000。上述分子量為重均分子量， 是指將具有分子量分布的高分子化學(xué)物的分子量用重量分數(shù)平均而得的平均分子量。上述 硅氧烷聚合物由化學(xué)式1形成，上述硅氧烷聚合物維持上述分子量的范圍，從而在涂敷低 折射層涂敷用組合物時，具有優(yōu)秀的涂敷性，并在進行固化時，能夠容易地實現(xiàn)上述組合物 的固化密度的增大的效果。
[0041] 上述硅氧烷化合物是指由化學(xué)式1形成的硅氧烷聚合物，上述化學(xué)式1可以 是選自由四乙氧基硅烷（Si(OC 2H5)4)、四甲氧基硅烷（Si(OCH3)4)、三乙氧基（乙基）硅 烷）（C 2H5Si (OC2H5) 3)、三甲氧基（甲基）硅烷（CH3Si (OCH3) 3)、三乙酰氧基（甲基）硅烷 (CH3CO2)3SiCH 3)、三乙酰氧基（乙烯基）硅烷（CH3CO2)3SiCH = CH2)、三（2-甲氧基乙氧基） (乙烯基）硅烷（CH3OCH2CH 2O)3SiCH = CH2)、三甲氧基（辛基）硅烷（CH3(CH2)7Si (OC2H5)3)、 三甲氧基[2-(7-氧雜二環(huán)[4. 1.0]]庚-3-基）乙基]硅烷（CnH2204Si)、三甲氧基（丙 基）硅烷（CH 3CH2CH2Si (OCH3) 3)、三甲氧基（氧基）硅烷（CH3 (CH2) 7Si (OCH3) 3)、三甲氧基 (十八烷基）硅烷（CH3 (CH2)17Si (OCH3) 3)、異丁基（三甲氧基）硅烷（CH3)2CHCH2Si (OCH3) 3、 三乙氧基（異丁基）硅烷（(CH3)2CHCH 2Si (OC2H5)3)、三甲氧基（7-辛烯-1-基）硅烷（H2C =CH(CH2) 6Si(0CH3) 3)、三甲氧基（2-苯乙基）硅烷（C6H5CH2CH 2Si (OCH3) 3)、二甲氧基-甲基 (3, 3, 3-三氟丙基）硅烷（C6H13F3O2Si)、二甲氧基（二甲基）硅烷（C 2H6Si(OC2H6)2)'三乙氧 基（1-苯基乙烯基）硅烷（(C 2H5O)3SiC(CH2)C6H 5)、三乙氧基[4-(三氟甲基）苯基]硅烷 (CF3C6H4Si (OC2H5)2)、三乙氧基（4_甲氧苯基）硅烷（(C 2H50)3SiC6H40CH 3)、3_(三甲氧基甲硅 烷基）丙基甲基丙烯酸酯（H2C = C(CH3)C02(CH2)3Si(0CH 3)3)、（3-環(huán)氧丙氧基）甲基二乙氧 基硅烷（C11H24O 4Si)、3-(三乙氧基）丙基異氰酸酯（C2H5O)3Si(CH 2)3NCOh異丁基三乙氧基硅 烷（CH3)2CHCH 2Si(OC2H5)3)及它們的組合構(gòu)成的組的任意一種。
[0042] 具體地，上述硅氧烷化合物作為包含由上述化學(xué)式1形成的硅氧烷聚合物的化合 物，上述硅氧烷聚合物的大致化學(xué)式以-Si-O-Si-的硅氧烷鍵作為骨架，因此，可由以下化 學(xué)式2表不。
[0043] 化學(xué)式2
[0044]
【主權(quán)項】
1. 一種低折射層涂敷用組合物，其特征在于，包含硅氧烷化合物及光產(chǎn)酸劑。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低折射層涂敷用組合物，其特征在于， 所述硅氧烷化合物包含由化學(xué)式1形成的硅氧烷聚合物， 化學(xué)式1 (R1)n-Si-(O-R2)w 所述R1是碳數(shù)1至18的烷基、乙烯基、烯丙基、環(huán)氧基或丙烯酸基，所述R2是具有碳數(shù) 1至6的烷基或乙酰氧基，所述n是0 < n < 4的整數(shù)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的低折射層涂敷用組合物，其特征在于， 所述硅氧烷聚合物的分子量為500至50000。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低折射層涂敷用組合物，其特征在于，相對于總100重量％， 包含5重量％至100重量％的所述硅氧烷化合物。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低折射層涂敷用組合物，其特征在于， 所述硅氧烷化合物通過溶膠-凝膠反應(yīng)形成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低折射層涂敷用組合物，其特征在于， 所述光產(chǎn)酸劑對300nm至400nm波長的紫外光照射具有活性。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低折射層涂敷用組合物，其特征在于， 所述光產(chǎn)酸劑是選自離子性光產(chǎn)酸劑、非離子性光產(chǎn)酸劑及高分子類光產(chǎn)酸劑中的任 意一種。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低折射層涂敷用組合物，其特征在于， 相對于總100重量％，包含1重量％至30重量％的所述光產(chǎn)酸劑。
9. 一種透明導(dǎo)電性膜，其特征在于，包含利用權(quán)利要求1所述的低折射層涂敷用組合 物形成的低折射層。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的透明導(dǎo)電性膜，其特征在于，所述透明導(dǎo)電性膜是透明基 材、所述高折射層、低折射層及導(dǎo)電層的層壓結(jié)構(gòu)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的透明導(dǎo)電性膜，其特征在于， 所述低折射層的折射率為1. 4至1. 5。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的透明導(dǎo)電性膜，其特征在于， 所述低折射層的厚度為5nm至100nm。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的透明導(dǎo)電性膜，其特征在于， 所述高折射層的厚度為20nm至150nm〇
14. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的透明導(dǎo)電性膜，其特征在于， 所述透明基材是含有選自由聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚 碳酸酯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、乙烯-醋酸乙烯酯、聚乙烯醇及它 們的組合構(gòu)成的組中的任意一種的單一膜或?qū)訅耗ぁ?br>15. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的透明導(dǎo)電性膜，其特征在于， 所述導(dǎo)電層包含氧化銦錫或氟摻雜氧化錫。
16. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的透明導(dǎo)電性膜，其特征在于， 所述透明基材的單面或雙面進一步包含硬涂層。
【專利摘要】本發(fā)明涉及包含硅氧烷化合物及光產(chǎn)酸劑的低折射層涂敷用組合物。并且，本發(fā)明涉及包含利用上述低折射層涂敷用組合物而形成的低折射層的透明導(dǎo)電性膜。
【IPC分類】B32B27-08, C09D7-12, C09D183-02
【公開號】CN104812855
【申請?zhí)枴緾N201380058361
【發(fā)明人】洪琎基, 金源國
【申請人】樂金華奧斯有限公司
【公開日】2015年7月29日
【申請日】2013年9月30日
【公告號】WO2014073788A1