專利名稱：一種用于硫系相變材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法及拋光液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子輔助材料及加工工藝技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種用于硫系相變材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法及拋光液。
背景技術(shù)：
隨著微電子技術(shù)和計算機(jī)技術(shù)的迅速發(fā)展，對大容量的非揮發(fā)性的存儲器的需求越來越緊迫。而基于浮柵結(jié)構(gòu)的快閃(flash)存儲器由于較高的操作電壓、復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)和浮柵結(jié)構(gòu)不能無限減薄等問題，嚴(yán)重制約了快閃存儲器的進(jìn)一步應(yīng)用于各個領(lǐng)域。特別是當(dāng)工藝結(jié)點(diǎn)進(jìn)入45nm以后由于無法進(jìn)一步提高集成密度使得尋求新型存儲器替代快閃存儲器的需求更為迫切。相變存儲器因具有高速讀取、高可擦寫次數(shù)、非易失性、元件尺寸小、功耗低、抗強(qiáng)震動和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)，而被半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會認(rèn)為最有可能取代目前的閃存存儲器而成為未來存儲器主流產(chǎn)品。在眾多的相變材料中體系中，硫系化合物薄膜是人們關(guān)注最多的一種材料，其中的Ge-Sb-Te合金薄膜時最成熟一種材料。20世紀(jì)60年代末(Phys. Rev. Lett.，21，1450 1453，1986) 70 年代初(Appl. Phys. Lett.，18，254 257， 1970S. R. Ovshinsky提出了硫系化合物薄膜可用于相變存儲介質(zhì)的構(gòu)想即硫系化合物隨機(jī)存儲器(Chalcogenide-Random Access Memory，簡稱 C-RAM)。2001 年化{61 公司首次報道了 4MB的C-RAM，短短的三年時間后Samsung公司于2004年報道了 64MB的C-RAM， 其發(fā)展速度超過了其他的任何存儲器。2001年國際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖(ITRS)將C-RAM排在 Memory的第二位，2003年的時候就已經(jīng)升到第一位，可見其重要性。為了實(shí)現(xiàn)高密度、高集成度，同時降低相變電壓和功耗，這要求器件中材料的尺寸縮小至納米級。但是對于小尺寸器件(<0. 25Mm)，化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical Mechanical polishing簡稱CMP)是制備工藝中必不可少的一項(xiàng)關(guān)鍵工藝。這主要是由于隨著器件尺寸的不斷減小要求光刻系統(tǒng)具有更高的分辨率，而通過縮短曝光波長和采用較大的數(shù)值孔徑的來提高分辨率勢必會使曝光的焦深變淺，這就對曝光材料的表面平整度提出了極為苛刻的要求。為了解決淺焦深的難題，必須使用唯一能夠?qū)崿F(xiàn)全局平坦化的化學(xué)機(jī)械拋光法來實(shí)現(xiàn)材料表面平坦化。另外由于相變材料Ge-Sb-Te難以刻蝕，所以必須利用化學(xué)機(jī)械拋光來實(shí)現(xiàn)存儲器的基本結(jié)構(gòu)鑲嵌結(jié)構(gòu)。 綜上所述如何使用化學(xué)機(jī)械拋光來實(shí)現(xiàn)高密度、超細(xì)尺寸的C-RAM器件結(jié)構(gòu)，將是下一步 C-RAM發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)難題。CMP技術(shù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域已經(jīng)應(yīng)用很廣泛，尤其是在深亞微米IC 工藝材料必須實(shí)現(xiàn)全局平坦化。