專利名稱：咔唑類化合物和包括該咔唑類化合物的有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及咔唑類化合物和包括該咔唑類化合物的有機(jī)發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
自發(fā)光裝置有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)具有如寬視角、優(yōu)異的對(duì)比度、快速響應(yīng)、高亮度、優(yōu)異的驅(qū)動(dòng)電壓特性等優(yōu)點(diǎn)，并具有提供彩色圖像的能力。常規(guī)有機(jī)發(fā)光二極管具有包括基板以及依次堆疊在基板上的陽極、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、電子傳輸層(ETL)和陰極的結(jié)構(gòu)。在此情況下，HTL、EML和ETL是由有機(jī)化合物形成的有機(jī)層。具有上述結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光二級(jí)管的工作原理如下。在陽極和陰極之間施加電壓時(shí)，由陽極注入的空穴通過HTL向EML遷移，且由陰極注入的電子通過ETL向EML遷移?？昭ê碗娮釉贓ML中再結(jié)合以產(chǎn)生激子。當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)降至基態(tài)時(shí)，發(fā)出光。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供咔唑類化合物和包括該咔唑類化合物的有機(jī)發(fā)光二極管。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供由以下通式I表示的咔唑類化合物
11通式I
權(quán)利要求
1. 一種咔唑類化合物，所述咔唑類化合物由通式I表示通式I
2.如權(quán)利要求I所述的咔唑類化合物，其中Ar1至Ar3各自獨(dú)立地為取代或未取代的亞苯基、取代或未取代的亞戊搭烯基、取代或未取代的亞茚基、取代或未取代的亞萘基、取代或未取代的亞奧基、取代或未取代的亞庚搭烯基、取代或未取代的亞引達(dá)省基、取代或未取代的亞苊基、取代或未取代的亞芴基、取代或未取代的亞葩基、取代或未取代的亞菲基、取代或未取代的亞蒽基、取代或未取代的亞熒蒽基、取代或未取代的亞苯并菲基、取代或未取代的亞吡喃基、取代或未取代的亞題基、取代或未取代的亞并四苯基、取代或未取代的亞茜基、取代或未取代的亞二萘嵌苯基、取代或未取代的亞五苯基或取代或未取代的亞并六苯基。
3.如權(quán)利要求I所述的咔唑類化合物，其中Ar1至Ar3各自獨(dú)立地為以下通式2A至21中的一個(gè)
4.如權(quán)利要求I所述的咔唑類化合物，其中所述含氮基為以下通式3A至3M中的一個(gè)
5.如權(quán)利要求4所述的咔唑類化合物，其中Z11至Z15各自獨(dú)立地為氫原子、重氫原子、鹵素原子、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、取代或未取代的C1-Cltl烷基、取代或未取代的C1-Cltl烷氧基或取代或未取代的C5-C2tl芳基。
6.如權(quán)利要求I所述的咔唑類化合物，其中所述含氮基為以下通式4Α至4Ρ中的一個(gè):
7.如權(quán)利要求I所述的咔唑類化合物，其中R1為含氮基，且c和d各自獨(dú)立地為I或2。
8.如權(quán)利要求I所述的咔唑類化合物，其中R2至R5中至少一個(gè)為含氮基。
9.如權(quán)利要求I所述的咔唑類化合物，所述咔唑類化合物由以下通式IA至IK中的一個(gè)表示
10.如權(quán)利要求I所述的咔唑類化合物，所述咔唑類化合物為結(jié)構(gòu)2、3、8、14、15、16、20、31或33中的一個(gè)
11.一種有機(jī)發(fā)光二極管，包括第一電極；與所述第一電極相對(duì)設(shè)置的第二電極；以及插入所述第一電極和所述第二電極之間的有機(jī)層，其中所述有機(jī)層包括權(quán)利要求I至10中任何一項(xiàng)所述的咔唑類化合物。
12.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述有機(jī)層包括空穴注入層、空穴傳輸層、具有空穴注入和空穴傳輸能力的層、緩沖層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、或具有電子注入和電子傳輸能力的層中的至少一層。
13.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述有機(jī)層包括所述空穴注入層、所述空穴傳輸層、所述具有空穴注入和空穴傳輸能力的層中的至少一層以及所述發(fā)光層，其中所述空穴注入層、所述空穴傳輸層以及所述具有空穴注入和空穴傳輸能力的層中的至少一層包括所述咔唑類化合物。
14.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述空穴注入層、所述空穴傳輸層和所述具有空穴注入和空穴傳輸能力的層中的至少一層進(jìn)一步包括相比所述咔唑類化合物具有更高空穴遷移率和更高導(dǎo)電率的雙極性化合物。
15.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光二極管。其中所述雙極性化合物由以下通式300表示
16.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述空穴注入層、所述空穴傳輸層和所述具有空穴注入和空穴傳輸能力的層中的至少一層進(jìn)一步包括電荷產(chǎn)生材料。
17.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中在所述空穴注入層、所述空穴傳輸層或所述具有空穴注入和空穴傳輸能力的層中的至少一層與發(fā)光層之間插入緩沖層。
18.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述發(fā)光層包括磷光摻雜劑。
19.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述有機(jī)層包括含所述咔唑類化合物的電子傳輸層。
20.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述有機(jī)層包括電子傳輸層，所述電子傳輸層包括電子傳輸有機(jī)化合物和含金屬材料。
全文摘要
一種通式1的咔唑類化合物和一種包括該咔唑類化合物的有機(jī)發(fā)光二極管。由通式1表示的咔唑類化合物具有三芳基胺結(jié)構(gòu)，其中R1至R5中至少一個(gè)基本為含氮基。因此，咔唑類化合物具有高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和/或高熔點(diǎn)，且在電子注入的過程中是穩(wěn)定的，并在插入有機(jī)發(fā)光二極管的一對(duì)電極(陽極和陰極)之間時(shí)，所述咔唑類化合物在有機(jī)發(fā)光二極管工作期間對(duì)于在一對(duì)電極之間的有機(jī)層、有機(jī)層之間或有機(jī)層與電極之間產(chǎn)生的焦耳熱可具有優(yōu)異的耐熱性。
文檔編號(hào)C09K11/06GK102911159SQ20121007781
公開日2013年2月6日 申請(qǐng)日期2012年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月5日
發(fā)明者李善英, 郭允鉉, 樸范雨, 申大燁, 李寬熙, 鄭惠仁, 高三一, 樸美花 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司