所以實(shí)現(xiàn)相變材料表面高平坦度，才可以進(jìn)行高分辨率的曝光刻蝕形成特定納米級鑲嵌結(jié)構(gòu)，使得存儲器材料相變時所需的電壓、功耗更小、體積縮小、存儲密度增大、成本降低。因此C-RAM的CMP研究不僅具有較大的科學(xué)意義，且潛在著巨大的商業(yè)價值。對于相變材料硫系化合物(Ge-Sb-Te)的化學(xué)機(jī)械拋光已經(jīng)有相關(guān)研究正在進(jìn)行， 其拋光液的研究已經(jīng)取得了一些成果，專利(CN1616572A)硫系化合物相變材料化學(xué)機(jī)械拋光的納米拋光液及其應(yīng)用介紹了一種拋光速率較快的拋光液，此拋光液損傷少、易清洗、不腐蝕設(shè)備、不污染環(huán)境，而且拋光速率較高。專利(CN1632023A)硫系相變材料化學(xué)機(jī)械拋光的無磨料拋光液及其應(yīng)用介紹了一種無磨料的拋光液，此拋光液損傷少、易清洗、不腐蝕設(shè)備、不污染環(huán)境，但是拋光速率較低。專利(CN101372606A)硫系化合物相變材料氧化鈰化學(xué)機(jī)械拋光液介紹了一種磨料為氧化鈰的拋光液，此拋光液可控制拋光速率在5nm/min 到1500nm/min，能夠獲得較好的表面質(zhì)量。上述拋光液都能夠?qū)崿F(xiàn)對相變材料Ge-Sb-Te硫系化合物的拋光，而且都具有各自的優(yōu)點(diǎn)。但是使用這些拋光液拋光實(shí)現(xiàn)相變存儲器鑲嵌結(jié)構(gòu)時由于拋光速率過快的拋光液容易造成過拋問題，這將大大降低存儲器件性能的穩(wěn)定性，嚴(yán)重時將導(dǎo)致器件不可用，使存儲數(shù)據(jù)丟失，給人們帶來損失。而拋光速率太慢的拋光液將降低拋光效率，從而增加生產(chǎn)成本。綜上所述上述拋光液在一次性拋光中都難以兼顧效率和避免過拋這兩個方面，因?yàn)橐岣邟伖庑示鸵岣邟伖馑俾剩@樣就難以精確控制拋光終點(diǎn)，故難以避免過拋的出現(xiàn)；同樣要精確控制拋光終點(diǎn)避免過拋就要降低拋光速率，這顯而易見降低了拋光的效率。為了解決上述問題，本發(fā)明提出了一種新的拋光方法及其納米拋光液，以解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對上述技術(shù)分析及存在的問題，提供一種用于硫系相變材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法及拋光液，該拋光方法包括粗拋和精拋，兼顧效率和防止過拋光兩個方面的問題，該方法拋光填充鑲嵌結(jié)構(gòu)通孔之后多余的硫系化合物，既能很好的實(shí)現(xiàn)鑲嵌結(jié)構(gòu)，而且又能防止過拋光的出現(xiàn)；此方法簡單易行、不會增加額外成本，在兼顧效率的同時很好的避免了過拋光問題，提高了器件性能的穩(wěn)定性。本發(fā)明的技術(shù)方案
一種用于硫系相變材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法，步驟如下
1)先對硫系相變材料粗拋，以快速去除鑲嵌結(jié)構(gòu)中通孔之外大量多余的硫系化合物；
2)然后對粗拋后的硫系相變材料繼續(xù)進(jìn)行超精細(xì)拋光，以將剩余的通孔之外的硫系化合物去除并露出最終的通孔陣列結(jié)構(gòu)。一種所述用于硫系相變材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法的拋光液，包括用于粗拋的拋光液A和用于超精細(xì)拋光的拋光液B，由納米研磨料、pH調(diào)節(jié)劑、表面活性劑、消泡劑、殺菌齊IJ、 助清洗劑和溶劑混合組成；其各成分的質(zhì)量百分比是納米研磨料為1. 0-30. 0wt%、pH調(diào)節(jié)劑加入量是使納米拋光液PH值為7-12、表面活性劑為0. 01-1. 0wt%、消泡劑為20-200ppm、 殺菌劑為10-50ppm、助清洗劑為0. 01wt%-0. lwt%、余量為溶劑。所述納米研磨料為氧化鈰和二氧化硅中的一種或兩種任意比例的混合物，其中氧化鈰為其水分散體，二氧化硅為膠體溶液；在拋光液A中納米研磨料的粒徑為130-200nm， 在拋光液B中納米研磨料的粒徑為l-30nm。所述pH調(diào)節(jié)劑為由無機(jī)pH調(diào)節(jié)劑和有機(jī)pH調(diào)節(jié)劑組成的復(fù)合pH調(diào)節(jié)劑，無機(jī) PH調(diào)節(jié)劑為Κ0Η，有機(jī)pH調(diào)節(jié)劑為氨水、四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨或羥基胺；無機(jī) PH調(diào)節(jié)劑和有機(jī)pH調(diào)節(jié)劑的體積比為1 :1-8。所述表面活性劑為硅烷聚二乙醇醚、聚二乙醇醚和十二烷基乙二醇醚中的一種或兩種任意比例的混合物。所述消泡劑為聚二甲基硅烷。所述殺菌劑為異構(gòu)噻唑啉酮。
所述助清洗劑為異丙醇。所述溶劑為去離子水。本發(fā)明的技術(shù)分析
拋光液中的納米研磨料主要作用是CMP時的機(jī)械摩擦。pH調(diào)節(jié)劑主要是調(diào)節(jié)拋光液的 PH值，使得拋光液穩(wěn)定，有助于CMP的進(jìn)行，選用復(fù)合pH調(diào)節(jié)劑，其中無機(jī)酸或堿能夠增強(qiáng)拋光液的化學(xué)作用，有機(jī)酸或堿能夠很好的保持溶液的PH值穩(wěn)定，確?；瘜W(xué)作用的一致穩(wěn)定，從而實(shí)現(xiàn)拋光速率的穩(wěn)定。表面活性劑的作用是使得拋光液中研磨料的高穩(wěn)定性，CMP 過程中優(yōu)先吸附在材料表面，化學(xué)腐蝕作用降低，由于凹處受到摩擦力小，因而凸處比凹處拋光速率大，起到了提高拋光凸凹選擇性，增強(qiáng)了高低選擇比，降低了表面張力，減少了表面損傷。拋光液中表面活性劑的加入通常導(dǎo)致泡沫的產(chǎn)生，不利用工藝生產(chǎn)的控制，通過加入極少量消泡劑實(shí)現(xiàn)低泡或無泡拋光液，便于操作使用。拋光液中含有許多有機(jī)物，長期存放容易形成霉菌，導(dǎo)致拋光液變質(zhì)，為此向拋光液中加入少量殺菌劑。助清洗劑的加入有助于減少顆粒的吸附，降低后期的清洗成本。在第一步粗拋光中選用大粒徑納米研磨料的拋光液A，此時可以獲得較高的拋光速率，在很短的時間內(nèi)就可以去除通孔外面覆蓋的大量的硫系化合物。當(dāng)被拋的硫系化合物只剩很薄一層時，將拋光液換成含小粒徑納米研磨料的拋光液B再進(jìn)行超精細(xì)拋光，由于納米研磨料的粒徑很小，所以此時的拋光速率很小，故精拋時能夠很精確的控制拋光的終點(diǎn)，防止過拋光問題的出現(xiàn)，同時能夠獲得高質(zhì)量的拋光結(jié)果。由于第二步超精細(xì)拋光時硫化物薄膜已經(jīng)很薄，所以盡管拋光速率很小但是也能在較短時間內(nèi)將剩余的硫系化合物全部拋光去除，露出最終的填充好硫系化合物相變材料的通孔整列結(jié)構(gòu)。此拋光方法主要是通過控制兩步拋光的拋光速率，實(shí)現(xiàn)粗拋和精拋相結(jié)合的方法，最終達(dá)到在兼顧拋光效率的同時避免過拋光出現(xiàn)的目的，而且還能獲得表面質(zhì)量高的通孔整列結(jié)構(gòu)，提高了整個器件性能的穩(wěn)定性和產(chǎn)品的良率，降低了成本。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)
本發(fā)明提供的通過兩步拋光的方法來實(shí)現(xiàn)用于相變存儲器硫系相變材料的鑲嵌通孔結(jié)構(gòu)，雖然使用的是兩步拋光，但是整個拋光過程中使用的拋光液除磨料粒徑大小不一致外，其它成分和含量均一致，所以在拋光的時候只需要更換不同的拋光液的研磨料即可，并沒有增加其它附加的操作，所以拋光過程簡單、連貫、易操作；所使用的拋光液損傷小，易清洗，不污染環(huán)境，能夠達(dá)到很好的表面粗糙度。通過此拋光方法可以很好的防止過拋光問題的出現(xiàn)，同時提高了加工效率，不僅節(jié)約了生產(chǎn)成本，還提高了存儲器件性能的穩(wěn)定性和產(chǎn)品的優(yōu)良率。


圖1為通孔填充硫系化合物相變材料后未拋光的鑲嵌結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為粗拋后含有少量未拋光的相變材料的鑲嵌結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為超精細(xì)拋光后去除多余相變材料的鑲嵌結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為拋光之前相變材料Ge2Sb2I^5薄膜AFM測量圖。
圖5為拋光之后相變材料GhSb2I^5薄膜AFM測量圖。
具體實(shí)施例方式通過以下實(shí)施例進(jìn)一步闡明本發(fā)明的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著進(jìn)步。但本發(fā)明決非僅局限于實(shí)施例。實(shí)施例1
一種用于硫系相變材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法的拋光液，由納米研磨料、PH調(diào)節(jié)劑、表面活性劑、消泡劑、殺菌劑、助清洗劑和溶劑混合組成。納米拋光液的配制1)粗拋步驟所使用的拋光液A中含有15(Tl70nm的二氧化硅膠體20wt% ；十二烷基乙二醇醚0. 2wt% ；聚二甲基硅烷50ppm ；異構(gòu)噻唑啉酮IOppm ；異丙醇 0. 03wt%;K0H和四甲基氫氧化銨(體積比為1:1)為pH調(diào)節(jié)劑，pH為9. 4，其余為去離子水； 2)精拋步驟所使用的拋光液B除選用粒徑為l(T20nm的二氧化硅膠體作為納米研磨料外， 其余成分和含量均與粗拋時的拋光液一致。配制時按照磨料粒徑的不同將上述原料混合， 并使用磁力攪拌機(jī)攪拌均勻分別配置成適用于粗拋和精拋的拋光液，然后直接上機(jī)實(shí)驗(yàn)。拋光工藝的實(shí)現(xiàn)采用美國Mrasbaugh的6EC nSpire拋光機(jī)，拋光墊為 Rohm&Haas IC1000，拋光頭轉(zhuǎn)速為35rpm及拋光盤轉(zhuǎn)速為40rpm，拋光液流速100ml/min，下壓力為2psi。先用含有大粒徑納米研磨料的拋光液進(jìn)行粗拋，在大量去除相變材料之后，換用含有小粒徑納米研磨料的拋光液進(jìn)行精拋，直至將通孔外多余相變材料去除干凈為止。 圖2為粗拋后含有少量未拋光的相變材料的鑲嵌結(jié)構(gòu)示意圖，圖3為超精細(xì)拋光后去除多余相變材料的鑲嵌結(jié)構(gòu)示意圖。拋光的樣品制備如下1)在襯底Si/SiA上沉積厚度IOOnm的底電極W層；2)在底電極W層上沉積厚度200nm的介質(zhì)層SW2 ；3)通過光刻工藝對SW2層刻蝕，形成IOOOnm 的陣列孔；4)在帶陣列孔的SW2上沉積Ge2Sb2I^5相變材料，填充覆蓋所有陣列孔。圖1為未拋光樣品的結(jié)構(gòu)示意圖。拋光效果測試有Dektak 150輪廓儀測量拋光前后的相變材料Ge2Sb2I^5薄膜的厚度差，除以拋光時間就可以得到拋光的速率，用Agilent公司的原子力顯微鏡(AFM)來測量拋光前后相變材料Ge2Sb2I^5薄膜的表面形貌和粗糙度。圖4為拋光之前相變材料 Ge2Sb2Te5薄膜AFM測量圖，圖5為拋光之后相變材料GhSb2I^5薄膜AFM測量圖。拋光效果粗拋時相變材料Ge2Sb2Tii5的拋光速率205nm/min，精拋時的拋光速率為43nm/min，SiO2拋光速率5. 3nm/min,拋光前表面粗糙度RMS (5 μ mX 5 μ m)為8. 7nm，拋光后表面粗糙度RMS(5 μ mX5 μ m)為0. 9nm，Ge2Sl32Te5/Si02選擇比為8. 11 1。圖3為對多余的相變材料Ge2Sb2I^5薄膜CMP后結(jié)構(gòu)示意圖。實(shí)施例2
一種用于硫系相變材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法的拋光液，由納米研磨料、PH調(diào)節(jié)劑、表面活性劑、消泡劑、殺菌劑、助清洗劑和溶劑混合組成。納米拋光液的配制1)粗拋步驟使用的拋光液A中含有150-170nm的二氧化硅膠體5wt%，130-150nm的氧化鋪4wt% ；聚二乙醇醚0. lwt%,十二燒基乙二醇醚0. lwt% ；聚二甲基硅烷50ppm ；異構(gòu)噻唑啉酮IOppm ；異丙醇0. 03wt% ；KOH和四乙基氫氧化銨(體積比為 1:3)為pH調(diào)節(jié)劑，pH為10. 2，其余為去離子水；2)精拋步驟所使用的拋光液B除選用粒徑為5-15nm的二氧化硅膠體和l(T20nm的氧化鈰作為納米研磨料外，其余成分和含量均與粗拋時的拋光液一致。配制時按照磨料粒徑的不同將上述原料混合，并使用磁力攪拌機(jī)攪拌均勻分別配置成適用于粗拋和精拋的拋光液，然后直接上機(jī)實(shí)驗(yàn)。拋光工藝、拋光樣品制備和拋光效果測試同實(shí)施例1。拋光效果粗拋時相變材料Ge2Sb2Tii5拋光速率234. 8nm/min,精拋時相變材料Ge2Sb2Tii5的拋光速率為37. 8nm/min，SiO2拋光速率6. 2nm/min，拋光前表面粗糙度 RMS(5ymX5ym)為 12. 4nm，拋光后表面粗糙度 RMS (5 μ mX 5 μ m)為 0. 63nm，Ge2Sb2Te5/ SiO2選擇比為6. 11:1。實(shí)施例3
一種用于硫系相變材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法的拋光液，由納米研磨料、PH調(diào)節(jié)劑、表面活性劑、消泡劑、殺菌劑、助清洗劑和溶劑混合組成。納米拋光液的配制1)粗拋步驟所使用的拋光液A中含有130-160nm的二氧化硅膠體5wt%，160-180nm的二氧化鈰2wt% ；聚二乙醇醚0. 3wt% ；聚二甲基硅烷50ppm ；異構(gòu)噻唑啉酮IOppm ；異丙醇0. 03wt% ；KOH和羥基胺(體積比為1 3)為pH調(diào)節(jié)劑，pH % 10.8, 其余為去離子水；2)精拋步驟所使用的拋光液B除選用粒徑為10-20nm的二氧化硅膠體和 15-20nm的氧化鈰作為納米研磨料外，其余成分和含量均與粗拋時的拋光液一致。配制時按照磨料粒徑的不同將上述原料混合，并使用磁力攪拌機(jī)攪拌均勻分別配置成適用于粗拋和精拋的拋光液，然后直接上機(jī)實(shí)驗(yàn)。拋光工藝、拋光樣品制備和拋光效果測試同實(shí)施例1。拋光效果粗拋時相變材料Ge2Sb2Tii5的拋光速率M9. 8nm/min,精拋時相變材料Ge2Sb2Tii5的拋光速率是34. 6nm/min，SiO2拋光速率5. 6nm/min，拋光前表面粗糙度 RMS(5ymX5ym)為 13. 7nm，拋光后表面粗糙度 RMS (5 μ mX 5 μ m)為 0. 45nm，Ge2Sb2Te5/ SiO2選擇比為6. 18:1。實(shí)施例4
一種用于硫系相變材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法的拋光液，由納米研磨料、PH調(diào)節(jié)劑、表面活性劑、消泡劑、殺菌劑、助清洗劑和溶劑混合組成。納米拋光液的配制1)粗拋步驟所使用的拋光液A中含有160-180nm的二氧化鈰5wt% ；硅烷聚二乙醇醚0. 5wt% ；聚二甲基硅烷50ppm ；異構(gòu)噻唑啉酮IOppm ；異丙醇 0. 03wt%;K0H和四甲基氫氧化銨(體積比為1:2)為pH調(diào)節(jié)劑，pH為9. 6，其余為去離子水； 2)精拋步驟所使用的拋光液B除選用粒徑為15-30nm的氧化鈰作為納米研磨料外，其余成分和含量均與粗拋時的拋光液一致。配制時按照磨料粒徑的不同將上述原料混合，并使用磁力攪拌機(jī)攪拌均勻分別配置成適用于粗拋和精拋的拋光液，然后直接上機(jī)實(shí)驗(yàn)。拋光工藝、拋光樣品制備和拋光效果測試同實(shí)施例1。拋光效果粗拋時相變材料Ge2Sb2I^5的拋光速率226nm/min，精拋時相變材料 Ge2Sb2Te5的拋光速率為48. 6nm/min, SiO2拋光速率6. 4nm/min，拋光前表面粗糙度RMS為 9. 8nm,拋光后表面粗糙度 RMS (5 μ mX 5 μ m)為 0. 78nm, Ge2Sb2Te5/Si02 選擇比為 7. 59:1。
權(quán)利要求
1.一種用于硫系相變材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于步驟如下1)先對硫系相變材料粗拋，以快速去除鑲嵌結(jié)構(gòu)中通孔之外大量多余的硫系化合物；2)然后對粗拋后的硫系相變材料繼續(xù)進(jìn)行超精細(xì)拋光，以將剩余的通孔之外的硫系化合物去除并露出最終的通孔陣列結(jié)構(gòu)。
2.一種如權(quán)利要求1所述用于硫系相變材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法的拋光液，其特征在于包括用于粗拋的拋光液A和用于超精細(xì)拋光的拋光液B，由納米研磨料、pH調(diào)節(jié)劑、 表面活性劑、消泡劑、殺菌劑、助清洗劑和溶劑混合組成；其各成分的質(zhì)量百分比是納米研磨料為1.0-30. 0wt%、pH調(diào)節(jié)劑加入量是使納米拋光液pH值為7-12、表面活性劑為 0. 01-1. 0wt%、消泡劑為 20-200ppm、殺菌劑為 10_50ppm、助清洗劑為 0. 01wt%-0. lwt%、余量為溶劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述用于硫系相變材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法的拋光液，其特征在于所述納米研磨料為氧化鈰和二氧化硅中的一種或兩種任意比例的混合物，其中氧化鈰為其水分散體，二氧化硅為膠體溶液；在拋光液A中納米研磨料的粒徑為130-200nm，在拋光液B中納米研磨料的粒徑為l-30nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述用于硫系相變材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法的拋光液，其特征在于所述PH調(diào)節(jié)劑為由無機(jī)pH調(diào)節(jié)劑和有機(jī)pH調(diào)節(jié)劑組成的復(fù)合pH調(diào)節(jié)劑，無機(jī)pH調(diào)節(jié)劑為Κ0Η，有機(jī)pH調(diào)節(jié)劑為氨水、四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨或羥基胺；無機(jī)PH調(diào)節(jié)劑和有機(jī)PH調(diào)節(jié)劑的體積比為1 :1_8。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述用于硫系相變材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法的拋光液，其特征在于所述表面活性劑為硅烷聚二乙醇醚、聚二乙醇醚和十二烷基乙二醇醚中的一種或兩種任意比例的混合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述用于硫系相變材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法的拋光液，其特征在于所述消泡劑為聚二甲基硅烷。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述用于硫系相變材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法的拋光液，其特征在于所述殺菌劑為異構(gòu)噻唑啉酮。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述用于硫系相變材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法的拋光液，其特征在于所述助清洗劑為異丙醇。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述用于硫系相變材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法的拋光液，其特征在于所述溶劑為去離子水。
全文摘要
一種用于硫系相變材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法，步驟為1)先對硫系相變材料粗拋，以快速去除鑲嵌結(jié)構(gòu)中通孔之外大量多余的硫系化合物；2)然后對粗拋后的硫系相變材料繼續(xù)進(jìn)行超精細(xì)拋光，以將剩余的通孔之外的硫系化合物去除并露出最終的通孔陣列結(jié)構(gòu)；該拋光方法的拋光液，包括用于粗拋的拋光液A和用于超精細(xì)拋光的拋光液B，由納米研磨料、pH調(diào)節(jié)劑、表面活性劑、消泡劑、殺菌劑、助清洗劑和溶劑混合組成。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)拋光效率高、拋光后表面平整無劃痕、工藝簡單易行、能夠很好的防止過拋，從而提高了基于鑲嵌結(jié)構(gòu)制造的相變存儲器性能的穩(wěn)定性和產(chǎn)品的優(yōu)良率，降低了成本。
文檔編號C09G1/02GK102441819SQ20111032025
公開日2012年5月9日 申請日期2011年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月20日
發(fā)明者張楷亮, 張濤峰, 曲長慶, 王芳, 趙金石 申請人:天津理工大學(xué)